吕喆兄提到场强辅助烧结和焊法相关，很妙。陶瓷烧结本质上就是消除界面，把陶瓷粉体颗粒焊接起来，这个焊需要能量，一般都采用马弗炉和高温炉，也就是通过外部整体加热，使得粉体表面原子获得能量，能够迁移到相邻粉体上去，从而填充间隙气孔，获得致密陶瓷块体。原子扩散可以走表面（或后期的晶界），也可以通过粉体的体扩散，后者动力学上少了一个幂次，所以大家普遍关注界面原子动力学。整体加热是晶粒晶界都加热，晶粒的体积显然大了不知多少倍。而如果能实现晶界主动加热‘焊接’，晶粒放假，那么真是少用了很多能量！晶粒不主动也不被动加热就会停止生长，这个分析刚好和Raj另一篇文章的结果吻合（Enhanced Sintering Rate of Zirconia Through the Effect of a Weak dc Electric Field on Grain Growth, Di Yang, Rishi Raj, Hans Conrad, JACeS, early view）。该文给出了晶粒长大被抑制的证据。很有意思的是虽然前一篇文献讨论方法和试验方法都和这一篇相似，但里面作者还是说了一句huge leap from work of Yang...，不就是电压加大一点嘛。

界面往往都是高阻态，而且有空间电荷，这成为上一篇参考文献讨论的重点。现在微波烧结和电场辅助烧结的做法已经很多，但是机理还都不明确。这两篇文献让我想到其实可能都是晶界主动烧结方式，如微波烧结，在一定的温度下，陶瓷体的透波特性和界面处的吸波能力都得到增强，所以可以短时间烧结，但是目前普遍缺乏高温下的材料介电特性，所以不便于讨论。FAST方法也是如此，你必须先通过外围石墨升温到一定程度，然后发挥电场的优势，否则和热压烧结没有区别。这两种新型的烧结方法都可能利用到界面物理参数在高温下的变化。

仅仅是猜想，还需要一定的实验来验证。