本期封面报道单位 中南大学粉末冶金研究院

封面文章 高功率半导体用纳米银焊膏的研究现状

中文引用格式：张宸赫,李盼桢,董浩楠,陈柏杉,黄哲,唐思危,马运柱,刘文胜. 高功率半导体用纳米银焊膏的研究现状[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 050203 .

 随着在电力电子、微波射频器件、汽车电子、航空航天以及军工等领域的广泛应用，第三代半导体对芯片封装材料的要求日益严苛，这些材料需具备卓越的机械强度、导热导电性能、高熔点、高温循环下的组织稳定性以及高温蠕变抗性。在此背景下，纳米金属颗粒烧结连接技术凭借其出色的环境友好性和性能优势，正成为电子器件封装领域的研究热点。

 目前，电子行业中广泛应用的导电填料主要包括金、银和铜。金因其高成本而受到一定限制；铜虽然成本较低，但其化学性质较活泼，易氧化，影响了其长期稳定性；相对而言，银以其较慢的氧化速度和优异的导电导热性能，在导电填料中占据重要地位。

 银纳米颗粒作为导电银膏的主要导电相，其形貌和尺寸对银焊膏的性能具有决定性的影响。特邀中南大学唐思危副教授课题组撰写《高功率半导体用纳米银焊膏的研究现状》综述，系统梳理了纳米银焊膏材料的研究进展，深入探讨了银粉的制备方法，特别是液相还原法的相关机理。同时，还综述了银焊膏的成分配比、原料选择和制备工艺对银焊膏在高温环境下热学、电学和力学性能的影响，这些性能与材料的孔隙、裂纹和组织大小等因素密切相关。

 唐思危副教授带领的中南大学电子封装团队依托中南大学粉末冶金研究院、“2011”有色金属协同创新中心等大型研究平台，具有世界一流的材料表征仪器，以及理论计算合作团队；主要研究兴趣为微纳电子封装材料、半导体单晶材料、新型一维纳米线的基础研究和应用开发。课题组隶属于刘文胜教授特种粉体材料研究组。