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2022年半导体器件（H01L）类的中国局专利的发展竞争态势——江苏、广东最强
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█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第一部分 2022年中国国家发明专利统计分析报告
7 主要技术类别下中国局专利的发展竞争态势
7.3 半导体器件（H01L）类的中国局专利的发展态势及竞争
2022年，中国局在半导体器件（H01L）小类上共授权专利21980项，比上一年增长14%，其占总授权量的3%，是专利数量第8多的小类。近年来，半导体技术专利的增长速度相对较低。
我国国内的专利数量较多，占该小类专利份额的76%，比其他小类的份额相对偏低10多个百分点，表明我国半导体技术实力不强。国内专利中仅有2%的专利属于该小类，表明我国在该技术上的构成比重较低。总体来看，我国国内专利在半导体器件技术上的构成低于韩国、日本和美国，韩国是我国的5倍，这说明我国的半导体技术构成偏低，技术结构发展不合理，不平衡。
图7.3-1 半导体器件H01L类的中国局专利增长情况
表7.3-1 主要国家和地区半导体器件H01L类的中国局专利数量
国家和地区 | 2022 | 2021 | 增长率 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 16738 | 13931 | 20% | 76.2% | 2.4% |
2 | 日本 | 2383 | 2426 | -2% | 10.8% | 7.2% |
3 | 美国 | 971 | 974 | 0% | 4.4% | 3.8% |
4 | 德国 | 260 | 312 | -17% | 1.2% | 2.3% |
5 | 韩国 | 1162 | 1203 | -3% | 5.3% | 11.1% |
6 | 法国 | 73 | 74 | -1% | 0.3% | 2.2% |
7 | 瑞士 | 35 | 35 | 0% | 0.2% | 1.3% |
8 | 荷兰 | 90 | 83 | 8% | 0.4% | 4.3% |
9 | 开曼群岛 | 6 | 11 | -45% | 0.0% | 0.3% |
10 | 瑞典 | 15 | 38 | -61% | 0.1% | 0.8% |
11 | 其他 | 247 | 234 | 6% | 1.1% | 2.4% |
整体 | 21980 | 19321 | 14% | 100.0% | 2.8% |
注：本表按照第一权利人进行统计。
2022年，北京获得半导体器件H01L类国家专利2000多项，占该小类的份额为15%，占北京市专利的3%；其次是江苏，达到1800多项，占该小类的份额为13%，占江苏省专利的3%。台湾、湖北和上海在半导体器件技术上的构成比重最高，表明这三地聚焦半导体技术研发并集中了大量的半导体技术研发力量，是半导体专业化程度较高的地区。
表7.3-2国内各省市区半导体器件H01L类专利数量
省市区 | 2022 | 2021 | 增长率 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 广东 | 2510 | 1789 | 40.3% | 15.0% | 2.2% |
2 | 江苏 | 2551 | 1805 | 41.3% | 15.2% | 2.9% |
3 | 北京 | 2131 | 2140 | -0.4% | 12.7% | 2.4% |
4 | 浙江 | 995 | 824 | 20.8% | 5.9% | 1.6% |
5 | 山东 | 425 | 226 | 88.1% | 2.5% | 0.9% |
6 | 上海 | 1219 | 1541 | -20.9% | 7.3% | 3.3% |
7 | 湖北 | 1528 | 1443 | 5.9% | 9.1% | 5.2% |
8 | 安徽 | 758 | 350 | 116.6% | 4.5% | 2.9% |
9 | 四川 | 513 | 394 | 30.2% | 3.1% | 2.0% |
10 | 湖南 | 162 | 164 | -1.2% | 1.0% | 0.8% |
11 | 陕西 | 433 | 379 | 14.2% | 2.6% | 2.3% |
12 | 福建 | 604 | 305 | 98.0% | 3.6% | 3.7% |
13 | 河南 | 78 | 72 | 8.3% | 0.5% | 0.5% |
14 | 重庆 | 285 | 112 | 154.5% | 1.7% | 2.3% |
15 | 河北 | 327 | 299 | 9.4% | 2.0% | 2.7% |
16 | 天津 | 203 | 123 | 65.0% | 1.2% | 1.7% |
17 | 辽宁 | 79 | 106 | -25.5% | 0.5% | 0.7% |
18 | 江西 | 148 | 84 | 76.2% | 0.9% | 1.7% |
19 | 黑龙江 | 45 | 35 | 28.6% | 0.3% | 0.5% |
20 | 吉林 | 250 | 157 | 59.2% | 1.5% | 3.9% |
21 | 台湾 | 1261 | 1405 | -10.2% | 7.5% | 20.4% |
22 | 广西 | 50 | 25 | 100.0% | 0.3% | 0.9% |
23 | 山西 | 75 | 55 | 36.4% | 0.4% | 1.5% |
24 | 云南 | 28 | 15 | 86.7% | 0.2% | 0.7% |
25 | 贵州 | 13 | 11 | 18.2% | 0.1% | 0.4% |
26 | 甘肃 | 18 | 19 | -5.3% | 0.1% | 0.7% |
27 | 内蒙古 | 9 | 7 | 28.6% | 0.1% | 0.4% |
28 | 新疆 | 3 | 4 | -25.0% | 0.0% | 0.2% |
29 | 海南 | 0 | 4 | -100.0% | 0.0% | 0.0% |
30 | 宁夏 | 15 | 5 | 200.0% | 0.1% | 1.2% |
31 | 香港 | 20 | 30 | -33.3% | 0.1% | 2.8% |
32 | 青海 | 1 | 1 | 0.0% | 0.0% | 0.2% |
33 | 西藏 | 1 | 1 | 0.0% | 0.0% | 0.7% |
34 | 澳门 | 0 | 1 | -100.0% | 0.0% | 0.0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
