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　　 1.准备过程 　　
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  1.1 确定水、电、气是否安全连接，各阀门是否闭合；分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水。
　　 1.2 合上主柜总电源闸（Where？），打开电源开关；各单元电源与总电源接通，总电源供电。（启动总电源前，报警选择档指向报警；开总电源后，A、B、C灯亮）
　　 1.3 打开冷却水机的开关（Where？），确认循环水的流动；
　　 1.4 打开控制电源，启动计算机并打开桌面JD0802.exe程序；
　　 1.5 基片准备（NaSiO3普通玻璃基片、Si单晶硅基片、SiO2石英基片、Cu铜基片、FeCr（FeNi）不锈钢基片、Al2O3蓝宝石基片）
　　  1.5.1、把基片切割成（或直接购买）尺寸合适的形状（正方形28mm X 28mm 或者圆形 Φ 40mm）；
　　  1.5.2、基片清洗：把基片浸入盛放酒精的大烧杯中超声清洗5分钟，然后取出基片浸入盛放丙酮的小烧杯，超声清洗5分钟，然后取出基片，用吹风机吹干，把清洗好的洁净基片放入样品盒备用。（注意：丙酮为易挥发有毒溶液，处理时要格外小心，打开门、窗，保持室内通风顺畅，废液迅速倒入大盆水中稀释，然后倒入废液池，烧杯用双氧水清洗1-3遍）
　　 1.6 基片与靶材取放
　　  1.6.1、打开真空室的排气阀，保证真空室内外压力的一致，通过主面板“电动盖控制”的“上升”按钮打开真空室，把真空室电动盖移向开阔的一侧（注意关闭窗户、门，减少室内的空气流动，降低灰尘对真空室的污染）；
　　  1.6.2、在电脑上的程序中通过“样品台”控制按钮升降样品台，从样品盒中用镊子取出刚才的清洁基片，把清洁衬底基片固定在相应的样品托架上（最多可以一次放六个衬底基片），如有需要对基片加热的需要，则需找到加热的热源，对准基片。
　　  1.6.3、依次取下靶位上的套筒、绝缘的陶瓷半环与固定靶材的金属环，把靶材接触良好的一面对准靶位面放置好，然后依次上好金属环、陶瓷半环、套筒，注意使靶材边缘与套筒不要接触，最好的是能保持距离2mm以上。
　　  1.6.4、把万用表打到测（电流？）档，迅速短接两测试笔，若听到报警声，表明万用表完好。然后用该表万用表来测试靶材与套筒的绝缘性能，若听到报警声，表明靶材与套筒有接触，需调整直到绝缘良好，然后在真空室壁的密封环上均匀涂抹上一层密封脂。
　　  1.6.5、把真空室盖推到真空室正上方，通过主面板“电动盖控制”的“下降”按钮关闭真空室，注意缓慢下降，一边下降，一边调整，保证盖与真空室壁的结合位置对正对准。
　　  1.6.7、调节电脑上的靶位升降与靶头摆动按钮，使靶面与衬底基片对准，并保持大约4-6cm的距离，样品位置和样品编号？？？。关闭真空室壁上的排气阀。
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　　2 系统预抽真空
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　　 2.1、顺序开启（电脑程序界面）机械泵按钮(有清脆的响声)→（电脑程序界面）预抽阀按钮→（真空室壁外）机械泵角阀→（主柜）真空计开关；
　　 2.2、等待5-6mni，看（主柜）真空计左边的低真空表读数在5E0（科学计数法，读：5乘以10的零次方）Pa以下时，关闭（真空室壁外）机械泵角阀，开启（电脑程序界面）前级阀按钮，开启（主柜）分子泵绿色启动按钮，当分子泵抽速显示为100L/s以上时，打开（真空室壁外）分子泵闸板阀(有很大的响声)，开始抽高真空。（注意：逆时针缓慢旋转转柄打开阀门，一边转一边看（主柜）真空计右边的高真空表读数，不要使得读数下降得太快，当读数稳定下降，可以较快匀速把真空阀门转柄开到最大，然后回转半圈，以防止闸板阀门损坏）
　　 2.3、在系统预抽真空过程中，开启衬底加热器，可以加热衬底，调节加热器的功率以达到衬底温度到达所要加热的温度（面板下面的设定值）。
　　 2.4、40min左右，分子泵抽速显示为600L/s的极限抽速，真空度达到十的负三次到十的负四次方帕，此计数为本底真空度。
　　 2.5、当本底真空度达到预定要求时，开始充气。
