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环境催化| 纳米颗粒-溶液相合成法| 化学机械抛光| 理论知识| 文献学习| 化工设备| 半导体制造|

置顶 · 半导体制造-更新: 2024-9-29 09:02; 本篇博文主要涉及半导体制造中一些基础知识点。如“晶圆清洗后为什么要马上干燥”，“芯片表面的二氧化硅为什么会变色”，“先进封装的TSV硅通孔技术是什么”，“晶圆为什么要留平边”，“什么是兆声波清洗”等等简略介绍，相关知识点将在评论区汇总，整理，更新。同时也会视具体情况对知识点进行单独的，详细，系统的博文 ...; 个人分类: 半导体制造|529 次阅读|11 个评论

置顶 · 化工设备-更新: 2024-9-29 14:51; 本篇博文关于粉体制造中所涉及的机械设备使用经验。如“反应釜清洗”，“反应釜查漏”，“反应釜搅拌器选择”，“泵的选型”等等简略介绍，相关知识点将在评论区汇总，整理，更新。同时也会视具体情况对知识点进行单独的，详细，系统的博文介绍; 个人分类: 化工设备|913 次阅读|3 个评论

置顶 · 浅槽隔离工艺（STI）: 2024-6-15 22:01; CMP可应用于半导体器件制造的前道工艺(FEOL)，中道工艺(MOL)后道工艺(BEOL)。EOL阶段CMP的重要工艺是浅沟槽隔离(STI)，MOL阶段CMP的重要工艺是钨接触层抛光和层间介质(ILD)抛光工艺，在 BEOL 阶段 CMP，Cu、TaN/Ta 或其他线的去除工艺很重要。今天我们着重介绍的是浅沟槽隔离工艺 STI（shallow trench isolation）。STI ...; 个人分类: 化学机械抛光|3000 次阅读|没有评论

反应气氛诱导氧化铈中可调节氧空位浓度-Angewandte Chemie: 黄振鹏 2024-10-5 16:17; DOI:10.1002/anie.202415642 亮点1 在此，通过不同气氛低温焙烧(空气、Ar和H2)制备了一系列氧空位浓度可调节的Cu/CeO2催化剂。通过电子顺磁共振(EPR)，拉曼光谱，和x射线光电子能谱(XPS)，x射线吸收近边结构(XANES)等表征方法系统地研究了三种不同煅烧环境下Cu/CeO2催化剂上氧空位数的差异，结果表明：与Cu/ce ...; 个人分类: 文献学习|574 次阅读|没有评论

通过氧化铈纳米颗粒缺陷态和还原性的调控来提高抗氧化性能: 黄振鹏 2024-10-4 17:00; DOI: 10.1039/x0xx00000x 全文速览由于优异的抗氧化性能，CeO2纳米颗粒在药理学应用中受到广泛关注。深入了解氧化铈的抗氧化机理对开发高效的氧化铈纳米材料至关重要。本文对CeO2纳米颗粒的抗氧化过程进行了详细的研究。通过表征H2O2加入前后Ce的价态和配位结构，了解CeO2纳米粒子的抗氧化机理。结果表 ...; 个人分类: 化学机械抛光|922 次阅读|没有评论

气动隔膜泵、计量泵结构及原理介绍: 黄振鹏 2024-9-28 16:20; 泵是输送流体或使流体增压的机械，主要用来输送水、油、矿浆、酸碱液、乳化液、悬乳液、气混合物和液态金属等，是矿业、化工和冶金等行业常见的输送设备，有19种泵（齿轮泵、离心泵、螺杆泵、往复泵、活塞泵、液压柱塞泵、泥浆泵、气动隔膜泵、轴流管道泵、自吸泵、旋涡泵、水环式真空泵、罗茨真空泵、旋片式真空泵、气气 ...; 个人分类: 化工设备|800 次阅读|没有评论

氧化铈氧缺陷拉曼表征: 黄振鹏 2024-9-26 18:58; 摘要: 总结了拉曼光谱表征 CeO2基固溶体中氧缺位的研究成果, 评述了氧缺位的生成和影响氧缺位浓度观察值的因素, 并提出了亟待解决的问题。 CeO 2 基固溶体的拉曼谱图中出现三个重要的特征拉曼峰(465、560、 600 cm -1 ), 一般分别归属于 CeO 2 的 F2g振动模式、氧缺位和 MO 8 型缺陷物种。研究发现氧缺位的产生 ...; 个人分类: 文献学习|939 次阅读|没有评论

氧化铈纳米棒促进过氧化氢歧化反应的的x射线吸收光谱研究: 黄振鹏 2024-9-24 20:00; 摘要：准原位x射线吸收研究表明，氧化铈纳米棒促进过氧化氢(H2O2)歧化与Ce 3+ /Ce 4+ 可逆反应和氧化铈的结构转变有关。该可逆反应的方向取决于H2O2浓度和铈纳米棒中Ce3+的含量。前沿：众所周知，氧化铈通过催化过氧化氢(H2O2)歧化而产生活性氧。该体系对污染物的降解表现出较强的催化活性。二氧化铈 ...; 个人分类: 化学机械抛光|751 次阅读|没有评论

H2O2水溶液中硅化学机械抛光的原子级机理:ReaxFF反应分子动力学模拟: 黄振鹏 2024-9-22 12:09; 摘要：为了阐明Si化学机械抛光(CMP)过程的原子机制，采用ReaxFF反应分子动力学模拟研究了二氧化硅磨料颗粒在H2O2水溶液中在Si(1 0 0)基体上的滑动过程。我们的研究结果表明，机械滑动效应在磨料颗粒和Si衬底界面引起的化学反应主导了CMP过程，并导致Si原子的去除。在磨料颗粒与硅衬底表面发生机械相互作用之前， ...; 个人分类: 化学机械抛光|676 次阅读|没有评论

单晶硅实现亚埃表面环境友好的化学机械抛光: 黄振鹏 2024-9-21 22:49; 摘要：硅(Si)在集成电路(IC)、半导体和微电子工业中占主导地位。然而，实现硅的亚埃表面是一个挑战。化学机械抛光(CMP)广泛应用于硅的制造，而化学机械抛光通常使用有毒和污染的浆料，对环境造成污染。在本研究中，开发了一种新型的环保型CMP，其浆料由二氧化铈、过氧化氢、焦磷酸钠、羧甲基纤维素钠、碳酸钠和去 ...; 个人分类: 化学机械抛光|794 次阅读|没有评论

二氧化钛和氧化铝载体的表面羟基：定量滴定: 黄振鹏 2024-9-17 15:11; 概要：金属氧化物表面羟基在催化剂合成和催化反应中起着重要作用。尽管大部分的材料应用中表面羟基起到了很重要的作用，但关于金属氧化物的表面酸碱性质的定量测量很少研究。比较了市产锐钛矿、金红石、P25和P90二氧化钛，热重分析(TGA) 测试表明颗粒表面总羟基密度以2倍关系变化，并且每个表面羟基与大约一个弱 ...; 个人分类: 理论知识|692 次阅读|没有评论

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