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█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
2021年,欧洲专利局在半导体器件(H01L)小类上共授权专利2854项,占总授权量的2.6%,是专利数量第7多的小类。
表27.3-1 2021年各国半导体器件(H01L)类的欧洲专利发明和专利权数量
国家 | 发明 | 专利权 | 流失数量 | 流失率 | 专利权份额 | |
1 | 美国 | 631 | 659 | -28 | -4% | 23% |
2 | 德国 | 279 | 278 | 1 | 0% | 10% |
3 | 日本 | 623 | 624 | -1 | 0% | 22% |
4 | 法国 | 217 | 223 | -6 | -3% | 8% |
5 | 中国 | 165 | 170 | -5 | -3% | 6% |
6 | 韩国 | 390 | 395 | -5 | -1% | 14% |
7 | 英国 | 78 | 42 | 36 | 46% | 1% |
8 | 意大利 | 37 | 28 | 9 | 24% | 1% |
9 | 荷兰 | 78 | 93 | -15 | -19% | 3% |
10 | 瑞士 | 52 | 52 | 0 | 0% | 2% |
11 | 瑞典 | 16 | 12 | 4 | 25% | 0% |
12 | 加拿大 | 14 | 9 | 5 | 36% | 0% |
13 | 奥地利 | 47 | 43 | 4 | 9% | 2% |
14 | 芬兰 | 19 | 33 | -14 | -74% | 1% |
15 | 比利时 | 52 | 47 | 5 | 10% | 2% |
16 | 西班牙 | 9 | 10 | -1 | -11% | 0% |
17 | 丹麦 | 4 | 3 | 1 | 25% | 0% |
18 | 以色列 | 17 | 14 | 3 | 18% | 0% |
19 | 印度 | 4 | 3 | 1 | 25% | 0% |
20 | 其他 | 122 | 116 | 6 | 5% | 4% |
小计 | 2854 | 2854 | 0 | 0% | 100% |
图27.3-1 2021年各国半导体器件(H01L)类的专利发明和专利权数量对比
2021年,美国在半导体器件(H01L)小类上获得了659项专利,占该小类专利总量的23%。中国在该小类做出专利发明165项,获得专利权170项。日本和韩国的专利权数量远多于我国。
2021年,在半导体器件(H01L)小类上获得欧洲专利授权最多的公司是LG显示、法国原子能委员会、三星显示公司。
表27.3-2 2021年半导体器件(H01L)类专利授权前10机构
机构名称 | 国家 | 机构英文名称 | 专利 | |
1 | LG显示公司 | 韩国 | LG DISPLAY CO LTD | 91 |
2 | 法国原子能委员会 | 法国 | COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE | 85 |
3 | 三星显示公司 | 韩国 | SAMSUNG DISPLAY CO LTD | 74 |
4 | 京东方科技集团公司 | 中国 | BOE TECHNOLOGY GROUP CO LTD | 68 |
5 | 三星电子公司 | 韩国 | SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD | 67 |
6 | 英特尔公司 | 美国 | INTEL CORP | 56 |
7 | LG电子公司 | 韩国 | LG ELECTRONICS INC | 40 |
8 | LG伊诺特公司 | 韩国 | LG INNOTEK CO LTD | 40 |
8 | LG化学公司 | 韩国 | LG CHEMICAL LTD | 35 |
10 | 日亚化学工业株式会社 | 日本 | NICHIA CORP | 35 |
注:本表数据按照第一权利人进行统计。
图27.3-2 2021年半导体器件(H01L)类专利授权前10机构
感谢大连理工大学刘则渊教授、河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授、大连理工大学杨中楷教授对本报告的大力支持与帮助。同时,向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
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