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陈立新 张琳 黄颖:中美欧日韩五局专利报告3488.docx
█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
2022年,美国专利商标局在半导体器件(H01L)小类上共授权专利23734项,占总授权量的7.3%,是专利数量第3多的小类。
2022年,美国在半导体器件(H01L)小类上获得了5786项专利,占该小类专利总量的24%。中国在该小类做出专利发明2937项,获得专利权3055项。日本和韩国的专利数量远多于我国。
表16.3-1 2022年各国半导体器件(H01L)类的专利发明和专利权数量
国家 和地区 | 发明 数量 | 专利权 数量 | 净流失 数量 | 专利 流失率 | 发明 份额 | 专利权 份额 | 份额 流失量 | |
1 | 美国 | 5554 | 5786 | -232 | -4% | 23% | 24% | -1.0% |
2 | 日本 | 4943 | 4898 | 45 | 1% | 21% | 21% | 0.2% |
3 | 中国 | 2937 | 3055 | -118 | -4% | 12% | 13% | -0.5% |
4 | 韩国 | 3904 | 3872 | 32 | 1% | 16% | 16% | 0.1% |
5 | 德国 | 633 | 593 | 40 | 6% | 3% | 2% | 0.2% |
6 | 法国 | 292 | 269 | 23 | 8% | 1% | 1% | 0.1% |
7 | 加拿大 | 72 | 59 | 13 | 18% | 0% | 0% | 0.1% |
8 | 英国 | 140 | 109 | 31 | 22% | 1% | 0% | 0.1% |
9 | 瑞士 | 62 | 63 | -1 | -2% | 0% | 0% | 0.0% |
10 | 荷兰 | 105 | 201 | -96 | -91% | 0% | 1% | -0.4% |
11 | 瑞典 | 24 | 20 | 4 | 17% | 0% | 0% | 0.0% |
12 | 以色列 | 126 | 53 | 73 | 58% | 1% | 0% | 0.3% |
13 | 意大利 | 101 | 60 | 41 | 41% | 0% | 0% | 0.2% |
14 | 印度 | 82 | 7 | 75 | 91% | 0% | 0% | 0.3% |
15 | 其他 | 4759 | 4689 | 70 | 1% | 20% | 20% | 0.3% |
小计 | 23734 | 23734 | 0 | 0% | 100% | 100% | 0% |
注:本表分别按照专利第一发明人和第一权利人进行统计(中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利)。
图16.3-1 2022年各国半导体器件(H01L)类的专利发明和专利权数量对比
2022年,在半导体器件(H01L)小类上获得专授权最多的公司是台积电,其次是三星电子和三星显示公司。
表16.3-2 2022年半导体器件(H01L)类专利授权前10机构
机构名称 | 国家 | 机构英文名称 | 2022 | 2021 | |
1 | 台湾积体电路制造公司 | 中国 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 2471 | 2310 |
2 | 三星电子公司 | 韩国 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 1241 | 1315 |
3 | 三星显示公司 | 韩国 | Samsung Display Co., Ltd. | 1188 | 1137 |
4 | 英特尔公司 | 美国 | Intel Corporation | 703 | 540 |
5 | 美光科技公司 | 美国 | Micron Technology, Inc. | 503 | 577 |
6 | 京东方科技集团公司 | 中国 | Boe Technology Group Co., Ltd. | 482 | 497 |
7 | 国际商业机器公司 | 美国 | International Business Machines Corporation | 440 | 1126 |
8 | 应用材料公司 | 美国 | Applied Materials, Inc. | 439 | 440 |
9 | 东京电子株式会社 | 日本 | Tokyo Electron Limited | 413 | 375 |
10 | LG显示公司 | 韩国 | LG Display Co., Ltd. | 329 | 445 |
注:本表数据按照第一权利人进行统计。
图16.3-2 2022年半导体器件(H01L)类专利授权前10机构
感谢大连理工大学刘则渊教授、河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员对本报告的支持与帮助。同时,向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
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