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　　3 充气过程（注意有两条气路，一为氩气，一为氮气，主柜的具体控制对应有待核实）
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　　 3.1、首先打开流量计电源，等待5-10mni，确保主柜上的气体流量计的拨动开关位于关闭档，看流量调节按钮指示是否为零，如果不是，进行调零。（在通入气体前必须先清洗气路管道，这个过程大约2一3min，不必每次都清洗）
　　 3.2、逆时针全开气瓶的安全阀（又称高压阀）→逆时针略开气瓶减压阀。何谓略开：外出气压不宜过高，保持压力表上一小格（一般取为0.5）即可。
　　 3.3、将主柜上流量计的拨动开关拨至阀控位，调节相应流量计旋钮到所需流量初值。
　　 3.4、缓慢打开真空室外相应气路的进气气流角阀，待气体流量计显示稳定后，全开气流角阀。
　　 3.5、通过分子泵闸板阀转柄和气体流量计流量调节旋钮的协同操作，使真空室内的气体压力稳定到预定数值，观察真空计示数，到起辉压强（3~5Pa）。
　　
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　　4 溅射过程（主要在右侧的溅射电源柜进行操作）
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　　 4.1 首先选择样品基片，通过计算机程序中的样品台旋转按钮选择；在通过“升降控制”和“靶摆动控制”中的按钮将靶极对准基片。（同样也可以在溅射过程中进行更加精确的对准操作）要记住真空室内的样品位置与外边电机上标注的位置一一对应，样品位置和样品编号？？？？？。
　　 4.2 直流磁控溅射
　　  4.2.1 使用直流电源时，首先打开电源开关，确定“电压调节”旋钮处于零位，预热3min。
　　  4.2.2 按“模式选择”选择所需参数模式，通过旋钮调节至所需参数。按动“启动/停止”开关开启靶极，打开各靶对应的直流电源，使靶起辉（这时可能有打火现象，是由于靶材表面不洁或有毛刺所致，属正常现象）。
　　  4.2.3 适当调节进气量，使溅射室内压强到所需工作压强，调节不同功率（10~140W）进行预溅射，除去靶材表面污染物，预溅射时间一般为10~15mni。
　　  4.2.4 待辉光正常后，打开挡板，溅射镀膜开始，溅射时间一般取10min或其整数倍。注意：此后镀膜时间、样品换位均由手动控制，例如样品1在A位置溅射完毕后，需要在A位溅射样品2，则应该先把样品2转动到A位……。
　　  4.2.5 当结束时，将“电压调节”旋钮旋至零，按动“启动/停止”开关关闭靶极。
　　 4.3 射频磁控溅射
　　  4.3.1 使用射频电源时，首先确认RF电源的功率调节旋钮处于零位，打开射频电源开关（灯丝开关），预热5min。
　　  4.3.2 选择档位，按下“高压开”，通过“功率调节”旋钮选择合适功率。根据功率计中入射、反射功率显示情况，适当慢慢协作调节RF匹配器自偏压的两个旋钮(C1、C2)，使得使得反射功率低于入射功率的4%以内，即功率计上的入射功率尽可能大，同时反射功率尽可能小，两指针交点（驻波比）≤1.7，使靶起辉。
　　  4.3.3 通过调气体流量，改变真空度到所需工作压强，调节不同功率（10~140W）进行预溅射，除去靶材表面污染物，预溅射时间一般为10~15mni。
　　  4.3.4 待辉光正常后，打开挡板，溅射镀膜开始。注意：此后镀膜时间、样品换位均由手动控制，例如样品1在A位置溅射完毕后，需要在A位溅射样品2，则应该先把样品2转动到A位……。
　　  4.3.5 当结束时，将“电压调节”旋钮旋至零，按下“高压关”，随后关闭电源。
　　 4.4 溅射镀膜完毕，关闭直流或射频电源，关闭右侧溅射总控制电源以及主柜上的衬底加热电源。
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　　5 结束过程（溅射电源→衬底加热电源→气源→闸板阀分子泵电源→分子泵电源→前级阀→机械泵）
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　　 5.1 在溅射结束，关闭溅射电源后，关闭气流系统。首先关闭气流通路，关闭的顺序是：先关闭气瓶的安全阀，然后关闭压力表阀门，再将主机柜上的流量计的拨动按钮拨至关闭位，将旋钮调零，然后关闭真空室外侧气路的角阀。
