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[转载]第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）
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第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）2026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology
会议已上线江南大学集成电路学院官网
会议信息
会议官网：www.asdit.org
会议时间：2026年8月28-30日
会议地点：中国-江苏-无锡
发表流程：【投稿】→审稿返修→录用→缴费→【注册参会】→见刊→纸质论文集→检索；
论文检索：EI, Scopus
会议简介
第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。
我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！
组织单位
| 主办单位 | 江南大学 |
| 承办单位 | 江南大学集成电路学院 江南大学理学院 无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室 江南大学-康讯半导体联合实验室 |
征稿主题
| 半导体器件 | 集成技术 |
| 新型半导体材料及其在器件中的应用 高性能MOSFET设计与优化 能耗效率优化的功率器件技术 超越硅的III-V族化合物半导体器件 微光电半导体传感器及其应用 半导体激光器及其新兴应用领域 石墨烯和其他二维材料器件 量子点和量子阱半导体器件 新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM 低温电子器件的挑战与机遇 高频和高功率器件的突破性技术 硅基光电子器件及其集成技术 隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究 半导体器件的可靠性与老化机制 先进封装和互连结构对器件性能的影响 ...... | 三维集成电路及其制造工艺 片上系统(SoC)与集成方法 芯片异构集成技术 封装级集成技术的发展与创新 集成电路中的热管理技术 射频集成电路及其设计优化 人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用 先进模拟与混合信号集成电路 电源管理集成电路技术 集成电路设计中的可靠性与安全挑战 硅光子学互连技术 超大规模集成技术的最新进展 新兴存储器集成技术 模块化MEMS与NEMS的集成应用 智能传感系统的集成与创新 ...... |
会议议程
| 日期 | 时间 | 活动 |
| 8月28日 | 14:00-18:00 | 签到注册 |
| 8月29日 | 9:00-12:00 | 主题报告 |
| 12:00-14:00 | 午饭 | |
| 14:00-18:00 | 主题报告&口头汇报 | |
| 18:00-20:00 | 晚宴 | |
| 8月30日 | 9:00-18:00 | 学术考察活动 |
参会方式
1、作者参会：一篇录用文章允许一名作者免费参会；
2、主讲嘉宾：申请主题演讲，由组委会审核；
3、口头演讲：申请口头报告，时间为15分钟，摘要投稿可申请；
4、海报展示：申请海报展示，A1尺寸，彩色打印；
5、听众参会：不投稿仅参会，也可申请演讲及展示。
https://blog.sciencenet.cn/blog-3652364-1540735.html
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