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Crystals 何鹏辉副教授和甘霖副教授主持特刊“光电器件的关键晶体材料：结构调控、性能优化和器件应用”

已有 168 次阅读 2026-4-2 08:33 |个人分类:特刊征稿|系统分类:博客资讯

晶体材料是现代光电子学的基石，决定着光电子器件的性能。近年来，随着合成技术、缺陷工程与异质结构设计的突破，我们已实现在原子尺度上对晶体性质的精准调控，不断推进器件在效率、稳定性与功能集成方面的极限。

当前，晶体材料在光电子器件领域的前沿发展仍存在诸多关键科学与技术挑战：如何在原子尺度上精准调控晶体结构，进而调控能带、载流子动力学与界面特性？如何有效抑制缺陷诱导的非辐射复合，提升器件在真实工况下的稳定运行能力？又如何借助先进表征手段与器件光电模拟，构建面向理性设计的预测模型？从卤化物钙钛矿、宽禁带氧化物到手性液晶，新兴晶体材料如何迈向规模化、高性能系统集成？这些问题正持续牵引这一交叉学科领域的探索与突破。

近期，Crystals 期刊邀请湖南大学何鹏辉副教授和华中科技大学甘霖副教授合作创建特刊“Key Crystal Materials for Optoelectronic Devices: Structure Regulation, Performance Optimization, and Device Applications (光电器件的关键晶体材料：结构调控、性能优化和器件应用)”，旨在系统展示该领域的前沿研究成果与综述洞见，回应上述关键命题。特刊主题包括但不限于：

晶体生长与缺陷工程

光电性能调控

结构-性能关系

高效光子器件

新兴晶体材料

欢迎各位学者投递原创研究论文、综述文章和观点文章，为光电子器件领域的关键晶体材料研究发展注入新动力。您的前沿工作将直接助力于理解材料构效关系、突破性能瓶颈，并最终推动新一代光电器件的诞生与应用。

投稿截止日期：2026年7月10日

客座编辑介绍

何鹏辉副教授

湖南大学半导体学院 (集成电路学院) 副教授，主要工作包括研究镧系元素的电荷转移跃迁对氧化物薄膜晶体管NBIS稳定性的影响；采用双有源层沟道设计，实现高迁移率和高稳定性的铽掺杂氧化物薄膜晶体管；通过集成氧化物半导体和QD发光材料实现高性能的发光场效应管晶体管。在 Adv. Mater.、ACS Nano、APL、IEEE EDL/TED 等期刊发表SCI/EI论文30余篇，主持多项国家级、省部级科研项目，以项目骨干参与国家重点研发计划、湖南省重点研发计划等多项。

甘霖副教授

华中科技大学材料科学与工程学院副教授。本科毕业于武汉大学，博士毕业于北京大学，曾于2012~2014年在香港科技大学从事博士后研究，后于2014年7月入职华中科技大学。前期主要从事新型二维光电材料的可控合成和晶相调控领域的研究工作，现研究兴趣转为基于二维材料的微纳集成传感应用。目前已在 Adv. Mater.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater. 等国际主流期刊上发表SCI论文80余篇。先后主持国家自然科学青年、面上和重点研发子课题等基金项目。2016年入选湖北省“楚天学子”计划。

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