原文已发表在CPL Express Letters栏目

Received 20 July 2020; 

online 24 August 2020

首次将点接触安德列夫（Andreev）反射谱技术与高压技术相结合，成功发展了静水压力环境下研究超导序参量的实验工具，为探索高压超导电性开辟了一条新的途径。

压力作为物态方程中的一个重要的热力学强度量，在凝聚态物质结构及其物理、化学性质研究中起着举足轻重的作用。施加压力可以改变绝大多数固体材料的晶体结构、能带结构以及电子态结构，从而导致固体材料的物理性质发生显著的变化。特别是在超导关联电子体系中，通过施加高压实现多种电子有序相之间相互竞争/合作，为深入理解非常规超导机制提供了一条重要途径，也是判定超导电子配对理论模型优劣的重要判据之一。因此，发展能在压力环境下工作的实验测量技术手段，特别是压力环境下的谱学测量技术就显得尤为重要。

最近，云南大学任聪研究组与中科院物理所陈根富研究组通力合作，在先前发展的高压超导隧道谱技术[Appl. Phys. Lett. 106, 202601 (2015)]的基础上，将高压技术应用于点接触隧道谱测量技术中。他们以非中心对称超导体PbTaSe2（Tc=3.85 K）单晶为研究对象，制备了高质量平面点接触隧道结，并进行了静水压力下的安德列夫反射谱测量实验。在各向同性静水压作用下，安德列夫反射谱的谱型以及安德列夫结电阻都发生系统性的变化。他们利用扩展的BTK理论模型进行细致的数据分析，得到了超导序参量---超导能隙∆的大小及序参量临界温度Tc与压力的依赖关系。由此得到表征超导电子对耦合强度的参量---能隙比值2∆/Tc。结果表明，在压力作用下PbTaSe2超导体的电声作用耦合强度从弱耦合区过渡到强耦合极限区。这一实验结果为深入理解非中心对称超导电子性提供了重要的线索。

平面点接触安德列夫反射谱技术在高压力环境中的成功应用，大大拓展了非常规超导序参量的研究内容，为非常规超导机制的研究提供宝贵的实验依据。此项研究必将引起非常规超导电性、拓扑物性和第一性原理能带计算等多个领域研究者极大的研究兴趣。

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