引子来自硅晶，同时镜某也查了一下单晶硅生长的介绍（比如直拉法单晶硅生长原理及工艺，发现有必要澄清一些事情。

应该说基础研究基本上都是美国人 （贝尔研究所）做的。

硅的原料来自二氧化硅，单晶的二氧化硅就是水晶。二氧化硅在电弧炉里被碳还原，得到金属级的硅，纯度在98%。硅的约80%用于炼钢的脱氧剂或合金。炼钢的炉渣能做水泥的理由来源于此。剩下的约20%用来做硅胶。约1%的硅是用来做半导体的，纯度很高（11N，11个9。不过这也只是个“传说”，是以B的含量为指标，不考虑其他的元素）。剩下的一个级别是所谓的电池级别的硅，有6N的纯度吧。很多人以为太阳能电池是硅的问题、是效率的问题，其实不然。这个领域是靠政府的政策补贴过活的，没有了补贴，难以生存。这事儿有机会再论，以前也已经论过了。

纯化硅原料的方法有几种。出名的是西门子法，SiHCl₃和H₂做还原反应，析出多晶的棒来。棒直接就可以做FZ单晶了。杜邦法是将SiCl₄和Zn做还原反应。法国的皮西奈法是SiHCl₃的热分解，还有石塚法是SiCl₄的热分解。还有一些其他的方法。石塚法在经济上、原理上都好于西门子法。但是大规模生产起步晚了一些，如今都是西门子法的提纯方法了。这就是所谓的既成事实标准。DOS作为OS不是最好的，word作为软件也不是最好的。但是已经形成了这个潮流了，不可抗拒了。

SiHCl₃的沸点约32度，很容易分馏纯化。经H₂还原后CVD出来电子级的硅原料。

怎样获得巨大的硅单晶？有两种方法，区熔法（FZ）和直拉法（CZ）。区融的高频线圈的内径要比晶体外径小。这个事儿不见现场是不知道的。一般书上的图都画得与外径相等。FZ法的籽晶一般在下部，CZ的籽晶在上部。籽晶很细，其中有个叫做Dush缩脖（颈）法的无错位长晶技术，用来把错位截止在籽晶的细脖处。待晶体表面出现了晶癖后，说明已经没有错位了，便可以调节拉晶速度和炉温，增加晶体直径（放肩），直到所需要的直径。

晶体和融液的旋转是为了保持系统的均匀性，用磁场也是为了抑制融液的对流，保证均匀。

----------
就“是”论事儿，就“事儿”论是，就“事儿”论“事儿”。