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N半导体中的载流子浓度
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N型半导体中的载流子浓度
N型半导体中费米能级和载流子浓度随着温度升高的变化情况。根据系统以杂质激发或者本征激发为主，可分为杂质激发区、过渡区和高温本征激发区。
杂质激发区：以施主杂质电离为主。可以进一步分为低温弱电离区、中间电离区、强电离区和饱和区。
高温本征激发区：载流子以本征激发为主——电子由价带顶跃迁到导带底。
过渡区位于二者之间，当杂质浓度
时，费米能级和载流子浓度更接近饱和区一边。当
时，费米能级和载流子浓度更接近于本征激发区一边。
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