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HWCVD中热丝温度的测量与控制

已有 4813 次阅读 2013-4-9 20:19 |系统分类:科研笔记| 测量

    热丝CVD(HWCVD——Hot Wire CVD)技术自上世纪九十年代出现以后,发展非常快。其适用范围可以与PECVD比肩。原理不细说了。就说热丝温度的测量及控制。热丝工作温度在1700以上,无法采用热电偶直接测量,一般采用非接触式的红外测温。而对直径小于0.5mm的热丝,背景的影响非常大,因为红外测温的光点直径至少大于1mm,这时只能采用平面红外成像仪,这个的成本就太高了,而且用平面成像的结果来实现温控难度可以想像。所以对HWCVD法来说,热丝温度的测量是个问题。一次开会,报告者介绍他们用HWCVD的工作,我提出热丝温度测量的问题,被含混过去了。热丝温度通过控制工作电流来调节。但达到同样的温度所需要的电流会随工艺参数发生变化。最直接的一个参数就是气压。环境气压不同,热导不同。一般高气压下,需要更大的加热电流。所以热丝的温度需要时时测量与调控。

 

  一直想自己设计这样一个系统,实现热丝温度的测量与控制。最近终于完成了这个工作。根据是金属电阻率随温度变化关系。我们用的金属丝是钨。钨的电阻率数据如下:

 

Table. 1. Resistivity of tungsten as a function of temperature

R/R300K

Temp
[K]

Resistivity
μΩ·cm

R/R300K

Temp
[K]

Resistivity
μΩ·cm

R/R300K

Temp
[K]

Resistivity
μΩ·cm

R/R300K

Temp
[K]

Resistivity
μΩ·cm

1.0

300

5.65

5.48

1200

30.98

10.63

2100

60.06

16.29

3000

92.04

1.43

400

8.06

6.03

1300

34.08

11.24

2200

63.48

16.95

3100

95.76

1.87

500

10.56

6.58

1400

37.19

11.84

2300

66.91

17.62

3200

99.54

2.34

600

13.23

7.14

1500

40.36

12.46

2400

70.39

18.28

3300

103.3

2.85

700

16.09

7.71

1600

43.55

13.08

2500

73.91

18.97

3400

107.2

3.36

800

19.00

8.28

1700

46.78

13.72

2600

77.49

19.66

3500

111.1

3.88

900

21.94

8.86

1800

50.05

14.34

2700

81.04

20.35

3600

115.0

4.41

1000

24.93

9.44

1900

53.35

14.99

2800

84.70

 

 

 

4.95

1100

27.94

10.03

2000

56.67

15.63

2900

88.33

 

 

 

 

据此给出了热丝温度的测量与控制。可以在一分钟内让热丝达到设定的温度。温度控制范围在<2100℃。这是我们常用的温度范围。如果需要更高的温度,也可以达到。

 

 



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