近些年，悬浮光力系统成为物理学领域的研究热点之一。悬浮光力系统可以以超高的精度控制纳米微粒的多个运动自由度，使其不仅在精密测量领域展现出极大的应用前景，而且为前沿基础物理问题的研究提供了一个理想的实验平台。随着量子基态冷却的实现，悬浮光力系统的研究也正式步入量子领域。如何精确地操控悬浮微粒的量子态成为悬浮光力系统下一步发展所面临的问题之一。

为解决上述问题，本文作者理论上研究了一个新型的混合悬浮光力系统，其中，一个中性原子和一个纳米微粒同时悬浮在一个光学腔中。腔中驻波光场作为桥梁，同时与原子和微粒耦合，使它们间形成一个等效的相互作用。这个相互相作用依赖于腔光场且易于调控，通过简单地改变腔光场失谐，就能实现声子-原子相互作用在JC形式和anti-JC形式间的转换。基于这种可控的等效相互作用，通过调控原子就可以精确操控微粒质心运动的量子态，例如，将微粒质心运动制备在任意Fock态以及相应的量子叠加态上、操控微粒质心运动在不同Fock态间转换等。该工作有望应用在量子精密测量、量子信息、以及前沿基础问题研究等方面，促进悬浮光力学的发展和进步。

Fig. 2. The populations of the states |e,0⟩, |g,1⟩, |g,2⟩ and  as a function of time respectively determined by the original AOC Hamiltonian in Eq. (6) and the effective (a) JC and (b) anti-JC AO Hamiltonians in Eqs. (9) and (10). The parameters are set as follows: (a) ω_b = 1, ∆′_c = 1.1, ω_s = 0, ∆_e = −11.4688, ∆_g = −12.5, g_a = 0.2, Ω = 0.5981, G_m = 0.01 and (b) ω_b = 1, ∆′_c = −0.9, ω_s = 0, ∆_e = −10.2748, ∆_g = −9.3, g_a = 0.2, Ω = 0.4882, G_m = 0.01.

碳纳米管网络的导热系数比单根碳纳米管低3~4个数量级。为了解释为什么碳纳米管网络具有如此低的导热系数，研究者已提出了多个理论模型。但这些理论模型所给出的预测值都比碳纳米管网络的实验结果高出1个数量级以上。在这篇文章中，我们分析了已有模型中不合理的假设，在此基础上提出将碳纳米管网络看作是接触热阻网络。在接触热阻网络中，单根碳纳米管的温度是不均匀的，但碳纳米管的本征热阻可以忽略。基于该接触热阻网络模型，我们对单壁碳纳米管网络的导热系数进行了预测，预测结果同文献中的实验结果最大误差为21.0%，远小于已有理论模型的误差值。

本文所提出的导热模型还可以用于纳米纤维等网络。该模型给出了提升该类网络导热性能的两个可行的途径：提升纳米管或纤维之间的接触热导和提升网络密度。

Fig. The calculated thermal conductivities of SWCNT networks versus the experimental values at 300 K. The blue line is given by our model. The squares are experimental results from Refs. 3 and 4. The triangles are predictions given by other models.

随着集成电路中晶体管尺寸的不断缩小，优化纳米级电子和光电设备的散热成为一项新兴挑战。因此，超高导热材料以其出色的导热能力，在热管理领域受到越来越多的关注。依据Lindsay等人2013年提出的准则，大声子带隙的材料往往具有高的导热系数。据此，θ相TaN最近被预测室温下拥有近1000 W/(mžK)的导热系数。尽管如此，但是θ相TaN中大的带隙如何通过影响三声子过程和四声子过程来影响导热系数还不太清楚。因此，本文基于第一性原理计算在XN（X = V, Nb, Ta）中系统深入地研究了带隙对三声子过程和四声子过程的影响机制。

计算结果显示X的质量改变对声子带隙有显著的影响，而X变化引起的力常数变化对带隙影响很弱。质量改变引起的带隙改变能够显著改变三声子过程，而对四声子过程影响甚微。θ相TaN超高的导热系数主要来自于大声子带隙引起的长声子寿命，包括三声子寿命和四声子寿命。本文的研究结果加深了对声子传输的声子带隙效应的理解，可为寻找超高导热系数材料提供指导。

