半导体学报2024年第6期——中文导读 2024-06-17

专题文章 1  通过优化SAR ADC内部控制逻辑提升转换速度和动态性能 SAR ADC由于其数字化的结构可以充分利用先进工艺实现低功耗高精度的设计 ...

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半导体学报2024年第5期——中文导读 2024-05-15

综  述 1  用于显示及其他应用的柔性钙钛矿发光二极管 相较于传统的显示设备，柔性显示能提供更丰富的视觉感受和人机交互体验， ...

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半导体学报2024年第4期——中文导读 2024-04-22

综 述 1  综述：基于原子级厚度 MoSe 2 的光发射器件研究进展 原子级薄的层状 MoSe 2 作为过渡金属硫族化合物 (TMDs) 家族的核心成员， ...

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半导体学报2024年第1期——中文导读 2024-04-03

综  述 1  GaN基紫外激光器 氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要 ...

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半导体学报2024年第2期——中文导读 2024-04-03

综  述 1  高Al组分AlGaN高效掺杂研究进展 III族氮化物宽禁带半导体在光电子、射频电子和功率电子等领域展现出巨大的潜力，并在半导体 ...

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半导体学报2024年第3期——中文导读 2024-03-28

综  述 1  分子束外延中原位表征技术的发展 中国科学院半导体研究所赵超研究员课题组 深入调研了分子束外延（MBE）中的多种原位表征技术 ...

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编辑推荐 | 无均衡和预加重的70 Gbps PAM-4调制850 nm氧化限制垂直腔面发射激光器 2024-03-18

文章信息： 70 Gbps PAM-4 850-nm oxide-confined VCSEL without equalization and pre-emphasis Anjin Liu, Bao Tang, Zhiyong Li and Wanhua Zh ...

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编辑推荐 | 240 nm AlGaN基深紫外micro-LED：尺寸效应 VS 侧壁效应 2024-01-19

文章信息： 240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs: size effect versus edge effect Shunpeng Lu, Jiangxiao Bai, Hongbo Li, Ke Jiang, Ji ...

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