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2021年半导体制造领域中国局专利的发展竞争态势——主要聚集在上海和北京，台积电、中芯国际、京东方领先
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告2035.docx
█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第一部分 2021年中国国家发明专利统计分析报告
8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势
8.38 半导体制造领域中国局专利的发展竞争态势
第38个技术领域是半导体制造，包括半导体及其部件的制造方法和设备。
图8.38-1 半导体制造领域的中国局专利增长情况
2021年，中国局在半导体制造领域上共授权专利7828项，比上一年增长8%，2014-2021年的平均增长率达到12%，是专利数量第48多的技术领域。近年来，半导体制造领域的专利增长缓慢，并且波动较大。
表8.38-1 2021年各国半导体制造领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 5497 | 70% | 0.9% |
2 | 日本 | 1176 | 15% | 3.4% |
3 | 美国 | 553 | 7% | 2.0% |
4 | 德国 | 122 | 2% | 1.0% |
5 | 韩国 | 287 | 4% | 2.6% |
6 | 法国 | 24 | 0% | 0.7% |
7 | 瑞士 | 10 | 0% | 0.3% |
8 | 荷兰 | 46 | 1% | 2.0% |
9 | 瑞典 | 3 | 0% | 0.1% |
10 | 英国 | 15 | 0% | 0.8% |
11 | 意大利 | 12 | 0% | 0.8% |
12 | 新加坡 | 16 | 0% | 1.6% |
13 | 丹麦 | 1 | 0% | 0.1% |
14 | 其他 | 66 | 1% | 0.8% |
小计 | 7828 | 100% | 1.1% |
注：本表按照第一权利人进行统计。
我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的70%，比平均份额低10个百分点；另外，国内专利中有0.9%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于美国、日本、韩国等国家，这说明我国在半导体制造领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。
表8.38-2 2021年国内各省市区半导体制造领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 广东 | 602 | 11.0% | 0.6% |
2 | 北京 | 833 | 15.2% | 1.1% |
3 | 江苏 | 681 | 12.4% | 1.0% |
4 | 浙江 | 344 | 6.3% | 0.6% |
5 | 山东 | 77 | 1.4% | 0.2% |
6 | 上海 | 883 | 16.1% | 2.7% |
7 | 安徽 | 177 | 3.2% | 0.7% |
8 | 湖北 | 392 | 7.1% | 1.8% |
9 | 四川 | 129 | 2.3% | 0.7% |
10 | 湖南 | 53 | 1.0% | 0.3% |
11 | 陕西 | 150 | 2.7% | 1.0% |
12 | 河南 | 13 | 0.2% | 0.1% |
13 | 福建 | 90 | 1.6% | 0.7% |
14 | 辽宁 | 46 | 0.8% | 0.4% |
15 | 重庆 | 53 | 1.0% | 0.6% |
16 | 河北 | 77 | 1.4% | 0.9% |
17 | 天津 | 57 | 1.0% | 0.8% |
18 | 台湾 | 741 | 13.5% | 10.4% |
19 | 江西 | 12 | 0.2% | 0.2% |
20 | 黑龙江 | 10 | 0.2% | 0.2% |
21 | 吉林 | 24 | 0.4% | 0.4% |
22 | 广西 | 12 | 0.2% | 0.3% |
23 | 山西 | 19 | 0.3% | 0.5% |
24 | 云南 | 1 | 0.0% | 0.0% |
25 | 贵州 | 2 | 0.0% | 0.1% |
26 | 甘肃 | 4 | 0.1% | 0.2% |
27 | 内蒙古 | 3 | 0.1% | 0.2% |
28 | 新疆 | 1 | 0.0% | 0.1% |
29 | 宁夏 | 1 | 0.0% | 0.1% |
30 | 海南 | 1 | 0.0% | 0.1% |
31 | 香港 | 8 | 0.1% | 0.9% |
32 | 青海 | 0 | 0.0% | 0.0% |
33 | 西藏 | 1 | 0.0% | 0.5% |
34 | 澳门 | 0 | 0.0% | 0.0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
2021年，上海获得该领域国家专利883项，占该领域的份额为16.1%，占本地区专利的2.7%；北京获得该领域国家专利833项，占该领域份额的15.2%，占本地区专利的1.1%。上海和北京在半导体制造技术上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的技术研发力量，是研发能力最强的地区。
图8.38-2 2021年国内各省市区半导体制造领域专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在上海、北京、台湾、江苏、广东、湖北、浙江、安徽，这8个省区在2021年获得的专利数量共占国内的84.6%，是我国半导体制造专利研发的重要地区。
图8.38-3 2021年国内各省市区半导体制造领域专利的技术构成比重
另外，台湾、上海、湖北、北京、江苏、陕西、河北、香港在该领域上的技术构成比重较高，达到10.4%至0.9%，表明这些地区特别偏重半导体制造技术的研发。
表8.38-3 2021年半导体制造领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 329 | 50% |
2 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 中国上海 | 277 | 61% |
3 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 253 | 7% |
4 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 235 | 34% |
5 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 106 | 5% |
6 | 电子科技大学 | 中国四川 | 95 | 4% |
7 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 89 | 54% |
8 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 中国北京 | 88 | 40% |
9 | 应用材料公司 | 美国 | 76 | 35% |
10 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 69 | 43% |
11 | 东京毅力科创株式会社 | 日本 | 67 | 38% |
12 | 西安电子科技大学 | 中国陕西 | 64 | 4% |
13 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 64 | 22% |
14 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 64 | 42% |
15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 中国上海 | 64 | 59% |
16 | 英特尔公司 | 美国 | 60 | 7% |
17 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 60 | 74% |
18 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 59 | 28% |
19 | 晶芯成（北京）科技有限公司 | 中国北京 | 59 | 73% |
20 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 49 | 30% |
21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国湖北 | 49 | 9% |
22 | 株式会社斯库林集团 | 日本 | 48 | 44% |
23 | 三菱电机株式会社 | 日本 | 48 | 4% |
24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 43 | 10% |
25 | 株式会社迪思科 | 日本 | 43 | 31% |
26 | 富士电机株式会社 | 日本 | 41 | 23% |
27 | 科磊股份有限公司 | 美国 | 40 | 33% |
28 | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 | 美国 | 40 | 59% |
29 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 中国台湾 | 39 | 66% |
30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 中国河北 | 37 | 32% |
31 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 中国浙江 | 34 | 71% |
32 | 德淮半导体有限公司 | 中国江苏 | 34 | 40% |
33 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 33 | 8% |
34 | 无锡华润上华科技有限公司 | 中国江苏 | 31 | 56% |
35 | 长鑫存储技术有限公司 | 中国安徽 | 29 | 37% |
36 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 中国北京 | 27 | 63% |
37 | TCL华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 26 | 5% |
38 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 中国上海 | 26 | 13% |
39 | 索尼公司 | 日本 | 24 | 3% |
40 | 昆山国显光电有限公司 | 中国江苏 | 24 | 8% |
41 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 24 | 6% |
42 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 23 | 9% |
43 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 23 | 4% |
44 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 23 | 0% |
45 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 22 | 1% |
46 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 中国浙江 | 22 | 59% |
47 | 株式会社国际电气 | 日本 | 21 | 58% |
48 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 中国江苏 | 21 | 64% |
49 | 株式会社电装 | 日本 | 21 | 5% |
50 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 中国湖南 | 21 | 66% |
51 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 21 | 9% |
52 | 矽品精密工业股份有限公司 | 中国台湾 | 20 | 71% |
53 | 高通股份有限公司 | 美国 | 20 | 1% |
54 | 浙江大学 | 中国浙江 | 20 | 1% |
55 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 中国上海 | 20 | 21% |
56 | 广东工业大学 | 中国广东 | 19 | 2% |
57 | 北京半导体专用设备研究所 | 中国北京 | 19 | 66% |
58 | 华南理工大学 | 中国广东 | 19 | 1% |
59 | 细美事有限公司 | 韩国 | 19 | 54% |
60 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 18 | 20% |
61 | 东芝存储器株式会社 | 日本 | 18 | 21% |
62 | 夏普株式会社 | 日本 | 18 | 3% |
63 | 福建省福联集成电路有限公司 | 中国福建 | 18 | 58% |
64 | 松下知识产权经营株式会社 | 日本 | 18 | 2% |
65 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 18 | 15% |
66 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 17 | 1% |
67 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 17 | 3% |
68 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 17 | 4% |
69 | 佳能株式会社 | 日本 | 17 | 2% |
70 | 中国科学院半导体研究所 | 中国北京 | 17 | 9% |
71 | 云谷（固安）科技有限公司 | 中国河北 | 17 | 6% |
72 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 中国陕西 | 16 | 37% |
73 | 杭州电子科技大学 | 中国浙江 | 16 | 2% |
74 | 珠海越亚半导体股份有限公司 | 中国广东 | 16 | 70% |
75 | 美光科技公司 | 美国 | 16 | 8% |
76 | 群创光电股份有限公司 | 中国台湾 | 16 | 12% |
77 | 日东电工株式会社 | 日本 | 16 | 6% |
78 | 通富微电子股份有限公司 | 中国江苏 | 16 | 73% |
79 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 | 中国浙江 | 15 | 31% |
80 | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 | 中国浙江 | 15 | 42% |
81 | 北京大学 | 中国北京 | 15 | 2% |
82 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 15 | 13% |
83 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 中国江苏 | 14 | 31% |
84 | 复旦大学 | 中国上海 | 14 | 3% |
85 | 朗姆研究公司 | 美国 | 14 | 27% |
86 | 南亚科技股份有限公司 | 中国台湾 | 14 | 38% |
87 | 哈尔滨工业大学 | 中国黑龙江 | 14 | 1% |
88 | 山东大学 | 中国山东 | 13 | 1% |
89 | 琳得科株式会社 | 日本 | 13 | 16% |
90 | 清华大学 | 中国北京 | 13 | 1% |
91 | 株式会社东芝 | 日本 | 13 | 4% |
92 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 13 | 4% |
93 | 中国科学技术大学 | 中国安徽 | 13 | 3% |
94 | 东南大学 | 中国江苏 | 12 | 1% |
95 | 欣兴电子股份有限公司 | 中国台湾 | 12 | 36% |
96 | 武汉天马微电子有限公司 | 中国湖北 | 12 | 4% |
97 | 天津大学 | 中国天津 | 12 | 1% |
98 | 新唐科技股份有限公司 | 中国台湾 | 11 | 20% |
99 | IMEC非营利协会 | 比利时 | 11 | 50% |
100 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 | 11 | 9% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
2021年，在半导体制造领域上获得中国局专利授权最多的机构是台湾积体电路制造股份有限公司，其次是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司和京东方科技集团股份有限公司。
图8.38-4 2021年半导体制造领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看，武汉新芯集成电路制造有限公司、晶芯成（北京）科技有限公司等机构的比重较高，均超过72.8%，这些机构在该领域有较多的专利份额，半导体制造技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。
图8.38-5 2021年30家机构的半导体制造技术构成比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.38-1 2021年半导体制造领域中国局授权发明专利
| 201580078308.0 | 创建具有分布掺杂的半导体晶片的方法和含分布场的晶片 | R.荣茨克 | 1366科技公司 |
| 201711365600.8 | 由p+衬底、p-层、n-层和第三层构成的层堆叠的制造方法 | V·杜德克 | 3-5电力电子有限责任公司 |
| 201680023557.4 | 具有改进的热阻的电子芯片器件和相关制造工艺 | C·瓦尔 | 3D加公司 |
| 201780057092.9 | 制造纳米结构化柱形轧辊的方法 | 詹姆斯·朱 | 3M创新有限公司 |
| 201680047071.4 | 制造碳化硅功率半导体器件的边缘终端的方法和碳化硅功率半导体器件 | J.沃贝基 | ABB电网瑞士股份公司 |
| 201680023722.6 | 具有厚的顶层金属设计的功率半导体器件和用于制造这样的功率半导体器件的方法 | S.马蒂亚斯 | ABB电网瑞士股份公司 |
| 201610135132.4 | 具有可控通态电压的功率半导体整流器 | R.米纳米沙瓦 | ABB电网瑞士股份公司 |
| 201980015392.X | 通过Al/Be共注入p型掺杂碳化硅的方法 | G·阿尔菲里 | ABB电网瑞士股份公司 |
| 201610844397.1 | 用于冷却至少两个功率电子装置的冷却装置和方法 | F.阿戈斯蒂尼 | ABB瑞士股份有限公司 |
| 201510446622.1 | 用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置 | 金奎东 | AFO株式会社 |
| 201780047860.2 | 玻璃基板、半导体装置以及显示装置 | 野村周平 | AGC株式会社 |
| 201710080493.8 | 准分子激光退火工序用激光束调节模块 | 崔东奎 | AP系统股份有限公司 |
| 201710019732.9 | 衬底处理设备以及衬底处理方法 | 李昞日 | AP系统股份有限公司 |
| 201610371257.7 | 通过激光结晶设施实施的Mura量化系统以及Mura量化方法 | 朴宪旭 | AP系统股份有限公司 |
| 201710614877.3 | 激光设备、激光处理装备以及激光设备的污染防止方法 | 李基雄 | AP系统股份有限公司 |
| 201680029962.7 | 用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途 | T·萨尼特 | ASM IP 控股有限公司 |
| 201610607367.9 | 基座及基质加工设备 | 森幸博 | ASM IP 控股有限公司 |
| 201910653943.7 | 使用等离子体改性的介电材料的选择性循环干式蚀刻工艺 | R沃乌尔特 | ASM IP 控股有限公司 |
| 201610133338.3 | 具有用于改变衬底温度的衬底托盘的预清洗腔室和借助所述衬底托盘进行的预清洗工艺 | J·托尔 | ASM IP控股有限公司 |
| 201610898822.5 | 利用PEALD在凹槽中沉积介电膜的方法 | 末盛秀美 | ASM IP控股有限公司 |
| 201780044761.9 | 用于填充间隙的方法和设备 | 优财津 | ASM IP控股有限公司 |
| 201710762817.6 | 通过形成基于烃的超薄膜对层进行保护的方法 | 加藤理亲 | ASM IP控股有限公司 |
| 201780068908.8 | 使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片 | M·N·J·范科尔维克 | ASML荷兰有限公司 |
| 201811040666.4 | 过程窗口的优化方法 | 斯蒂芬维拉恩基 | ASML荷兰有限公司 |
| 201780042071.X | 衬底保持器和制造衬底保持器的方法 | T·波耶兹 | ASML荷兰有限公司 |
| 201680059573.9 | 处理参数的间接确定 | 王德胜 | ASML荷兰有限公司 |
| 201680081242.5 | 光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法 | A·B·热因克 | ASML荷兰有限公司 |
| 201880006505.5 | 用于确定对指纹的贡献的方法 | D·哈诺坦耶 | ASML荷兰有限公司 |
| 201780069903.7 | 使用叠层差异的设计和校正 | 蒋爱琴 | ASML荷兰有限公司 |
| 201780029363.X | 获得测量的方法、用于执行过程步骤的设备和计量设备 | H·E·切克利 | ASML荷兰有限公司 |
| 201480049748.9 | 用于极紫外光源的输送系统 | S·德德亚 | ASML荷兰有限公司 |
| 201680040545.2 | 可移动支撑件和光刻设备 | A·F·J·德格鲁特 | ASML荷兰有限公司 |
| 201780040835.1 | 工作台系统、光刻设备、用于定位的方法以及器件制造方法 | S·M·J·詹森斯 | ASML荷兰有限公司 |
| 201780036588.8 | 用于确定衬底上目标结构的位置的方法和设备、用于确定衬底的位置的方法和设备 | F·G·C·比杰南 | ASML荷兰有限公司 |
| 201880013485.4 | 测量变化的方法、检查系统、计算机程序和计算机系统 | A·G·M·基尔斯 | ASML荷兰有限公司 |
| 201880010063.1 | 量测方法和设备以及关联的计算机产品 | A·J·乌尔班奇克 | ASML荷兰有限公司 |
| 201680058599.1 | 用于保持光刻设备的物体的卡盘和夹具和用于控制光刻设备的夹具保持的物体的温度的方法 | A·H·凯沃特斯 | ASML控股股份有限公司 |
| 201810836604.8 | 冷却装置、气体供应装置及衬底处理设备 | 金承煜 | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 201710626938.8 | 衬底处理设备 | 郑元基 | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 201910098776.4 | 衬底支撑设备、包含其的衬底处理设备以及衬底处理方法 | 崔丞佑 | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 201810994464.7 | 衬底处理设备 | 严基喆 | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 201780038488.9 | 用于处理颗粒物质的设备和方法 | R·佩尔托宁 | BENEQ有限公司 |
| 201680041504.5 | 用于加工介电基板的方法及组合物 | 林越 | CMC材料股份有限公司 |
| 201711143139.1 | 集成电路封装 | 梅尔文·马丁 | DIALOG半导体（英国）有限公司 |
| 201780029089.6 | 光压印用固化性组合物及使用其的图案形成方法 | 伊部武史 | DIC株式会社 |
| 201780036866.X | 研磨垫、研磨垫的制造方法和研磨方法 | 小田善之 | DIC株式会社 |
| 201880025614.1 | 包括乙硅烷基胺化合物的含硅薄膜沉积组合物以及用其制备含硅薄膜的方法 | 金成基 | DNF有限公司 |
| 201880019422.X | 沉积含硅薄膜的含双(氨基甲硅烷基)烷基胺化合物的组合物及使用其制造含硅薄膜的方法 | 金成基 | DNF有限公司 |
| 201680022381.0 | 基于热塑性聚合物的金属导电热熔性糊料 | 稻叶明 | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 201980026465.5 | 用于压印衬底的印刷系统、用于运行印刷系统的方法 | T塞克雷施 | EKRA自动化系统有限公司 |
| 201780038613.6 | 等离子源以及等离子处理装置 | 江部明宪 | EMD株式会社 |
| 201680081524.5 | 一种标记位置校正装置及方法 | 崔相喆 | EO科技股份有限公司 |
| 201680082198.X | 标记位置校正装置及方法 | 崔相喆 | EO科技股份有限公司 |
| 201580077827.5 | 衬底固持器和用于接合两个衬底的方法 | T.瓦根莱特纳 | EV 集团 E·索尔纳有限责任公司 |
| 201480057663.5 | 用于接合薄化基片的方法 | A.费库里 | EV 集团 E·索尔纳有限责任公司 |
| 201810802258.1 | 基板处理装置和处理方法、光掩模清洗方法和制造方法 | 宅岛克宏 | HOYA株式会社 |
| 201880011361.2 | 包括拓扑绝缘体材料的电互连 | C·保利 | IE E国际电子工程股份公司 |
| 201910389405.1 | 用EUV自对准的内部间隔 | G·西布罗特 | IMEC 非营利协会 |
| 201910655322.2 | 用于在半导体鳍片阵列上产生栅极切割结构的方法 | 曾文德 | IMEC 非营利协会 |
| 201811474948.5 | 形成用于半导体结构的方法以及由该方法制造的半导体结构 | 梁琥 | IMEC 非营利协会 |
| 201710062690.7 | 使目标材料层图案化的方法 | P博迈尔斯 | IMEC 非营利协会 |
| 201811293638.3 | 用于形成源极/漏极接触的方法 | 周顺益 | IMEC 非营利协会 |
| 201780007985.2 | 多溶剂钙钛矿组合物 | J·G·泰特 | IMEC 非营利协会 |
| 201711191281.3 | 形成纳米线内间隔的方法 | 陶铮 | IMEC 非营利协会 |
| 201610629531.6 | 全门N纳米丝器件以及该器件的制造方法 | J·米塔德 | IMEC 非营利协会 |
| 201810159983.1 | 在电介质层中形成导电路径图案的方法 | F·拉扎利诺 | IMEC 非营利协会 |
| 201811352456.9 | 选择性蚀刻的方法 | R·鲁 | IMEC 非营利协会 |
| 201810723961.3 | 锗纳米线制造 | L沃斯特恩 | IMEC 非营利协会 |
| 201611186719.4 | 一种在基材上形成目标材料特征件的方法 | A海涅 | IMEC 非营利协会 |
| 201611009700.2 | Si基高迁移率CMOS装置的制造方法及所得装置 | C博卡地 | IMEC 非营利协会 |
| 201780023837.X | 用于曝光基板的装置 | G.富克斯 | IST 梅茨有限公司 |
| 201880002582.3 | 半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法 | 吉田拓 | JX金属株式会社 |
| 201780037086.7 | 用于热处理基板的方法和装置 | H·格罗斯 | L·K·格罗斯 |
| 201680021660.5 | 石墨烯掺杂方法、石墨烯复合电极制造方法和包含其的石墨烯结构 | 文振山 | LG 电子株式会社 |
| 201580074190.4 | 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置 | 孙秀亨 | LG伊诺特有限公司 |
| 201580003645.3 | 包封适形电子系统和器件及其制作和使用方法 | 尼古拉斯·麦克马洪 | MC10股份有限公司 |
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| 201710611245.1 | 基板处理装置及基板处理方法 | 朴范埈 | PSK有限公司 |
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| 201610551869.4 | 用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法 | 郑旼镐 | SK新技术株式会社 |
| 201610320253.6 | 用于热处理单元的校正方法 | S马斯兰 | SOIT EC公司 |
| 201710022513.6 | 制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构 | I德博内 | SOIT EC公司 |
| 201510845590.2 | 脱气方法 | 斯蒂芬·R·伯吉斯 | SPTS科技有限公司 |
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| 201911319047.3 | 阵列基板的制备方法、显示面板及显示器 | 叶京生 | TCL华星光电技术有限公司 |
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| 201910634590.6 | 蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率的量测方法 | 梅园 | TCL华星光电技术有限公司 |
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| 201910703138.0 | 基板清洗装置 | 黄陈辰 | TCL华星光电技术有限公司 |
| 201910416261.4 | 一种蚀刻装置 | 林钦遵 | TCL华星光电技术有限公司 |
| 201910601814.3 | 异物修补方法、装置及存储介质 | 谭锦程 | TCL华星光电技术有限公司 |
| 201810797086.3 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 夏青 | TCL华星光电技术有限公司 |
| 201611092890.9 | 柔性显示面板及其制作方法和电子产品及其显示器 | 陈亚文 | TCL科技集团股份有限公司 |
| 201711163312.4 | 一种薄膜的制备方法及其应用、QL ED器件 | 王宇 | TCL科技集团股份有限公司 |
| 201710616712.X | 光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 | 陈崧 | TCL科技集团股份有限公司 |
| 201811322087.9 | 一种物料移取装置和物料封装生产线 | 胡爱民 | TCL王牌电器（惠州）有限公司 |
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| 201780009223.6 | 磁壁利用型自旋MOSFET以及磁壁利用型模拟存储器 | 佐佐木智生 | TDK株式会社 |
| 201611127710.6 | EFEM中的晶圆搬运部及装载端口部的控制方法 | 冈部勉 | TDK株式会社 |
| 201810171607.4 | 半导体芯片的制造方法 | 折笠诚 | TDK株式会社 |
| 201680068776.4 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件和磁存储器 | 盐川阳平 | TDK株式会社 |
| 201880001531.9 | 自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件及磁存储器 | 盐川阳平 | TDK株式会社 |
| 201911183001.3 | 框架一体型掩模的制造装置 | 李裕进 | TGO科技株式会社 |
| 201780005309.1 | 线性电动机的控制装置及控制方法 | 野村祐树 | THK株式会社 |
| 201780010459.1 | 磷掺杂硅单晶 | 泰斯·莱斯·斯维加德 | TOPSIL 环球晶圆股份公司 |
| 201580077698.X | 静电吸盘以及晶片处理装置 | 穴田和辉 | TOTO株式会社 |
| 201711121799.X | 焊接劈刀 | 石塚祐司 | TOTO株式会社 |
| 201880001714.0 | 旋转夹持装置 | 赵显祐 | ULVAC韩国股份有限公司 |
| 201880011633.9 | 气动销举升装置和气动举升缸 | M肯里齐 | VAT控股公司 |
| 201910248321.6 | 晶片舟皿冷却装置 | C·G·M·德里德 | 阿斯莫IP控股公司 |
| 201711362872.2 | 一种太阳能电池POE封装胶膜稳定性的测试方法 | 何帅 | 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 201680036083.7 | 具有提供晕圈注入峰值限制的超晶格层的半导体装置和相关方法 | R梅尔斯 | 阿托梅拉公司 |
| 201980014394.7 | 用于具有缩小像素大小的微显示器的3D像素电路及其形成方法 | I·瓦采克 | 埃马金公司 |
| 201780054794.1 | 蒸镀装置 | 文一权 | 艾尔法普拉斯株式会社 |
| 201780038149.0 | 使用固体碘化铝(AlI3)的注入制造原子铝离子及碘化铝与相关副产物的原位清洁 | 丹尼斯·卡梅尼察 | 艾克塞利斯科技公司 |
| 201780034185.X | 加热或冷却晶片的设备及方法 | 马文·法利 | 艾克塞利斯科技公司 |
| 201780038118.5 | 使用固体碘化铝(AlI3)的注入制造原子铝离子及碘化铝与相关副产物的原位清洁 | 丹尼斯·卡梅尼察 | 艾克塞利斯科技公司 |
| 201780062437.X | 用于CVD反应器的基座 | D.克莱森斯 | 艾克斯特朗欧洲公司 |
| 201580039312.6 | 用于微转贴印刷的设备及方法 | 克里斯托弗·鲍尔 | 艾克斯展示公司技术有限公司 |
| 201580038779.9 | 微组装的高频装置及阵列 | 克里斯托弗迈托 | 艾克斯展示公司技术有限公司 |
| 202010142765.4 | 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法 | 克里斯托弗迈托 | 艾克斯展示公司技术有限公司 |
| 201610493495.5 | 半导体封装及其制造方法 | 李杰恩 | 艾马克科技公司 |
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| 201610571284.9 | 具有可路由囊封的传导衬底的半导体封装及方法 | 班文贝 | 艾马克科技公司 |
| 201610136210.2 | 半导体装置及其制造方法 | 井村行宏 | 艾普凌科有限公司 |
| 201710195980.9 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | 森田健士 | 艾普凌科有限公司 |
| 201610825987.X | 半导体装置 | 伊藤麻美 | 艾普凌科有限公司 |
| 201710103120.8 | 半导体装置及熔丝的切断方法 | 北岛裕一郎 | 艾普凌科有限公司 |
| 201880045121.4 | 泵送线布置中的改进或与其相关的改进 | A.J.西利 | 爱德华兹有限公司 |
| 201380013215.0 | 转移电子探针组件到空间变换器 | 拉克什米肯斯·南普利 | 爱德万测试公司 |
| 201580068422.5 | 芯片和芯片夹的安装方法 | O·卡什列夫 | 爱法组装材料公司 |
| 201610566725.6 | 具有低导通电阻的横向功率集成器件 | 朴柱元 | 爱思开海力士系统集成电路有限公司 |
| 201510388589.1 | 具有旁路栅极的半导体器件及其制备方法 | 张太洙 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610974299.X | 图案形成方法以及使用其的半导体器件制造方法 | 千宰协 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510821645.6 | 形成图案的方法 | 潘槿道 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510515974.8 | 制造半导体器件的方法 | 姜春守 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510894820.4 | 半导体器件及其制造方法、具有其的存储单元和电子设备 | 金承焕 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510811347.9 | 测试板单元和包括其的用于测试半导体芯片的装置 | 郑宇植 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610011999.9 | 半导体器件及制造其的方法 | 郭尚炫 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610407038.X | 半导体器件及其制造方法 | 李南宰 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201510573827.6 | 用于刻蚀高k金属栅层叠的方法 | 慎寿范 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710770379.8 | 半导体器件 | 朴洛圭 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201810447829.4 | 一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法 | 王兵 | 安徽工业大学 |
| 201810447385.4 | 一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法 | 周郁明 | 安徽工业大学 |
| 201910661273.3 | 一种铜合金键合丝及其制备方法和应用 | 何孔田 | 安徽广宇电子材料有限公司 |
| 201910747124.9 | 集成电路封装切筋成型模 | 杨标 | 安徽国晶微电子有限公司 |
| 201810898563.5 | 枚叶水平输送式之晶圆去膜清洗装置及其清洗方法 | 简健哲 | 安徽宏实自动化装备有限公司 |
| 201811045972.7 | 一种用于IC封装的半自动贴膜机 | 韦丁山 | 安徽宏实自动化装备有限公司 |
| 201910042065.5 | 一种多晶硅铸锭硅片清洗设备 | 李广森 | 安徽华顺半导体发展有限公司 |
| 201810771473.X | 一种水基微电子剥离清洗组合剂 | 郑长勇 | 安徽建筑大学 |
| 201911112080.9 | 一种PIN距模具改造直线度精准的方法 | 王飞 | 安徽精实电子科技有限公司 |
| 201910146747.0 | 使用喷墨打印的蚀刻设备 | 李澎 | 安徽科创生产力促进中心有限公司 |
| 201910738734.2 | 一种芯片加工用双工位固晶机及其使用方法 | 黄晓波 | 安徽龙芯微科技有限公司 |
