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《电子与封装》特邀综述:FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展(赵正平)

已有 603 次阅读 2024-10-10 16:01 |系统分类:论文交流

摘要: 集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃米时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进展。在FinFET纳电子领域综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含覆盖了22 nm、14 nm、10 nm、7 nm和5 nm 5个发展代次的创新特点和3 nm技术节点的创新和应用。在GAAFET纳电子学领域综述并分析了各类GAAFET的结构创新,2 nm技术节点的关键技术突破,3 nm技术节点的多桥沟道场效应晶体管技术平台创新与应用,以及GAAFET有关工艺、器件结构、电路和材料等方面的创新。在CFET纳电子学领域综述并分析了CFET技术在器件模型、堆叠工艺、单胞电路设计和三维集成等方面的创新,展现出CFET超越2 nm技术节点的发展新态势。点击此处可免费阅读和下载全文。

关键词: FinFET, GAAFET, CFET, 器件模型, 工艺, 电路设计, 3D集成, 智能移动终端

引用本文赵正平. FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展[J]. 电子与封装, 2024, 24(8): 080401 .



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