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《电子与封装》封面文章:基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化

已有 535 次阅读 2025-9-28 15:46 |系统分类:论文交流

本期封面报道单位 天芯互联科技有限公司

封面文章 基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化

中文引用格式:江京,刘建辉,陶都,等. 基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化[J]. 电子与封装, 2025, 25(2): 020202.

近年来,5G通信、雷达、物联网及人工智能等技术迅猛发展,推动了电子产品向高集成度、小型化、便捷化的方向迈进。这一趋势促使封装技术不断创新,旨在实现多芯片或元器件的高效集成,以提升封装的整体效能。在此背景下,扇出型板级封装(FOPLP)作为一种先进的微电子封装技术,凭借其成本效益高、集成度高及材料利用率优异等特点,赢得了业界的高度关注。

随着集成电路芯片特征尺寸的持续缩减和集成密度的不断提升,输入/输出(I/O)接口的间距日益缩小,数量显著增加。这种变化给多I/O芯片产品带来了挑战,尤其是在激光刻蚀工艺中,随着孔数量的增多,封装体内部的结构应力增大,可能影响到产品的长期稳定性和可靠性。

天芯互联科技有限公司江京等撰写的《基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化》一文系统梳理了基于FOPLP工艺多I/O芯片封装产品的可靠性研究进展,深入探讨了封装结构、制备工艺对多I/O芯片产品在BHAST条件下电学和力学性能的影响,这些性能与产品厚度、布线设计以及盲孔位置等因素密切相关。此研究方法不仅具有高度的适用性,能够广泛拓展至各类封装产品中,而且为提升多I/O芯片封装产品的可靠性提供了新的视角与策略,为产品在长期可靠应用中的表现提供了试验验证和数据支撑。



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