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半导体科学技术与诺贝尔物理学奖
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半导体一直是物理学研究的重要内容之一，对半导体物理的研究揭示了很多重要的物理学现在。从1956年至今，半导体物理领域诞生了大概9个左右诺贝尔物理学奖。
编号 | 发现年代 | 现象 | 人物 | 获奖时间 |
1 | 1945-1947 | 晶体管的发明 | J. Bardeen (美)、W. B. Shockley (美)、布拉顿(美) | 1956年 |
2 | 1957年 | 隧道二极管 | L. Easki(日) | 1973年 |
3 | 1958-1972 | 非晶态半导体理论 | P. W. Anderson (美)、N. F. Mott (美) | 1977年 |
4 | 1958年 | 集成电路 | J. S. Kilby (美) | 2000年 |
5 | 1962年 | 半导体异质结 | Z. I. Alferov (俄) | 2000年 |
6 | 1963年 | 双异质结构激光器 | H. Kroemer (美) | 2000年 |
7 | 1980年 | MOSFET二维电子气中的整数霍尔效应 | K. V. Klitzing (德) | 1985年 |
8 | 1982年 | 异质结中的分数量子霍尔效应 | 崔琦(美)、H. L. Stomer (美)、R. B. Laughlin(美) | 1998年 |
9 | 1993年 | 蓝光发光二极管 | 赤崎勇(日)、中村修二(美)、天野浩(日) | 2014年 |
参考：
[1] 彭英才,傅广生,X.W.Zhao.半导体科学技术与诺贝尔物理学奖[J].物理,2004(09):692-696.
[2] https://physicsworld.com/a/nobel-prize-goes-to-semiconductor-pioneers/
https://blog.sciencenet.cn/blog-1502061-1293032.html
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