图7.3-2 国内各省市区半导体器件H01L类专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在江苏、广东、北京、湖北、台湾、上海、浙江、安徽，这8个省市在2022年获得的专利数量共占国内的77%，是我国半导体技术研发的重要地区。台湾省在半导体技术上的专利构成最高，为20%，表明台湾省技术研发的核心是半导体。
图7.3-3 国内各省市区半导体器件H01L类专利的技术构成比重
2022年，在半导体器件（H01L）小类上获得中国局专利授权最多的机构是京东方科技集团股份有限公司，其次是台湾积体电路制造股份有限公司。从技术构成上看，台积电、中芯国际、长江存储等公司的比重较高，均超过70%，这些公司一多半的专利属于半导体器件（H01L）类，半导体技术是其研发重点，其研发的专业化程度较高。
表7.3-3 半导体器件H01L类中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 2022 | 2021 | 增长率 | 技术构成 | |
1 | 京东方科技集团股份有限公司 | 945 | 1159 | -18% | 34% |
2 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 587 | 507 | 16% | 82% |
3 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 430 | 343 | 25% | 63% |
4 | 长江存储科技有限责任公司 | 329 | 553 | -41% | 70% |
5 | 昆山国显光电有限公司 | 277 | 144 | 92% | 51% |
6 | 长鑫存储技术有限公司 | 269 | 43 | 526% | 63% |
7 | 武汉天马微电子有限公司 | 251 | 136 | 85% | 51% |
8 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 241 | 168 | 43% | 51% |
9 | 三星显示有限公司 | 238 | 189 | 26% | 34% |
10 | 乐金显示有限公司 | 224 | 237 | -5% | 41% |
11 | 三星电子株式会社 | 197 | 269 | -27% | 11% |
12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 190 | 113 | 68% | 53% |
13 | 电子科技大学 | 171 | 209 | -18% | 6% |
14 | 株式会社LG化学 | 165 | 127 | 30% | 17% |
15 | 华虹半导体（无锡）有限公司 | 159 | 7 | 2171% | 87% |
16 | 云谷（固安）科技有限公司 | 159 | 159 | 0% | 58% |
17 | 厦门天马微电子有限公司 | 158 | 68 | 132% | 24% |
18 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 145 | 364 | -60% | 78% |
19 | 中国科学院微电子研究所 | 143 | 126 | 13% | 41% |
20 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 128 | 19 | 574% | 76% |
21 | TCL科技集团股份有限公司 | 117 | 151 | -23% | 60% |
22 | 索尼公司 | 114 | 105 | 9% | 15% |
23 | 复旦大学 | 106 | 26 | 308% | 12% |
24 | TCL华星光电技术有限公司 | 105 | 71 | 48% | 22% |
25 | 三菱电机株式会社 | 105 | 104 | 1% | 10% |
26 | 英特尔公司 | 105 | 108 | -3% | 20% |
27 | 应用材料公司 | 104 | 115 | -10% | 56% |
28 | 东京毅力科创株式会社 | 102 | 108 | -6% | 65% |
29 | 南京邮电大学 | 101 | 48 | 110% | 6% |
30 | 联华电子股份有限公司 | 100 | 155 | -35% | 94% |
31 | 华中科技大学 | 96 | 97 | -1% | 5% |
32 | 华南理工大学 | 94 | 108 | -13% | 4% |
33 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 86 | 9 | 856% | 92% |
34 | 西安电子科技大学 | 86 | 108 | -20% | 5% |
35 | 株式会社斯库林集团 | 82 | 56 | 46% | 66% |
36 | 武汉华星光电技术有限公司 | 80 | 49 | 63% | 27% |
37 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 79 | 30 | 163% | 89% |
38 | 株式会社半导体能源研究所 | 77 | 83 | -7% | 66% |
39 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 76 | 15 | 407% | 88% |
40 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 72 | 77 | -6% | 70% |
41 | 合肥维信诺科技有限公司 | 69 | 5 | 1280% | 35% |
42 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 69 | 35 | 97% | 53% |
43 | 美光科技公司 | 68 | 32 | 113% | 19% |
44 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 66 | 101 | -35% | 58% |
45 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 65 | 71 | -8% | 77% |
46 | 友达光电股份有限公司 | 65 | 98 | -34% | 19% |
47 | 江苏三月科技股份有限公司 | 63 | 24 | 163% | 93% |
