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2023年半导体器件（H01L）类的中国局专利的发展态势及竞争——我国半导体技术研发有待加强
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█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第一部分 2023年中国国家发明专利统计分析报告7 主要技术类别下中国局专利的发展竞争态势7.3 半导体器件（H01L）类的中国局专利的发展态势及竞争2023年，中国局在半导体器件（H01L）小类上共授权专利19317项，比上一年减少12%，其占总授权量的2%，是专利数量第12多的小类。近年来，半导体技术专利的增长速度相对较低。
表7.3-1 数据处理（H01L）小类历年授权专利数量
序号 | 年份 | 授权数量 | 增长率 |
1 | 2011 | 8136 | -- |
2 | 2012 | 10153 | 25% |
3 | 2013 | 8432 | -17% |
4 | 2014 | 7413 | -12% |
5 | 2015 | 11767 | 59% |
6 | 2016 | 16039 | 36% |
7 | 2017 | 15428 | -4% |
8 | 2018 | 14684 | -5% |
9 | 2019 | 16119 | 10% |
10 | 2020 | 17219 | 7% |
11 | 2021 | 19321 | 12% |
12 | 2022 | 21980 | 14% |
13 | 2023 | 19317 | -12% |
我国国内的专利数量较多，占该小类专利份额的64%，比其他小类的份额相对偏低20个百分点，表明我国半导体技术实力不强。国内专利中仅有2%的专利属于该小类，表明我国在该技术上的构成比重较低。总体来看，我国国内专利在半导体器件技术上的构成低于日本、韩国、美国，这说明我国的半导体技术构成偏低，技术结构发展不合理，不平衡。
表7.3-2 主要国家和地区半导体器件H01L类的中国局专利数量
国家和地区 | 2023 | 2022 | 增长率 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 12449 | 16738 | -26% | 64.4% | 2% |
2 | 日本 | 3453 | 2383 | 45% | 17.9% | 10% |
3 | 美国 | 1361 | 971 | 40% | 7.0% | 6% |
4 | 德国 | 262 | 260 | 1% | 1.4% | 3% |
5 | 韩国 | 1149 | 1162 | -1% | 5.9% | 9% |
6 | 法国 | 130 | 73 | 78% | 0.7% | 4% |
7 | 瑞士 | 46 | 35 | 31% | 0.2% | 2% |
8 | 荷兰 | 115 | 90 | 28% | 0.6% | 6% |
9 | 开曼群岛 | 7 | 6 | 17% | 0.0% | 0% |
10 | 瑞典 | 31 | 15 | 107% | 0.2% | 1% |
11 | 其他 | 314 | 247 | 27% | 1.6% | 3% |
整体 | 19317 | 21980 | -12% | 100.0% | 2% |
注：本表按照第一权利人进行统计。
2023年，江苏获得半导体器件H01L类国家专利2000多项，占该小类的份额为18%，占本省专利的2%；其次是广东，达到1800多项，占该小类的份额为15%，占本省专利的1%。台湾、江西、上海、安徽在半导体器件技术上的构成比重最高，表明这些地区主要聚焦半导体技术研发。
表7.3-3 国内各省市区半导体器件H01L类专利数量
省市区 | 2023 | 2022 | 增长率 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 江苏 | 2210 | 2551 | -13% | 17.8% | 2% |
2 | 广东 | 1830 | 2510 | -27% | 14.7% | 1% |
3 | 上海 | 1257 | 1219 | 3% | 10.1% | 3% |
4 | 北京 | 1145 | 2131 | -46% | 9.2% | 1% |
5 | 浙江 | 872 | 995 | -12% | 7.0% | 1% |
6 | 台湾 | 872 | 1261 | -31% | 7.0% | 16% |
7 | 安徽 | 854 | 758 | 13% | 6.9% | 3% |
8 | 四川 | 530 | 513 | 3% | 4.3% | 2% |
9 | 湖北 | 499 | 1528 | -67% | 4.0% | 2% |
10 | 福建 | 339 | 604 | -44% | 2.7% | 2% |
11 | 江西 | 315 | 148 | 113% | 2.5% | 3% |
12 | 陕西 | 303 | 433 | -30% | 2.4% | 1% |
13 | 山东 | 244 | 425 | -43% | 2.0% | 0% |
14 | 重庆 | 226 | 285 | -21% | 1.8% | 2% |
15 | 湖南 | 193 | 162 | 19% | 1.6% | 1% |
16 | 天津 | 178 | 203 | -12% | 1.4% | 1% |
17 | 河北 | 132 | 327 | -60% | 1.1% | 1% |
18 | 辽宁 | 74 | 79 | -6% | 0.6% | 1% |
19 | 吉林 | 74 | 250 | -70% | 0.6% | 1% |
20 | 山西 | 60 | 75 | -20% | 0.5% | 1% |
21 | 河南 | 45 | 78 | -42% | 0.4% | 0% |
22 | 黑龙江 | 34 | 45 | -24% | 0.3% | 0% |
23 | 广西 | 34 | 50 | -32% | 0.3% | 1% |
24 | 云南 | 24 | 28 | -14% | 0.2% | 0% |
25 | 甘肃 | 21 | 18 | 17% | 0.2% | 1% |
26 | 内蒙古 | 20 | 9 | 122% | 0.2% | 1% |
27 | 贵州 | 17 | 13 | 31% | 0.1% | 0% |
28 | 香港 | 17 | 20 | -15% | 0.1% | 2% |
29 | 宁夏 | 16 | 15 | 7% | 0.1% | 1% |
30 | 海南 | 5 | 0 | -- | 0.0% | 0% |
