研究论文 4 在采用IGZO沟道的2T0C DRAM单元中引入电荷陷阱层实现写入晶体管开启电压的动态调制 本研究通过在写入晶体管中引入ZnO电荷陷阱层,成功制备了一种动态阈值2T0C(DT-2T0C) DRAM 单元,有效解决了采用氧化物沟道层的传统2T0C DRAM单元的负保持电压( V HOLD )问题。该器件通过 ...
第六届物联网与智慧城市国际学术会议( IoTSC 2026) 2026 6 th International Conference onInternet of Things and Smart City 2026年3月27-29日 , 中国-大连(线上线下结合) 大会网站: https://ais.cn/u/fiemaa 截稿 时间:见 ...