中国工程院官网对施敏(Simon Min Sze)先生的介绍如下：网址https://www.cae.cn/cae/html/main/colys/87476508.html，工程和技术学领域的成就在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的研发中，施博士的贡献具有奠基性和开创性的意义。尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（NVSM），影响深远，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（EEPROM）在内的大量储存设备。NVSM的问世，促成了功能更为强大的信息储存技术的发展，它们应用广泛，人类受益无穷。基于NVSM的系统提供了更便捷的沟通（如：移动电话），更方便的信息接收（便携式笔记本电脑和个人数字助理），互动性更强的教育（数字化教学媒体和电子图书），增强的贸易（智能IC卡系统），提高的卫生保健（便携式医疗仪器），更富于魅力的娱乐方式（MP3，数码电视与DVD），以及极大改观的行车安全（自动刹车系统和全球定位系统）。1990年以来，所有的电子系统（除家用收音机和阴极射线管电视）都是建立在NVSM2基础之上。过去的20年里，装运发货的基于NVSM系统超过了200亿套。未来10年里，这一数字累计将达600亿。这也就意味着，全世界平均每人将拥有8个基于NVSM电子系统。

图1：施敏

1963年，施敏获得斯坦福大学博士学位。其博士论文题目为：HOT ELECTRONS IN THIN GOLD FILMS(薄金膜中的热电子)，论文全文：施敏博士论文.pdf。此文收录在科睿唯安的ProQuest Dissertations & Theses Global (ProQuest全球博硕论文数据库)中，数据库中此文链接为：https://www.proquest.com/docview/302253199。

1967年，施敏与韩裔美国人姜大元(Dawon Kahng)休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体(Flash)，5月两人在The Bell System Technical Journal上发表第一篇关于非挥发性内存的论文“A floating gate and its application to memory devices” ，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术。此文收录在SCI数据库，入藏号WOS:A19679724400011，截至2026年3月24日被引用418次。The Bell System Technical Journal 1922年创刊，是两人供职的贝尔实验室的期刊。此刊命运多舛，随着贝尔实验室更名多次，先后更名为AT&T Bell Laboratories Technical Journal、AT&T Technical Journal、Bell Labs Technical Journal，现已停刊，非常可惜。受益于贝尔实验室的辉煌，此刊刊载过很多重磅成果！

图2：The Bell System Technical Journal创刊号

施先生留世的，还有很多著作，其中最为经典的是Physics of Semiconductor Devices，《半导体器件物理学》(也翻译为《半导体元件物理学》)，经典中的经典，有很多语种和不同版本，据说学半导体的都知道这书。

图3：施敏著作Physics of Semiconductor Devices第1版