48 | 苏州大学 | 63 | 39 | 62% | 7% |
49 | 浙江大学 | 61 | 64 | -5% | 2% |
50 | 成都辰显光电有限公司 | 58 | 29 | 100% | 81% |
51 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 58 | 20 | 190% | 62% |
52 | 惠科股份有限公司 | 57 | 70 | -19% | 18% |
53 | 深圳第三代半导体研究院 | 57 | 35 | 63% | 78% |
54 | 株式会社迪思科 | 57 | 64 | -11% | 46% |
55 | 中国科学院半导体研究所 | 56 | 60 | -7% | 34% |
56 | 富士胶片株式会社 | 53 | 43 | 23% | 12% |
57 | 江西兆驰半导体有限公司 | 53 | 3 | 1667% | 96% |
58 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 53 | 53 | 0% | 41% |
59 | 索尼半导体解决方案公司 | 52 | 41 | 27% | 33% |
60 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 51 | 12 | 325% | 81% |
61 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 51 | 1 | 5000% | 75% |
62 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | 51 | 38 | 34% | 100% |
63 | 华灿光电（苏州）有限公司 | 50 | 29 | 72% | 91% |
64 | 清华大学 | 50 | 40 | 25% | 2% |
65 | 夏普株式会社 | 50 | 50 | 0% | 9% |
66 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 49 | 50 | -2% | 46% |
67 | OPPO广东移动通信有限公司 | 48 | 26 | 85% | 2% |
68 | 科磊股份有限公司 | 48 | 56 | -14% | 43% |
69 | 上海华力微电子有限公司 | 48 | 90 | -47% | 64% |
70 | 无锡华润上华科技有限公司 | 47 | 46 | 2% | 82% |
71 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 46 | 63 | -27% | 88% |
72 | 南亚科技股份有限公司 | 46 | 22 | 109% | 85% |
73 | 株式会社村田制作所 | 46 | 42 | 10% | 10% |
74 | 华为技术有限公司 | 45 | 49 | -8% | 1% |
75 | 日东电工株式会社 | 45 | 46 | -2% | 16% |
76 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 45 | 53 | -15% | 88% |
77 | 上海天马微电子有限公司 | 45 | 115 | -61% | 23% |
78 | 西安交通大学 | 45 | 60 | -25% | 2% |
79 | 东南大学 | 43 | 30 | 43% | 2% |
80 | 琳得科株式会社 | 43 | 34 | 26% | 39% |
81 | 英飞凌科技股份有限公司 | 43 | 84 | -49% | 32% |
82 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 42 | 23 | 83% | 23% |
83 | 福建省晋华集成电路有限公司 | 42 | 7 | 500% | 98% |
84 | TDK株式会社 | 41 | 31 | 32% | 20% |
85 | 群创光电股份有限公司 | 40 | 61 | -34% | 35% |
86 | 北京大学 | 39 | 40 | -3% | 5% |
87 | 福州大学 | 39 | 28 | 39% | 3% |
88 | 华南师范大学 | 39 | 26 | 50% | 10% |
89 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 39 | 10 | 290% | 76% |
90 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 38 | 60 | -37% | 21% |
91 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 38 | 29 | 31% | 58% |
92 | 住友化学株式会社 | 38 | 21 | 81% | 14% |
93 | 广东工业大学 | 37 | 40 | -8% | 2% |
94 | 合肥工业大学 | 37 | 18 | 106% | 2% |
95 | 深圳大学 | 37 | 15 | 147% | 4% |
96 | 信越化学工业株式会社 | 37 | 36 | 3% | 19% |
97 | 爱思开海力士有限公司 | 36 | 50 | -28% | 13% |
98 | 吉林大学 | 36 | 29 | 24% | 2% |
99 | 浙江华显光电科技有限公司 | 36 | 4 | 800% | 95% |
100 | 上海和辉光电股份有限公司 | 35 | 51 | -31% | 51% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
图7.3-4 半导体器件H01L类中国局专利授权前30家机构
图7.3-5 2022年30家机构的半导体器件技术比重
致谢
感谢大连理工大学刘则渊教授、河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学杨中楷教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
如需要中美欧日韩五局及PCT专利数据、专利报告，以及咨询相关专利问题请添加微信号。
https://blog.sciencenet.cn/blog-681765-1401459.html
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