31 | 青海 | 5 | 1 | 400% | 0.0% | 1% |
32 | 新疆 | 3 | 3 | 0% | 0.0% | 0% |
33 | 澳门 | 1 | 0 | -- | 0.0% | 1% |
34 | 西藏 | 0 | 1 | -100% | 0.0% | 0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
整体来看，国内的发明专利高度集中在江苏、广东、上海、北京、浙江、台湾、安徽，这7个省市在2023年获得的专利数量共占国内的73%，是我国半导体技术研发的重要地区。台湾省在半导体技术上的专利构成最高，为16%，表明台湾省技术研发的核心是半导体。
2023年，在半导体器件（H01L）小类上获得中国局专利授权最多的机构是三星电子株式会社、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、东京毅力科创株式会社、应用材料公司、台湾积体电路制造股份有限公司、长鑫存储技术有限公司、京东方科技集团股份有限公司、三菱电机株式会社。从技术构成上看，江西兆驰半导体有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司、台湾积体电路制造股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司等公司的比重较高，均超过50%，这些公司一多半的专利属于半导体器件（H01L）类，半导体技术是其研发重点。
表7.3-4 半导体器件H01L类中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 2023 | 2021 | 增长率 | 技术构成 | |
1 | 三星电子株式会社 | 429 | 197 | 118% | 19% |
2 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 343 | 145 | 137% | 84% |
3 | 东京毅力科创株式会社 | 335 | 102 | 228% | 89% |
4 | 应用材料公司 | 312 | 104 | 200% | 79% |
5 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 274 | 587 | -53% | 61% |
6 | 长鑫存储技术有限公司 | 257 | 269 | -4% | 38% |
7 | 京东方科技集团股份有限公司 | 235 | 945 | -75% | 8% |
8 | 三菱电机株式会社 | 200 | 105 | 90% | 19% |
9 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 198 | 190 | 4% | 58% |
10 | 电子科技大学 | 170 | 171 | -1% | 7% |
11 | 江西兆驰半导体有限公司 | 163 | 53 | 208% | 96% |
12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 161 | 241 | -33% | 28% |
13 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 147 | 51 | 188% | 84% |
14 | 株式会社迪思科 | 144 | 57 | 153% | 76% |
15 | 三星显示有限公司 | 131 | 238 | -45% | 15% |
16 | 中国科学院微电子研究所 | 124 | 143 | -13% | 38% |
17 | 株式会社斯库林集团 | 120 | 82 | 46% | 83% |
18 | 长江存储科技有限责任公司 | 116 | 329 | -65% | 30% |
19 | 友达光电股份有限公司 | 112 | 65 | 72% | 22% |
20 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 108 | 66 | 64% | 53% |
21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 107 | 430 | -75% | 19% |
22 | 索尼半导体解决方案公司 | 101 | 52 | 94% | 45% |
23 | 铠侠股份有限公司 | 99 | 21 | 371% | 25% |
24 | 美光科技公司 | 92 | 68 | 35% | 18% |
25 | 株式会社电装 | 92 | 35 | 163% | 17% |
26 | 爱思开海力士有限公司 | 91 | 36 | 153% | 10% |
27 | 瑞萨电子株式会社 | 85 | 33 | 158% | 43% |
28 | 西安电子科技大学 | 84 | 86 | -2% | 5% |
29 | 夏普株式会社 | 80 | 50 | 60% | 17% |
30 | 株式会社村田制作所 | 80 | 46 | 74% | 12% |
31 | 细美事有限公司 | 79 | 20 | 295% | 81% |
32 | 联华电子股份有限公司 | 78 | 100 | -22% | 66% |
33 | 富士电机株式会社 | 76 | 32 | 138% | 52% |
34 | TCL华星光电技术有限公司 | 75 | 105 | -29% | 14% |
35 | 乐金显示有限公司 | 75 | 224 | -67% | 15% |
36 | 株式会社东芝 | 71 | 33 | 115% | 27% |
37 | 英飞凌科技股份有限公司 | 68 | 43 | 58% | 37% |
38 | 浙江晶科能源有限公司 | 68 | 27 | 152% | 91% |
39 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 66 | 42 | 57% | 28% |
40 | 朗姆研究公司 | 64 | 24 | 167% | 65% |
41 | 琳得科株式会社 | 64 | 43 | 49% | 55% |
42 | 株式会社国际电气 | 63 | 29 | 117% | 98% |
43 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 60 | 72 | -17% | 47% |
44 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 58 | 46 | 26% | 95% |
