中国科学院官网对萨支唐(Chihtang Sah)先生的介绍如下：https://casad.cas.cn/ysxx2022/ygwj/200906/t20090624_1808832.html，美国微电子学家。生于中国北京。50年代初毕业于美国伊利诺大学，1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。1959－1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理，1964－1968年任美国伊利诺大学教授。1988年至今，担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。美国国家工程院院士（1986），中国台湾“中研院”院士（1998）。萨支唐教授长期致力于半导体器件和微电子学研究，对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。他提出了半导体p-n结中电子-空穴复合理论。开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管，并提出MOS晶体管理论模型。发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱（DLTS）方法。发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。近期致力于亚微米MOS晶体管的可靠性研究。曾获半导体工业协会（SIA）最高奖（1998）等多项奖励。萨支唐教授是改革开放以后最早与中国进行科技合作与交流的美国科学家之一。曾多次访华，作了20余次系列讲座，先后指导了12名中国研究生，还多次协助在中国举办国际学术研讨会。2000年当选为中国科学院外籍院士。

图1：萨支唐

1956年，萨支唐获得斯坦福大学博士学位。其博士论文题目为：Analysis of External Circuit Traveling-wave Tubes(外电路行波管分析)，论文全文：萨支唐博士论文.pdf。此文收录在科睿唯安的ProQuest Dissertations & Theses Global (ProQuest全球博硕论文数据库)中，数据库中此文链接为：https://www.proquest.com/docview/301945471。

萨支唐1959年至1964年在大名鼎鼎的仙童公司(Fairchild Semiconductor)工作。在《名家博士论文31：英特尔联合创始人&摩尔定律提出者戈登·摩尔博士论文1954年加州理工学院》有对仙童公司和英特尔的关系的介绍。在仙童公司期间，萨支唐带领一个64人的研究组从事第一代硅基二极管、MOS晶体管和集成电路的制造工艺研究，是半导体工业先驱之一。2025年11月，萨支唐夫妇骨灰回到故乡福州落葬。South China Morning Post给予先生高度评价：The man behind 99% chips。

图2：萨支唐夫妇纪念碑揭幕

萨支唐先生的父亲是萨本栋，厦门大学老校长。其弟萨支汉是1958年普林斯顿大学博士，数学家。

图3：萨支唐一家，左起：萨支唐、母亲黄淑慎、弟弟萨支汉、父亲萨本栋

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