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Limeng Song, Fan Zhang, Yongqiang Chen*, Li Guan, Yanqiu Zhu, Mao Chen, Hailong Wang, Budi Riza Putra, Rui Zhang*, Bingbing Fan*
Nano-Micro Letters (2022)14: 152
https://doi.org/10.1007/s40820-022-00905-6
1. 本文成功制备了多功能SiC@SiO₂陶瓷气凝胶,该气凝胶具有超弹性、抗疲劳、高温热稳定性、隔热性能和显著的应变压阻传感性能。
2.SiC@SiO₂ 陶瓷气凝胶表现出优异的电磁波吸收性能,最小反射损耗值为-50.36 dB,最大有效吸收带宽为8.6 GHz。
如图1所示,SiC@SiO₂ NFA通过简单的CVD方法和随后的煅烧处理工艺进行制备,分为五个步骤:(1)SiO₂和Si纳米粉作为硅源,CaCO₃和活性炭杂化颗粒作为碳源,材料混合倒入石墨坩埚中,在1500°C充满的氩气的氮化炉中保温5小时;(2)随着反应的进行,SiC成核并在石墨盖表面上生长成纤维,形成3D网络;(3)反应完成后,SiC纳米纤维形成一定厚度的气凝胶,标记为SiC NFA;(4)将SiC NFA裁剪成直径2厘米的圆形片状;(5)最后,将所制备的样品在1100 ℃的空气气氛下煅烧30分钟,在此过程中SiC纳米纤维的表面被氧化,所得产物即为SiC@SiO₂ NFA。通过这种方法制备的SiC@SiO₂ NFA密度仅为~ 11 mg·cm⁻3,孔隙率约为99.6%,可以稳定地站立在树叶上(如图1中插图6所示)。
图1. SiC@SiO₂ NFA的制备过程。①步骤1:在氩气气氛中,在1500°C下保温5小时;②步骤2:自组装成3D高度多孔的气凝胶;③步骤3:在700°C的空气气氛中煅烧2小时,从石墨盖上分离SiC NFA;④步骤4:将气凝胶裁剪成直径2厘米的圆形片状;⑤步骤5:将SiC NFA在1100 ℃的空气气氛中氧化30分钟形成稳定的交联结,并在每根纳米纤维表面包覆上SiO₂,标记为SiC@SiO₂ NFA;⑥制备的SiC@SiO₂ NFA具有超低密度(~11 mg·cm⁻3)。
如图2所示,通过SEM和TEM对SiC@SiO₂ NFA的微观结构进行了表征。从图中可以看出,经过氧化处理,形成了内核为SiC,外层为SiO₂纳米层的SiC@SiO₂纳米纤维结构。而SiC@SiO₂ NFA是由交联的SiC@SiO₂纳米纤维组成,其纤维直径为200-400 nm,长度为几十到几百微米。此外,SiC@SiO₂ NFA主要组成元素为C、Si、O。
图2. SiC@SiO₂ NFA的微观结构。(a)SiC@SiO₂ NFA的线簇交联微观结构的SEM图;(b)三个交联的SiC@SiO₂纳米纤维交联结的SEM图,以及包覆有SiO₂纳米层的SiC纳米纤维示意图(b中插图);(c)SiC @SiO₂纳米纤维具有光滑和圆形的表面以及纳米纤维的相应的EDS光谱(c中插图),(d-f)与(c)相应的EDS谱图;(g)具有核壳结构的SiC@SiO₂纳米纤维横截面的TEM图;(h)放大后的SiC@SiO₂纳米纤维横截面;(i)SiC和SiO₂之间的边界;(j-l)与h相应的EDS谱图。
如图3所示,XRD测试结果表明所制备的SiC@SiO₂内核为3C-SiC,FTIR、Raman和XPS谱图表明SiC@SiO₂ NFA中存在SiO₂和SiC组分。此外,TGA测试表明,在氧化过程中形成的SiO₂纳米层可以有效地减缓纳米纤维中氧向内扩散的速率,从而保护纳米纤维免于进一步氧化。通过N₂吸附/脱附等温线和孔径分布图测得SiC@SiO₂ NFA的BET比表面积为185.3 m2·g⁻1,介孔孔径为22 nm。
图3. SiC@SiO₂ NFA的晶体结构、热稳定性、孔结构和化学成分分析。SiC@SiO₂ NFA的(a)XRD谱图;(b)FTIR光谱;(c)拉曼光谱和 (d)TGA 曲线;(e)N₂吸附/脱附等温线和相应的吸附孔径分布(e中插图);(f)XPS总谱和 (g)Si 2p、(h)C 1s、(i)O 1s XPS 高分辨率光谱。
图5. SiC@SiO₂ NFA的应变和压力传感行为。(a)SiC@SiO₂ NFA的ΔR/R₀,在 6 mm·min⁻1 的压缩率下,应变从5%到40%;(b)压缩速度为6 mm·min⁻1下,不同压缩应变下的实时ΔR/R₀循环试验,ΔR/R₀随应变线性变化(插图 b,GF= 1.23);(c)在压缩应变为30%时,SiC@SiO₂ NFA在不同压缩速率下的ΔR/R₀;(d)在压缩应变为30%、压缩率为 6 mm·min⁻1时,SiC@SiO₂ NFA在1000次循环下的压阻行为的稳定性测试(插图为部分放大曲线);(e)在NaCl水溶液存在的情况下,实时ΔR/R₀响应(插图描绘了NaCl水溶液液滴测试的相应示意图);(f)SiC@SiO₂ NFA压力传感器在检测身体活动和微小压力方面的应用。
