幽林鸣鸟分享 http://blog.sciencenet.cn/u/AnjinLiu VCSEL、亚波长光子器件、半导体光电子、光电子集成

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下一代8英寸垂直腔面发射激光器(VCSEL)进展

已有 1378 次阅读 2021-4-5 12:01 |个人分类:科研随想|系统分类:科研笔记

首发 “光电人生"  公众号(光电子技术和理论等)

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VCSEL的最新技术,重点:


化合物半导体,如VCSEL,技术发展类似微电子。


目前大尺寸GaAs基VCSEL的问题:

GaAs/AlGaAs晶格有微小失配(尽管大家认为晶格差不多匹配),导致GaAs基VCSEL因为应变有bow,在大尺寸下非常严重,制作起来巨麻烦。


Bow示意图


为了下一代/下下代VCSEL技术,减小或者消除Bow是至关重要。所以提出了采用Ge衬底(尽管Ge有点贵)。


Ge材料的特点:

Ge的晶格常数处于GaAs和AlGaAs之间,应变小,减小了bow;Ge的Etch pit density (EPD)为0 ;Ge的机械鲁棒性好;6/8英寸Ge技术已经成熟。


晶格常数


所以Ge基VCSEL:外延后bow降低;制作良率损耗降低;EPD为0,良率提高;...(好多优点...)


2021年刚做出来的6英寸Ge基VCSEL的bow小于25微米,小于GaAs基225微米。


2种衬底VCSEL器件性:


8英寸的Ge基VCSEL将在2021的上半年问世...


下下代12英寸的VCSEL会怎么样?还是Ge吗?


Comment:

做IDM的很苦逼,要踏无数的坑,光一个外延和制作就会搞死人...

做Fabless的可以不用面对这么坑,设计提要求,交给代工厂...但是活的很爽。


...但是这是商业。



https://blog.sciencenet.cn/blog-285782-1280387.html

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1 徐政基

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