近日，一则关于“瑞银研究报告称中国EUV光刻技术成熟度仅相当于ASML的2004年水平，落后约22年，且未来十年难有替代方案”的资讯引发广泛关注^[1]。报告基于对光源、激光光子系统等领域专利的分析，认为中国EUV商业化量产仍有长路要走。面对外界基于特定视角的评估乃至唱衰，国人热评“没有克服不了的困难”彰显了底气。于中国科技界而言，更需秉持守正创新、自信自爱之精神，在自立自强中砥砺前行、勇于突破。

客观正视差距，是守正务实的科学态度。高端EUV光刻机堪称人类工业文明皇冠上的明珠，ASML历经数十年迭代，构筑了极紫外光源、高精度光学系统及全球精密供应链的极高壁垒。承认目前在部分核心子系统上与顶尖水平存在代差，并非妄自菲薄，而是尊重科学规律的清醒认知。

然而，静态的专利与代际对比往往忽略了中国速度与创新意志。评估亦指出，在技术门槛相对较低的浸润式DUV领域，中国追赶迅速，预计2到5年内有望实现大规模量产^[1]。一旦实现自主可控，外部出口管制的效力将自然消解。历史反复证明，从“两弹一星”到北斗，外部技术封锁往往是倒逼自主创新的强劲动能。

十年追不上？前路虽漫，但“十年磨一剑”本就是中国科研的厚重底色。跨越技术鸿沟需扎实的基础研究、新材料突破与全产业链协同。我们不搞浮夸口号，但绝不被“落后22年”的论断束缚信心。通过换道超车与体系化攻关，中国光刻终将以硬核实力回应质疑^[2]。

风物长宜放眼量。理性看待评估数据，坚持自信自爱、自立自强，中国芯与国产光刻机的破壁曙光必在前方。

参考文献

[1] Bloomberg. China Unlikely to Match ASML's Top Tool in Next Decade, UBS Says[EB/OL]. (2026-09-01)[2026-09-03].

WCCFtech转述： https://wccftech.com/china-trails-asmls-advanced-euv-chip-making-technology-by-10-years-says-investment-bank-ubs-as-progress-is-stuck-at-asmls-2004-level

新浪财经转述： https://finance.sina.cn/tech/2026-09-02/detail-iniqkzma1305907.d.html

[2] 胡楚雄, 周冉, 付宏, 等. 集成电路装备光刻机发展前沿与未来挑战[J]. 中国科学:信息科学, 2024, 54(1): 130-143. DOI: 10.1360/SSI-2023-0378.

https://doi.org/10.1360/SSI-2023-0378

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