前言

GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势，GaN电子器件，尤其GaN微波固态器件，已被公认为变革军事电子系统与架构的颠覆性元器件之一，上述器件在我国目前推进的嫦娥、天宫等航天工程以及空间站建设任务中的应用正得到国家的大力支持。

随着能源高效转换、5G通信的创新应用，GaN半导体技术在民用中也呈现出一番光明的前景。GaN半导体技术沿袭拓展摩尔定律的技术路线，采取以非尺寸依赖的特色工艺，它有望成为我国在装备--材料--芯片全链条上摆脱西方封锁，实现独立发展的半导体产业新技术。以GaN半导体技术为代表的宽禁带半导体技术也因此被正式写入国家的十四•五规划中，这极大地促进该领域技术创新链、产业链和投资链的相互渗透。

目前，GaN功率与射频半导体技术是学术界、产业界共同关注的热点领域，对前者的应用研究、产品研制和集成应用均需得到主流半导体技术的支撑和符合系统架构的应用与标准。为此，《电子与封装》推出了“GaN电子器件与先进集成”专题，围绕GaN功率半导体、微波固态器件与MMIC两个方向，分别形成四篇、一篇特邀报告，基本覆盖GaN微波、功率半导体与集成应用的关键要素点，较全面反映了GaN电力电子器件、GaN功率器件先进封装、GaN HEMTs栅驱动技术、GaN单片集成芯片以及GaN微波固态器件、MMIC毫米波芯片的最新研究成果和研究进展。

衷心感谢为专题提供特邀论文的专家学者们的大力支持，感谢审稿专家们的严格把关。相信本专题将有利于推动我国GaN电子器件与先进集成的半导体技术研究与产业发展。