| 202011298902.X | 一种L ED显示模组封装方法 | 莫雄辉 | 安徽绿保电子科技有限公司 |
| 201810755865.7 | 一种太阳能电池板制造用硅料加工设备 | 马洪军 | 安徽睿知信信息科技有限公司 |
| 201910579775.1 | 一种半导体制造用焊线机防护装置 | 陈梅业 | 安徽三优光电科技有限公司 |
| 201910641074.6 | 一种半导体生产用固晶结构 | 陈梅业 | 安徽三优光电科技有限公司 |
| 202010301129.1 | 一种用于半导体贴片的烟气处理装置 | 宋羽嘉 | 安徽天通精电新科技有限公司 |
| 201710485054.5 | 一种可隔绝水氧的密闭晶圆盒 | 王仕伟 | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 201910326226.3 | 一种用于晶圆生产离子注入的控制装置 | 祁金发 | 安徽新大陆特种涂料有限责任公司 |
| 202010386250.9 | 一种在m面氮化镓基板上生长蓝色发光二极管的外延方法 | 刘园旭 | 安徽中医药大学 |
| 202011608955.7 | 一种电子元件合金配件加工设备及其加工方法 | 林斌 | 安徽众成合金科技有限公司 |
| 201810550072.1 | 一种太阳电池中硅块预制定位装置 | 王韶平 | 安徽舟港新能源科技有限公司 |
| 201510996511.8 | 一种碱性化学机械抛光液 | 王晨 | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 201710569909.2 | 一种化学机械抛光液 | 李守田 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 201611231351.9 | 一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液 | 蔡鑫元 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 201611070473.4 | 一种具有高氮化硅选择性的化学机械抛光液 | 周文婷 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 201811645542.9 | 一种绝缘栅双极性晶体管器件及其制备方法 | 单建安 | 安建科技（深圳）有限公司 |
| 202010310099.0 | 一种屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法 | 单建安 | 安建科技（深圳）有限公司 |
| 201811640606.6 | 一种逆导型绝缘栅双极性晶体管 | 单建安 | 安建科技（深圳）有限公司 |
| 201610203973.4 | 半导体封装件及其制造方法 | 渡边真司 | 安靠科技日本公司 |
| 201610515520.5 | 半导体器件及其制造方法 | 石堂仁则 | 安靠科技日本公司 |
| 201610833881.4 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | 约翰内斯德波特 | 安普林荷兰有限公司 |
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| 201911079446.7 | 一种三色L ED灯珠的制造方法 | 麦家通 | 安晟技术（广东）有限公司 |
| 201610984852.8 | 半导体装置和制造半导体装置的方法 | 托尼·坎姆普里思 | 安世有限公司 |
| 201611142856.8 | 半导体装置和制作半导体装置的方法 | 汉斯-马丁·里特 | 安世有限公司 |
| 201610862453.4 | 半导体装置 | 森克·哈贝尼希特 | 安世有限公司 |
| 201610984742.1 | 半导体装置和制造半导体装置的方法 | 杰伦·安东·克龙 | 安世有限公司 |
| 201610806123.3 | 半导体装置和制造半导体装置的方法 | 史蒂文·托马斯·皮克 | 安世有限公司 |
| 201610984517.8 | 半导体装置以及制造半导体装置的方法 | 梁志豪 | 安世有限公司 |
| 201911165512.2 | 一种组合可调式高压硅堆制具及操作方法 | 唐毅 | 鞍山术立电子有限公司 |
| 201710651356.5 | 设计布局为主的快速在线缺陷诊断、分类及取样方法及系统 | 吕一云 | 敖翔科技股份有限公司 |
| 201711086885.1 | 智能型的缺陷校正系统与其实施方法 | 吕一云 | 敖翔科技股份有限公司 |
| 201680018313.7 | 用于保持涂布设备的衬底的旋转板 | 皮阿珉·木斐勒 | 奥贝达克特公司 |
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| 201710265039.X | 包含电和光学互连的半导体晶片接合 | H.S.埃尔-霍罗里 | 奥斯坦多科技公司 |
| 201780062843.6 | 用于收集场内的距离信息的光学系统 | A·珀卡拉 | 奥斯特公司 |
| 201911272714.7 | 部件承载件及制造部件承载件的方法 | 米凯尔·图奥米宁 | 奥特斯(中国)有限公司 |
| 201610615063.7 | 带有埋藏的导电带的元件载体 | 威廉·塔姆 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
| 201810078147.0 | 从嵌入有二极管的部件承载件进行的高效热移除 | 迈克·莫瑞安茨 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
| 201680075224.6 | 用于化学机械抛光后清洁的组合物 | C·达施莱茵 | 巴斯夫欧洲公司 |
| 201680084863.9 | 化学机械抛光(CMP)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途 | R·赖夏特 | 巴斯夫欧洲公司 |
| 201780016852.1 | 化学机械抛光(CMP)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途 | M·劳特尔 | 巴斯夫欧洲公司 |
| 201580069653.8 | 化学机械抛光(CMP)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途 | R·赖夏特 | 巴斯夫欧洲公司 |
| 201811323276.8 | 一种防止混档的控制方法 | 沈强 | 百力达太阳能股份有限公司 |
| 201680006481.4 | 接合用组合物及电子零件接合体 | 中岛尚耶 | 阪东化学株式会社 |
| 201610819522.3 | 等离子蚀刻单颗化半导体封装和相关方法 | D·楚伊特 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201510424575.0 | 具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体装置和方法 | 邓盛凌 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201580056888.3 | 用于偏置光屏蔽结构和深沟槽隔离结构的电路 | S塞弗里格 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201610557638.4 | 管芯结合到板的方法以及使用该方法制成的设备 | M·J·瑟登 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201580074691.2 | 半导体封装件 | M·J·塞登 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201610824950.5 | 层叠式半导体器件结构及其制作方法 | M·J·塞登 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201610822919.8 | 贯穿衬底通孔结构及其制造方法 | M·J·塞登 | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 201680048101.3 | 加工对象物切断方法和加工对象物切断装置 | 奥间惇治 | 浜松光子学株式会社 |
| 201780077044.6 | 固体浸没透镜单元及半导体检查装置 | 中村共则 | 浜松光子学株式会社 |
| 201680058495.0 | 配线构造体及配线构造体的制造方法 | 村松雅治 | 浜松光子学株式会社 |
| 201780064496.0 | 激光照射装置 | 奥间惇治 | 浜松光子学株式会社 |
| 201680018576.8 | 半导体装置 | 石田笃司 | 浜松光子学株式会社 |
| 201680048390.7 | 激光加工装置及激光加工方法 | 奥间惇治 | 浜松光子学株式会社 |
| 201811067589.1 | 一种传感器单晶硅刻蚀装置 | 张如根 | 蚌埠市龙子湖区金力传感器厂 |
| 201811149757.1 | 一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 | 张如根 | 蚌埠市龙子湖区金力传感器厂 |
| 202010028067.1 | 一种半导体封装结构及其制备方法 | 张正 | 宝德照明集团有限公司 |
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| 201610343696.7 | 纳米二极管器件及其制备方法 | 张娜 | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 201910446747.2 | 激光预热退火系统和方法 | 蒋一鸣 | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 201810447179.3 | 静电卡盘表面形貌的制备方法 | 杨鹏远 | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 201910053363.4 | 一种用于匹配光学焦深范围的晶圆表面姿态简易调节结构及其调节方法 | 侯晓弈 | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 201910414872.5 | 激光退火方法和系统 | 蒋一鸣 | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 201810447100.7 | 新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置 | 唐娜娜 | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 201811250816.4 | 一种柔性可拉伸式传感器的制备方法 | 刘立滨 | 北京机械设备研究所 |
| 201811096587.5 | 一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法 | 黄元琪 | 北京镓族科技有限公司 |
| 201811428190.1 | 用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺 | 房强 | 北京捷宸阳光科技发展有限公司 |
| 201711027586.0 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | 崔宁 | 北京京东方显示技术有限公司 |
| 202010277769.3 | 半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质 | 常鑫 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
| 202110093355.X | 用于半导体生产的温控系统及温控方法 | 靳李富 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
| 202110269178.6 | 一种用于半导体生产的温控系统及温控方法 | 冯涛 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
| 202110269177.1 | 用于半导体制造的温控系统及温控方法 | 冯涛 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
| 202011029265.6 | 用于传送机械手的晶圆吸附力调节系统及方法、手臂 | 周亮 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 |
| 202011029264.1 | 传送机械手 | 周亮 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 |
| 202110272939.3 | 钟罩及应用其的等离子去胶机 | 张忠恕 | 北京凯德石英股份有限公司 |
| 202110258411.0 | 一种点接触石英舟 | 张忠恕 | 北京凯德石英股份有限公司 |
| 202011149492.2 | 一种方形石英舟及其加工工艺 | 张忠恕 | 北京凯德石英股份有限公司 |
| 202010124203.7 | 一种二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜及其制备工艺 | 张林兴 | 北京科技大学 |
| 201910528263.2 | 一种集成电路板生产方法及集成电路板 | 王超军 | 北京猎户星空科技有限公司 |
| 201811547640.9 | 一种电路的制作方法 | 严启臻 | 北京梦之墨科技有限公司 |
| 201610978418.9 | 半导体清洗设备工作状态的监测系统及检测方法 | 郭训容 | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 202010536781.1 | 一种基于倒装焊的塑封菊花链电路结构及测试方法 | 文惠东 | 北京时代民芯科技有限公司 |
| 201711322420.1 | 一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法 | 殷丽 | 北京时代民芯科技有限公司 |
| 201910228889.1 | 一种冷备份电路的ESD保护结构及制备方法 | 吕曼 | 北京时代民芯科技有限公司 |
| 201811042993.3 | 一种用于CMOS图像传感器电路清洗的工装及方法 | 冯小成 | 北京时代民芯科技有限公司 |
| 202011529470.9 | 一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法 | 李峰 | 北京时代民芯科技有限公司 |
| 201710038070.X | 一种斜面沟道的SiC MOSFET器件及制备方法 | 倪炜江 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 201810086978.2 | 一种晶圆制造过程中检测缺陷的定位和跟踪方法 | 李明山 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 201710768045.7 | 一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法 | 张敬伟 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 201811316825.9 | 一种疏水快干型硅片承载器及其制备方法 | 刘哲伟 | 北京市塑料研究所 |
| 202010924347.0 | 一种芯片研磨方法 | 崔凯 | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
| 202010998670.2 | 一种基于共享时间的研磨控制方法及系统 | 崔凯 | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
| 202011304949.2 | 一种用于半导体芯片真空焊接或退火用的真空设备 | 赵永先 | 北京仝志伟业科技有限公司 |
| 201811417555.0 | 功率半导体模块用焊接工艺 | 张峻 | 北京卫星制造厂有限公司 |
| 201811487743.0 | 植球装置及方法 | 霍文培 | 北京无线电测量研究所 |
| 202011433850.2 | 高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法 | 郁文 | 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 202011471670.3 | 降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制作方法 | 赵东艳 | 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 201910384339.9 | 一种混合集成电路的三维封装结构及其制作方法 | 许艳军 | 北京新雷能科技股份有限公司 |
| 201910128666.8 | 提高多孔石英电路成品率的方法 | 胡南 | 北京星英联微波科技有限责任公司 |
| 201910882311.8 | 一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法 | 张姗 | 北京遥测技术研究所 |
| 201910207433.7 | 一种圆片级异质射频集成的封装制作方法 | 姬峰 | 北京遥感设备研究所 |
| 201810756251.0 | 一种碳化硅双极型晶体管及其制造方法 | 李思敏 | 北京优捷敏半导体技术有限公司 |
| 201810756210.1 | 一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制造方法 | 李思敏 | 北京优捷敏半导体技术有限公司 |
| 201910535134.6 | 一种自组装结晶/非晶氧化镓相结光电探测器及其制造方法 | 吴真平 | 北京邮电大学 |
| 202010283598.5 | 一种集成电路局部缺陷修补工艺 | 梁学磊 | 北京元芯碳基集成电路研究院 |
| 202011179036.2 | 一种基于碳基材料的Y型栅结构及其制备方法 | 周简硕 | 北京元芯碳基集成电路研究院 |
| 202010833030.6 | 一种晶片刻蚀方法 | 不公告发明人 | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 202011002920.9 | 一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法、探测器芯片 | 不公告发明人 | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 202010976632.7 | 离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片 | 不公告发明人 | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 202010819266.4 | 一种芯片清洗装置及清洗方法 | 不公告发明人 | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 202011448252.2 | 一种离子激活的检测方法 | 不公告发明人 | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 202011142445.5 | 图像传感器封装方法、辅助模具及图像传感器 | 胡毅 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 201810456357.9 | 基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法 | 赵扬 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 201910797858.8 | 缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法 | 陈鹏 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 201910209262.1 | 一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用 | 许福军 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 201810801132.2 | 基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法 | 杨学林 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 201910443549.0 | 一种检测Low-K工艺芯片分层问题的方法 | 杜新 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 202110150984.1 | 半导体工艺设备及其承载装置 | 不公告发明人 | 北京中硅泰克精密技术有限公司 |
| 202110186792.6 | 承载装置和半导体制造设备 | 不公告发明人 | 北京中硅泰克精密技术有限公司 |
| 202110190792.3 | 静电卡盘及半导体加工设备 | 不公告发明人 | 北京中硅泰克精密技术有限公司 |
| 202110139550.1 | 半导体工艺设备及承载装置 | 不公告发明人 | 北京中硅泰克精密技术有限公司 |
| 202110139476.3 | 静电卡盘及半导体加工设备 | 不公告发明人 | 北京中硅泰克精密技术有限公司 |
| 202110020704.5 | 一种用于芯片可靠性封装焊接领域的真空焊接装置 | 邓燕 | 北京中科同志科技股份有限公司 |
| 202011129025.3 | 槽栅MOSFET器件及其制造方法 | 龚雪芹 | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 202110645872.3 | 半导体器件及其制备方法 | 龚雪芹 | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 201911308487.9 | 一种L ED芯片的制造方法 | 郭凯 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 201810877859.9 | 一种功率器件芯片及其制造方法 | 不公告发明人 | 北京中兆龙芯软件科技有限公司 |
| 201610522176.2 | 直通型炉及具有直通型炉的管芯粘结机 | 丹尼尔·安德烈亚斯·谢勒 | 贝思瑞士股份公司 |
| 201610754833.6 | 用于在基板的基板定位上安装设有凸块的半导体的方法 | 弗洛里安·斯皮尔 | 贝思瑞士股份公司 |
| 201680074761.9 | 利用至少两个单独的可控致动器封装电子元件的压机、致动器组和方法 | W·G·J·盖尔 | 贝斯荷兰有限公司 |
| 201710063329.6 | 一种半桥功率模块及其制造方法 | 李慧 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201811280351.7 | 一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | 黄宝伟 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201811622573.2 | PIN二极管及其制备方法 | 曹群 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201811639334.8 | 沟槽型IGBT及其制备方法 | 朱辉 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201811291406.4 | IGBT芯片及其制造方法 | 黄宝伟 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201710237348.6 | MOSFET、MOSFET制备方法以及电子设备 | 朱超群 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201811256125.5 | 快恢复二极管及其制备方法 | 肖秀光 | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 201611205303.2 | 生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构及半导体器件 | 肖怀曙 | 比亚迪股份有限公司 |
| 201710513832.7 | 一种蚀刻液及其制备方法、使用方法 | 韦家亮 | 比亚迪股份有限公司 |
| 201710513394.4 | 一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件 | 徐强 | 比亚迪股份有限公司 |
| 202110634714.8 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 | 武振刚 | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 201810682466.2 | 用于测试半导体裸晶的方法以及测试电路 | 袁德铭 | 补丁科技股份有限公司 |
| 201810058829.5 | 工件研磨方法和工件研磨装置 | 澁谷和孝 | 不二越机械工业株式会社 |
| 201580072362.4 | 晶片对准器 | A.C.博诺拉 | 布鲁克斯自动化公司 |
| 202010015570.3 | 一种硅蚀刻剂及其应用 | 蔡墨勋 | 才将科技股份有限公司 |
| 202111173832.X | 一种半导体结构及其制备方法 | 程洋 | 材料科学姑苏实验室 |
| 201810487671.3 | 转移支撑件及转移模块 | 吴明宪 | 财团法人工业技术研究院 |
| 201611205947.1 | 半导体基板结构 | 刘学兴 | 财团法人工业技术研究院 |
| 201710048777.9 | 半导体装置及其制造方法 | 张翼 | 财团法人交大思源基金会 |
| 201710562482.3 | 光致抗蚀剂去除装置及方法 | 赵元俊 | 采钰科技股份有限公司 |
| 201711198730.7 | 用于半导体封装的BGA模塑模具及其工作方法 | 杨勇钦 | 蔡留凤 |
| 201810693050.0 | 用于形成图案的设备 | 张宰荣 | 灿美工程股份有限公司 |
| 201910125162.0 | 一种用于芯片转移的凝胶组合物 | 何施亮 | 常熟市荣达电子有限责任公司 |
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| 201910260093.4 | 可调制触发电压的ESD保护装置及其制备方法 | 姜一波 | 常州工学院 |
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| 202110072089.2 | 一种硅片清洗方法 | 钱诚 | 常州江苏大学工程技术研究院 |
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| 202110073689.0 | 一种硅片清洗设备 | 钱诚 | 常州江苏大学工程技术研究院 |
| 202110223908.9 | 一种用于集成电路生产的硅片清洗装置 | 钱诚 | 常州江苏大学工程技术研究院 |
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| 202010609725.6 | N型太阳能电池的选择性掺杂方法 | 奚琦鹏 | 常州时创能源股份有限公司 |
| 201910378573.0 | 一种具有除静电功能的稳定型芯片分拣设备 | 陈科 | 常州市工业互联网研究院有限公司 |
| 202111118325.6 | 一种半导体晶圆干燥用送料装置 | 张祖华 | 常州市恒迈干燥设备有限公司 |
| 202111185600.6 | 载带金属线路的制作方法、载带 | 蔡水河 | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 |
| 202111010130.X | COF载带烘烤流道及烘烤方法 | 蔡水河 | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 |
| 201810605811.2 | 一种散热型集成电路的封装装置 | 余建 | 常州信息职业技术学院 |
| 201810622327.0 | 高效电池退火工艺 | 袁华斌 | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 201610840694.9 | 一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构 | 李宇柱 | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 201910363273.5 | 垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法 | 刘嵩 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 201880029071.0 | 一种标准单元布局和用于创建标准单元布局的半导体器件加工方法 | 理查德舒尔茨 | 超威半导体公司 |
| 201810493417.4 | 一种陶瓷劈刀 | 黄雪云 | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 202011059223.7 | 一种晶圆蚀刻背面研磨机 | 李善龙 | 车艾建 |
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| 201811535413.4 | 一种激光剥离方法 | 李晓伟 | 成都辰显光电有限公司 |
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| 201811043936.7 | 一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法 | 周华芳 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 201910304548.8 | 一种0.15微米T形栅的工艺制作方法 | 毛江敏 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 201910568914.0 | 一种用于石英晶片排片机的工装 | 刘青彦 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 |
| 201910325202.6 | 一种晶片清洗方法 | 刘青彦 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 |
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| 201910069243.3 | 半导体器件及其制造方法 | 蒲奎 | 成都迈斯派尔半导体有限公司 |
| 202110828119.8 | 一种高沟道密度的碳化硅MOSFET及其制备方法 | 顾航 | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 202110148858.2 | 一种半导体器件的制备方法 | 黄洪云 | 成都市克莱微波科技有限公司 |
| 201910721777.X | 一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺 | 万长明 | 成都拓维高科光电科技有限公司 |
| 202110237414.6 | 一种晶圆芯片切割方法 | 刘剑 | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 202110242376.3 | 一种芯片刷胶方法 | 刘剑 | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 201910512143.3 | 一种芯片切割方法 | 刘剑 | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 201811511003.6 | 一种横向肖特基二极管及其制作方法 | 连延杰 | 成都芯源系统有限公司 |
| 202011213605.0 | 阵列基板的制作方法及阵列基板 | 李智炜 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 202011214667.3 | 一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法 | 储周硕 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 201911007746.4 | 阵列基板及其制造方法、阵列基板的图案偏移的检测方法 | 前昌弘 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 201910494470.0 | 一种叠加式多芯片QFN封装方法 | 彭勇 | 池州华宇电子科技股份有限公司 |
| 201680075286.7 | 层叠体 | 上冈义弘 | 出光兴产株式会社 |
| 201810112981.7 | 溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法 | 江端一晃 | 出光兴产株式会社 |
| 201880009025.4 | 氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶 | 井上一吉 | 出光兴产株式会社 |
| 201680074847.1 | 层叠体 | 川岛绘美 | 出光兴产株式会社 |
| 201810641136.9 | 溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法 | 江端一晃 | 出光兴产株式会社 |
| 201680013363.6 | 衬底搬送机器人及衬底处理系统 | 后藤博彦 | 川崎重工业株式会社 |
| 201580075322.5 | 机械手的偏移自动调整装置及机械手的偏移自动调整方法 | 藤森一夫 | 川崎重工业株式会社 |
| 201680024813.1 | 衬底搬送机器人及衬底检测方法 | 后藤博彦 | 川崎重工业株式会社 |
| 201680051117.X | 基板移载装置 | 后藤博彦 | 川崎重工业株式会社 |
| 201780013321.7 | 衬底搬送机器人及衬底搬送装置 | 芝田武士 | 川崎重工业株式会社 |
| 201680025760.5 | 搬送系统、搬送机器人及其教导方法 | 吉田浩之 | 川崎重工业株式会社 |
| 201780047215.0 | 氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法 | 平野光 | 创光科学株式会社 |
| 201910696557.6 | 集成MOSFET和二极管的半导体装置及其制造方法 | 郑亚良 | 创能动力科技有限公司 |
| 201780006717.9 | 具有AL(1-X)SIXO栅极绝缘体的增强模式III-氮化物器件 | 卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德 | 创世舫电子有限公司 |
| 201811167062.6 | 一种集成电路芯片激光打印用固定转动机器人 | 方志兰 | 创域智能（常熟）网联科技有限公司 |
| 201680048482.5 | 具有转台的裸片放置头 | N小西莉亚 | 磁共振谱成像系统有限公司 |
| 201880037289.0 | 楼层间搬送系统以及楼层间搬送方法 | 前田利博 | 村田机械株式会社 |
| 201880008789.1 | 储存库 | 草间侑 | 村田机械株式会社 |
| 201780061225.X | 搬运装置以及搬运方法 | 安达成人 | 村田机械株式会社 |
| 201880030297.2 | 输送系统以及输送方法 | 原崎一见 | 村田机械株式会社 |
| 201880067952.1 | 输送系统 | 虎泽政佳 | 村田机械株式会社 |
| 201680048893.4 | 吹净装置、吹净储料器、以及吹净方法 | 村田正直 | 村田机械株式会社 |
| 201880066867.3 | 空中输送车系统以及其中的物品的暂时保管方法 | 汤浅良树 | 村田机械株式会社 |
| 201780069001.3 | 空中输送系统和其中使用的中转输送装置以及输送方法 | 高井要 | 村田机械株式会社 |
| 201880040383.1 | 搬运系统以及搬运方法 | 本告阳一 | 村田机械株式会社 |
| 201580076964.7 | 自对准双沟槽装置 | 顾昀浦 | 达尔科技股份有限公司 |
| 201910306116.0 | 蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及制造显示装置或含IGZO半导体的方法 | 汤慧仪 | 达兴材料股份有限公司 |
| 201610788275.5 | 一种铜核球的制备方法 | 王梦茜 | 大丰市德讯科技有限公司 |
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| 201910228015.6 | 发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 | 王思博 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 201910903490.9 | 一种顶针系统 | 梁吉来 | 大连佳峰自动化股份有限公司 |
| 201910163609.3 | 一种摆角可分离且绑定力可调节的绑定机构 | 葛阳 | 大连佳峰自动化股份有限公司 |
| 201911146070.7 | 邦定头组件 | 孙宇勤 | 大连佳峰自动化股份有限公司 |
| 201910361958.6 | 一种高阈值电压常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 黄火林 | 大连理工大学 |
| 201910361971.1 | 兼具栅介质与刻蚀阻挡功能结构的功率器件及制备方法 | 黄火林 | 大连理工大学 |
| 201910473197.3 | 一种利用金属催化腐蚀技术切割晶体硅的方法 | 李佳艳 | 大连理工大学 |
| 201910473210.5 | 一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法 | 李佳艳 | 大连理工大学 |
| 201811555045.X | 一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法 | 梁红伟 | 大连理工大学 |
| 201810796522.5 | 一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法 | 王德君 | 大连理工大学 |
| 201910850905.0 | 提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法 | 王德君 | 大连理工大学 |
| 201910918010.6 | 一种确定GaN cascode器件失效位置的测试分析方法 | 黄火林 | 大连理工大学 |
| 201911355731.7 | 一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法 | 黄火林 | 大连理工大学 |
| 201810789995.2 | 一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法 | 黄火林 | 大连理工大学 |
| 201810567839.1 | 具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件及制备方法 | 王荣华 | 大连芯冠科技有限公司 |
| 201811145381.7 | 可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层及其制备方法 | 程万希 | 大连芯冠科技有限公司 |
