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随着电子器件向小型化、高功率密度与多功能集成不断演进,散热问题正从“配角”变成影响可靠性和寿命的“关键短板”。过多的热不仅会降低CPU、功率器件、LED等的工作效率,还可能诱发材料老化、热失控甚至安全事故。因此,围绕芯片与散热器之间那一层“看不见的夹层”—热界面材料(TIMs)展开的研究,愈发受到关注。近期,皇家墨尔本理工大学工程学院Yingyan Zhang教授和Jie Yang教授团队联合发表了一篇综述,系统梳理了石墨烯/六方氮化硼(graphene/hexagonal boron nitride, Gr/h-BN)异质结构及其聚合物纳米复合材料的热学特性最新进展,从基础机理到界面工程,再到聚合物TIM应用,为新一代电子封装与热管理材料的设计提供了清晰的技术图谱。

石墨烯与h-BN的互补优势:石墨烯与h-BN可谓TIM填料中的“黄金搭档”。石墨烯(Graphene)具有单层sp²碳原子蜂窝结构,悬挂态热导率可达数千W·m⁻¹·K⁻¹,具备极高的声子输运能力;六方氮化硼(h-BN)同样为2D蜂窝结构,面内热导率可达约550 W·m⁻¹·K⁻¹,同时兼具优异电绝缘性、热稳定性与力学性能,非常适合作为高导热绝缘填料。综述指出,围绕这两类材料,研究者通过缺陷工程、掺杂与同位素调控、应变工程与表面氢化等手段,实现了对其声子输运与热导率的精细调控。例如,控制孔洞缺陷、N/B掺杂或氢化程度,可以在较宽范围内调节石墨烯的热导;同位素富集与混合则显著影响h-BN的声子散射与热传输行为
Gr/h-BN异质结构中的热传导调控:近年兴起的范德华(vdW)异质结构为热界面材料提供了新的设计维度。综述重点总结了:(1)二维平面Gr/h-BN异质结:石墨烯与h-BN晶格失配仅约1%,有利于形成缺陷较少的界面;不同界面键合方式(C–N vs C–B)会显著影响界面热导,C–N键由于应力更小、热流更大,可使界面热导提高约20%,有利于声子跨界面传输。(2)三维堆叠vdW异质结构:将石墨烯垂直封装在h-BN层间,可利用h-BN的电绝缘与结构保护,同时保持甚至提升石墨烯的热输运能力;通过调节层数、扭转角度、界面耦合强度以及引入sp³键等方式,可以在“抑制声子散射” 与 “增强层间耦合” 之间寻找最优平衡,实现可调的热导率。此外,综述还强调了缺陷、掺杂、应变与成分梯度界面的协同效应,例如成分梯度界面长度增加会提高声子局域化程度,从而降低整体热导,为 “按需设计” 热通道提供了新的思路。
Gr/h-BN聚合物纳米复合TIM的应用:在应用层面,文章重点评述了石墨烯/h-BN杂化填料强化聚合物TIM的最新进展。通过将石墨烯的高热导与h-BN的电绝缘性和热稳定性结合,构建协同导热网络,可以在以下几方面取得兼顾:(1)显著提升热导率: Gr/h-BN杂化填料在不同聚合物中的热导增强效果突出,例如在PEG中,10 vol%填料可实现约842%的热导率提升;在PVDF中,石墨烯–BN纳米管(E-G-BNNT)复合填料可将面外热导率提升超过1400%。(2)保持电绝缘与力学性能:相比单一碳材料填料(如CNT或石墨烯)易引入电导通路,Gr/h-BN体系在保证高热导的同时仍能维持良好电绝缘性;与传统陶瓷填料相比,在较低填充量下即可获得可比甚至更优的导热性能,同时避免了高填充导致的脆性与加工困难。综述通过系统对比不同填料体系的热导增强倍率、填充量、力学性能与绝缘性数据,指出Gr/h-BN杂化填料有望在“高热导–高绝缘–高可靠性”之间实现更为均衡的综合表现,被认为是下一代高性能聚合物TIM的重要候选。
面向下一代高功率电子的热管理材料设计:在结论与展望部分,作者对Gr/h-BN及其聚合物复合体系的未来研究方向进行了归纳,包括多尺度结构与界面协同设计、界面工程与加工工艺的协同优化、数据驱动的材料设计和从实验室到工程应用。未来工作将更多聚焦于可规模化制备、可靠性验证以及与实际封装工艺的兼容性,推动这些材料真正服务于高功率电子、储能系统与新一代信息终端。这篇综述不仅系统总结了石墨烯、h-BN及其异质结构的热学调控策略,更将视角延伸至聚合物基TIM的实际应用场景,为高性能、可工程化的热管理材料设计提供了重要参考
原文信息:
Youzhe Yang, Huanzhi Song, Ning Wei, Jie Yang*, Yingyan Zhang*
Recent advances in thermal properties of graphene/hexagonal boron nitride heterostructures and their polymer nanocomposites: A review
Advanced Nanocomposites, 2 (2025) 185–204
https://doi.org/10.1016/j.adna.2025.09.001
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