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JMCC论文：具有超低开启电场的P掺杂SiC纳米线场发射阴极材料
陈善亮 2016-8-8 20:11
场发射是低维纳米材料的固有特性之一，在显示和真空电子等领域具有广泛的应用前景，其得以真正应用的关键基础是如何降低其开启电场 ( E to ) 和提高电子发射稳定性。基于 F-N 理论，降低低维纳米结构开启电场的因素可主要归于两类：1) 提高场发射材料的场 ...
个人分类: 论文交流|5290 次阅读|没有评论

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