| 202010328491.8 | 一种芯片共晶焊接设备 | 廖传武 | 大连优迅科技股份有限公司 |
| 201780032413.X | 传感器、方法和传感器组件 | M·戈尔 | 大陆-特韦斯股份有限公司 |
| 201680068192.7 | 用于连接元件的生产的方法、连接元件、以及传感器组件 | D·胡伯 | 大陆-特韦斯股份有限公司 |
| 201910052563.8 | 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、及它们的制造方法 | 小幡胜也 | 大日本印刷株式会社 |
| 202010651984.5 | 半导体石墨圆晶用倒角加工设备及其倒角方法 | 郭志宏 | 大同新成新材料股份有限公司 |
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| 201910771594.9 | 一种芯片硅的加工方法 | 武建军 | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 201911164511.6 | 用于半导体生产中的筛选机及其筛选方法 | 王振国 | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 201711465595.8 | 一种真空加热系统、晶片剥离装置及方法 | 冯玙璠 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
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| 201810180105.8 | 晶片结合及剥离的方法 | 冯玙璠 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 201910307443.8 | 解键合装置及其穿刺机构 | 童灿钊 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
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| 201910265825.9 | 晶圆加工方法及装置 | 王亭入 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 201580072487.7 | 具有借助于有较高密度和较低密度的交替区域的烧结层结合在一起的两个部分的电子夹层结构以及对应的制造方法 | 马汀·贝克尔 | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
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| 201610621947.3 | 接触式智能卡及制造方法 | 亚瑟·德马索 | 德昌电机（深圳）有限公司 |
| 201910114619.8 | 设备检测装置及其工作方法、半导体设备 | 韦伟 | 德淮半导体有限公司 |
| 201810084076.5 | 热处理设备及其热处理方法 | 邱宇航 | 德淮半导体有限公司 |
| 201810552229.4 | 半导体器件及其形成方法 | 张东亮 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811429623.5 | 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法 | 孙必胜 | 德淮半导体有限公司 |
| 201710956816.5 | 晶圆测试系统和方法 | 张藏文 | 德淮半导体有限公司 |
| 201810469620.8 | 晶圆弯曲度的确定方法以及扫描设备 | 张杰真 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811312276.8 | 晶圆对位的方法 | 董健 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811322355.7 | 侦测晶圆键合缺陷的方法和装置 | 郭松辉 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811391846.7 | 晶圆清洗装置及其工作方法 | 吴康 | 德淮半导体有限公司 |
| 201810959256.3 | 晶圆处理装置及其工作方法 | 栾剑峰 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811479292.6 | 沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺 | 鲁旭斋 | 德淮半导体有限公司 |
| 201810379304.1 | 图像传感器及其形成方法 | 何延强 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811426857.4 | 检测系统及检测方法 | 刘博佳 | 德淮半导体有限公司 |
| 201910751520.9 | 一种防止手臂撞击晶圆的装置 | 喻泽锋 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811491409.2 | 卡盘销以及卡盘销自清洗装置 | 刘璞方 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811103618.5 | 制造半导体装置的方法 | 李晓明 | 德淮半导体有限公司 |
| 201910358104.2 | 晶片接合方法 | 周娴 | 德淮半导体有限公司 |
| 201910278042.4 | 用于校验版图中的图案偏移的装置和方法 | 汤茂亮 | 德淮半导体有限公司 |
| 201811055423.8 | 晶圆键合机 | 刘博佳 | 德淮半导体有限公司 |
| 201910400682.8 | 一种用于切割晶片的刀具及切割方法 | 宋闯 | 德淮半导体有限公司 |
| 201910772481.0 | 基板制造方法和基板接合方法 | 司阳 | 德淮半导体有限公司 |
| 201810086149.4 | 静态随机存取存储器及其制造方法 | 北村阳介 | 德淮半导体有限公司 |
| 201910633202.2 | 半导体结构和半导体结构的形成方法 | 北村陽介 | 德淮半导体有限公司 |
| 201610922836.6 | 使用前侧深沟槽刻蚀隔离电路元件 | D·卡罗瑟斯 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201580020171.3 | 高击穿n型埋层 | S·P·彭哈卡 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201580025188.8 | 具有分布式功能系杆的组合夹子 | R·A·维卢安 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201580059661.4 | 用于嵌入式半导体芯片和功率转换器的硅封装 | O·J·洛佩兹 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201680028357.8 | 用于具有垂直堆叠的芯片和组件的电子系统的引线框架 | A·F·斌阿卜杜勒阿齐兹 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201510869776.1 | 改进的高性能磁通门装置 | M·M·伊萨 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201580060230.X | 通过防潮层实现的基于聚合物的电容器的可靠性改进 | H·郭 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201611074855.4 | 具有与栅极自对准的体扩散的LDMOS器件 | H·L·爱德华兹 | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 201810616817.X | 一种镀锡方法及自动镀锡装置 | 潘咏民 | 德阳帛汉电子有限公司 |
| 201510744778.8 | 用于芯片上静电放电保护方案的方法及电路 | 陈忠 | 德州仪器公司 |
| 201510738310.8 | 包含横向抑制二极管的双极晶体管 | 亨利爱德华兹 | 德州仪器公司 |
| 201680011401.4 | 前馈双向植入分裂栅极快闪存储器单元 | 柏向正 | 德州仪器公司 |
| 201710054493.0 | SOI电力LDMOS装置 | 扎卡里李 | 德州仪器公司 |
| 201610941441.0 | 集成电力封装 | 马修·大卫·罗米格 | 德州仪器公司 |
| 201710413926.7 | 各向异性导电膜的制造方法和各向异性导电膜 | 筱原诚一郎 | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 201580055668.9 | 各向异性导电膜 | 筱原诚一郎 | 迪睿合株式会社 |
| 201780070701.4 | 导电粒子配置膜、其制造方法、检查探头单元、导通检查方法 | 林慎一 | 迪睿合株式会社 |
| 201680031558.3 | 连接体、连接体的制造方法、检测方法 | 塚尾怜司 | 迪睿合株式会社 |
| 201680017136.0 | 热固化性粘接片及半导体装置的制造方法 | 森大地 | 迪睿合株式会社 |
| 201780030182.9 | 发光装置及发光装置的制造方法 | 波木秀次 | 迪睿合株式会社 |
| 201780015466.0 | 连接结构体的制造方法 | 大关裕树 | 迪睿合株式会社 |
| 201780062727.4 | 各向异性导电膜 | 三宅健 | 迪睿合株式会社 |
| 201680070228.5 | 热固化性粘接片及半导体装置的制造方法 | 森大地 | 迪睿合株式会社 |
| 201680004710.9 | 凸点形成用膜、半导体装置及其制造方法以及连接构造体 | 阿久津恭志 | 迪睿合株式会社 |
| 201680004447.3 | 多层基板 | 阿久津恭志 | 迪睿合株式会社 |
| 201680070276.4 | 热固化性粘接片和半导体装置的制造方法 | 森大地 | 迪睿合株式会社 |
| 201780070421.3 | 研磨垫及其制造方法 | 山内建树 | 帝人富瑞特株式会社 |
| 201680076774.X | 感光性树脂组合物和半导体设备制造方法 | 添田淳史 | 帝人株式会社 |
| 201710907263.4 | 半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法 | 富泽由香 | 帝人株式会社 |
| 201880009373.1 | 树脂密封装置中的摄像方法以及树脂密封装置 | 中原教雅 | 第一精工株式会社 |
| 201680081492.9 | 光伏设备和制造方法 | C.金 | 第一阳光公司 |
| 201811138435.7 | 芯片封装体的制造方法 | 赖建志 | 典琦科技股份有限公司 |
| 201811366788.2 | 芯片封装体的制造方法 | 赖建志 | 典琦科技股份有限公司 |
| 201780041227.2 | 组合物 | 关谷瑠璃子 | 电化株式会社 |
| 201580024801.4 | 半导体检查用的耐热性粘合片、以及半导体检查方法 | 中岛刚介 | 电化株式会社 |
| 201610264904.4 | 电流感测比率补偿 | R·杜文雅克 | 电力集成公司 |
| 201680046396.0 | 柔性触角传感器及其制造方法 | 金建年 | 电子部品研究院 |
| 201910592493.5 | 一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法 | 李含冬 | 电子科技大学 |
| 202010535106.7 | 一种具有多沟槽的LIGBT器件 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 201810967996.1 | 具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 | 章文通 | 电子科技大学 |
| 202010066930.2 | 一种横向半导体器件及其制造方法 | 胡浩 | 电子科技大学 |
| 202010756734.8 | 栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法 | 廖永波 | 电子科技大学 |
| 202010047093.9 | 一种抗EMI超结器件 | 任敏 | 电子科技大学 |
| 201711421643.3 | 一种横向RC-IGBT器件及其制备方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201810224830.0 | 一种具有表面应力调制结构的应变PMOSFET | 罗谦 | 电子科技大学 |
| 202010047091.X | 一种抗EMI超结VDMOS器件 | 高巍 | 电子科技大学 |
| 201810961364.4 | 一种功率二极管器件 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 202010030727.X | 一种双势垒肖特基二极管 | 张勇 | 电子科技大学 |
| 201710743857.6 | 开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管 | 王向展 | 电子科技大学 |
| 201910819934.0 | 具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法 | 章文通 | 电子科技大学 |
| 202010047835.8 | 一种改善动态特性的超结VDMOS器件 | 任敏 | 电子科技大学 |
| 201910191834.8 | 一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法 | 李含冬 | 电子科技大学 |
| 201910823826.0 | 一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法 | 徐开凯 | 电子科技大学 |
| 201910400604.8 | 一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法 | 钟志亲 | 电子科技大学 |
| 201811146778.8 | 一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管 | 陈万军 | 电子科技大学 |
| 201910062000.7 | 一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 201910813746.7 | 自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件 | 孔谋夫 | 电子科技大学 |
| 201811082586.5 | 基于沟槽工艺的超结型双向阻断MOS器件及制备方法 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 201811005122.4 | 带栅场板结构的纵向隧穿场效应晶体管 | 王向展 | 电子科技大学 |
| 201811593444.5 | 一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 201710986479.4 | 一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201910819950.X | 具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法 | 章文通 | 电子科技大学 |
| 201711026290.7 | 一种SOI-RC-LIGBT器件及其制备方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201810998569.X | 一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201810977983.2 | 一种沟槽栅MOS控制晶闸管及其制作方法 | 陈万军 | 电子科技大学 |
| 201810553843.2 | 一种二极管及其制作方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201710986427.7 | 一种逆阻型IGBT及其制造方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201810962570.7 | 一种横向二极管器件 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201910819845.6 | 具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法 | 章文通 | 电子科技大学 |
| 201910806541.6 | 一种具有自偏置PMOS的RET IGBT及其制作方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201810994727.4 | 一种垂直型功率半导体器件及其制造方法 | 乔明 | 电子科技大学 |
| 201810771577.0 | 栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法 | 廖永波 | 电子科技大学 |
| 201910777454.2 | 一种具有自偏置分离栅结构IGBT | 张金平 | 电子科技大学 |
| 201710648115.5 | 基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法 | 张磊 | 电子科技大学 |
| 201910807102.7 | 一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
| 202010169775.7 | 氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管及其制造方法 | 周琦 | 电子科技大学 |
| 201910742008.8 | 一种高压瞬态电压抑制二极管 | 刘聪 | 电子科技大学 |
| 201910870429.9 | 一种柔性梯度应变薄膜及其制备方法和应用 | 潘泰松 | 电子科技大学 |
| 202010352084.0 | 一种低栅电荷的功率MOS器件及其制造方法 | 乔明 | 电子科技大学 |
| 201910025421.2 | 一种半导体材料表面能级能带调控的方法 | 熊杰 | 电子科技大学 |
| 201910211530.3 | 一种钽掺杂二氧化铪铁电材料的制备方法 | 毕磊 | 电子科技大学 |
| 202010355367.0 | 降低高压互连影响的器件结构及制造方法 | 周锌 | 电子科技大学 |
| 202010355723.9 | 降低高压互连影响的横向器件及制备方法 | 周锌 | 电子科技大学 |
| 202010358355.3 | 降低高压互连影响的横向器件及制备方法 | 周锌 | 电子科技大学 |
| 202010612345.8 | 一种抗电离辐射加固的MOS栅控晶闸管 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 202011301550.9 | 一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法 | 张有润 | 电子科技大学 |
| 202010130845.8 | 一种低导通电阻低压槽栅MOS器件的制造方法 | 乔明 | 电子科技大学 |
| 201910159755.9 | 基于钙钛矿二极管的柔性WIFI信号能量转换器及其制备方法 | 唐莹 | 电子科技大学 |
| 201810394937.X | 基于超结的集成功率器件及其制造方法 | 章文通 | 电子科技大学 |
| 202010535078.9 | 一种具有多沟槽的LIGBT器件 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 202010130114.3 | 一种低导通电阻低压分离栅MOS器件的制造方法 | 乔明 | 电子科技大学 |
| 202010535896.9 | 一种具有多沟槽的LDMOS器件 | 李泽宏 | 电子科技大学 |
| 202010890066.8 | 具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法 | 章文通 | 电子科技大学 |
| 201910187252.2 | 一种单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器装置 | 帅垚 | 电子科技大学 |
| 201810991194.4 | 一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法 | 张金平 | 电子科技大学 |
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| 201680079068.0 | 取代环戊二烯基钴络合物及其制造方法、含钴薄膜及其制作方法 | 小礒尚之 | 东曹株式会社 |
| 201810658370.2 | 一种提高方阻均匀性的扩散工艺 | 章天瑜 | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 201910992958.6 | 一种基于薄封装基板的SMT锡膏印刷方法 | 喻志刚 | 东莞记忆存储科技有限公司 |
| 201910981993.8 | 一种均热板半剪成型方法 | 李海禄 | 东莞领杰金属精密制造科技有限公司 |
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| 201911103759.1 | 一种微型电子元件定位贴合装置及其方法 | 田兴银 | 东莞普莱信智能技术有限公司 |
| 202110774723.7 | 一种无引线预塑封半导体封装支架制备方法 | 周志国 | 东莞市春瑞电子科技有限公司 |
| 202010206149.0 | 盲孔填孔电镀工艺及采用该工艺得到的镀件、镀件的应用、电子产品 | 张二航 | 东莞市康迈克电子材料有限公司 |
| 201910300683.5 | 温度可控的用于高温激光剥离的装置 | 刘鹏 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 201811072598.X | 一种L ED芯片固定于背板的方法 | 林峻峣 | 东莞市中麒光电技术有限公司 |
| 201810534122.7 | 一种半导体二极管制造工艺 | 陈欣洁 | 东莞市中之电子科技有限公司 |
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| 201710262164.5 | 吸附单元、板状构件输送单元、树脂密封装置、板状构件输送方法以及树脂密封方法 | 尾张弘树 | 东和株式会社 |
| 201680053766.3 | 树脂封装装置以及树脂封装方法 | 高濑慎二 | 东和株式会社 |
| 201680054205.5 | 树脂封装装置以及树脂封装方法 | 高濑慎二 | 东和株式会社 |
| 201810032382.4 | 电路部件的制造方法和电路部件 | 竹内慎 | 东和株式会社 |
| 201910487033.6 | 树脂成形装置及树脂成形品的制造方法 | 高桥高史 | 东和株式会社 |
| 201810227519.1 | 半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用 | 片冈昌一 | 东和株式会社 |
| 201810643182.2 | 树脂成形装置及树脂成形品制造方法 | 水间敬太 | 东和株式会社 |
| 201710022620.9 | 树脂封装装置、树脂封装方法及树脂封装产品的制造方法 | 田村孝司 | 东和株式会社 |
| 201680072617.1 | 电子零件及其制造方法和电子零件制造装置 | 传藤胜则 | 东和株式会社 |
| 201910644826.4 | 树脂成形装置、成形模及树脂成形品的制造方法 | 后藤智行 | 东和株式会社 |
| 201910283815.8 | 粉粒体供给装置及方法、树脂成形装置及成形品制造方法 | 法兼一贵 | 东和株式会社 |
| 201910671683.6 | 树脂成型装置、脱模膜的剥离方法、树脂成型品的制造方法 | 高田直树 | 东和株式会社 |
| 201780030849.5 | 用于化学机械抛光的浆料组合物 | 朴惠贞 | 东进世美肯株式会社 |
| 201780043912.9 | 有机芯轴保护方法 | 高明辉 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810100589.0 | 臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法 | 吉田崇 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710123005.7 | 基板处理装置和基板处理方法 | 稻富弘朗 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711287216.0 | 蚀刻方法和基板处理系统 | 黄祖虹 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710137651.9 | 基板处理装置和基板处理方法 | 饭野正 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710142910.7 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统 | 天野嘉文 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711188858.5 | 基片处理装置和基片处理系统 | 小川洋一 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810054937.5 | 基板处理装置、温度控制方法以及存储介质 | 冈信介 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201680053565.3 | 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 | 难波宏光 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710448108.0 | 半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质 | 冈田充弘 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201680044469.2 | 直列式分配容器系统 | 安东·J·德维利耶 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710065981.1 | 基板处理装置和基板处理装置的组装方法 | 中岛干雄 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710201871.3 | 基板处理装置 | 稻富弘朗 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810205462.5 | 基板处理装置的控制装置和基板处理显示方法 | 山本智子 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201811136956.9 | 基板处理装置和基板处理方法 | 大野宏树 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610878599.8 | 基板处理方法和基板处理装置 | 江头佳祐 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710141991.9 | 基板处理装置的管理方法和基板处理系统 | 天野嘉文 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810671122.1 | 涂布处理方法、涂布处理装置以及存储介质 | 高桥哲平 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711090661.8 | 供给装置和基板处理装置 | 广木勤 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710142468.8 | 基板处理装置、液处理方法以及存储介质 | 藤田阳 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710145062.5 | 液处理装置 | 毛利信彦 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711326482.X | 相对于氧化硅区域有选择地蚀刻氮化硅区域的方法 | 田端雅弘 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201580049735.6 | 等离子体处理装置 | 西村荣一 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201680051368.8 | 没有伪栅极的图案化方法 | 杰弗里·史密斯 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610917830.X | 立式热处理装置 | 入宇田启树 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201580057094.9 | 基板载置台 | 田中厚士 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201580067587.0 | 包括叠对误差保护的图案化方法 | 安东·J·德维利耶 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710427638.7 | 氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法 | 中西敏雄 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201780032809.4 | 匹配器及等离子体处理装置 | 鸟井夏实 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201680022298.3 | 基板处理方法和基板处理系统 | 榎本正志 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710499522.4 | 基板升降机构、基板载置台和基板处理装置 | 伊藤毅 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810172436.7 | 自转检测用治具、基板处理装置及其运转方法 | 小林健 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201811317768.6 | 基板处理方法和基板处理装置 | 久保田绅治 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201680019629.8 | 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置 | 带金正 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711229358.1 | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 | 泷口靖史 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810183839.1 | 成膜方法和等离子体处理装置 | 中谷理子 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610685054.5 | 基板处理装置和基板输送方法 | 绫部刚 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710661418.0 | 基板载置方法和基板载置装置 | 藤里敏章 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710659499.0 | 处理被处理体的方法 | 森北信也 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710820931.X | 基板处理装置 | 福岛讲平 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710209577.7 | 基板处理方法和基板处理装置 | 荻原智明 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201580070433.7 | 使用接枝聚合物材料图案化基底 | 安东·J·德维利耶 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201780049479.X | 器件检查电路、器件检查装置和探针卡 | 成川健一 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810971767.7 | 具有制冷剂用的流路的部件及其控制方法和基片处理装置 | 广濑润 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610596540.X | 基板处理装置 | 东岛治郎 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610597359.0 | 基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法 | 牟田行志 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710574737.8 | 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台 | 佐佐木芳彦 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610318738.1 | 基板处理装置以及基板处理方法 | 石田省贵 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711112450.X | TiN系膜及其形成方法 | 石坂忠大 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201780031279.1 | 用于等离子体处理系统中的温度控制的系统和方法 | 安东德维利耶 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201711121710.X | 气体喷射器和立式热处理装置 | 池内俊之 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201780060300.0 | 基板检查装置和基板检查方法 | 山田浩史 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610422960.6 | 基板处理方法以及基板处理装置 | 吉川润 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201811183235.3 | 等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和程序 | 斋藤祐介 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810233217.5 | 气体供给构件和气体处理装置 | 池田恭子 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201610633367.6 | 基板液处理装置和基板液处理方法 | 野中纯 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201480047964.X | 用于横向裁剪硬掩模的方法 | 阿洛科·兰詹 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201510766189.X | 使用自组装图案形成存储电容器结构的方法 | 姜浩英 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710754868.4 | 处理被处理体的方法 | 田端雅弘 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710887853.5 | 气体导入机构和处理装置 | 福岛讲平 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201710914624.8 | 基板处理装置 | 绿川洋平 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810995793.3 | 脱离控制方法和等离子体处理装置 | 佐佐木康晴 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201811366280.2 | 等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质 | 冈信介 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810998096.3 | 涂敷处理装置和涂敷液捕集构件 | 上村良一 | 东京毅力科创株式会社 |
| 201810842703.7 | 对测定器进行校准的方法和箱体 | 杉田吉平 | 东京毅力科创株式会社 |
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| 201910012458.1 | 干燥装置和干燥处理方法 | 岛村明典 | 东京毅力科创株式会社 |
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| 201580007196.X | 静电夹具以及制造其之方法 | 理查德·A·库克 | 恩特格里斯公司 |
| 201710241884.3 | 具有用于包封期间的毛刺缓解的虚设引线的引线框架 | 庞兴收 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610313096.6 | 具有垂直浮动环的半导体装置及其制造方法 | 高梓浩 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610832122.6 | 具有散热片开口的包封半导体装置封装以及其制造方法 | 大卫·阿多 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201611100505.0 | 半导体装置中的局部自偏压隔离 | 林欣 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610955317.X | 在半导体装置中的自调式隔离偏置 | 张志宏 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201710105978.8 | 集成电容式湿度传感器 | 张青 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610860374.X | 改进在射频和毫米波产品中的BGA封装隔离的方法 | 沃尔特·帕尔莫 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610806026.4 | 在单个半导体装置中集成不同传感器 | 柳连俊 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610340381.7 | 具有形成于空腔之上的导电特征的装置及其对应的方法 | 布鲁斯·M·格林 | 恩智浦美国有限公司 |
| 201610945981.6 | 接合线连接 | 威瓦·坦翁旺 | 恩智浦有限公司 |
