最近课题组进行了AlGaN/GaN HEMT传感器用于重金属离子Hg2+的研究，结果显示该传感器对Hg2+的探测极限低于10-14 M，相关结果比目前报道的AlGaN/GaN HEMT传感器测试Hg2+的探测极限提高了6个数量级。显示了AlGaN/GaN HEMT传感器的良好应用前景，后续工作将继续开展传感器的实时检测，封装的优化等方面的工作。

 该研究成果发表在APL杂志上

Ultrasensitive detection of Hg2+ using oligonucleotide-functionalized AlGaN/GaN high

electron mobility transistor

Applied Physics Letters 105, 083121 (2014); doi: 10.1063/1.4894277