Partial charge density计算或称为Band decomposed charge density计算，即计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。特别是用在 STM的计算中，以及分析特定能量范围内或能量点的化学键特征(或atomic characteristic)。

下面以计算金刚石结构Si(晶格常数为5.40 angstrom)的VBM(价带顶)为例：
一、先自洽计算得到收敛的电荷密度(CHGCAR和CHG)和波函数(W***ECAR).
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INCAR输入文件如下：
SYSTEM = Si
ENCUT = 400
ISTART = 0
ICHARG = 2
ISMEAR = -5
EDIFF = 1E-5
PREC = Accurate
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KPOINTS输入文件：
auto
0
M
11 11 11
0.0 0.0 0.0
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二、Gamma点的第4条能带(Si的价态顶在Gamma点，且Si原胞中的总价电子数是8)的Band decomposed charge density计算:
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INCAR输入文件如下：
SYSTEM = Si
ENCUT = 400
#ISTART = 1
#ICHARG = 11
ISMEAR = 0; SIGMA = 0.2
EDIFF = 1E-5
PREC = Accurate
#LW***E = .F.
#LCHARG = .F.
LPARD =.TRUE.
IBAND = 4
NBMOD = 1
KPUSE = 1
LSEPB=.TRUE.
LSEPK=.TRUE.
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KPOINTS输入文件如下：
k-points along high symmetry lines
1
Reciprocal
0.000000 0.000000 0.000000 1.00
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这一步计算时，记得把前面一步计算得到的收敛的电荷密度文件CHGCAR和CHG，以及波函数文件(W***ECAR)拷贝到当前的计算目录中。

计算完后得到PARCHG.0004.0001，这个就是第四条能带在Gamma点对应的电荷密度文件。下面的图是根据这个文件画出在(110)面分布情况（等高线从0 e/A^3到0.215 e/A^3，间隔为0.01 e/A^3)：


最后对下面的几个关键词进行解释：
LPARD:可赋予的值为.TRUE.或.FALSE.，它的默认值是.FALSE.，当为.TRUE.时，表示读入自洽收敛的CHGCAR和W***ECAR并进行Band decomposed charge density计算。

IBAND：它的赋值就是你想要计算的第几条能带或哪几条能带(比如要计算第4、5、6条能带,那么就设置IBAND = 4 5 6)。此时NBMOD的值就是所要计算的能带的条数（本例中，只计算一条能带，那么设置为1)。它和EINT不能一起用。

EINT：另一种指定所要计算能带的方式，它是指定计算某能量范围的Band decomposed charge density，一般是设置为两个实数，比如EINT= 4.00 5.00，此时
NBOMD的值设置为-2。如果只设置了一个数，那么表示计算从EINT到费米能级这个范围内的，此时NBOMD的值为-3.

NBOMD: 它的某些赋值情况在前面有介绍，下面补充：当设置0时，表示计算全部的电荷密度（并包括了未占据的能带）；如果设置-1，就是通常的电荷密度计算，这也是它的默认值。

KPUSE：指定所要计算的k点(哪个或哪几个)，比如本例中，要计算一个，并相应的在KPOINTS设置所要计算的k点。如果要计算好几个，那么设置KPUSE的值为这些k点在KPOINTS中的序号。

LSEPB：指定是不是要把计算的partial charge density按每个带分别写到各自对应的文件PARCHG.nb.(设置为.TRUE.)中，还是把它们合并写到一个文件中(相当于把各个带对应的partial charge density加起来，设置为.FALSE.)。默认值为.FALSE.。

LSEPK：指定是不是把要计算的partial charge density按每个k分别写到各自对应的文件PARCHG.nk.(设置为.TRUE.)中，还是把它们合并写到一个文件中(相当于把各个带对应的partial charge density加起来，设置为.FALSE.)。默认值为.FALSE.。

用VASP进行Partial Charge分析实例
在这篇文章中，我将首先介绍Partial Charge的概念，以及如何用VASP具体的计算Partial Charge。首先，所谓的Partial Charge是针对与Total Charge来说的，指的是某个能量范围、某个K点或者某个特定的态所对应的电荷密度。在文献中最常见的是价带顶部，导带底部，表面态或者局域态所对应的Partial Charge。通过分析这些态所对应的Partial Charge，可以得到体系的一些性质，比如局域态具体的是局域在哪个原子上等。我将通过具体的例子说明如何用VASP进行Partial Charge Analysis。
进行Partial Charge Analysis的第一步是进行自洽的计算，得到体系的电子结构。这一步的计算采用通常的INCAR和KPOINTS文件。在自洽计算结束后，我们需要保存WAVECAR文件。（通过在INCAR文件中设置LWAVE=TRUE实现）在这个例子中，假设我们需要计算一个硅纳米线的导带和价带的Partial Charge。

第二步是画出能带结构，以决定你需要画哪条能带的那个K点的态所对应的Partial Charge。关于具体如何用VASP画能带，请参见用VASP4.6计算晶体硅能带实例一文。