| 201610007114.8 | 包括双极型晶体管的半导体器件 | 帕图斯·胡贝图斯·柯奈利斯·马尼 | 恩智浦有限公司 |
| 201610968989.4 | 用于处理柔性基板的系统和方法 | 约瑟普·皮特鲁斯·威廉默斯·斯托克尔曼斯 | 恩智浦有限公司 |
| 201610183536.0 | 碳化硅(SiC)器件及其制造方法 | 安德烈·康斯坦丁诺夫 | 飞兆半导体公司 |
| 201610833793.4 | 在线污染监测系统及方法 | 田弼权 | 非视觉污染分析科学技术有限公司 |
| 201780064029.8 | 在压印光刻过程中定位基板 | R·帕特森 | 分子印记公司 |
| 201780063791.4 | 结构的显微光刻制造 | V·辛格 | 分子印记公司 |
| 201910805442.6 | 散热基板、功率器件模组及制备散热基板的方法 | 林伟健 | 丰鹏创科科技（珠海）有限公司 |
| 201910743758.7 | 具有电绝缘散热体的功率器件模组及其制备方法 | 林伟健 | 丰鹏创科科技（珠海）有限公司 |
| 201910744007.7 | 功率器件模组及其制备方法 | 林伟健 | 丰鹏创科科技（珠海）有限公司 |
| 201710581314.9 | 半导体器件及其制造方法 | 黑崎润一郎 | 丰田合成株式会社 |
| 201711431619.8 | SiC-MOSFET的制造方法 | 高谷秀史 | 丰田自动车株式会社 |
| 201710665659.2 | 开关器件和制造开关器件的方法 | 黑川雄斗 | 丰田自动车株式会社 |
| 201810952249.0 | 半导体装置 | 高谷秀史 | 丰田自动车株式会社 |
| 201910552467.X | 一种芯片封装的装置 | 王淑琴 | 丰学琳（深圳）科技有限公司 |
| 202110175659.0 | 半导体键合位姿补偿修复方法、装置及存储介质 | 何良雨 | 锋睿领创（珠海）科技有限公司 |
| 201580074610.9 | 基板保持装置、基板运送装置、处理布置和用于处理基板的方法 | 罗伯特·库纳恩泽 | 冯·阿登纳资产股份有限公司 |
| 201910519835.0 | 一种P型纳米过渡金属氧化物薄膜及其制备方法和应用 | 李景灵 | 佛山科学技术学院 |
| 201811576312.1 | L ED灯用自动下料扩晶机 | 李颖 | 佛山市恩度照明电器有限公司 |
| 201910601610.X | 一种L ED晶圆切割劈裂方法及L ED芯片 | 仇美懿 | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 201910233322.3 | 一种用于芯片加工的防损坏的一体化分拣装置 | 何桂华 | 佛山市劲电科技有限公司 |
| 201910880353.8 | 一种快速脱模的塑封模具 | 袁凤江 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| 202010636229.X | 一种用于二极管封装的点胶机组件 | 万玲兰 | 佛山市磊鑫光电科技有限公司 |
| 202110545185.4 | 一种全自动切割引线的方法及系统 | 何国洪 | 佛山市联动科技股份有限公司 |
| 201780029194.X | 载体释脱技术 | B·魏尔德 | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 201580044506.5 | 将用于电子装置的层堆叠图案化 | S·诺弗尔 | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 201810980639.9 | 用于在制造半导体器件过程中相对于氮化钛选择性地去除氮化钽的蚀刻溶液 | 刘文达 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201711386145.X | TiN硬掩模和蚀刻残留物去除 | 刘文达 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201710047967.9 | 含硅薄膜的高温原子层沉积 | 王美良 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201810983642.6 | 制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液 | 刘文达 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201680051055.2 | 用于沉积氮化硅膜的组合物和方法 | 雷新建 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201880063847.0 | 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 | 葛智逵 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201910180147.6 | 用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液 | 刘文达 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201810974382.6 | 金属化学机械平面化（CMP）组合物及其方法 | 史晓波 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201680080897.0 | 用于沉积含硅膜的组合物及使用其的方法 | 李建恒 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201810166584.8 | 包含元素硅的膜的化学机械平面化 | J·M·亨利 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 201880011959.1 | 研磨用组合物、其制造方法和使用研磨用组合物的研磨方法 | 森嘉男 | 福吉米株式会社 |
| 201980023577.5 | 研磨用组合物及研磨方法 | 浅田真希 | 福吉米株式会社 |
| 201780007120.6 | 研磨用组合物 | 石桥智明 | 福吉米株式会社 |
| 201680026870.3 | 研磨用组合物 | 织田博之 | 福吉米株式会社 |
| 201780069432.X | 研磨用组合物及硅晶圆的研磨方法 | 秋月丽子 | 福吉米株式会社 |
| 201780053523.4 | 研磨用组合物和研磨用组合物套组 | 土屋公亮 | 福吉米株式会社 |
| 201680009819.1 | 研磨用组合物 | 井泽由裕 | 福吉米株式会社 |
| 201580060434.3 | 研磨方法及抛光用组合物 | 高桥修平 | 福吉米株式会社 |
| 201910485288.9 | 研磨用组合物、研磨方法及基板的制造方法 | 大和泰之 | 福吉米株式会社 |
| 201910947236.9 | 抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件 | 张洁 | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 201910572648.9 | 一种新型T FT器件结构及其制作方法 | 官晓蓉 | 福建华佳彩有限公司 |
| 201910444127.5 | 一种T FT阵列基板的制作方法及阵列基板 | 不公告发明人 | 福建华佳彩有限公司 |
| 201910359323.2 | 一种透明OL ED显示器制作方法及显示器 | 不公告发明人 | 福建华佳彩有限公司 |
| 201910705434.4 | 一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件 | 郑育新 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910841254.9 | 一种晶圆圆心校准的方法和装置 | 马跃辉 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910403300.7 | 一种传感器的制造方法及传感器 | 赵玉会 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910747380.8 | 一种MIM电容及制作方法 | 吴恋伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910345802.9 | 一种检视晶圆缺陷的方法及系统 | 林锦伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910573633.4 | 一种低噪声值的半导体器件制造方法及器件 | 陈智广 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910890383.7 | 一种提高抗击穿能力的SMIM电容结构及制作方法 | 林锦伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910380364.X | 一种叠状电感及制作方法 | 林张鸿 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910658933.2 | 一种叠层电感的制作方法及制得的器件 | 林豪 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910329491.7 | 一种低线宽半导体器件制作方法及半导体器件 | 陈智广 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910366425.7 | 一种孔槽式的电容结构及制作方法 | 庄永淳 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910913727.1 | 一种孔内电镀结构及其制作方法 | 黄光伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910497663.1 | 一种晶圆监控片的管理方法和系统 | 林锦伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910521533.7 | 一种可旋转调整的曝光载台 | 林锦伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910575710.X | 一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置 | 赵玉会 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910619571.6 | 一种智能测距的晶圆寻边装置和方法 | 吴淑芳 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910561903.X | 一种晶圆切割方法 | 黄光伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910193926.X | 一种提高容值和耐压的叠状电容的制作方法 | 詹智梅 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910131306.3 | 一种叠状电容制作方法及半导体器件 | 黄文涛 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910484293.8 | 一种改善金属线路断裂的方法及器件 | 徐智文 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910564879.5 | 一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法及器件 | 吴淑芳 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 201910576217.X | 一种晶圆斜插检测装置 | 黄光伟 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 202010838556.3 | 一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构 | 吴家伟 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 202010954607.9 | 存储器及其形成方法、半导体器件 | 童宇诚 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
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| 201810896321.2 | 一种石墨烯二维异质结柔性器件结构及其制备方法 | 白宇 | 福建翔丰华新能源材料有限公司 |
| 202010209673.3 | 一种控制精准的L ED封装设备 | 程一龙 | 福建鑫汉唐照明科技有限公司 |
| 201910881609.7 | 一种氮化镓发光二极管L ED外延片的生长方法 | 解向荣 | 福建兆元光电有限公司 |
| 202010027109.X | 一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法 | 陈惠鹏 | 福州大学 |
| 201910913692.1 | 阵列基板及其制备方法 | 林滨 | 福州京东方光电科技有限公司 |
| 201910769949.0 | 一种双沟结构的脊上开孔方法 | 邓仁亮 | 福州中科光芯科技有限公司 |
| 201811557446.9 | 太阳能电池片温度系数现场测试方法 | 朱兰兰 | 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 201811525866.9 | 一种暂存装置及输送系统 | 朱兰兰 | 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 201910608069.5 | 一种去除硅片油污的方法 | 樊选胜 | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
| 201811350947.X | 基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 | 钟振扬 | 复旦大学 |
| 201910322519.4 | 一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法 | 张卫 | 复旦大学 |
| 201810010472.3 | 形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法 | 包文中 | 复旦大学 |
| 201810778756.7 | 一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用 | 丁士进 | 复旦大学 |
| 201910772805.0 | 基于体硅的新型半导体场效应正反馈晶体管及制备方法 | 万景 | 复旦大学 |
| 202010350749.4 | 基于绝缘层上硅衬底的单结晶体管及其制备方法 | 万景 | 复旦大学 |
| 201911334848.7 | 一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法 | 周德金 | 复旦大学 |
| 202010281186.8 | 一种具有层叠结构的多栅指数晶体管及其制备方法 | 马顺利 | 复旦大学 |
| 202010620300.5 | 一种DRAM芯片三维集成系统及其制备方法 | 朱宝 | 复旦大学 |
| 201911332415.8 | 基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法 | 丁士进 | 复旦大学 |
| 201910706362.5 | 一种集存算一体的全铁电场效应晶体管 | 江安全 | 复旦大学 |
| 202010562310.8 | 一种用于三维集成电路封装的硅通孔结构及其制造方法 | 朱宝 | 复旦大学 |
| 202010339710.2 | 基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法 | 万景 | 复旦大学 |
| 201910701759.5 | 一种非易失性铁电存储器及其制备方法 | 江安全 | 复旦大学 |
| 202010154718.1 | 基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法 | 包文中 | 复旦大学 |
| 201710001453.X | 半导体模块的制造方法及半导体模块 | 野中智己 | 富士电机株式会社 |
| 201810283513.6 | 半导体装置、半导体装置的制造方法以及接口单元 | 堀元人 | 富士电机株式会社 |
| 201610121087.7 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 坂田敏明 | 富士电机株式会社 |
| 201780002602.2 | 半导体装置 | 小野泽勇一 | 富士电机株式会社 |
| 201780002868.7 | 半导体装置 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201880014992.X | 功率模块和反向导通IGBT | 佐藤茂树 | 富士电机株式会社 |
| 201780015047.7 | 半导体装置及其制造方法 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201680019145.3 | 外延晶片的制造方法、外延晶片、半导体装置的制造方法以及半导体装置 | 土田秀一 | 富士电机株式会社 |
| 201710307511.1 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | 泷下博 | 富士电机株式会社 |
| 201610792048.X | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 椎木崇 | 富士电机株式会社 |
| 201610127355.6 | 碳化硅半导体装置的制造方法 | 吉川功 | 富士电机株式会社 |
| 201610718061.0 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 星保幸 | 富士电机株式会社 |
| 201680030936.6 | 碳化硅半导体基板、碳化硅半导体基板的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法 | 俵武志 | 富士电机株式会社 |
| 201610594012.0 | 半导体装置以及半导体装置的测量方法 | 佐藤忠彦 | 富士电机株式会社 |
| 201680032029.5 | 半导体装置及制造方法 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201680003833.0 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 田村隆博 | 富士电机株式会社 |
| 201880014955.9 | 功率模块、反向导通IGBT及驱动电路 | 佐藤茂树 | 富士电机株式会社 |
| 201780002977.9 | 半导体装置及制造方法 | 小川惠理 | 富士电机株式会社 |
| 201510649189.1 | 功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元 | 佐藤宪一郎 | 富士电机株式会社 |
| 201610121660.4 | 碳化硅半导体装置的制造方法 | 河田泰之 | 富士电机株式会社 |
| 201610855486.6 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 丸山力宏 | 富士电机株式会社 |
| 201680050672.0 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | 岩谷将伸 | 富士电机株式会社 |
| 201780008076.0 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201780002628.7 | 半导体装置 | 田村隆博 | 富士电机株式会社 |
| 201610206256.7 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 西村武义 | 富士电机株式会社 |
| 201611224426.0 | 碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 | 胁本节子 | 富士电机株式会社 |
| 201610515895.1 | 半导体元件和半导体元件的制造方法 | 西村武义 | 富士电机株式会社 |
| 201610849375.4 | 半导体装置及其制造方法 | 稻叶祐树 | 富士电机株式会社 |
| 201710096125.2 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 浅井龙彦 | 富士电机株式会社 |
| 201780034563.4 | 半导体装置 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201780034315.X | 半导体装置的制造方法 | 儿玉奈绪子 | 富士电机株式会社 |
| 201780013782.4 | RC-IGBT及其制造方法 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201880002603.1 | 半导体装置 | 阿形泰典 | 富士电机株式会社 |
| 201780020128.6 | 半导体装置 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201780027139.7 | 半导体装置 | 内藤达也 | 富士电机株式会社 |
| 201880002921.8 | 半导体装置 | 吉田崇一 | 富士电机株式会社 |
| 201780004266.5 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 | 西山雄士 | 富士电机株式会社 |
| 201780033306.9 | 半导体装置及制造方法 | 吉田崇一 | 富士电机株式会社 |
| 201780005511.4 | 碳化硅半导体装置 | 山田昭治 | 富士电机株式会社 |
| 201780027131.0 | 半导体装置 | 田村正树 | 富士电机株式会社 |
| 201780033152.3 | 研磨垫及其制造方法、以及研磨物的制造方法 | 德重伸 | 富士纺控股株式会社 |
| 201680063033.8 | 研磨材料及其制造方法、以及研磨物的制造方法 | 德重伸 | 富士纺控股株式会社 |
| 201880057479.9 | 保持垫及其制造方法 | 广田幸史 | 富士纺控股株式会社 |
| 201910221524.6 | 阻挡物钌的化学机械抛光浆料 | 林大为 | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 201880067737.1 | 蚀刻组合物 | 水谷笃史 | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 201810516084.2 | 用于钴应用的化学机械抛光浆料 | 梁燕南 | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 201680044375.5 | 清洁组合物 | R·萨卡穆里 | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 201880052684.6 | 药液的纯化方法及药液 | 上村哲也 | 富士胶片株式会社 |
| 201780034712.7 | 研磨液、化学机械研磨方法 | 上村哲也 | 富士胶片株式会社 |
| 201680035917.2 | 显影液、图案形成方法及电子设备的制造方法 | 椿英明 | 富士胶片株式会社 |
| 201680016592.3 | 压印用固化性组合物、固化物、图案形成方法、光刻法、图案及光刻用掩模 | 后藤雄一郎 | 富士胶片株式会社 |
| 201580052504.0 | 图案形成方法、上层膜形成用组合物、抗蚀剂图案及电子元件的制造方法 | 后藤研由 | 富士胶片株式会社 |
| 201680017158.7 | 上层膜形成用组合物、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子器件的制造方法 | 畠山直也 | 富士胶片株式会社 |
| 201810812187.3 | 一种低过冲电压单向TVS及其制造方法 | 邹有彪 | 富芯微电子有限公司 |
| 201910701576.3 | 一种BOE腐蚀的工艺方法 | 顾晶伟 | 富芯微电子有限公司 |
| 201811354247.8 | 用于保持电路板等的保持设备 | 延斯·明克尔 | 概念系统公司 |
| 201910589620.6 | 一种光伏太阳能硅板传动装置 | 刘祥云 | 赣州卡奥斯新能源有限公司 |
| 202110344668.8 | 半导体bump缺陷检测方法、电子设备及存储介质 | 张继华 | 高视科技（苏州）有限公司 |
| 202110370720.7 | 半导体焊线缺陷检测方法、电子设备及存储介质 | 张继华 | 高视科技（苏州）有限公司 |
| 202110312419.0 | 半导体芯片焊线的检测方法及装置 | 张继华 | 高视科技（苏州）有限公司 |
| 202110361308.9 | L ED半导体封装点胶缺陷检测方法、电子设备以及存储介质 | 陈健 | 高视科技（苏州）有限公司 |
| 202011115287.4 | 一种半导体芯片定位方法和装置 | 李正大 | 高视科技（苏州）有限公司 |
| 201980045166.6 | 包括芯层的嵌入式迹线基板(ETS)中的高密度互连 | K乔玛 | 高通股份有限公司 |
| 201680036631.6 | 包括鳍式场效应晶体管的可调谐存储器单元的结构和方法 | 杨海宁 | 高通股份有限公司 |
| 201580060406.1 | 在封装层中包括硅桥接的集成器件封装 | J·S·李 | 高通股份有限公司 |
| 201580066405.8 | 包括电容器、重分布层、和分立同轴连接的封装基板 | H·B·蔚 | 高通股份有限公司 |
| 201780078816.8 | 利用双面处理的逻辑电路块布局 | S·格科特佩里 | 高通股份有限公司 |
| 201680010443.6 | 用于集成电路封装的导电柱保护 | J·傅 | 高通股份有限公司 |
| 201480041649.6 | 具有关键技术节距对准的SOC设计 | X·陈 | 高通股份有限公司 |
| 201880067255.6 | 针对CAD至硅背侧图像对准的可见对准标记/界标 | M·D·阿尔斯顿 | 高通股份有限公司 |
| 201580062646.5 | 触点环绕结构 | J·J·徐 | 高通股份有限公司 |
| 201780008884.7 | 垂直堆叠的纳米线场效应晶体管 | V·马赫卡奥特桑 | 高通股份有限公司 |
| 201680078376.1 | 天线开关和共用器的单片集成 | S·顾 | 高通股份有限公司 |
| 201680076411.6 | 具有减小的寄生效应的纳米线晶体管和用于制作这种晶体管的方法 | M·巴达洛格鲁 | 高通股份有限公司 |
| 201980035678.4 | 绝缘体上覆硅背侧触点 | S·格克泰佩里 | 高通股份有限公司 |
| 201580085204.2 | 微发光二极管转移方法及制造方法 | 邹泉波 | 歌尔股份有限公司 |
| 201610413208.5 | 优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法 | 赵立新 | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 201610418700.1 | CMOS图像传感器的鳍式场效应晶体管的制作方法 | 赵立新 | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 201610413706.X | 优化CMOS图像传感器晶体管结构的方法 | 赵立新 | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 201710358477.0 | 在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法 | 夏瑞克·斯蒂奎 | 格罗方德半导体公司 |
| 201611020045.0 | 用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法及系统 | V·卡米内尼 | 格罗方德半导体公司 |
| 201710083321.6 | 具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法 | 爱德华·J·诺瓦克 | 格罗方德半导体公司 |
| 201610818441.1 | 不对称半导体装置及其形成方法 | A·I·朱 | 格罗方德半导体公司 |
| 201710334542.6 | 位于晶体管栅极上方的气隙以及相关方法 | Z-X·贺 | 格罗方德半导体公司 |
| 201710331380.0 | 间隔物整合的方法及所产生的装置 | 乔治·罗伯特·姆芬格 | 格罗方德半导体公司 |
| 201710317142.4 | 用于FD-SOI装置的后栅极偏置的方法、装置及系统 | T麦凯 | 格罗方德半导体公司 |
| 201610930228.X | 用于晶体管装置的应力记忆技术 | M·辛哈 | 格罗方德半导体公司 |
| 201710422023.5 | 使用导线架条制造晶片级封装及相关装置 | R·S·格拉夫 | 格罗方德半导体公司 |
| 201710622775.6 | 具有气隙间隔件的FINFET及其形成方法 | 臧辉 | 格罗方德半导体公司 |
| 201680064526.3 | 通过直接沉积传导材料来制造具有集成电路芯片的装置的方法 | L.德盖尔 | 格马尔托股份有限公司 |
| 201810841977.4 | 在VFET结构的处理期间在栅极区中长度的控制 | 朴灿柔 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810884382.7 | 半导体装置 | 刘兵武 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710755737.8 | 硅通孔上方的后零通孔层禁入区域减少BEOL泵效应 | 马克塔·G·法罗 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711352642.8 | 具有可变宽度金属线及完全自对准连续性切口的互连胞元 | 尼古拉斯·文森特·里考西 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711327372.5 | 场效应晶体管的气隙间隙壁 | 朴灿柔 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810861103.5 | 后栅极硅锗沟道凝结及其制造方法 | 乔治·罗伯特·姆芬格 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710760083.8 | 具有通过鳍片间的导电路径的接触至栅极短路的装置及制法 | 臧辉 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710831733.3 | 具有自对准栅极的穿隧FINFET | E·J·诺瓦克 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810228938.7 | 具有浮岛的片上电容器 | 荻野淳 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711170555.0 | 自对准光刻图案化 | 赖史班 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201811044898.7 | 具有介电隔离的多鳍高度 | 吴旭升 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711291721.2 | 用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管 | 安东尼·K·史塔佩尔 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710377340.X | 包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法 | 艾略特·约翰·史密斯 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710594433.8 | 用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法 | 李建兴 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710356596.2 | 使用掺杂抛光材料控制内部裸片的均匀性 | 黄海苟 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711321298.6 | 用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔 | J·M·萨夫兰 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201610949332.3 | 光学邻近校正及/或蚀刻偏差的晶圆级电性测试 | J·布拉沃 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710770107.8 | 用以形成柱掩膜元件的多重图案化制程 | S·帕尔 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710513610.5 | 具有应力分量的异质接面双极晶体管 | V·贾殷 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710845863.2 | 形成垂直晶体管装置的方法 | 谢瑞龙 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810007306.8 | 在源极/漏极形成后的扩散间断部位形成及相关IC结构 | 乔治·R·姆芬格 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710060789.3 | 具有金属塞的IC结构的制造 | J·纳格 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710627571.1 | 具有界面衬里的IC结构及其形成方法 | 张洵渊 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810818689.7 | 形成纳米片晶体管的方法及相关结构 | J·弗罗吉埃尔 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810161398.5 | 实现可变鳍片间距的双芯轴 | 成敏圭 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710212468.0 | 包括在衬底中设有栅极电极区的晶体管的半导体结构及其形成方法 | 威·德史奇 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710650270.0 | 自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合 | V·贾殷 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810638170.0 | 形成垂直场效应晶体管的方法以及所得结构 | 谢瑞龙 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711291093.8 | 隔离金属化特征的气隙 | 哈·高明 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710858126.6 | 在集成电路中形成ANA区域的方法 | 古拉密·波奇 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710860025.2 | 在金属线的阵列的非心轴线中形成自对准切口的设备及方法 | 杰森·伊葛尼·史蒂芬 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810153824.0 | 用于超(跳跃)通孔整合的金属互连 | 林萱 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711291704.9 | 至本体接触的多晶栅极延伸源极 | 约翰艾利斯-蒙纳翰 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710564163.6 | 利用工程掺质分布具有超陡逆行井的方法、设备及系统 | 大卫·保罗·波路柯 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810442557.9 | FINFET装置及其形成方法 | 窦新元 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710951063.9 | 用于高带宽内存应用的中介层加热器 | W阿尔索夫斯基 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810009971.0 | 具有通过接触与二极管触发器耦接的阴极的硅控整流器 | 李由 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711172672.0 | 在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案 | 瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711182012.0 | 用于垂直FET SRAM及逻辑单元微缩的金属层布线层级 | S·本利 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201811069566.4 | 具有改进的内间隔件的纳米片晶体管 | 谢瑞龙 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810239670.7 | 由不同半导体材料组成的堆栈长条纳米形状及其结构 | 巴特罗梅·J·帕拉克 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710858640.X | 在金属线的阵列的心轴及非心轴线中形成自对准切口的设备及方法 | 古拉密·波奇 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810207859.8 | 具有T形栅极电极的场效应晶体管 | 史蒂芬·M·宣克 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710832240.1 | 增进效能的垂直装置及其形成方法 | E·J·诺瓦克 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810557982.2 | 用于形成自对准接触物的扩大牺牲栅极覆盖物 | A·K·杰哈 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710846213.X | 在垂直晶体管器件上形成底部与顶部源极/漏极区的方法 | P·H·苏瓦尔纳 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710804650.5 | 鳍式场效应晶体管结构上的选择性SAC覆盖及相关方法 | 齐民华 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201711474453.8 | 网络跟踪先前层级减除的装置及方法 | O·D·帕特森 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710912237.0 | 在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度 | 谢瑞龙 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810679506.8 | 具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层 | 黄海苟 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810353341.5 | 邻近垂直晶体管装置的底部源/漏区的气隙 | 谢瑞龙 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810190432.1 | 包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法 | 张宏光 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810946683.8 | 纳米片场效应晶体管中的内间隙壁形成 | 朱利安·弗罗吉尔 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201710564700.7 | 用于静电卡盘系统的置中夹具 | 罗纳德尔·R·包宜二世 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 201810128072.2 | 具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法 | 王海艇 | 格芯公司 |
