金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOS-FET）是绝缘体与半导体结合的产物，超导量子干涉仪（SQUID）是绝缘体与超导体结合的产物。两者对比，如图1所示。可以看到，

1）MOS-FET，具有电压/电荷调制的I-V特性，是一种电场效应管；

2）DC-SQUID，具有电流/磁通调制的I-V特性，是一种磁场效应管（Magnetic field effect transistor， MFET）[1]。

图1. MOS-FET与DC-SQUID的对比

MOS-FET和DC-SQUID的应用 [2]，对比如图2所示。可以看到，

1）MOS-FET，用于制作电压反馈运算放大器（Voltage feedback operational amplifier，VF-OPA），构建电压/电场传感器与测量系统。

2）DC-SQUID，用于制作磁通反馈运算放大器（Flux feedback operational amplifier，FF-OPA），构建电流/磁场传感器与测量系统。

图2. MOS-FET和DC-SQUID在电路与系统中的应用

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半导体场效应管（Field effect transistor，FET）的I-V特性是电荷/电压调制的，超导MFET的I-V特性是磁通/电流调制的；二者及其应用，体现了电荷-磁通 对偶关系。

理解半导体FET及其应用，便能理解超导MFET及其应用。

[1]   Y. L. Wang, "Frequency-phase-locking mechanism inside DC SQUIDs and the analytical expression of current-voltage characteristics," Physica C-Superconductivity and Its Applications, vol. 609, Jun 15 2023.

[2] Y. L. Wang, " Introduction to SQUID Sensors for Electronics Engineers," arXiv:2310.00573, pp. 1-53, 2023. https://doi.org/10.48550/arXiv.2310.00573.