45 | 索尼公司 | 58 | 114 | -49% | 11% |
46 | 英特尔公司 | 57 | 105 | -46% | 15% |
47 | 科磊股份有限公司 | 56 | 48 | 17% | 64% |
48 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 55 | 49 | 12% | 38% |
49 | 上海华力微电子有限公司 | 53 | 48 | 10% | 45% |
50 | 京瓷株式会社 | 51 | 29 | 76% | 24% |
51 | 佳能株式会社 | 50 | 29 | 72% | 7% |
52 | 日亚化学工业株式会社 | 50 | 28 | 79% | 63% |
53 | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 | 49 | 25 | 96% | 68% |
54 | 华南理工大学 | 49 | 94 | -48% | 2% |
55 | 胜高股份有限公司 | 49 | 19 | 158% | 78% |
56 | 惠科股份有限公司 | 47 | 57 | -18% | 10% |
57 | 株式会社半导体能源研究所 | 47 | 77 | -39% | 41% |
58 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 45 | -- | -- | 79% |
59 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 45 | 128 | -65% | 75% |
60 | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 | 44 | 9 | 389% | 40% |
61 | 罗姆股份有限公司 | 42 | 21 | 100% | 54% |
62 | 松下知识产权经营株式会社 | 42 | 26 | 62% | 6% |
63 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 42 | 30 | 40% | 95% |
64 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 42 | 65 | -35% | 78% |
65 | 株式会社力森诺科 | 42 | -- | -- | 37% |
66 | 华为技术有限公司 | 39 | 45 | -13% | 1% |
67 | 武汉华星光电技术有限公司 | 39 | 80 | -51% | 18% |
68 | 国际商业机器公司 | 38 | 10 | 280% | 8% |
69 | 恩智浦美国有限公司 | 37 | 12 | 208% | 33% |
70 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 37 | 15 | 147% | 35% |
71 | 日本碍子株式会社 | 36 | 17 | 112% | 20% |
72 | 新唐科技股份有限公司 | 36 | 4 | 800% | 29% |
73 | 信越化学工业株式会社 | 36 | 37 | -3% | 16% |
74 | 信越半导体株式会社 | 35 | 15 | 133% | 92% |
75 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 | 35 | 9 | 289% | 81% |
76 | 浙江大学 | 35 | 61 | -43% | 1% |
77 | 浜松光子学株式会社 | 34 | 31 | 10% | 34% |
78 | 成都辰显光电有限公司 | 34 | 58 | -41% | 71% |
79 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 34 | 7 | 386% | 81% |
80 | 群创光电股份有限公司 | 34 | 40 | -15% | 26% |
81 | 厦门三安光电有限公司 | 34 | 32 | 6% | 94% |
82 | 株式会社日立高新技术 | 34 | 4 | 750% | 25% |
83 | 豪威科技股份有限公司 | 33 | 22 | 50% | 52% |
84 | 精工爱普生株式会社 | 33 | 17 | 94% | 3% |
85 | 西安微电子技术研究所 | 33 | 14 | 136% | 17% |
86 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 33 | 53 | -38% | 26% |
87 | 广东工业大学 | 32 | 37 | -14% | 2% |
88 | 首尔伟傲世有限公司 | 32 | 20 | 60% | 63% |
89 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 32 | -- | -- | 86% |
90 | TDK株式会社 | 31 | 41 | -24% | 13% |
91 | 合肥维信诺科技有限公司 | 31 | 69 | -55% | 13% |
92 | 佳能特机株式会社 | 31 | 13 | 138% | 26% |
93 | 厦门天马微电子有限公司 | 30 | 158 | -81% | 13% |
94 | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 | 30 | 7 | 329% | 97% |
95 | 株式会社尼康 | 30 | 31 | -3% | 29% |
96 | 株式会社荏原制作所 | 30 | 15 | 100% | 38% |
97 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 29 | 86 | -66% | 83% |
98 | 錼创显示科技股份有限公司 | 29 | 18 | 61% | 88% |
99 | 上海功成半导体科技有限公司 | 29 | 3 | 867% | 97% |
100 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 29 | 18 | 61% | 81% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
https://blog.sciencenet.cn/blog-681765-1452924.html
上一篇：2023年数字信息传输（H04L）类的中国局专利的发展态势及竞争——通信技术研发逐渐放缓