| 201810034936.4 | 控制鳍片尖端放置的方法 | 庄磊 | 格芯公司 |
| 201810862653.9 | 具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法 | 王海艇 | 格芯公司 |
| 201711281409.5 | 边界间隔物结构以及集成 | J霍尔特 | 格芯公司 |
| 201710761479.4 | 用于触点和互连金属化集成的腐蚀和/或蚀刻保护层 | S·艾哈迈德 | 格芯美国公司 |
| 201710996899.0 | 使用半双向图案化和岛形成半导体器件的方法 | 荻野敦史 | 格芯美国公司 |
| 201710850373.1 | 用于在FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的方法 | J卡姆勒 | 格芯美国公司 |
| 201711011586.1 | 高压和模拟双极器件 | J·辛格 | 格芯美国公司 |
| 201710756118.0 | 具有自对准电容器器件的半导体器件结构 | P·巴尔斯 | 格芯美国公司 |
| 201680020678.3 | 掩模一体型表面保护带 | 横井启时 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680056349.4 | 电子器件封装用带 | 佐野透 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680005089.8 | 半导体晶片表面保护用胶带 | 横井启时 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680005372.0 | 晶片固定带、半导体晶片的处理方法和半导体芯片 | 冈祥文 | 古河电气工业株式会社 |
| 201780052197.5 | 接合膜及晶圆加工用带 | 藤原英道 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680024338.8 | 掩模一体型表面保护膜 | 横井启时 | 古河电气工业株式会社 |
| 201880003308.8 | 膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法 | 森田稔 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680005367.X | 半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带 | 冈祥文 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680004693.9 | 芯片接合装置以及芯片接合方法 | 中村照幸 | 古河电气工业株式会社 |
| 201880002875.1 | 粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法 | 切替德之 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680077029.7 | 导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜 | 三原尚明 | 古河电气工业株式会社 |
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| 201780057303.9 | 接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体 | 新田纳泽福 | 古河电气工业株式会社 |
| 201680025557.8 | 半导体加工用带 | 青山真沙美 | 古河电气工业株式会社 |
| 201780078733.9 | III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 | 住田行常 | 古河机械金属株式会社 |
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| 202010968181.2 | 一种快速制备低温连接高温服役接头的方法 | 王春青 | 哈尔滨工业大学 |
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| 201811005392.5 | 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法 | 王晨曦 | 哈尔滨工业大学 |
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| 201711456462.4 | 电子产品 | 刘轩辰 | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 201710031269.X | 真空贴膜装置及方法 | 陈杰 | 行家光电股份有限公司 |
| 201910734502.X | 便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺 | 赵文生 | 杭州电子科技大学 |
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| 201810405244.6 | 一种利用全固态电池实现的增强型III-VHEMT器件 | 董志华 | 杭州电子科技大学 |
| 201910249485.0 | 一种基于反馈测量的太阳能电池板质量快速检测方法 | 汤景东 | 杭州电子科技大学 |
| 201910557744.6 | 一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法 | 杨伟煌 | 杭州电子科技大学 |
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| 202111006298.3 | 一种可调节相对高度的双支撑硅舟及热处理装置 | 韩颖超 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
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| 202010015337.5 | 沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法 | 不公告发明人 | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 202110204311.X | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 | 罗君轶 | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
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| 202011244319.0 | 晶圆的测试方法、晶圆测试机、电子装置和存储介质 | 董雨晴 | 杭州长川科技股份有限公司 |
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| 201710725580.4 | 数据分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质 | 陈冠廷 | 合肥捷达微电子有限公司 |
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| 201811353181.0 | 导线结构及其制造方法、阵列基板和显示装置 | 刘天真 | 合肥京东方光电科技有限公司 |
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| 201810101958.8 | 一种薄膜晶体管、其制备方法、显示基板及显示装置 | 张骥 | 合肥京东方显示技术有限公司 |
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| 201910299871.0 | 高耐压半导体元件及其制造方法 | 田矢真敏 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
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| 201910876895.8 | 一种T FT背板的制作方法 | 魏雪 | 合肥领盛电子有限公司 |
| 201910782079.0 | 一种晶体二极管贴胶纸装置 | 楼显华 | 合肥派霸电气科技有限公司 |
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| 201810027062.X | 提高基板温度均匀度的基座 | 韩相镇 | 合肥微睿光电科技有限公司 |
| 202011368454.6 | 一种应用于干式刻蚀工艺的上部电极等离子熔射方法 | 权太植 | 合肥微睿光电科技有限公司 |
| 201910816462.3 | 显示面板、电子设备以及检测方法 | 吴蕴泽 | 合肥维信诺科技有限公司 |
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| 201911348497.5 | 一种影像传感器芯片生产用清洁设备 | 刘家铭 | 合肥芯测半导体有限公司 |
| 201810652162.1 | 一种玻璃承载装置的调节方法 | 张作军 | 合肥欣奕华智能机器有限公司 |
| 202010434613.1 | 一种晶圆研磨前裂片异常的处理方法 | 聂伟 | 合肥新汇成微电子股份有限公司 |
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| 202010273698.X | 一种基于内引脚接合机用拆装方便的黏轮安装装置 | 田周 | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 202010370518.X | 一种全自动贴胶机用工作盘装置 | 吴秋明 | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 201711215165.0 | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 程磊磊 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910227559.0 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置 | 曹可 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910330130.4 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 | 刘军 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910277585.4 | 阵列基板及其制备方法 | 胡迎宾 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910245783.2 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板 | 胡迎宾 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910308964.5 | 复合薄膜晶体管和制造方法、阵列基板、显示面板和装置 | 张淼 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201811481886.0 | 一种阵列基板及其制备方法 | 刘军 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201711023111.4 | 一种阵列基板的制备方法和阵列基板 | 苏同上 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910148181.5 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 | 苏同上 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910779410.3 | 一种电容、阵列基板及其制备方法和显示面板 | 苏同上 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910108116.X | 一种阵列基板及其制作方法 | 程磊磊 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201811270397.0 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 操彬彬 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910110957.4 | 制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板 | 陈琳 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201811098275.8 | 显示基板及其制备方法、显示装置 | 刘军 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910779054.5 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | 宋威 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201811486004.X | 薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置 | 苏同上 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201910040894.X | 半导体层的制备方法及装置、显示基板制备方法 | 胡迎宾 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201711021725.9 | 薄膜晶体管及其制备方法、电子设备 | 李广耀 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201810975236.5 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | 宋威 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 201810988346.5 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 | 张扬 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 202010097859.4 | 一种智能功率模块及其制备方法 | 张正 | 合肥星波通信技术有限公司 |
| 201910277516.3 | 一种凸块结构及其制备方法 | 郭裕东 | 合肥奕斯伟集成电路有限公司 |
| 201811424350.5 | 具有隔离结构的芯片 | 王钊 | 合肥中感微电子有限公司 |
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| 201610723159.5 | 芯片封装工艺以及芯片封装结构 | 谭小春 | 合肥祖安投资合伙企业（有限合伙） |
| 201810652282.1 | 芯片封装结构及其制作方法 | 何崇文 | 何崇文 |
| 201911116899.2 | 一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法 | 檀柏梅 | 河北工业大学 |
| 201911184055.1 | 用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法 | 罗翀 | 河北工业大学 |
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| 202010259791.5 | 多片外延炉装偏监测方法 | 魏桂忠 | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
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| 201910970110.3 | 一种高密度打线复位方法 | 高峰 | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
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| 201810070380.4 | 微组件转移设备和相关方法 | 向瑞杰 | 宏碁股份有限公司 |
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| 201680078691.4 | 制备导电结构和薄膜晶体管阵列面板的方法 | 林欣桦 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 201680077056.4 | 树脂薄膜的剥离方法及装置、电子装置的制造方法 | 岸本克彥 | 鸿海精密工业股份有限公司 |
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| 201910459053.2 | 一种COF封装用的热压合头及其制备方法 | 贺照纲 | 鋐源光电科技（厦门）有限公司 |
| 202010989187.8 | 一种发光二极管成型模具 | 刘克清 | 胡海明 |
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| 201910324233.X | 一种适用于多尺寸规格的晶圆夹持进给装置 | 蔡光达 | 湖北华威科智能股份有限公司 |
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| 202011181031.3 | 一种低选择性的BPSG和PET EOS薄膜的蚀刻液 | 张庭 | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 202010334995.0 | 一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 | 张庭 | 湖北兴福电子材料有限公司 |
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| 202010477316.5 | 料仓用定位装置、可追溯有源花篮料仓及料仓输送系统 | 许振东 | 湖南艾博特机器人技术有限公司 |
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| 201910688508.8 | 二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法 | 李梓维 | 湖南大学 |
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| 201911048398.5 | 一种提高良品率的L ED屏制作方法 | 翟湘林 | 湖南合利来智慧显示科技有限公司 |
| 202010467764.7 | 基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法 | 朱辉 | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 201811420107.6 | 太阳能电池片生产工艺中用于搬运花篮盒的AGV小车 | 张宇 | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
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| 201811224390.5 | 一种集成电路板压合装置 | 任辉 | 湖南维胜科技电路板有限公司 |
| 201811450009.7 | 一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 | 蔡剑华 | 湖南文理学院 |
| 202011361673.1 | 一种芯片的封装系统 | 王军 | 湖南长半科技有限公司 |
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| 201910742666.7 | 一种太阳能发电系统生产用电池板基片检测与修边系统 | 朱谆奕 | 湖州师范学院求真学院 |
| 202110097956.8 | 一种贴片二极管引脚成型设备及其成型工艺 | 李财章 | 互创（东莞）电子科技有限公司 |
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| 201780060793.8 | 研磨液组合物 | 土居阳彦 | 花王株式会社 |
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| 201710879694.4 | 动态随机存取存储器及其制造方法 | 竹迫寿晃 | 华邦电子股份有限公司 |
| 201810390253.2 | 存储元件的制造方法 | 刘重显 | 华邦电子股份有限公司 |
| 201710532559.2 | 半导体结构及其制造方法 | 张维哲 | 华邦电子股份有限公司 |
| 201710564443.7 | 动态随机存取存储器及其制造方法 | 竹迫寿晃 | 华邦电子股份有限公司 |
| 201810052268.8 | 光罩输送设备 | 徐嘉禄 | 华邦电子股份有限公司 |
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| 201611100689.0 | 缺陷检测机台与SMIF的自锁系统及自锁方法 | 杨林 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 201710620996.X | 基于人工智能的半导体制造执行系统 | 朱进义 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 201910497174.6 | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 | 李卫士 | 华天慧创科技（西安）有限公司 |
| 201810774084.2 | 对准方法、压印方法和晶圆堆叠方法 | 李凡月 | 华天慧创科技（西安）有限公司 |
| 201911377957.7 | 一种模块化多芯片封装结构及其封装方法 | 董晨 | 华天科技（南京）有限公司 |
| 201911381418.0 | 一种多芯片堆叠封装结构及其封装方法 | 杨巧 | 华天科技（南京）有限公司 |
| 201910943260.5 | 一种用于框架封装芯片的转接板键合结构及其加工方法 | 张婕 | 华天科技（南京）有限公司 |
| 202010418395.2 | 氮化物外延片及其制备方法和半导体器件 | 陈智斌 | 华为技术有限公司 |
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| 201680064132.8 | 隧穿场效应晶体管及其制作方法 | 徐挽杰 | 华为技术有限公司 |
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| 201780003482.8 | 一种T FET及其制备方法 | 杨喜超 | 华为技术有限公司 |
| 201811412943.X | 一种基于PCB本体出引脚的封装模块及其制备方法 | 潘伟健 | 华为技术有限公司 |
| 201810259749.6 | 一种场效应晶体管及其制备方法和晶体管阵列器件 | 何正宇 | 华为技术有限公司 |
| 201910314594.6 | 一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法 | 杨雯 | 华为技术有限公司 |
| 201811162215.8 | 一种开关半导体器件及其制备方法、固态移相器 | 王余峰 | 华为技术有限公司 |
| 201780072495.0 | 一种石墨烯晶体管的制备方法 | 梁晨 | 华为技术有限公司 |
| 201810307078.6 | 封装结构、电子装置及封装方法 | 常明 | 华为技术有限公司 |
| 201810233595.3 | 一种堆叠封装器件及其封装方法 | 常明 | 华为技术有限公司 |
| 201780083547.4 | 一种基于二维材料的晶体管及其制备方法和晶体管阵列器件 | 赵冲 | 华为技术有限公司 |
| 201780082456.9 | 一种芯片封装结构及封装方法 | 方建平 | 华为技术有限公司 |
| 201780003485.1 | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 徐挽杰 | 华为技术有限公司 |
| 201680086755.5 | 场效应晶体管及其制造方法 | 赵冲 | 华为技术有限公司 |
| 201680087573.X | 隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 徐慧龙 | 华为技术有限公司 |
| 202010868764.8 | 一种新型Vcsel的外延结构及其对应氧化孔径的测试方法 | 尧舜 | 华芯半导体研究院（北京）有限公司 |
| 202110878373.9 | 在芯片晶圆表面进行电镀的方法及其应用 | 江蔼庭 | 华芯半导体研究院（北京）有限公司 |
| 201680005445.6 | 半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片 | 李东浩 | 华殷高科技股份有限公司 |
| 201811194796.3 | 一种微发光二极管芯片的转移方法 | 陈燕丽 | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 202010752951.X | 一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法 | 吴燕庆 | 华中科技大学 |
| 202011512293.3 | 一种晶圆快速定位装置及方法 | 许剑锋 | 华中科技大学 |
| 202010229412.8 | 一种含微通道的陶瓷基板及其制备方法 | 陈明祥 | 华中科技大学 |
| 201911402638.7 | 一种柔性显示电流体雾化薄膜封装系统及工艺 | 陈建魁 | 华中科技大学 |
| 201911003784.2 | 一种可拉伸电子器件的薄膜封装组件及其制备方法 | 陈蓉 | 华中科技大学 |
| 201810991566.3 | 一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法 | 尹周平 | 华中科技大学 |
| 201811132392.1 | 一种硫化钼薄膜及其制备方法 | 廖广兰 | 华中科技大学 |
| 201910570953.4 | 一种基于碳碳键的高性能界面制备方法 | 肖东阳 | 华中科技大学 |
| 201910519471.6 | 一种基于选择性加热去磁的MicroL ED巨量转移装置及方法 | 黄永安 | 华中科技大学 |
| 202010152918.3 | 一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用 | 甘霖 | 华中科技大学 |
| 202010671333.2 | 一种低噪声放大器 | 吴燕庆 | 华中科技大学 |
| 201910519450.4 | 一种基于可寻址电磁阵列的MicroL ED巨量转移装置及方法 | 黄永安 | 华中科技大学 |
| 201910318964.3 | 一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法 | 缪向水 | 华中科技大学 |
| 201911118668.5 | 一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法 | 梁琳 | 华中科技大学 |
| 202010233375.8 | 一种新型铁电晶体管及其制备方法 | 诸葛福伟 | 华中科技大学 |
| 201911101945.1 | 一种浮栅极型场效应晶体管存储器及其制造方法 | 诸葛福伟 | 华中科技大学 |
| 201910315825.5 | 一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法 | 缪向水 | 华中科技大学 |
| 201911090016.5 | 一种模拟型Hf Ox/Hf Oy同质结忆阻器及其调控方法 | 孙华军 | 华中科技大学 |
| 201910418046.8 | 制造设备及其晶圆承载盘 | 谢伟杰 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201810212358.9 | 外延基板及其制造方法 | 范俊一 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201710251831.X | 半导体基板及其加工方法 | 范俊一 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201811011009.7 | 晶圆盒的检测方法及晶圆盒的检测系统 | 蔡政焜 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201680025562.9 | 具有可控膜应力的在硅衬底上沉积电荷捕获多晶硅膜的方法 | J·L·利伯特 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201680031797.9 | 制造绝缘体上半导体的方法 | S·G·托马斯 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201680030931.3 | 用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法 | G·D·张 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 201710631541.8 | 擦刷洗净方法及擦刷洗净装置 | 仮屋崎弘昭 | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 201780027027.1 | 具有喷嘴加热器设备的分配头、系统和方法 | 科恩瓦德·亚历山大·杰斯科斯 | 环球仪器公司 |
| 201710720566.5 | 硅片的清洗方法 | 钱明明 | 环晟光伏(江苏)有限公司 |
| 201910598401.4 | 一种半导体组件及其制造方法 | 刘家政 | 环维电子（上海）有限公司 |
| 201910464499.4 | 一种印刷电路板、电子设备以及制造方法 | 郭静 | 环维电子（上海）有限公司 |
| 201680070975.9 | 电子材料用清洗剂组合物、清洗剂原液和电子材料的清洗方法 | 井内洋介 | 荒川化学工业株式会社 |
| 201811028434.7 | 一种半导体集成圆片生产用热处理装置 | 黄家仓 | 黄家仓 |
| 201910244827.X | 一种L ED数码管生产加工工艺流程 | 卢鑫 | 黄山美太电子科技有限公司 |
| 201910057633.9 | 一种环保型压接式硅芯片腐蚀屏蔽保护材料及其生产工艺 | 戴薇 | 黄山市七七七电子有限公司 |
| 201811200274.X | 一种硅粒子装配模具及其装配方法 | 李国平 | 黄山市祁门县锦城电器有限公司 |
| 201811200285.8 | 一种整流方桥制造模具及其制造方法 | 李国平 | 黄山市祁门县锦城电器有限公司 |
| 201910725843.0 | 一种具有恢复特性的复合二极管结构及其制造方法 | 饶祖刚 | 黄山芯微电子股份有限公司 |
| 202010166837.9 | 基于石墨烯基封装衬板的大功率IPM的结构及加工工艺 | 鲍婕 | 黄山学院 |
| 201810150564.1 | 一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法 | 王振海 | 汇佳网（天津）科技有限公司 |
| 201910504742.0 | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201811568113.6 | 一种显示面板的制程方法和显示面板 | 葛邦同 | 惠科股份有限公司 |
| 202011615808.2 | 一种阵列基板、显示面板和阵列基板的修复方法 | 王小东 | 惠科股份有限公司 |
| 201910018446.X | 一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201910270645.X | 一种测试结构、基板及其制造方法 | 刘凯军 | 惠科股份有限公司 |
| 201811332879.4 | 一种显示面板、制作方法和显示装置 | 杨春辉 | 惠科股份有限公司 |
| 201811587240.0 | 一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板 | 葛邦同 | 惠科股份有限公司 |
| 201910564636.1 | 一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置 | 夏玉明 | 惠科股份有限公司 |
| 201710876476.5 | 一种阵列基板及其制造方法 | 何怀亮 | 惠科股份有限公司 |
| 201811337216.1 | 一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板 | 宋振莉 | 惠科股份有限公司 |
| 201710835214.4 | 阵列基板的制造方法 | 何怀亮 | 惠科股份有限公司 |
| 201811089014.X | 一种反应室、干法刻蚀设备及刻蚀方法 | 何怀亮 | 惠科股份有限公司 |
| 201811589145.4 | 薄膜晶体管及其制作方法 | 黄北洲 | 惠科股份有限公司 |
| 201910370860.7 | 阵列基板及其制备方法 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201811350775.6 | 一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板 | 葛邦同 | 惠科股份有限公司 |
| 201810780067.X | 薄膜晶体管及其制备方法 | 莫琼花 | 惠科股份有限公司 |
| 201710514936.X | 一种阵列基板的制造方法及显示装置 | 简重光 | 惠科股份有限公司 |
| 201811587013.8 | 一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板 | 杨凤云 | 惠科股份有限公司 |
| 201810100662.4 | 开关阵列基板及其制造方法 | 黄北洲 | 惠科股份有限公司 |
| 201810100660.5 | 薄膜晶体管及其制造方法 | 黄北洲 | 惠科股份有限公司 |
| 201810780068.4 | 薄膜晶体管的制造方法 | 莫琼花 | 惠科股份有限公司 |
| 201810779037.7 | 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 | 莫琼花 | 惠科股份有限公司 |
| 201811350776.0 | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 | 葛邦同 | 惠科股份有限公司 |
| 201910191348.6 | 一种阵列基板的制作方法及阵列基板 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201811606878.4 | 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板 | 孙松 | 惠科股份有限公司 |
| 201811466312.6 | 主动开关及其制作方法、显示装置 | 莫琼花 | 惠科股份有限公司 |
| 201910514719.X | 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置 | 张合静 | 惠科股份有限公司 |
| 201811595969.2 | 阵列基板结构的制备方法、阵列基板及显示面板 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201710832071.1 | 一种显示面板及其制造方法 | 曹军红 | 惠科股份有限公司 |
| 201910564600.3 | 一种薄膜晶体管的制作方法及显示面板 | 夏玉明 | 惠科股份有限公司 |
| 201710755000.6 | 一种阵列基板及其制造方法 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201810100659.2 | 薄膜晶体管及其制造方法 | 黄北洲 | 惠科股份有限公司 |
| 201910577237.9 | 金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 | 夏玉明 | 惠科股份有限公司 |
| 201811199593.3 | 一种阵列基板的测试设备和测试方法 | 黄北洲 | 惠科股份有限公司 |
| 201811641562.9 | 显示面板的制造方法及其光罩 | 张合静 | 惠科股份有限公司 |
| 201910564637.6 | 一种薄膜晶体管的制作方法、原子层沉积装置和显示面板 | 夏玉明 | 惠科股份有限公司 |
| 201810196074.5 | 一种阵列基板的制造方法和阵列基板 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 201811540683.4 | 一种显示面板封框胶的检测方法和显示面板、显示装置 | 黄北洲 | 惠科股份有限公司 |
| 201810195542.7 | 一种阵列基板的制造方法和阵列基板 | 卓恩宗 | 惠科股份有限公司 |
| 202010669562.0 | 一种用于电子元件贴片的装置及其使用方法 | 李娟 | 惠州大亚湾鸿通工业有限公司 |
| 202110234845.7 | MiniL ED晶圆缺陷的高精度检测系统及其检测方法 | 姜涌 | 惠州高视科技有限公司 |
| 201810712664.9 | 一种倒装芯片固晶装置及方法 | 罗锦长 | 惠州雷通光电器件有限公司 |
| 201710974813.4 | 一种全自动二极管组装装置 | 邹乾坤 | 惠州市骏亚数字技术有限公司 |
| 201811593433.7 | 一种L ED灯加工系统 | 李颖 | 惠州市文晨灯箱科技有限公司 |
