本期封面报道单位  东南大学集成电路学院MEMS教育部重点实验室

封面文章  MEMS器件辐射损伤机理与抗辐射加固技术研究进展

中文引用格式：郭凯茜，朱志成，徐东航，聂萌. MEMS器件辐射损伤机理与抗辐射加固技术研究进展[J]. 电子与封装, 2025, 25(11): 110102 .

微机电系统（MEMS）在太空探测、核能工程等极端辐射环境中广泛应用，其辐射可靠性已成为决定任务成败的关键。《电子与封装》特邀东南大学聂萌教授团队撰写《MEMS器件辐射损伤机理与抗辐射加固技术研究进展》，探讨了基于不同工作原理（如静电驱动、压阻传感、压电转换）的MEMS器件在辐射环境中的性能退化问题。      文章重点剖析了两大主要辐射效应的作用机理：电离效应会导致电荷积累，干扰静电驱动器的正常工作并引起传感器信号漂移；而位移损伤则会破坏材料的晶格结构，造成压阻系数退化等不可逆的性能衰减。清晰认识这些失效规律，是设计高可靠性器件的基础。      针对上述挑战，文章详细评述了当前主要的抗辐射加固技术路径。研究表明，从材料层面选用对辐射不敏感的特殊介质、在结构层面进行优化设计以降低敏感节点的辐射暴露或在工艺层面引入特定的热处理步骤来退火修复损伤，都能有效提升MEMS的辐射耐受性。      面向未来深空探测与核反应堆监测等尖端应用需求，文章展望了MEMS抗辐射技术的发展趋势。未来的研究将更侧重于设计-工艺协同优化，并致力于开发具备在线自监测与自适应补偿能力的智能MEMS器件。

图1  未选择性刻蚀电介质的微镜（左）与选择性刻蚀电介质的微镜（右）