Dubrovskii教授是Ioffe Physical Technical Institute RAS, laboratory of physics of semiconductor heterostructures的首席研究科学家，他在把传统成核分析理论应用到现代外延技术生长半导体纳米结构的生长模型上，做出了系统和卓有成效的贡献。全书共分6章，第一章系统介绍经典成核理论，第二章是最数学化的部分，详细考察了成核过程的每一步。第三章讨论了三类自催化纳米岛结构：Stranski-Krastanow半导体量子点，晶格不匹配基底上的Ⅲ-Ⅴ族纳米针，以及绝缘体上的金属岛。第四章占据了全书近一半的篇幅，讨论了VLS生长机制下半导体纳米线的生长模型。第五章探讨了纳米线模型的一些特殊情形：晶格失配导致的弹性弛豫和塑性变形，纳米线形貌，掺杂，自催化生长，硅基底上自催化的GaN纳米线和共生长效应等。第六章讨论的是Ⅲ-Ⅴ族纳米线的多型（polytypism）问题。

个人觉得这是一部不可多得的好书，不管是对纳米线的制备研究，还是第一性原理计算模拟，它都可以提供很好的指导。