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[转载]DeepN-well工艺简介
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DNW: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底，使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片（比如RF芯片）上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路，那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。 PMOS也是一样。NWELL是可以隔离，那么下面再有一个DNW也没啥不好的。而且，如果PMOS放到DNW外面，设计规则上还有很多麻烦，因为DNW是需要用NW环绕的。
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