摘要

二维闪存(2D NAND)技术自问世以来经历了三十余年的迭代发展, 制程尺寸持续微缩, 存储单元间的串扰问题日益严重, 产品可靠性面临严峻挑战. 为突破二维闪存的物理微缩极限, 三维闪存(3D NAND)技术应运而生, 开启了NAND闪存发展的全新纪元. 该技术通过从平面结构向三维结构的转变, 实现了存储密度的革命性提升, 使制造工艺从以光刻为主导的平面缩微技术, 转向以刻蚀为核心的三维集成技术. 随着人工智能与大数据时代的到来, 3D NAND闪存技术在存储密度、容量、成本和可靠性等方面面临新的要求与挑战. 在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下, 长江存储开发了以晶栈(Xtacking)为代表的创新架构, 逐步突破并引领全球3D NAND闪存技术的创新性发展. 本文重点梳理晶栈架构关键技术与优势, 并系统总结3D NAND闪存技术在向高密度、高性能及高可靠性发展过程中面临的潜在挑战及其解决方案.

#Nand，#闪存，#Xtacking，#晶栈，#存储器

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