| 201811179303.9 | 一种芯片加工用贴装机 | 苏金兰 | 慧芯通（深圳）技术有限公司 |
| 201680030566.6 | 连接结构体的制造方法、导电性粒子、导电膜及连接结构体 | 真原茂雄 | 积水化学工业株式会社 |
| 201780038324.6 | 连接结构体、含有金属原子的粒子以及接合用组合物 | 笹平昌男 | 积水化学工业株式会社 |
| 201780022829.3 | 借助于真空固定物体的设备 | 乌尔班·肖尔茨-格拉赫 | 激光影像系统有限责任公司 |
| 201880013729.9 | 树脂基板层叠体及电子设备的制造方法 | 菅原浩幸 | 吉奥马科技有限公司 |
| 201680077827.X | 处理流体-抽吸装置和包含其的蚀刻装置 | J.豪恩格斯 | 吉布尔·施密德有限责任公司 |
| 201811368339.1 | 包括与升降的引导部联动的联动部的基板处理装置 | 郑相坤 | 吉佳蓝科技股份有限公司 |
| 201810213884.7 | 一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法 | 吴国光 | 吉林大学 |
| 201811208179.4 | 一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法 | 董鑫 | 吉林大学 |
| 201811107550.8 | 一种超薄芯片背面金属溅射的方法 | 孙喆禹 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 201811074802.1 | 一种甩干装置及甩干方法 | 姚锐 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 201510730633.2 | 重掺杂硅衬底高品质屏蔽式扩散方法 | 滕跃 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 201810131402.3 | 一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法 | 张熠鑫 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 201811521396.9 | 具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法 | 左义忠 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 201811551962.0 | 半导体器件及其制作方法 | 左义忠 | 吉林华微电子股份有限公司 |
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| 201910623620.3 | 蛋白质基底上p型薄膜晶体管制备方法 | 杨帆 | 吉林建筑大学 |
| 201910264697.6 | 一种基于氧化物的半导体膜制备方法 | 赵春雷 | 吉林建筑大学 |
| 201910249023.9 | 一种半导体氧化膜及其制备方法 | 王超 | 吉林建筑大学 |
| 201910670628.5 | 一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法 | 王超 | 吉林建筑大学 |
| 201780073789.5 | 激光加工系统和激光加工方法 | 柿崎弘司 | 极光先进雷射株式会社 |
| 201580070931.1 | 提供残余应变的补偿的、在第III-V族材料和硅晶片之间的材料界面的外延生长的方法 | 雷纳托米瓦尼斯 | 集成太阳能公司 |
| 202010811747.0 | 一种图像传感器芯片测试分选一体机 | 梁猛 | 技感半导体设备（南通）有限公司 |
| 202011224515.1 | 一种对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球方法 | 梁猛 | 技感半导体设备（南通）有限公司 |
| 201810658937.6 | 具有超级结结构的场效应晶体管及其制造方法 | 张帅 | 济南安海半导体有限公司 |
| 201810351456.0 | 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 | 黄昕 | 济南安海半导体有限公司 |
| 201810725459.6 | 带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 | 张帅 | 济南安海半导体有限公司 |
| 201810620591.0 | 带有耦合场板的高电子迁移率晶体管 | 张春伟 | 济南大学 |
| 202110064088.3 | 一种智能芯片制造设备及制造方法 | 梁艳凤 | 济南法诺商贸有限公司 |
| 201810569530.6 | 一种半导体二极管生产工艺 | 陈涛 | 济南固锝电子器件有限公司 |
| 202011615980.8 | 一种多层衬底、电子元器件及多层衬底制备方法 | 李真宇 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 202010360862.0 | 一种无解理面晶片端面抛光方法 | 王金翠 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 201810921590.X | 一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法 | 薛海蛟 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 201810885587.7 | 一种纳米级单晶薄膜及其制备方法 | 李真宇 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 201910302931.X | 一种具有稳压功能的除尘型芯片分拣设备 | 李彩华 | 济南科盛电子有限公司 |
| 201810649411.1 | 封装元件及其制作方法 | 吴淑媛 | 佳邦科技股份有限公司 |
| 201880042477.2 | 等离子体处理装置 | 关谷一成 | 佳能安内华股份有限公司 |
| 201680022850.9 | 加热装置、基板加热装置及半导体装置的制造方法 | 佐佐木雅夫 | 佳能安内华股份有限公司 |
| 201910426460.3 | 成膜装置 | 野泽直之 | 佳能安内华股份有限公司 |
| 201880058804.3 | 加工装置 | 泽口一也 | 佳能半导体制造设备股份有限公司 |
| 201880037126.2 | 缺陷检测装置、缺陷检测方法、裸片接合机、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法 | 田井悠 | 佳能机械株式会社 |
| 201780041948.3 | 缺陷检测装置、缺陷检测方法、裸片接合机、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法 | 田井悠 | 佳能机械株式会社 |
| 201480071488.5 | 用于局部区域压印的非对称模板形状调节 | M·加纳帕斯苏伯拉曼尼安 | 佳能纳米技术公司 |
| 201780002058.1 | 基板载置方法、成膜方法、电子设备的制造方法 | 石井博 | 佳能特机株式会社 |
| 201811558898.9 | 基板旋转装置、基板旋转方法及电子装置的制造方法 | 高桥悌二 | 佳能特机株式会社 |
| 201710405903.1 | 确定方法、形成方法、物品的制造方法以及存储介质 | 住吉雄平 | 佳能株式会社 |
| 201580069521.5 | 光固化性组合物及其应用 | 米泽诗织 | 佳能株式会社 |
| 201780013965.6 | 驱动单元、光刻设备、冷却方法和物品的制造方法 | 野元诚 | 佳能株式会社 |
| 201710204474.1 | 处理装置以及物品的制造方法 | 石井智裕 | 佳能株式会社 |
| 201910161927.6 | 决定方法、曝光方法、装置、物品的制造方法及存储介质 | 籔伸彦 | 佳能株式会社 |
| 201780022031.9 | 在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物 | 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 | 佳能株式会社 |
| 201780055797.7 | 检测装置、检测方法、图案化装置以及物品制造方法 | 坂本宪稔 | 佳能株式会社 |
| 201680048330.5 | 检测设备、压印装置、制造物品的方法、照明光学系统以及检测方法 | 古卷贵光 | 佳能株式会社 |
| 201710565846.3 | 定位底座 | 潘咏晋 | 家登精密工业股份有限公司 |
| 201680066823.1 | 具有基础层及附着于其上的窗的抛光垫 | P.A.勒费夫尔 | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 201680060047.4 | 用于改善凹陷的钴抑制剂组合 | S.克拉夫特 | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 201580045215.8 | 胶态氧化硅化学-机械抛光浓缩物 | S.格拉宾 | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 201680051105.7 | 用于加工介电基板的方法及组合物 | 崔骥 | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 201810932328.5 | 晶圆级芯片的封装方法及结构 | 彭彧 | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 |
| 201611183904.8 | 应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法 | 尹晓雪 | 嘉兴奥恒进出口有限公司 |
| 201910834674.4 | 一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构 | 张红宾 | 嘉兴博创智能传感科技有限公司 |
| 202010983447.0 | 一种用于晶体管制造的具有剔除功能的成型装置 | 杨在长 | 嘉兴考普诺机械科技有限公司 |
| 201911006247.3 | 一种太阳能电池性能测试用柔性夹具 | 赵浩 | 嘉兴学院 |
| 202010968893.4 | 一种根据芯片尺寸自调节匀胶量的环保设备 | 王博 | 简胜坚 |
| 201580064397.3 | 晶体管器件 | H·斯林豪斯 | 剑桥企业有限公司 |
| 201911132334.3 | 一种利用栅隔离技术提高电路系统ESD防护性能的方法 | 梁海莲 | 江南大学 |
| 202010471662.2 | 一种GaN基P沟道MOSFET及其制备方法 | 闫大为 | 江南大学 |
| 201811541333.X | 具有弹性空心纤维的硅橡胶多孔材料阵列及其制备方法 | 刘禹 | 江南大学 |
| 202111237524.9 | 暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法 | 白红梅 | 江山季丰电子科技有限公司 |
| 202010935856.3 | 一种光刻胶组合物及其应用 | 卞玉桂 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 |
| 202010995984.7 | 一种半导体芯片清洗剂及制备方法与应用 | 吕晶 | 江苏奥首材料科技有限公司 |
| 202110833478.2 | 一种自动芯片封装机及封装方法 | 王印玺 | 江苏澳芯微电子有限公司 |
| 202010112751.8 | GaN毫米波功率放大器芯片生产用腐蚀液及其制备方法 | 邹伟民 | 江苏传艺科技股份有限公司 |
| 201911400911.2 | 一种光电探测器 | 崔延光 | 江苏大摩半导体科技有限公司 |
| 201911400883.4 | 一种光电探测器及其制造方法 | 崔延光 | 江苏大摩半导体科技有限公司 |
| 201810531660.0 | 一种低摩擦含氟洋葱碳膜及其直接在硅基底上制备的方法 | 梁红玉 | 江苏大学 |
| 201810807278.8 | 一种硅片承载装置 | 牟恒 | 江苏德尔科测控技术有限公司 |
| 201710831363.3 | 集成电路的压焊盘结构及其工艺方法 | 吕宇强 | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 202111217872.X | 一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构 | 李利哲 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 201711480764.5 | 一种雪崩耐量增强型的VDMOS器件结构及其制作方法 | 朱旭强 | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 202010447250.5 | 一种MOSFET芯片版图结构 | 夏华忠 | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 202010984351.6 | 一种采用磁控溅射法制备的PERC电池及其制备工艺 | 赵卫东 | 江苏东鋆光伏科技有限公司 |
| 201910904378.7 | 一种用于AMB覆铜陶瓷基板图形制作的热刻蚀方法 | 孙泉 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 201911153346.4 | 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法 | 周轶靓 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 202010398532.0 | 喷嘴组件以及采用该喷嘴组件的点胶装置 | 刘建芳 | 江苏高凯精密流体技术股份有限公司 |
| 202111194788.0 | 一种电子封装绝缘组件 | 翟丹 | 江苏汉威电子材料有限公司 |
| 202111253978.5 | 一种半导体封装用智能输送机系统 | 郑石磊 | 江苏和睿半导体科技有限公司 |
| 202010753332.2 | 一种用于半导体管棒的切割设备的使用方法 | 徐源 | 江苏弘扬石英制品有限公司 |
| 202011012348.4 | 一种功率器件及其制作方法 | 张景超 | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 202010853925.6 | 内绝缘封装结构及其工艺方法 | 戚丽娜 | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 202110814521.0 | 一种指纹识别封装构件及其制备方法 | 周华 | 江苏华昶熠电子科技有限公司 |
| 202110792962.5 | 一种半导体封装装置及其制造方法 | 周华 | 江苏华昶熠电子科技有限公司 |
| 202110793027.0 | 一种生物识别封装及其制备方法 | 周华 | 江苏华昶熠电子科技有限公司 |
| 201811090392.X | 太阳电池生产实时监控数字系统 | 吴卫伟 | 江苏华恒新能源有限公司 |
| 201910541212.3 | 一种晶圆的三面切割方法 | 陈志远 | 江苏汇成光电有限公司 |
| 201811492066.1 | 一种自动化晶圆转移方法 | 张鹏 | 江苏汇成光电有限公司 |
| 202011335520.X | 一种COF封装用涂胶针头回收清洗平台 | 赵原 | 江苏汇成光电有限公司 |
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| 201910462902.X | 一种显示基板的制备方法及显示基板 | 赵潇 | 京东方科技集团股份有限公司 |
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| 201810826603.5 | 一种器件转移装置和器件转移方法 | 王飞 | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 201710338145.6 | 显示装置、阵列基板及阵列基板制作方法 | 舒适 | 京东方科技集团股份有限公司 |
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| 201810201136.7 | 显示基板及其制造方法、显示装置 | 胡海峰 | 京东方科技集团股份有限公司 |
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| 201880055997.7 | 使用内插板层和导电膏的多层电路板 | 肯尼斯·S·巴尔 | 卡特拉姆有限责任公司 |
| 202111077758.1 | 一种芯片封装外壳及其钎焊工艺 | 郑学军 | 凯瑞电子（诸城）有限公司 |
| 201811208792.6 | 基板处理装置及方法 | 赵珳技 | 凯斯科技股份有限公司 |
| 201580049979.4 | 基于用于有效自旋转移矩的增强自旋霍尔效应的电路和装置 | 罗伯特·A·比尔曼 | 康奈尔大学 |
| 201780076016.2 | 用于处理基板的方法 | 克里斯蒂娜·苏·班纳特 | 康宁公司 |
| 202110951715.5 | 半导体结构的制备方法及半导体结构 | 赵奂 | 康希通信科技（上海）有限公司 |
| 201780042553.5 | 传送路径校正技术和相关系统、方法和装置 | D.潘 | 科迪华公司 |
| 201780042517.9 | 引导传输路径校正 | E.弗伦斯基 | 科迪华公司 |
| 201780038534.5 | 非接触支撑平台和用于生产其流体垫层的工作台 | 罗宁·洛特曼 | 科福罗有限公司 |
| 201980029918.X | 产生用于阵列区的缺陷样本 | V·阿南塔 | 科磊股份有限公司 |
| 201980017247.5 | 用于检验的模式选择的方法和系统 | M·普利哈尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201880085014.4 | 使用电子显微法的半导体计量及缺陷分类 | S库兹涅佐夫 | 科磊股份有限公司 |
| 201980037539.5 | 原位温度感测衬底、系统及方法 | 厄尔·詹森 | 科磊股份有限公司 |
| 201980016474.6 | 使用扫描电子显微镜计量的缺陷检测、分类及工艺窗口控制 | H帕特汉吉 | 科磊股份有限公司 |
| 201980030218.2 | 基于设计的对准的性能监测 | B·布拉尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201680088916.4 | 在工艺中控制衬底上图案定位的方法及计算机程序产品 | S·切尔卡斯 | 科磊股份有限公司 |
| 201880011008.4 | 在产品制造期间识别过程变异 | T·格林茨威格 | 科磊股份有限公司 |
| 201780067061.1 | 用于在晶片沉积期间工艺引起的变形预测的系统及方法 | A·莱维 | 科磊股份有限公司 |
| 201880011565.6 | 晶片几何系统中的透明膜误差校正图案 | 海伦曾 | 科磊股份有限公司 |
| 201680032048.8 | 用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备 | 李诗芳 | 科磊股份有限公司 |
| 201680065693.X | 具有涂覆于圆柱形对称元件上的靶材料的基于等离子体的光源 | A·库里岑 | 科磊股份有限公司 |
| 201780034833.1 | 用于获取高温工艺应用中的测量参数的封装仪器化衬底设备 | 梅·孙 | 科磊股份有限公司 |
| 201580055146.9 | 用于沿着制造工艺线测量晶片的辐射及温度暴露的方法及系统 | 梅·孙 | 科磊股份有限公司 |
| 201880056819.6 | 训练以学习为基础的缺陷分类器 | B·布拉尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201880056014.1 | 识别检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷的系统及方法 | M·普利哈尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201880057081.5 | 非对称结构的尺寸的检测与测量 | P·R·阿金斯 | 科磊股份有限公司 |
| 201680046414.5 | 工艺敏感计量系统及方法 | 李明俊 | 科磊股份有限公司 |
| 201880029393.5 | 依据光学检验结果进行计量导引检验样品成形 | K·沙赫 | 科磊股份有限公司 |
| 201880011345.3 | 用于确定用于对准测量的取样图的系统和方法 | W·皮尔逊 | 科磊股份有限公司 |
| 201780005642.2 | 通过异常值检测的特征选择及自动化工艺窗监测 | S·卡达尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201980030265.7 | 用于重复缺陷检测的方法、计算机可读媒体及系统 | B·布拉尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201680013743.X | 用于夹持翘曲晶片的设备及方法 | P·苏布拉马尼扬 | 科磊股份有限公司 |
| 201880029392.0 | 浮动晶片夹盘 | A维尚 | 科磊股份有限公司 |
| 202010101012.9 | 用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法 | 阿卜杜勒拉赫曼（阿波）·塞兹吉内尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201980007200.0 | 使用设计补偿扫描电子显微镜束的失真引起的计量误差 | H帕特汉吉 | 科磊股份有限公司 |
| 201880050636.3 | 使用多重参数配置的叠加计量 | A·V·希尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201680014060.6 | 基于模型的单个参数测量的系统和方法 | S潘戴夫 | 科磊股份有限公司 |
| 201880015473.5 | 具有对准校正的层对层前馈覆盖控制 | O·N·德米雷尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201580037985.8 | 使用叠加及成品率关键图案的度量 | D·坎戴尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201580060081.7 | 分析及利用景观 | T·马西安诺 | 科磊股份有限公司 |
| 201880047936.6 | 用于高效工艺窗口探索的混合检验系统 | B·达菲 | 科磊股份有限公司 |
| 201811510247.2 | 多模型计量 | 金仁教 | 科磊股份有限公司 |
| 201880064258.4 | 用于半导体计量的液态金属旋转阳极X射线源 | S·佐卢布斯基 | 科磊股份有限公司 |
| 201580036717.4 | 基于代理结构的测量的信号响应计量 | A·V·舒杰葛洛夫 | 科磊股份有限公司 |
| 201880064327.1 | 在高反射膜堆叠上的高吸收膜层的光学测量系统与方法 | C·L·伊加图亚 | 科磊股份有限公司 |
| 201880052694.X | 根据工艺变化的计量测量参数的快速调整 | E·佩莱德 | 科磊股份有限公司 |
| 201680008218.9 | 用于高产率在制品缓冲的系统及方法 | 迈克尔·布雷恩 | 科磊股份有限公司 |
| 201880015207.2 | 183NM CW激光器及检验系统 | 勇-霍·亚历克斯·庄 | 科磊股份有限公司 |
| 201811226232.3 | 在用于原位测量的传感器晶片上的抗蚀涂层 | A·恩古耶 | 科磊股份有限公司 |
| 201880011822.6 | 用于缺陷材料分类的系统及方法 | 国衡·赵 | 科磊股份有限公司 |
| 201680084437.5 | 通过填充因数调制的工艺兼容性改善 | V·莱温斯基 | 科磊股份有限公司 |
| 201880029696.7 | 用于对准图像的方法、系统及相关的非暂时性计算机可读媒体 | 何清 | 科磊股份有限公司 |
| 201880054386.0 | 在透明或半透明晶片上的缺陷检测 | 姜旭光 | 科磊股份有限公司 |
| 201980037055.0 | 用于缺陷分类器训练的主动学习 | 张晶 | 科磊股份有限公司 |
| 201880044567.5 | 在成像技术中估计振幅及相位不对称性以在叠加计量中达到高精准度 | T·马西安诺 | 科磊股份有限公司 |
| 201880046096.1 | 识别晶片上的干扰缺陷的来源 | B·布劳尔 | 科磊股份有限公司 |
| 201880008567.X | 具有非零偏移预测的叠加控制 | M·A·阿德尔 | 科磊股份有限公司 |
| 202010769210.2 | 一种确定将对样品执行的计量过程的一或多个参数的系统、方法及介质 | B古普塔 | 科磊股份有限公司 |
| 201880072156.7 | 用于对准半导体装置参考图像及测试图像的系统及方法 | 陈宏 | 科磊股份有限公司 |
| 201880056906.1 | 设计关键性分析扩充的工艺窗合格取样 | J·C·萨拉斯瓦图拉 | 科磊股份有限公司 |
| 201780064585.5 | 用于产生在度量测量中使用的经编程缺陷的方法及系统 | 宏古特曼 | 科磊股份有限公司 |
| 201880075941.8 | 最小化场大小以减少非所要的杂散光 | D·佩蒂伯恩 | 科磊股份有限公司 |
| 201480076636.2 | 室清洁和半导体蚀刻气体 | 彭晟 | 科慕埃弗西有限公司 |
| 201710685897.X | 用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法 | S.达 | 科锐 |
| 201811325439.6 | 识别检测晶元芯片的方法 | 蔡园园 | 科为升视觉技术（苏州）有限公司 |
| 201710224291.6 | 用于碳化硅器件的扩散结终端结构及制造并入其的碳化硅器件的方法 | 张清纯 | 克里公司 |
| 201780049691.6 | 用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构 | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 | 克罗米斯有限公司 |
| 201780017238.7 | 放置超小型或超薄型分立组件 | V·马里诺夫 | 库力索法荷兰有限公司 |
| 201610791783.9 | 焊接半导体元件的焊接机、其操作方法和改进其UPH的方法 | T·J·小科洛西莫 | 库利克和索夫工业公司 |
| 201680037848.9 | DMOS及CMOS半导体装置的增强集成 | 许曙明 | 酷星技术股份有限公司 |
| 201610697546.6 | 超结型半导体装置及其制造方法 | 李光远 | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 201910794391.1 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 | 朱可 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 201611075649.5 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置 | 袁波 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 201810186942.1 | 可拉伸显示面板及其制造方法 | 刘会敏 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 201910576022.5 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 | 冯丹丹 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 201911000885.4 | 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 | 胡祖权 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 201910814949.8 | 一种基板的制备方法 | 翟勇祥 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 201710773106.9 | 薄膜晶体管器件及其制作方法 | 王刚 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910911745.6 | 屏体制作方法和显示装置 | 王紫东 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201710776518.8 | 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法 | 来春荣 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910138428.5 | 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备 | 王刚 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201810457405.6 | 显示面板及其制作方法、显示装置 | 张成成 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910451667.6 | 阵列基板及其制作方法 | 金玉 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201811528424.X | 显示面板及显示面板的制作方法 | 周志伟 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201810373588.3 | 显示面板、显示装置、显示面板母板及其制作方法 | 韩冰 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201810373692.2 | 柔性显示母板及柔性显示面板 | 刘明星 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201810054626.9 | 一种显示基板及其制造方法、显示器件 | 秦旭 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910310840.0 | 显示装置及显示装置的制备方法 | 李源规 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910447461.6 | 一种管道清洁装置、管道及刻蚀设备 | 付琦龙 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201710017280.0 | 氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | 黄梦 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910548295.9 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 | 陆静茹 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910689578.5 | 显示面板母板及其制备方法 | 王欢 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201810052171.7 | 多晶硅薄膜的制作方法 | 朱阳杰 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910017379.X | 一种柔性显示基板、显示装置及其制备方法 | 周志伟 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910430779.3 | 一种加热设备 | 马明冬 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201910754973.7 | 一种显示面板和显示面板的制备方法 | 沈成 | 昆山国显光电有限公司 |
| 201810716118.2 | 金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | 钟德镇 | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 201810549489.6 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | 张晋春 | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 201710697586.5 | 阵列基板及其制作方法和显示面板 | 孙明剑 | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 201811528680.9 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 | 钟德镇 | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 201910121942.8 | 一种超声波焊接方法 | 何亮亮 | 昆山微电子技术研究院 |
| 202010160147.2 | 半导体器件的表面处理方法 | 门松明珠 | 昆山一鼎工业科技有限公司 |
| 201680077987.4 | 耐腐蚀组件和制造方法 | M.辛普森 | 阔斯泰公司 |
| 201710381738.0 | 半导体装置、通信系统及半导体装置的制造方法 | 赤堀博次 | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 201610920917.2 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 草野健一郎 | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 201610848902.X | 半导体装置及其制造方法 | 齐藤弘和 | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 201510755850.7 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 千叶亮 | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 201510477191.5 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 森彻 | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 201611093777.2 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 儿玉祐树 | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 201680035096.2 | 垂直纳米线MOSFET制造中的垂直后栅极工艺的方法 | 拉尔斯-埃里克·维尔纳松 | 拉尔斯-埃里克·维尔纳松 |
| 201610197758.8 | 硅纳米线阵列的制备方法 | 李亚丽 | 兰州大学 |
| 201810531795.7 | 用于检测金属间介质层缺陷的叠层结构及测试方法 | 张雄 | 澜起科技股份有限公司 |
| 201880066965.7 | 表面贴装的兼容的VCSE L阵列 | 理查德·F.·卡森 | 朗美通经营有限责任公司 |
| 201710733330.5 | 利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进 | 谭忠魁 | 朗姆研究公司 |
| 201910128259.7 | 用于沉积膜的衬底处理系统 | 唐伟 | 朗姆研究公司 |
| 201610078060.4 | 衬底处理系统中用作硬掩模的无定形碳和硅膜的金属掺杂 | 法亚兹·谢赫 | 朗姆研究公司 |
| 201710064610.1 | 原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度 | 萨曼莎·坦 | 朗姆研究公司 |
| 201710117229.7 | 使用等离子体和蒸气处理的组合对AL2O3进行原子层蚀刻 | 安德列亚斯·费希尔 | 朗姆研究公司 |
| 201611224666.0 | 一种在半导体处理装置中动态调节喷头倾斜的致动器 | 约翰·威尔特斯 | 朗姆研究公司 |
| 201710589859.4 | 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法 | 金基占 | 朗姆研究公司 |
| 201710408151.4 | 用于增强填充物和减少衬底撞击的原子层沉积 | 乔舒亚·柯林斯 | 朗姆研究公司 |
| 201811027616.2 | 差动泵送反应气体喷射器 | 伊凡·L·贝瑞三世 | 朗姆研究公司 |
| 201710337590.0 | 用于钴的锰阻挡层和粘附层 | 黎照健 | 朗姆研究公司 |
| 201610652728.1 | 用于静电卡盘的具有凸状内表面的环形边缘密封件 | 马修李 | 朗姆研究公司 |
| 201710679512.9 | 用于间隙特征中的ALD沉积轮廓调整的添加剂 | 帕特里克·范克利姆普特 | 朗姆研究公司 |
| 201710330271.7 | 用于在下游反应器中边缘蚀刻速率控制的可调侧气室 | 安德鲁·斯特拉顿·布拉沃 | 朗姆研究公司 |
| 201611177342.6 | 用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法 | 康胡 | 朗姆研究公司 |
| 201610032252.1 | 半导体晶片处理期间控制边缘处理的可移动边缘耦合环 | 严浩全 | 朗姆研究公司 |
| 201710636255.0 | 用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜 | 尚卡尔·斯瓦米纳坦 | 朗姆研究公司 |
| 201610927021.7 | 用于减少的接口和串联触头电阻的触头集成 | 保罗·雷蒙德·贝瑟 | 朗姆研究公司 |
| 201710363831.9 | 跨再分配层实现均匀性的系统和方法 | 布赖恩·L·布卡卢 | 朗姆研究公司 |
| 201710957305.5 | 含形成法拉第笼的部分的夹持组件的静电卡盘和相关方法 | 尼尔·马丁·保罗·本杰明 | 朗姆研究公司 |
| 201710766255.2 | 用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体 | 阿南德·查德拉什卡 | 朗姆研究公司 |
| 201710513089.5 | 减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板 | 理查德·菲利普斯 | 朗姆研究公司 |
| 201710321618.1 | 层压加热器与加热器电压输入之间的连接 | 奥库拉·尤马 | 朗姆研究公司 |
| 201910120027.7 | 衬底处理系统和用于衬底处理系统的气体充气室装置 | 汤姆·坎普 | 朗姆研究公司 |
| 201780076693.4 | 用于半导体处理的晶片定位基座的垫升高机制 | 保罗·孔科拉 | 朗姆研究公司 |
| 201710239093.7 | 挡板和喷头组件及相应的制造方法 | 埃里克·拉塞尔·马德森 | 朗姆研究公司 |
| 201610127551.3 | 最小化T EOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置 | 阿鲁尔达斯 | 朗姆研究公司 |
