题记：

《半导体的故事》出版一年了，有读者来信指出了我的一些翻译错误，改正如下。感谢阿吾先生和甘阳老师的建议。

如果您有任何建议，也请来信指正。我的邮件地址是jiyang@semi.ac.cn

姬扬

2015-12-19

序言p12, “新南威尔士大学的Professor Martin Green教授，Sidney”应该是“新南威尔士大学（悉尼）的Martin Green教授”。

书中的“邮政办公室”和“邮局”都应该改为“邮政局”（或邮局），如p40、p86、p197等等。

P87，RAE应为RRE。

P89-90，“源电极”和“漏电极”改为“源极”和“漏极”。

P93，“关”和“开”都改为“关断”和“导通”。

P109，“日本电话系统使用的电子开关系统”改为“日本电话系统使用的电子交换系统”。

P111，“那就是误人子弟了”改为“那就错了”。

P112-122，“马达”和“电机”虽然是同义词，但还是应该统一用“电机”。

P114，“吞没”值，应为“转折”值；吞没电压，应为转折电压。

P117，“开火角度”（firing angle）应该是“控制角”，这是晶闸管承受正向电压到触发脉冲使其导通的电角度。

P118， “转换器”应该是“逆变器”，在功率电子学（电力电子技术）中，inverter称逆变器。P120的“转变器”也应该是“逆变器”。

P119，栅极关掉晶闸管，原文gate-turnoff-thyristors，应为：可关断晶闸管；二极管交流开关，原文diode AC switches (DIACs)，应为两端交流开关；三极管交流开关，原文 triode AC switches (TRIACs)，应为三端双向交流开关；绝缘栅双极性晶体管，原文insulated gate bipolartransistors (IGBTs)，应为绝缘栅双极型晶体管（书中把bipolar transistor都译为双极性晶体管，也可，但教科书称为双极型晶体管）；静态感应晶体管，原文staticinduction transistors (SITs)，应为静电感应晶体管；静态感应晶闸管，原文staticinduction thyristors，应为静电感应晶闸管；阻止电压，原文blocking voltage，应为“阻断电压”，其他地方相同。

P122， turn on为导通，turn off为关断。

p. 421, “冷战的竞争导致了第一个人在1969年登陆月球”改为“冷战的竞争导致了人类首次在1969年登陆月球”

P. 422, 倒数第3行，“你可以咨询快速增长的文献”改为“你可以参看快速增长的文献”。

P. 424, 倒数第12行，“电学复制品”改为“电信号”。

P. 431, 倒数第9行，“选矿系统”应该是“聚光式太阳能发电系统”，即把太阳光汇聚后再照到太阳能电池上。

P. 433, 图10.15，“p型CdS”应该为“p型CdTe”。

P. 445, 第2段，“微尺寸多孔的”、“中等尺寸多孔的”、“大尺寸多孔的”，在多孔材料研究领域的通称分别是“微孔”、“介孔”和“宏孔”。

p. 452, 负电子亲和势（negativeelectron affihlty）, affihlty应为affinity。

P. 454, 晶粒边界（Grain Boundary）应该是晶界

P. 457, 缺陷（dislocations），英文确实是“位错”的意思，但是我觉得这本书里的含义似乎指的不仅仅是位错，也许应该用个括号注明一下

P. 458, 四点探测（Four-point probe），应为“四探针法”。P153应该做相应改动。

P. 459, 外延薄膜（Epitarial Film），英文为Epitaxial

P. 460, 杂质扩散（Impurity），英文为Impurity Diffusion

P. 461, 逐区精炼法（Zone Refining），也有叫区熔提纯法或区域熔炼法的。