　　 5.2 关闭抽真空系统。首先关闭真空室外分子泵的闸板阀，再关闭分子泵电源。当分子泵的抽速读数降至零时（这需要8-10min），关闭（电脑程序界面）前级阀，关闭（电脑程序界面）机械泵。
　　 5.3 取样品。将（真空室壁外）通气阀打开（或者接通所需气体），等到真空室腔体内外的压强相等时，按（主机柜）电动盖“上升”开关，打开真空罩，戴洁净手套用镊子取出基片样品，将试样放在试样袋或试样盒中，置于干燥器中保存。
　　 5.4 取出基片样品后（可以再添装基片），再按（主机柜）电动盖“下降”开关降下真空罩，将电动盖盖好，关闭通气阀。打开（电脑程序界面）机械泵和预抽阀，使得真空室达到一定的真空度时，依次关闭预抽阀和机械泵，收回伸出窗外的出气管，关闭窗户。
　　 5.5 关闭控制电源开关，按下“终止”按钮，关闭电源总开关，关闭冷却水。
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　　注意事项：
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　　1． 空压机：开始实验前打开空压机气阀，实验完毕后关闭气阀。
　　2． 气体瓶：实验结束后关闭气瓶阀门，防止气体泄漏。
　　3． 循环水冷：开始试验前将水冷机的两个阀门打开（位于水冷机后面最下方），实验完毕后将阀门关闭，防止循环水渗漏。
　　4． 上盖提升：
　　方法1：确认机械手退回原位；确认闸板阀2（位于样品室与镀膜室中间）关闭；打开分子泵上方的镀膜室气阀放气，放气完毕后可以进行上盖提升操作。
　　方法2：确认机械手退回原位；打开闸板阀2；打开样品室下方的样品室气阀将样品室与镀膜室共同放气，放气完毕后可以进行上盖提升操作。
　　5． 异常断电：迅速关闭分子泵闸板阀1；关闭主机电源、分子泵电源、循环水冷电源；关闭水冷机阀门、空压机阀门、气瓶阀门；复位所有按钮。待确认电力系统恢复后，进行正常的开机操作，确认各部分是否能够正常工作。
　　6． 循环水冷异常：迅速关闭分子泵闸板阀1；按正常顺序关闭分子泵，如分子泵按键已经保护锁死则直接关闭分子泵电源；关闭循环水冷电源与阀门；然后按照关机顺序关机（跳过第3、4步）。待确认循环水冷系统恢复后，进行正常的开机操作，确认各部分是否能够正常工作。
　　7． 插板阀使用：使用圆盘轻轻的转动插板阀，尽量减少使用摇柄开关阀门的次数。关闭阀门时拧到十字螺钉中心对准白线标志位时停止，力量要适中。
　　
　　注：建议本底真空5×10-4Pa，氩气：20，磁性靶起辉：0~10Pa。熟悉操作规程之后，可以根据本次的试验目的适当的调整操作顺序，但是初期熟悉操作和试验环境时一定要严格按照操作规程进行，同时每次要详细填写MP700磁控溅射使用记录表。
　　建议基片清洗步骤：
　　（1）用洗涤剂清洗玻璃基片（带一次性手套）。
　　（2）将清洗过的玻璃基片再用去离子水进行超声波清洗10min。
　　（3）配制稀硫酸，并用其对玻璃基片进行加热清洗。
　　（4）用去离子水对玻璃基片进行超声波清洗10min。
　　（5）用自配的玻璃水清洗玻璃基片，并超声波清洗10min。
　　（6）用去离子水对玻璃基片进行超声波清洗10min。
　　（7）用丙酮对玻璃基片进行超声波清洗10min。
　　（8）用去离子水对玻璃基片进行超声波清洗10min。
　　（9）用无水乙醇对玻璃基片进行超声波清洗10min。
　　（10）将清洗过的基片置于无水乙醇中备用（用前进行烘干）。
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　　实验数据记录表
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　　样品编号:ZnO-Ga2O3_2010-01-01-AM_#01
　　溅射功率（W）=溅射电压（V）X溅射电流（A）、
　　溅射电压（V）
　　溅射电流（A）
　　基片温度（℃）
　　溅射时间（min）
　　工作气压（Pa）
　　预抽真空度（Pa）
　　溅射气体Ar、N2、Ar+N2
　　溅射气体流量（sccm）
　　
　　样品编号说明：
 SampleName：ZnO-Ga2O3-
 ExpDate-Time：2010-01-01-AM
 SamplePositionNo.：#01

　　File Created Date: Sunday, January 04, 2009   Author: Siqin.Hou   总词数：4182 （张鑫伟师兄指导，侯祥胡整理，待完善）