| 201780076683.0 | 用于半导体处理的晶片定位基座 | 保罗·孔科拉 | 朗姆研究公司 |
| 201980031248.5 | 用于增强图案化的停止蚀刻层沉积 | 纳格拉杰·尚卡尔 | 朗姆研究公司 |
| 201910040540.5 | 频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法 | 伊斯达克·卡里姆 | 朗姆研究公司 |
| 201811642020.3 | 用于还原金属晶种层上的金属氧化物的方法及装置 | 泰伊·A·斯柏林 | 朗姆研究公司 |
| 201710772400.8 | 用于半导体图案化应用的高干法蚀刻速率材料 | 阿潘·马霍罗瓦拉 | 朗姆研究公司 |
| 201711189988.0 | 晶体管基板、包括其的有机发光显示面板和有机发光显示装置及其制造方法 | 朴世熙 | 乐金显示有限公司 |
| 201711477111.1 | 背板基板及制造方法、使用背板基板的有机发光显示装置 | 吴锦美 | 乐金显示有限公司 |
| 201711227140.2 | 具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法 | 李晙硕 | 乐金显示有限公司 |
| 201710755790.8 | 有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法 | 崔浩源 | 乐金显示有限公司 |
| 201710485349.2 | 用于处理基板的装置和使用该装置的显示设备 | 朴正权 | 乐金显示有限公司 |
| 201811268155.8 | 显示设备和用于制造该显示设备的方法 | 权会容 | 乐金显示有限公司 |
| 201710630507.9 | 显示装置及其制造方法 | 姜秉旭 | 乐金显示有限公司 |
| 201811119786.3 | 具有触摸结构的显示装置和形成该显示装置的方法 | 申英燮 | 乐金显示有限公司 |
| 201810877008.4 | 有机发光二极管显示装置 | 李东润 | 乐金显示有限公司 |
| 201710650969.7 | 有机发光显示装置 | 李娥玲 | 乐金显示有限公司 |
| 201710588656.3 | 检查设备和使用其的检查方法 | 梁晶馥 | 乐金显示有限公司 |
| 201711475746.8 | 薄膜晶体管及其制造方法以及包括其的有机发光显示装置 | 裵钟旭 | 乐金显示有限公司 |
| 201711008663.8 | 有机发光显示装置及其制造方法 | 李恩惠 | 乐金显示有限公司 |
| 201680057115.1 | 具有自由形成的自支撑垂直互连件的电子模块 | B·W·皮兰斯 | 雷神公司 |
| 201680033773.7 | 用于微波能量传输的微波集成电路(MMIC)镶嵌电互连 | J·R·拉罗什 | 雷声公司 |
| 201880008253.X | 不同厚度的管芯的晶圆键合方法 | 肖恩·P·基尔科因 | 雷索恩公司 |
| 201710193707.2 | 基板处理系统、基板翻转装置和方法 | 雷仲礼 | 雷仲礼 |
| 201680039529.1 | 超薄膜器件制造装置及制造方法 | 李泰福 | 李泰福 |
| 201811614266.X | 石英光刻化晶圆及切割技术 | 李宗杰 | 李宗杰 |
| 201810886640.5 | 堆叠式封装结构及其制造方法 | 陈明志 | 力成科技股份有限公司 |
| 201811423753.8 | 封装结构及其制造方法 | 张简上煜 | 力成科技股份有限公司 |
| 201710845069.8 | 封装结构及其制造方法 | 林汉文 | 力成科技股份有限公司 |
| 201811375002.3 | 封装结构及其制造方法 | 林南君 | 力成科技股份有限公司 |
| 201811234667.2 | 双面扇出型层叠封装结构及其封装方法 | 潘吉良 | 力成科技股份有限公司 |
| 201811228748.1 | 双面扇出型系统级封装结构 | 潘吉良 | 力成科技股份有限公司 |
| 201710127453.4 | 半导体元件的制造方法 | 李世平 | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 201710426537.8 | 半导体元件及其制造方法 | 李世平 | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 201810203742.2 | 集成电路结构及其制造方法 | 王子嵩 | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 201710521061.6 | 可编程可抹除的非挥发性存储器 | 黎俊霄 | 力旺电子股份有限公司 |
| 201710357367.2 | 高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 | 黄宗义 | 立锜科技股份有限公司 |
| 201710313015.7 | 具有可调整临界电压的高压耗尽型MOS元件及其制造方法 | 黄宗义 | 立锜科技股份有限公司 |
| 201710432447.X | 高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 | 黄宗义 | 立锜科技股份有限公司 |
| 202010912955.X | 一种封装结构及其制备工艺 | 张鸿 | 立讯电子科技（昆山）有限公司 |
| 202011029007.8 | 一种半导体封装结构以及封装方法 | 周小磊 | 立讯电子科技(昆山)有限公司 |
| 201410143477.5 | 图案化晶圆缺点检测系统及其方法 | 阿曼努拉·阿杰亚拉里 | 联达科技设备私人有限公司 |
| 201711209691.6 | 半导体设备及其制造方法 | 季彦良 | 联发科技股份有限公司 |
| 201710067548.1 | 半导体器件及其形成方法 | 林振华 | 联发科技股份有限公司 |
| 201810878400.0 | 半导体封装组件及其形成方法 | 张嘉诚 | 联发科技股份有限公司 |
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| 201810569549.0 | 一种半导体二极管酸洗处理系统 | 陈涛 | 马长江 |
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| 201680062905.9 | 热处理系统中的基板破损检测 | 约瑟夫·西贝尔 | 玛特森技术公司 |
| 201680054053.9 | 用于毫秒退火系统的预热方法 | 马库斯·利贝雷尔 | 玛特森技术公司 |
| 201680070427.6 | 用于弧光灯的氮注入 | 罗尔夫·布雷芒斯多费尔 | 玛特森技术公司 |
| 201910845520.5 | IC载板通孔填埋工艺 | 曾琳 | 麦德美科技（苏州）有限公司 |
| 201780058270.X | 集成电路的晶圆级封装中的铜沉积 | 汤玛斯·理察生 | 麦克德米德乐思公司 |
| 201780010520.2 | 在制造微电子品的铜沉积中使用的调平组合物 | 文森·潘尼卡西欧 | 麦克德米德乐思公司 |
| 201610874598.6 | 调谐的半导体放大器 | 沃尔特·H·纳吉 | 麦克姆技术解决方案控股有限公司 |
| 201810200202.9 | 切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法以及半导体芯片的制造方法 | 田中理惠 | 麦克赛尔株式会社 |
| 201580006800.7 | 墨水制剂 | 辛西亚·卡西拉吉 | 曼彻斯特大学 |
| 202110362787.6 | 一种碳化硅晶体制备方法 | 王宇 | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 201711394889.6 | 结型场效应晶体管及其制作方法 | 不公告发明人 | 眉山国芯科技有限公司 |
| 201611201950.6 | 电流传感器制作方法与电流传感器 | M·阿克曼 | 梅莱克塞斯技术股份有限公司 |
| 202011620060.5 | 一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺 | 吴银雪 | 美尔森银河新材料（烟台）有限公司 |
| 201880074591.3 | 用于经减薄的碳化硅器件中欧姆触点的方法和组件 | B·奥登科克 | 美高森美公司 |
| 201880036816.6 | 半导体塑封料传送系统及相关方法 | K·T·许 | 美光科技公司 |
| 201880047609.0 | 具有封装级可配置性的半导体装置 | J·E·戴维斯 | 美光科技公司 |
| 201910384326.1 | 用于制造半导体装置封装的方法、封装和并入有此类封装的系统 | 仲野英一 | 美光科技公司 |
| 201880058454.0 | 具有离散定位的钝化材料的半导体装置以及相关联系统及方法 | M·达斯 | 美光科技公司 |
| 201910387717.9 | 半导体裸片组合件、封装和系统以及操作方法 | 仲野英一 | 美光科技公司 |
| 201680019953.X | 使用自组装核酸形成纳米结构的方法及其纳米结构 | 斯科特·E·西里斯 | 美光科技公司 |
| 201880081564.9 | 半导体处理中的氢化硅烷化 | M·S·托鲁姆 | 美光科技公司 |
| 201780013788.1 | 具有与下部布线层的屏蔽线电耦合的上部布线层的屏蔽线的组合件 | 佐藤诚 | 美光科技公司 |
| 201810003717.X | 晶体管、存储器单元及半导体构造 | 尼马尔·拉马斯瓦米 | 美光科技公司 |
| 201710751871.0 | 存储器单元、形成存储器单元及制作集成电路的方法 | 斯科特西里斯 | 美光科技公司 |
| 201610102285.9 | 半导体封装体及其制作方法 | 施信益 | 美光科技公司 |
| 201680053250.9 | 用于凸块下金属结构的套环及相关联的系统及方法 | G·马里奥蒂尼 | 美光科技公司 |
| 201680070615.9 | 铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法 | A·A·恰范 | 美光科技公司 |
| 201910313620.3 | 可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法 | 王翡 | 美光科技公司 |
| 201880083727.7 | 形成阶梯结构的方法以及相关阶梯结构和半导体装置结构 | L·威廉森 | 美光科技公司 |
| 201810178573.1 | 集成结构、电容器及形成电容器的方法 | E泰萨里欧 | 美光科技公司 |
| 201680051785.2 | 用于材料移除的半导体装置处理方法 | T.L.奥尔森 | 美国德卡科技公司 |
| 201680061749.4 | 平面三重注入JFET及相应的制造方法 | 阿努普·巴拉 | 美国联合碳化硅公司 |
| 201680072355.9 | 二硅烷基胺和聚硅烷基胺的合成 | X·周 | 美国陶氏有机硅公司 |
| 201780024695.9 | 包含至少一种非线性有机聚硅氧烷的粘合剂分层 | G刘 | 美国陶氏有机硅公司 |
| 201680029172.9 | 蓝宝石上氮化镓单片集成功率变换器 | 布莱恩·休斯 | 美国休斯研究所 |
| 201680031229.9 | 具有陷阱富集区域的氮化镓设备 | S·德立瓦拉 | 美国亚德诺半导体公司 |
| 201410454354.3 | 垂直集成系统 | A·奥都奈尔 | 美国亚德诺半导体公司 |
| 201711016614.9 | 在集成电路中形成硅穿孔(TSV) | T努南 | 美国亚德诺半导体公司 |
| 201710701036.6 | 半导体结构的转移方法 | 陈立宜 | 美科米尚技术有限公司 |
| 201780055383.4 | 接地夹紧装置及包括其的基板支撑组件 | 郑哲镐 | 美科陶瓷科技有限公司 |
| 201380065909.9 | 提高纳米线和FINFET的ION/IOFF比率 | 崔文纲 | 美商新思科技有限公司 |
| 201710094116.X | N沟道和P沟道FINFET单元架构 | J·卡瓦 | 美商新思科技有限公司 |
| 201780059183.6 | 包括纳米层压涂层的制品 | T·普瓦里耶 | 蒙特利尔综合理工学院公司 |
| 201610886966.9 | 液位控制系统及方法 | 黄荣龙 | 盟立自动化股份有限公司 |
| 201580057738.4 | 用于无光刻的自对准反向主动蚀刻的方法 | 贾斯丁·希罗奇·萨托 | 密克罗奇普技术公司 |
| 202011387678.1 | 一种IGZO阵列基板的制备方法 | 冯金波 | 绵阳惠科光电科技有限公司 |
| 202011302452.7 | 一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法 | 冯金波 | 绵阳惠科光电科技有限公司 |
| 201910688495.4 | 一种用于光电转换的光源特征参数确定方法及系统 | 陈焕庭 | 闽南师范大学 |
| 201910938320.4 | 一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法 | 柯少颖 | 闽南师范大学 |
| 201680016831.5 | 高压半导体器件及其制造方法 | K·马托查 | 莫诺利斯半导体有限公司 |
| 201910913941.7 | 光转换器件、其制备方法及具有其的显示装置 | 余世荣 | 纳晶科技股份有限公司 |
| 201780080746.X | 表面处理二氧化硅填料及含有表面处理二氧化硅填料的树脂组合物 | 佐藤文子 | 纳美仕有限公司 |
| 201880006168.X | 液状环氧树脂密封材料及半导体装置 | 捧望 | 纳美仕有限公司 |
| 201880008844.7 | 使用胺-金属配合物和缓慢释放硫的前体合成发光2D层状材料 | 史蒂文·丹尼尔斯 | 纳米2D材料有限公司 |
| 201680068310.4 | 具有高活性质量负载量的超级电容器电极和电芯 | 扎姆阿茹娜 | 纳米技术仪器公司 |
| 201480025307.5 | 用于薄膜太阳能电池的铜-铟-镓-硫属化物纳米粒子前体 | 詹姆斯·哈里斯 | 纳米技术有限公司 |
| 201810116107.0 | 半导体装置及其制造方法 | 关根重信 | 纳普拉有限公司 |
| 201910213737.4 | 一种双面对准的视觉系统及对准方法 | 程海林 | 纳研科技（上海）有限公司 |
| 201680072577.0 | 用于单侧蚀刻半导体衬底的装置和方法 | S席林格 | 奈克斯沃夫有限公司 |
| 201910748676.1 | 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法 | 林呈谦 | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 201710958309.5 | 微型发光元件结构 | 林子旸 | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 201910869908.9 | 微型半导体芯片、微型半导体组件结构、以及转移装置 | 吴志凌 | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 201910748335.4 | 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 | 林呈谦 | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 201810746122.3 | 厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用 | 邓云生 | 南方科技大学 |
| 201811100272.3 | 微型芯片的批量转移装置以及转移方法 | 程鑫 | 南方科技大学 |
| 201910976128.4 | 利用MBE再生长的横向结构GaN基JFET器件及其制备方法 | 郭慧 | 南京大学 |
| 201910192421.1 | 一种硅基电荷俘获型存储器件及制备方法 | 杨友斌 | 南京大学 |
| 201810992194.6 | 一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 | 芦红 | 南京大学 |
| 201910981564.0 | 横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法 | 郭慧 | 南京大学 |
| 202010119441.9 | 一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法 | 余林蔚 | 南京大学 |
| 202010395256.2 | 提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构的器件及其制备方法 | 陈鹏 | 南京大学 |
| 201911292674.2 | 一种基于MOS管的忆容器及其制备方法 | 商尚炀 | 南京大学 |
| 201910885207.4 | 利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-L ED巨量转移的方法 | 余林蔚 | 南京大学 |
| 201811276121.3 | 一种具有超结结构的功率器件及其制作方法 | 不公告发明人 | 南京多基观测技术研究院有限公司 |
| 201910804921.6 | 同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法 | 蔡玮 | 南京工程学院 |
| 202110883669.X | 一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法 | 魏建宇 | 南京国盛电子有限公司 |
| 201810245132.9 | 一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法 | 尤晓杰 | 南京国盛电子有限公司 |
| 201910626778.6 | 一种芯片吸附装置 | 冯聪 | 南京汉峰电子科技有限公司 |
| 201710400016.5 | 软性电子装置的形成方法 | 陈谚宗 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 |
| 202010934872.0 | 一种电力逆变器模块及其制造方法 | 杨振洲 | 南京宏景智能电网科技有限公司 |
| 202010416064.5 | 提高半导体测试系统产能的方法及半导体测试系统 | 李全任 | 南京宏泰半导体科技有限公司 |
| 202011081499.5 | 一种解决晶圆测试中共衬底的情况下不能多site并测的方法 | 严六平 | 南京宏泰半导体科技有限公司 |
| 202111000952.X | 一种具有自偏置终端的平面MOSFET及其制备方法 | 李加洋 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 202010235409.7 | 集成启动管、采样管和电阻的高压超结DMOS结构及其制备方法 | 李加洋 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 201910911205.8 | 一种显示面板及其制造方法 | 易志根 | 南京京东方显示技术有限公司 |
| 201810674977.X | 一种基板及其制造方法 | 陈方 | 南京京东方显示技术有限公司 |
| 202010938519.X | 一种半导体器件制造方法 | 蒲甜松 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202011093598.5 | 电容的测量结构及测量方法 | 汪小小 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202011013439.X | 半导体结构的制作方法 | 陈笋弘 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202011093599.X | MOS晶体管及其制造方法 | 郑大燮 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202011019947.9 | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法 | 林子荏 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202011005773.0 | 一种半导体结构的制备方法 | 陈宏玮 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202010998512.7 | 刻蚀方法 | 程挚 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 202011019302.5 | 半导体结构的制造方法 | 祝进专 | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 201910348298.8 | 一种斜摆放光伏板水冲击甩动式复合清洁装置 | 魏伟健 | 南京厉宇光伏科技有限公司 |
| 201811025160.6 | 一种新能源电池生产用单晶硅棒多级酸洗设备 | 王华珍 | 南京六合高新建设发展有限公司 |
| 201810782322.4 | 一种功率器件及其制作方法 | 徐立根 | 南京六合科技创业投资发展有限公司 |
| 201911186539.X | 一种金属离子辅助非硝酸抛光方法 | 常洪进 | 南京纳鑫新材料有限公司 |
| 202010375617.7 | 氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法 | 曹玉洁 | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 201810762804.3 | 利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法 | 谢自力 | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 202010024823.3 | 一种理疗仪生产用晶圆清洗机 | 闫玉飞 | 南京浦口科创投资集团有限公司 |
| 202010653924.7 | 一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法 | 许海东 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 202110645399.9 | 一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法 | 许海东 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 202110972190.3 | 一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法 | 许海东 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 201810928300.4 | 一种晶体管及其制作方法 | 不公告发明人 | 南京棠邑科创服务有限公司 |
| 201810264768.8 | 半导体器件及其制造方法 | 王世军 | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 201910927320.4 | 封装组件及其制造方法、以及降压型变换器的封装组件 | 代克 | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 201711189305.1 | 一种齐纳二极管及其制造方法 | 殷登平 | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 201910932285.5 | 低EMI深沟槽隔离沟槽型功率半导体器件及其制备方法 | 白玉明 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 201810194280.2 | 具有降低的结温的功率模块及其制造方法 | 庄伟东 | 南京银茂微电子制造有限公司 |
| 201810165544.1 | 一种具有P柱区和N柱区阶梯掺杂的SJ-VDMOS器件及制造方法 | 成建兵 | 南京邮电大学 |
| 201910435579.7 | 基于双位定位原理的半导体晶片机械抛光加工装置 | 黄彬庆 | 南京驭逡通信科技有限公司 |
| 201811413696.5 | 一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法 | 戴家赟 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 201910399746.7 | 一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法 | 吴云 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 201911209192.6 | 一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法 | 王飞 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 201910083050.3 | 一种阵列基板及其制造方法 | 戴超 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 |
| 201911178192.4 | 一种微型发光二极管显示背板的制造方法 | 黄安 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 202010309479.2 | 一种显示背板及其制造方法、微型发光二极管显示器 | 张有为 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 201680003137.X | 一种单晶硅片表面织构化的方法 | 孙雪云 | 南京中云新材料有限公司 |
| 201811170358.3 | 一种对半导体表面过饱和掺杂且保持其晶格结构的制备方法 | 吴强 | 南开大学 |
| 201910059719.5 | 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法 | 王维华 | 南开大学 |
| 201810986439.4 | 半导体封装结构及其制造方法 | 涂清镇 | 南茂科技股份有限公司 |
| 201810677885.7 | 半导体封装结构及其制造方法 | 潘玉堂 | 南茂科技股份有限公司 |
| 201910175242.7 | 半导体线路结构及其制作方法 | 王升郁 | 南茂科技股份有限公司 |
| 201910298872.3 | 一种用于芯片分拣的机械设备 | 刘殿坤 | 南宁聚信众信息技术咨询有限公司 |
| 201811249196.2 | 2CL91型部件的ME处理工艺 | 严建萍 | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
| 201811249184.X | 一种大电流硅堆外观检测装置 | 倪绍荣 | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
| 202111058656.5 | 一种半导体封装引线焊接装置 | 陈磊 | 南通国为半导体科技有限公司 |
| 202111047908.4 | 半导体封装模具制造用高速加工中心 | 陈磊 | 南通国为半导体科技有限公司 |
| 202111032341.3 | 基于半导体封装用的自动排片机 | 徐素瑜 | 南通国为半导体科技有限公司 |
| 202111253219.9 | 一种半导体器件的自动化测试装置 | 杨海林 | 南通泓金贝电子科技有限公司 |
| 202111158609.8 | 一种半导体检测用插接机及其使用方法 | 郑剑华 | 南通华隆微电子股份有限公司 |
| 202111049981.5 | 一种半导体堆叠构件及其制备方法 | 宋小波 | 南通汇丰电子科技有限公司 |
| 202111050487.0 | 一种芯片堆叠体及其制备方法 | 宋小波 | 南通汇丰电子科技有限公司 |
| 202111041020.X | 一种半导体装置及其制备方法 | 宋小波 | 南通汇丰电子科技有限公司 |
| 202111029055.1 | 一种半导体堆叠封装结构及其制备方法 | 宋小波 | 南通汇丰电子科技有限公司 |
| 202111029065.5 | 一种键合封装体及其制备方法 | 宋小波 | 南通汇丰电子科技有限公司 |
| 201911392358.2 | 一种高性能电容引线框架 | 谭维升 | 南通南平电子科技有限公司 |
| 202111242161.8 | 一种散热型堆叠封装体及其制作方法 | 王玲 | 南通市铭腾精密电子有限公司 |
| 202010739178.3 | 一种芯片封装方法 | 戴颖 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681475.4 | 封装结构的形成方法 | 陶玉娟 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681481.X | 封装结构的形成方法 | 陶玉娟 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681477.3 | 封装结构 | 陶玉娟 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681487.7 | 封装结构 | 石磊 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681773.3 | 封装结构 | 陶玉娟 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681482.4 | 封装结构 | 石磊 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681772.9 | 封装结构的形成方法 | 陶玉娟 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681489.6 | 封装结构的形成方法 | 陶玉娟 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681794.5 | 封装结构的形成方法 | 石磊 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681730.5 | 封装结构 | 石磊 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681742.8 | 封装结构的形成方法 | 石磊 | 南通通富微电子有限公司 |
| 201910681799.8 | 封装结构的形成方法 | 石磊 | 南通通富微电子有限公司 |
| 202111181434.2 | 一种半导体晶圆片腐蚀装置 | 蔡守波 | 南通西瑞电子科技有限公司 |
| 202111161480.6 | 一种传递式芯片封装装置 | 吴斌 | 南通鑫晶电子科技有限公司 |
| 202111047933.2 | 半导体封装全自动去胶机上料系统 | 秦小军 | 南通迅腾精密设备有限公司 |
| 202111176047.X | 一种半导体封装模具 | 秦小军 | 南通迅腾精密设备有限公司 |
| 202111124005.1 | 一种晶圆表面清洁装置 | 许海渐 | 南通优睿半导体有限公司 |
| 202111258752.4 | 一种基于半导体产品制造用的料盒转换装置 | 许海渐 | 南通优睿半导体有限公司 |
| 201810737809.0 | 封装结构及其形成方法 | 庄俊逸 | 南亚电路板股份有限公司 |
| 201910172960.9 | 半导体装置及其制造方法 | 丘世仰 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201910721439.6 | 半导体装置及其制造方法 | 黄崇勋 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201810435864.4 | 制造半导体装置的方法 | 施信益 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201810023813.0 | 存储器单元 | 黄竞加 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201711099018.1 | 半导体图案及其制备方法 | 施江林 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201810014025.5 | 半导体结构及其制造方法 | 施信益 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201811392233.5 | 电子元件及其电测试方法 | 张智盈 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201910124010.9 | 半导体结构及其制备方法 | 丘世仰 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201610886753.6 | 半导体装置及其制造方法 | 林柏均 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201811602473.3 | 半导体装置及其制作方法 | 张庆弘 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201711459215.X | 半导体元件的密孔图案形成方法 | 施信益 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201810120144.9 | 图案化目标层的制备方法 | 施信益 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201811326518.9 | 半导体装置的制造方法 | 施信益 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201910349745.1 | 半导体结构及其制造方法 | 林智清 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201910375561.2 | 半导体元件及其制造方法 | 苏国辉 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201910262604.6 | 半导体结构及其制造方法 | 吴珮甄 | 南亚科技股份有限公司 |
| 201910204020.3 | 一种单晶圆棒少子寿命测试方法 | 张红霞 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 201910942021.8 | 一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法 | 王冬雪 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 201680061334.7 | 研磨用组合物 | 杉田规章 | 霓达杜邦股份有限公司 |
| 201680061350.6 | 研磨用组合物 | 杉田规章 | 霓达杜邦股份有限公司 |
| 201780077276.1 | 研磨用组合物 | 江泽俊二 | 霓达杜邦股份有限公司 |
| 201780074856.5 | 研磨用组合物和研磨方法 | 杉田规章 | 霓达杜邦股份有限公司 |
| 201710804561.0 | 温敏性粘合片以及使用其的晶片的制造方法 | 山下幸志 | 霓达株式会社 |
| 201911186383.5 | 一种NOX传感器芯片的封装工艺 | 尹亮亮 | 宁波安创电子科技有限公司 |
| 201710388108.6 | 一种深紫外L ED芯片的制造方法 | 吴永军 | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 202011207508.0 | 一种硅片插片机用的供片机构 | 付丞 | 宁波丞达精机股份有限公司 |
| 202011204106.5 | 一种晶圆加工装置及加工方法 | 付丞 | 宁波丞达精机股份有限公司 |
| 202011089673.0 | 一种半导体封装装置用的供料机构 | 付丞 | 宁波丞达精机股份有限公司 |
| 201910977268.3 | 一种纳米晶氧化硅薄膜及其制备的类光刻胶氧化硅材料 | 陈王华 | 宁波大学 |
| 202111273639.3 | 一种引线框架材料内应力调整及校平设备 | 王李发 | 宁波德洲精密电子有限公司 |
| 201910404112.6 | 一种引线框架及其制造方法 | 徐红波 | 宁波港波电子有限公司 |
| 201810491384.X | 一种二极管生产工艺 | 李慧 | 宁波慧亮光电有限公司 |
| 201710669842.X | 准直器检具及其使用方法 | 姚力军 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 202011329108.7 | 一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法 | 黎超丰 | 宁波康强电子股份有限公司 |
| 201910869768.5 | 一种交错式斜孔结构光栅板的制作方法及光栅板 | 岳力挽 | 宁波南大光电材料有限公司 |
| 202110200928.4 | 芯片转移机械手 | 宋友奎 | 宁波群芯微电子有限责任公司 |
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| 201811284776.5 | 一种湿法氧化装置及其应用方法 | 王冲 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
| 202110561983.6 | 一种晶圆对中装置 | 汪钢 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
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| 201910802340.9 | 导热垫及其制备方法 | 周明 | 宁波杉越新材料有限公司 |
| 201910178181.X | 一种电极及其制作方法 | 刘湘祁 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 |
| 201811457051.1 | 一种光有源器件半导体衬底的抛光工艺 | 沈伟明 | 宁波市永硕精密机械有限公司 |
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| 201811491805.5 | 钨特征填充 | 阿南德·查德拉什卡 | 诺发系统公司 |
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| 201911424796.2 | 具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备 | 张兰月 | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
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| 201580015724.6 | 通过X射线反射散射测量来测量样本的方法和系统 | 希瑟·A·波伊斯 | 诺威量测设备公司 |
| 201711360510.X | 管理装置及其控制方法及记录媒体 | 杉原史郎 | 欧姆龙株式会社 |
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| 201710507447.1 | 晶片保持器和温度调节装置和制造晶片的方法 | J.基伊维恩 | 欧瑞康先进科技股份公司 |
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| 202110494126.9 | 利用多普勒效应的接触式振动光子传感器及其制造方法 | 刘晓海 | 欧梯恩智能科技（苏州）有限公司 |
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| 201910292079.2 | 一种抛光液及其制备方法和碳化硅晶体的加工方法 | 苑亚斐 | 盘锦国瑞升科技有限公司 |