IV 在极端温度下用作超级绝热材料
SiC@SiO₂ NFA在极端温度下表现出优异的化学和热稳定性。通过烧蚀、隔热测试,发现SiC@SiO₂ NFA具有优异的抗烧蚀性和隔热性能,可作为航空航天领域潜在的高性能隔热材料。隔热机理主要涉及两个方面:(1)当热量在SiC@SiO₂ NFA的3D网络结构中传递时,SiC@SiO₂纳米纤维之间有限的接触面可以有效降低固相热传导;(2)SiC@SiO₂ NFA具有大量的介孔结构,可以束缚空气分子以减少气相热对流。
V 油改性SiC@SiO₂ NFA的高吸收能力和自清洁性能
原始的SiC@SiO₂ NFA是超亲水的,亲水性的SiC@SiO₂ NFA可通过气凝胶表面的油浸渍方法转化为疏水性材料。油改性的SiC@SiO₂ NFA对不同pH值的水溶液均表现出优异的疏水性能,因此对其进行了自清洁、吸附等测试,结果表明油改性的SiC@SiO₂ NFA可以作为一种高效的选择性吸附材料。此外,油改性的SiC@SiO₂ NFA具有优异的疏水性使其成为高性能电磁波吸收的候选材料。
图7. 油改性的SiC@SiO₂ NFA对有机液体的高吸收能力和自清洁性能。(a-c)油改性的SiC@SiO₂ NFA在不同pH 值(~1、~7 和 ~14)下相应水滴的数码照片和接触角;(d-g)油改性的SiC@SiO₂ NFA的自清洁过程;(h-k)油改性的SiC@SiO₂ NFA吸收甲基橙油溶液的过程和随后的燃烧试验:(l)油改性的SiC@SiO₂ NFA可循环使用性;(m)油改性的SiC@SiO₂ NFA对各种有机液体的吸收能力以及SiC@SiO₂ NFA相应的可循环使用性 (n)。
VI SiC@SiO₂ NFA 的电磁波吸收性能
反射损耗 (RL) 是评价SiC@SiO₂ NFA的电磁波吸收性能的重要指标,其计算公式如下:
如图8a所示,SiC@SiO₂ NFA的EABmax为8.6 GHz,对应的频率范围为5.82-14.42 GHz,RLmin值为- 50.36 dB对应的频率为7.44 GHz、厚度为1.6 mm。图8c显示|Zin/Z₀|的值在1.6-2 mm厚度范围内接近1,表明入射的电磁波可以有效进入气凝胶内部,进而将电磁能转化为热量消耗掉以避免反射到空气中。图 8h-i 显示了厚度为1 ~ 2 mm 的SiC@SiO₂ NFA,在4到9 GHz频率下的 Z 值几乎总是在0.8到1.2之间。这些结果表明,气凝胶拥有好的阻抗匹配是获得优异的电磁波吸收性能的重要因素。
图8. SiC@SiO₂ NFA的电磁波吸收性能。SiC@SiO₂ NFA的 (a) 频率和厚度相关的RL值;(b) 模拟厚度和峰值RL之间的关系;(c) 频率和厚度相关的阻抗匹配 (Z);(d) 厚度为 1.6 mm 时 RLmin和Z之间的关系;(e) 衰减常数α;(f) 3D和 (g) 2D电磁波反射损耗模型,以及阻抗匹配的 (h) 3D 和 (i) 2D图。
通过离轴电子全息技术可以清楚地揭示介电极化,特别是在特定界面区域可以直观、定量地表征电势取向和电荷密度分布。图 9a-d 显示了SiC@SiO₂纳米纤维纵截面在逐步放大信号下的TEM图和相应的电荷密度图。可以清楚地观察到,随着信号的不断放大,电荷集中在SiC/SiO₂和SiO₂/空气界面处,产生了强烈的界面极化。图9e-h 显示了SiC@SiO₂纳米纤维横截面中SiC和SiO₂界面处的电荷密度分布状态,随着信号强度的增加,形成明显的局部极化场,这将极大地消耗入射的电磁波能量,增强微波吸收性能。此外,从图9i可以清楚地观察到,SiC和SiO₂紧密生长在一起,使电子的泄漏和隧穿成为可能。在界面处积累的电荷(图 9j-l)可以在局部强电场下打破势垒,从而扩大电子跃迁路径并进一步耗散电磁波的能量。
图9. SiC@SiO₂ NFA的离轴电子全息图像。(a) SiC@SiO₂纳米纤维纵截面的TEM图像和相应的 (b-d) 电荷密度图像;(e) 结节点横截面的TEM图像和相应的 (f-h) 电荷密度图像;(i) SiC@SiO₂纳米纤维横截面的TEM图像和相应的 (j-l) 电荷密度图像。
SiC是一种优良的介电损耗型电磁波吸收材料,而SiO₂是一种电磁波透波材料。如图10所示,本文从多次反射、传导损耗、缺陷诱导极化、界面极化和偶极极化等介电损耗的角度全面研究了SiC@SiO₂ NFA的电磁波吸收机理。当电磁波入射到SiC@SiO₂纳米纤维表面时,SiO₂纳米层可以锁定电磁波避免被反射,而SiC核可以有效地将电磁能转化为热能或电能。这些结果表明SiC@SiO₂纳米纤维中的SiC核和SiO₂纳米层的协同作用使气凝胶表现出优异的电磁波吸收性能。
图10. SiC@SiO₂ NFA的电磁波吸收机理示意图。
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本文通讯作者
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