在查看论文被SCI引用情况的时候，发现我们组光解水的文章被人引用了。那篇文章是关于碳化硅表面亲水性处理对光解水性能影响的，2012年才在"International Journal of Hydrogen Energy"上发表(Photocatalytic hydrogen production over modified SiC nanowires under visible light irradiation. Int. J. Hydrogen Energy 2012, 37: 15038−15044)， 没想到这么快就被人引用了。

于是我就找来那篇引用我们工作的文章。该文发表在JPCL上，是用理论计算的方法研究碳化硅电化学析氢机理的，题目为：Atomic-Scale Mechanism of Efficient Hydrogen Evolution at SiC Nanocrystal Electrodes ( JPCL, 2013, 4:100)。我以为人家只是在前言部分泛泛提了一下我们的工作，结果看完了前言也没找到引用我们文章的地方。读到中间的时候，才发现该文用我们的实验结果支持他们的结论。他们的理论计算结果表明，碳化硅表面氢和羟基终端（-H和-OH）的覆盖度在氢气产生过程中不发生变化。还说，这个结论与最近的实验工作相一致。我们那篇文章是我一字一句改过好多遍的，并没有这样的结论啊。

     原来，我们在那篇文章中有一个结果，即碳化硅的产氢速率在10个小时内几乎不发生变化。产氢速率当然与碳化硅表面的氢终端浓度成比例，所以可以推断碳化硅表面氢终端的浓度在产氢过程中不变。-H浓度不变，自然-OH浓度也不会变化。但我们的文章，却只是就事论事说碳化硅光解水活性稳定，而没有进一步探究深层原因。看来，以后还得继续努力啊！


 

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