Fig. 3. Thermal properties of XN. (a) Temperature dependent thermal conductivity in XN. “3ph” and “3+4ph”, respectively, means the only three-phonon process and both the three-phonon and four-phonon processes for thermal conductivity calculation. “Fixed m_TaN” means the case for “k_VN-m_TaN”, “k_NbN-m_TaN”, and “k_TaN-m_TaN” while “Fixed k_TaN” means the case for “k_TaN-m_VN”, “k_TaN-m_NbN”, and “k_TaN-m_TaN”. (b) Temperature dependent specific heat in XN. Phonon frequency dependent phonon group velocity for “Fixed m_TaN” (c) and “Fixed k_TaN” (d).

功能导向的缺陷调控是凝聚态物理和材料科学持久关注的课题之一。近年来，忆阻效应由于其在非易失存储和神经形态计算方面的应用前景而引起人们的广泛关注。然而，对于氧化物电致阻变，相关氧空位动力学机制目前仍未获得清晰认识。一方面，氧空位的局域电致迁移一般发生在金属/氧化物界面处或氧化物介质内部，难以被观测；另一方面，除氧空位外，氧化物薄膜生长过程中往往还会引入失配和穿透位错。氧空位与这些扩展缺陷之间的关联还有待阐释。

本研究基于锰氧化物薄膜表面特殊交叉线（crosshatch）的生长，通过导电原子力扫描显微镜（CAFM）实时探测局域电场下的导电路径和氧空位动力学响应。研究结果显示，CAFM模式下的电导交叉线与形貌交叉线并非一一对应；而局域阈型阻变或忆阻的产生则依赖于失配和穿透位错调制下氧空位浓度和组态的演变。本文工作为阻变氧空位动力学提供了新的理解和研究途径。

Fig. 7.  For FS-80, the simultaneous AFM (a) and CAFM imaging (b) at –5 V in the region including the site S2 just after finishing the I–V measurements. The positions for the emerged CDs at S2' and at about the imaging center M are marked out by dashed circles. The emerged CL along the half diagonal is denoted by MN. The arrows in (a) indicate the light TL adjacent to the feature of MN along the half diagonal. (c)–(f) The CAFM imaging at –5 V, consecutively scanned from (c) to (d), (e), and (f).

近年来，含Cu²⁺ 离子的二维kagomé 反铁磁体备受关注，这类材料因具有低维和强阻挫效应成为研究量子磁性的理想载体。其中具有完美Cu²⁺-kagomé晶格的YCu₃(OH)₆Br₂[Br_x(OH)_1-x] 被认为是量子自旋液体的候选材料。与此同时，关于LnCu₃(OH)₆Cl₃ (Ln = Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy) 的研究发现，磁性Ln³⁺ 离子替代非磁性Y³⁺ 离子不仅改变了Cu²⁺ 离子间的反铁磁关联，还使得LnCu₃(OH)₆Cl₃材料因Ln³⁺ 离子的不同而展现出丰富的基态磁性质。

本文研究了稀土Ln³⁺ 离子对阻挫反铁磁体LnCu₃(OH)₆Br₃ 基态磁性质的影响，采用水热法制备了高质量的LnCu₃(OH)₆Br₃ (Ln = Nd, Sm, Eu) 单晶，并对其在低温下的磁化率及比热进行了细致的研究。磁性测量结果显示这些材料具有反铁磁交换作用和较强的自旋阻挫效应，在16 K附近Cu²⁺ 离子自旋形成了倾斜的反铁磁态。低温下Ln³⁺ 离子与Cu²⁺ 离子间的磁性竞争还诱导了低温负磁化行为，比热曲线上也观察到Ln³⁺ 离子引起的肖特基异常。本文实验结果表明Cu²⁺-kagomé 晶格的反铁磁体系中磁性稀土离子的引入可以产生更多奇特的低温磁性行为。

Fig. 5. Zero field-cooling (ZFC) and field-cooling (FC) magnetic susceptibilities of LnCu₃(OH)₆Br₃ (Ln = Nd, Sm, and Eu) single crystals under the c-axis magnetic field of 50 Oe, 5 Oe, and 50 Oe, respectively.