| 201910701068.5 | 晶圆封装地图纠错系统解决方案 | 刘传喜 | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
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| 201680017264.5 | 晶圆储存容器 | 禹范济 | 披考安泰拉有限公司 |
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| 201811320266.9 | 距离测量装置 | C·迪茨 | 普雷茨特光电有限公司 |
| 201810263288.X | 成型装置与方法 | 张瑞堂 | 奇景光电股份有限公司 |
| 201810840403.5 | 贴合结构与贴合方法 | 张瑞堂 | 奇景光电股份有限公司 |
| 201810122367.9 | 刮膜装置及刮膜方法 | 卢芳万 | 奇景光电股份有限公司 |
| 201810840287.7 | 封胶设备及封胶方法 | 张瑞堂 | 奇景光电股份有限公司 |
| 201711446365.7 | 芯片以及使用其的电子装置 | 廖焕森 | 奇景光电股份有限公司 |
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| 201911038471.0 | COF封装方法 | 奚耀鑫 | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 201910811918.7 | 芯片重布线结构及其制备方法 | 许冠猛 | 颀中科技（苏州）有限公司 |
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| 201811240361.8 | 封装基板及其制作方法 | 黄士辅 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 |
| 201710908400.6 | 真空吸取装置 | 吴炳升 | 启端光电股份有限公司 |
| 201710357379.5 | 电子装置与其制造方法 | 杨武璋 | 启耀光电股份有限公司 |
| 201880070809.8 | 钎焊接头和钎焊接头的形成方法 | 上岛稔 | 千住金属工业株式会社 |
| 201880075878.8 | Cu球、经OSP处理的Cu球、Cu芯球、钎焊接头、焊膏、成形焊料和Cu球的制造方法 | 川崎浩由 | 千住金属工业株式会社 |
| 201610251687.5 | 一种封装结构及其制造方法 | 吕保儒 | 乾坤科技股份有限公司 |
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| 201910402162.0 | 一种轴式二极管的制成方法 | 方敏清 | 强茂电子（无锡）有限公司 |
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| 201911338861.X | 晶圆研磨方法 | 陈兴伟 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 201911203620.4 | 高密度管脚QFN的封装结构与方法 | 尹保冠 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 201911287020.0 | 芯片模组及其制作方法和电子设备 | 王德信 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
| 201911329016.6 | 一种芯片堆叠封装散热结构及制作方法 | 崔雪微 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
| 201911152290.0 | 光学模组的封装结构及其封装方法 | 王伟 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
| 201911320100.1 | 电子封装结构及其制作方法 | 王德信 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
| 201910563886.3 | 芯片绷紧手动捡取的装置 | 彭建学 | 青岛航天半导体研究所有限公司 |
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| 201610943892.8 | 一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法 | 徐哲 | 全球能源互联网研究院 |
| 201611238003.4 | 一种栅氧化层的制备方法及MOS功率器件 | 夏经华 | 全球能源互联网研究院 |
| 201611238005.3 | 高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件 | 夏经华 | 全球能源互联网研究院 |
| 201710329921.6 | 一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法 | 崔磊 | 全球能源互联网研究院 |
| 201611238004.9 | 一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件 | 夏经华 | 全球能源互联网研究院 |
| 201710606477.8 | IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 | 王耀华 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201910502083.7 | 功率模块及其制造方法 | 杜玉杰 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201910540297.3 | 一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法 | 夏经华 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201910467686.8 | 功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构 | 武伟 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201910931349.X | 功率型半导体器件封装结构的制备工艺 | 邱宇峰 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201911076548.3 | 一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法 | 田亮 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201811136919.8 | 一种功率芯片的划片方法及半导体器件 | 武伟 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201910467609.2 | 功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构 | 武伟 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201910467610.5 | 功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构 | 武伟 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 202010366300.7 | 一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构 | 王亮 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 202010340570.0 | 一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法 | 周扬 | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 201811610031.3 | 一种化合物半导体的金属连线结构及其制作方法 | 魏鸿基 | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 201811609922.7 | 电荷平衡结构、具有电荷平衡结构的功率器件及制作方法 | 林育赐 | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 201710414084.7 | 显示装置及其形成方法 | 朱伟正 | 群创光电股份有限公司 |
| 201710779909.5 | 封装结构及其制作方法 | 周学轩 | 群创光电股份有限公司 |
| 201710225564.9 | 显示装置及其制造方法 | 李冠锋 | 群创光电股份有限公司 |
| 201810178352.4 | 半导体装置的制造方法 | 郑凯 | 群创光电股份有限公司 |
| 201710159698.5 | 显示装置及其制造方法 | 李冠锋 | 群创光电股份有限公司 |
| 201711032522.X | 显示装置及其形成方法 | 吴湲琳 | 群创光电股份有限公司 |
| 201710888168.4 | 显示设备 | 林俊贤 | 群创光电股份有限公司 |
| 201710749904.8 | 高频装置及其制造方法 | 翁銘彦 | 群创光电股份有限公司 |
| 201710565857.1 | 配线基板接合体 | 竹林央史 | 日本碍子株式会社 |
| 201610968551.6 | 半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器 | 永井明日美 | 日本碍子株式会社 |
| 201680052907.X | 基底基板、基底基板的制造方法和第13族氮化物结晶的制造方法 | 平尾崇行 | 日本碍子株式会社 |
| 201780000677.7 | 晶种基板的制造方法、13族元素氮化物结晶的制造方法及晶种基板 | 坂井正宏 | 日本碍子株式会社 |
| 201680059657.2 | 半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的制造方法 | 市村干也 | 日本碍子株式会社 |
| 201980026669.9 | 压电性材料基板与支撑基板的接合体 | 堀裕二 | 日本碍子株式会社 |
| 201710193551.8 | 晶片载置装置 | 天野真悟 | 日本碍子株式会社 |
| 201880007890.5 | 面板搬运机器人及面板搬运系统 | 久保田昌辉 | 日本电产三协株式会社 |
| 201780067448.7 | 玻璃板制造装置及玻璃板制造方法 | 玉村周作 | 日本电气硝子株式会社 |
| 201780070959.4 | 玻璃基板的制造装置及制造方法 | 山本好晴 | 日本电气硝子株式会社 |
| 201680004324.X | 玻璃基板及使用其的层叠体 | 片山裕贵 | 日本电气硝子株式会社 |
| 201680045540.9 | 电路基板制造加工液用精密滤膜 | 小椋友佳 | 日本戈尔合同会社 |
| 201810417475.9 | 半导体模块 | 须永崇 | 日本精工株式会社 |
| 201880024849.9 | 电连接装置 | 伊藤达哉 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 201780027906.4 | 多层布线基板和使用该多层布线基板的探针卡 | 小田部昇 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 201710475946.7 | 探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法 | 齐藤祐贵 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 201780046510.4 | 电连接装置 | 上林雅朝 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 201780004501.9 | 形成抗蚀剂图案的方法 | 星野学 | 日本瑞翁株式会社 |
| 201710898475.0 | 加热装置 | 仓野淳 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201610404527.X | 层叠发热体 | 土佐晃文 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201810354235.9 | 陶瓷构件 | 梅木俊哉 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201710384857.1 | 基板保持装置及其制造方法 | 岩渕淳寿 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201710901246.X | 加热装置 | 仓野淳 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201710379326.3 | 基板保持装置 | 石野智浩 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201780044335.5 | 半导体制造装置用部件 | 三矢耕平 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201780002572.5 | 真空吸附构件及真空吸附方法 | 石野智浩 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201810270182.2 | 陶瓷布线基板及其制造方法 | 山本宏明 | 日本特殊陶业株式会社 |
| 201880002209.8 | 环状部件的制造方法及环状部件 | 碇敦 | 日本新工芯技株式会社 |
| 201680071239.5 | 成膜用材料 | 佐藤龙一 | 日本钇股份有限公司 |
| 201680049334.5 | 含有硅的平坦化性图案反转用被覆剂 | 志垣修平 | 日产化学工业株式会社 |
| 201580065977.4 | 包含具有含卤素的羧酸酰胺基的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物 | 柴山亘 | 日产化学工业株式会社 |
| 201711347297.9 | 含有添加剂的含硅极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物 | 志垣修平 | 日产化学工业株式会社 |
| 201580065289.8 | 正型感光性树脂组合物 | 竹田佳代 | 日产化学工业株式会社 |
| 201580056230.2 | 能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | 若山浩之 | 日产化学工业株式会社 |
| 201680043827.8 | 喷墨涂布用膜形成用组合物 | 西村直也 | 日产化学工业株式会社 |
| 201680034828.6 | 包含具有长链烷基的环氧基加成体的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | 远藤贵文 | 日产化学工业株式会社 |
| 201780048171.3 | 压印材料 | 小林淳平 | 日产化学株式会社 |
| 201880007439.3 | 用于形成微细相分离图案的自组装化膜形成用组合物 | 水落龙太 | 日产化学株式会社 |
| 201680088106.9 | 半导体电容器 | 早见泰明 | 日产自动车株式会社 |
| 201711277104.7 | 粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置 | 宍户雄一郎 | 日东电工株式会社 |
| 201780058040.3 | 加热接合用片及带有切割带的加热接合用片 | 菅生悠树 | 日东电工株式会社 |
| 201510750350.4 | 电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法 | 丰田英志 | 日东电工株式会社 |
| 201610350092.5 | 中空型电子器件密封用片、封装体及其制造方法 | 砂原肇 | 日东电工株式会社 |
| 201680058289.X | 加热接合用片材及带有切割带的加热接合用片材 | 菅生悠树 | 日东电工株式会社 |
| 201680058398.1 | 加热接合用片材及带有切割带的加热接合用片材 | 菅生悠树 | 日东电工株式会社 |
| 201610363443.6 | 粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 | 木村雄大 | 日东电工株式会社 |
| 201611063420.X | 粘接片、切割带一体型粘接片及半导体装置的制造方法 | 木村雄大 | 日东电工株式会社 |
| 201680057844.7 | 加热接合用片以及带有切割带的加热接合用片 | 菅生悠树 | 日东电工株式会社 |
| 201610959486.0 | 层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法 | 木村龙一 | 日东电工株式会社 |
| 201610382308.6 | 半导体背面用薄膜及其用途 | 高本尚英 | 日东电工株式会社 |
| 201480043139.2 | 密封用片、以及使用了该密封用片的半导体装置的制造方法 | 饭野智绘 | 日东电工株式会社 |
| 201680058257.X | 加热接合用片材及带有切割带的加热接合用片材 | 菅生悠树 | 日东电工株式会社 |
| 201610974096.0 | 中空型电子器件密封用片、以及中空型电子器件封装体的制造方法 | 砂原肇 | 日东电工株式会社 |
| 201710562864.6 | 粘合片 | 平山高正 | 日东电工株式会社 |
| 201580067732.5 | 切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法 | 宍户雄一郎 | 日东电工株式会社 |
| 201710392803.X | 芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 | 福井章洋 | 日东电工株式会社 |
| 201710562226.4 | 粘合片 | 平山高正 | 日东电工株式会社 |
| 201710916050.8 | 切割带一体型粘接片 | 福井章洋 | 日东电工株式会社 |
| 201510836522.X | 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法 | 菅生悠树 | 日东电工株式会社 |
| 201680058243.8 | 片和复合片 | 镰仓菜穗 | 日东电工株式会社 |
| 201611027275.X | 电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法 | 土生刚志 | 日东电工株式会社 |
| 201510812627.1 | 粘接片、带切割片的粘接片、层叠片以及半导体装置的制造方法 | 大西谦司 | 日东电工株式会社 |
| 201780083133.1 | 研磨组合物 | 小松通郎 | 日挥触媒化成株式会社 |
| 201680023860.4 | 发光元件的制造方法 | 浅野英樹 | 日机装株式会社 |
| 201780073063.1 | 半导体发光元件的制造方法 | 酒井遥人 | 日机装株式会社 |
| 201810725388.X | 半导体装置的制造方法 | 内山博幸 | 日立金属株式会社 |
| 201780035730.7 | 短沟道沟槽功率MOSFET | R.米娜米萨瓦 | 日立能源瑞士股份公司 |
| 201680045783.2 | 半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置 | 池谷克己 | 日立汽车系统株式会社 |
| 201680025210.3 | 车载控制装置、车载集成电路 | 小林洋一郎 | 日立汽车系统株式会社 |
| 201780073976.3 | 负载驱动装置 | 川田隆弘 | 日立汽车系统株式会社 |
| 201610796862.9 | 带功能层的聚酰亚胺基板膜与其制造方法及长聚酰亚胺层叠体 | 林信行 | 日铁化学材料株式会社 |
| 201880051715.6 | 半导体装置用Cu合金接合线 | 小山田哲哉 | 日铁化学材料株式会社 |
| 201880051714.1 | 半导体装置用Cu合金接合线 | 小山田哲哉 | 日铁化学材料株式会社 |
| 201980020738.5 | 半导体装置用Cu合金接合线 | 小山田哲哉 | 日铁化学材料株式会社 |
| 201780037612.X | 半导体装置用铜合金接合线 | 小田大造 | 日铁新材料股份有限公司 |
| 201680027572.6 | 半导体装置用接合线 | 山田隆 | 日铁新材料股份有限公司 |
| 201880036037.6 | 溅射装置 | 岸田茂明 | 日新电机株式会社 |
| 201810132635.5 | 半导体封装装置和其制造方法 | 金锡奉 | 日月光半导体(韩国)有限公司 |
| 201711035190.0 | 导通孔结构、包含所述导通孔结构的衬底结构以及用于制造所述导通孔结构的方法 | 吕文隆 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810182944.3 | 半导体封装装置及其制造方法 | 方仁广 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201711326822.9 | 半导体装置及其制造方法 | 黄文宏 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710356824.6 | 半导体装置封装及其制造方法 | 洪文祺 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810057603.3 | 半导体封装装置及其制造方法 | 钟佳良 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710174532.0 | 半导体器件封装 | 陈建桦 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201910779348.8 | 半导体装置封装及其制造方法 | 陈天赐 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810116527.9 | 半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法 | 蔡丽娟 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710575904.0 | 半导体封装装置及其制造方法 | 博恩·卡尔·艾皮特 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810163728.4 | 衬底结构及半导体封装元件的制造方法 | 廖顺兴 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201910004316.0 | 半导体封装件 | 颜瀚琦 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710622268.2 | 半导体封装结构及制造其之方法 | 王维仁 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810153592.9 | 衬底结构、包含衬底结构的半导体封装结构，以及制造半导体封装结构的半导体工艺 | 吕文隆 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201910138681.0 | 半导体封装件及其制造方法 | 皮敦庆 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710659634.1 | 元件剥离装置及元件剥离方法 | 陈冠萦 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710223921.8 | 半导体封装结构及制造其之方法 | 何信颖 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810336584.8 | 用于封装半导体装置封装的衬底及其制造方法 | 李志成 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710028754.1 | 硅穿孔结构的电源和接地设计 | 洪志斌 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201711016136.1 | 元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法 | 林弈嘉 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810113354.5 | 半导体封装装置及其制造方法 | 叶昶麟 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201610720734.6 | 检测装置及方法 | 陈轩旋 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810007268.6 | 半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法 | 叶昶麟 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710761169.2 | 半导体封装结构及其制造方法 | 方绪南 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201811579751.8 | 元件嵌入式封装结构和其制造方法 | 李志成 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810149175.7 | 衬底结构、半导体封装结构及其制造方法 | 李育颖 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810123078.0 | 半导体封装装置及其制造方法 | 陈毅 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710084874.3 | 半导体装置和其制造方法 | 吴俊杰 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201910413151.2 | 半导体封装和制造工艺 | 博恩·卡尔·艾皮特 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710378093.5 | 半导体封装和半导体工艺 | 博恩·卡尔·艾皮特 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201711057372.8 | 包含嵌入式组件的半导体衬底和制造所述半导体衬底的方法 | 蔡丽娟 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810341673.1 | 半导体装置封装和其制造方法 | 李志成 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710628449.6 | 半导体衬底及半导体封装装置，以及用于形成半导体衬底的方法 | 蔡丽娟 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201611189680.1 | 衬底结构、封装方法和半导体封装结构 | 杨昌易 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201711180440.X | 半导体封装结构 | 黄仕铭 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710531531.7 | 半导体装置封装及其制造方法 | 陈天赐 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201711104398.3 | 用于翘曲改进的隔室屏蔽 | 陈仁君 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810183068.6 | 半导体封装件及其制造方法 | 蔡崇宣 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810952232.5 | 半导体封装件及其制造方法 | 翁承谊 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201710099109.9 | 半导体封装结构 | 黃文宏 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201810627886.0 | 扇出晶片级封装结构 | 蔡崇宣 | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 201910798982.6 | 一种晶体二极管的生产设备和生产方法 | 楼显华 | 日照鲁光电子科技有限公司 |
| 202110278395.1 | 晶粒、模组、晶圆以及晶粒的制造方法 | 黄清华 | 荣耀终端有限公司 |
| 201910183533.0 | 一种方块式桥堆及其制备工艺 | 王志敏 | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 202011555663.1 | 碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法 | 崔京京 | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 201610647089.X | 半导体装置的制造方法 | 山口直 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710016857.6 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 | 槙山秀树 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710185901.6 | 半导体装置及其制造方法 | 篠原正昭 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710267226.1 | 半导体器件的制造方法以及半导体器件 | 团野忠敏 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201580077422.1 | 半导体器件 | 薮内诚 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610644571.8 | 半导体器件及其制造方法 | 槙山秀树 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610559720.0 | 半导体器件的制造方法 | 筱原正昭 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610091368.2 | 半导体器件及其制造方法 | 天羽生淳 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710086452.X | 用于制造半导体器件的方法 | 筱原正昭 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610124771.0 | 制造半导体器件的方法 | 坂田贤治 | 瑞萨电子株式会社 |
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| 201710948162.1 | IE型沟槽栅极IGBT | 松浦仁 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610154530.0 | 半导体装置及其制造方法 | 长田尚 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201580077834.5 | 半导体器件的制造方法 | 谷口敬 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201510524932.0 | 半导体器件 | 川口宏 | 瑞萨电子株式会社 |
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| 201610196008.9 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | 中山达峰 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610548915.5 | 半导体器件 | 露木肇 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610443307.8 | 半导体装置及其制造方法 | 长田尚 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201711319780.6 | 制造半导体器件的方法 | 广永兼也 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610011394.X | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | 平井友洋 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610585246.9 | 半导体器件及其制作方法 | 松浦仁 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610647368.6 | 半导体装置 | 岩谷昭彦 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610391363.1 | 半导体器件及其制造方法 | 中柴康隆 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201410241729.8 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 | 井上隆 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201711260262.1 | 半导体装置 | 杉山道昭 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610034162.6 | 半导体器件及其制造方法 | 宇佐美达矢 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201810558919.0 | 窄的有源单元IE型沟槽栅极IGBT及其制造方法 | 松浦仁 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201611080652.6 | 半导体装置及其制造方法 | 中西翔 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610131660.2 | 用于制造半导体器件的方法 | 三原龙善 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710049202.9 | 半导体器件及其制造方法 | 长濑仙一郎 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610911950.9 | 半导体器件及其制造方法 | 松浦仁 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201580044044.7 | 半导体器件及半导体器件的制造方法 | 加藤芳健 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201580073894.X | 半导体器件及其制造方法 | 长谷川和功 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201810179971.5 | 掩模及其制造方法、半导体装置 | 百浓宽之 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610169772.7 | 半导体器件及其制造方法 | 天羽生淳 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710887882.1 | 半导体器件 | 井口总一郎 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201810065539.3 | 半导体器件及其制造方法 | 金田芳晴 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201611241079.2 | 半导体装置及其制造方法 | 岛贯好彦 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610146221.9 | 半导体器件及其制造方法 | 岩崎敏文 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710060910.2 | 半导体器件及其制造方法 | 中西翔 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201510909918.2 | 半导体器件及制造半导体器件的方法 | 三宅慎一 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610312858.0 | 半导体器件的制造方法 | 萩原琢也 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201711266580.9 | 制造半导体器件的方法 | 酒井宣隆 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201710077940.4 | 半导体器件及其制造方法 | 工藤弘仪 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610082172.7 | 半导体器件制造方法及半导体器件 | 大谷欣也 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201610170129.6 | 制造半导体器件的方法 | 吉原贵光 | 瑞萨电子株式会社 |
| 201810283067.9 | 高度隔离的集成电感器及其制作方法 | 梁宝文 | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 201910343570.3 | 高品质因数的集成电路电感装置及其制造方法 | 林嘉亮 | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 201410148197.3 | 用于无图案硅片测量的定位方法 | 周坚 | 睿励科学仪器（上海）有限公司 |
| 201810433790.0 | 一种半导体电子器件封装外观除胶设备及除胶方法 | 缪建强 | 睿昇电子科技（深圳）有限公司 |
| 202010030560.7 | 一种太阳能电池焊接机 | 张俊 | 润达光伏盐城有限公司 |
| 201910155082.X | 一种硅片CMP后的清洗工艺 | 余涛 | 若名芯半导体科技（苏州）有限公司 |
| 201910155331.5 | 一种硅片CMP后加工设备及加工工艺 | 余涛 | 若名芯半导体科技（苏州）有限公司 |
| 201780020285.7 | 氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法 | 成田好伸 | 赛奥科思有限公司 |
| 201780015540.9 | 氮化物晶体基板 | 吉田丈洋 | 赛奥科思有限公司 |
| 201780066475.2 | 半绝缘性晶体、n型半导体晶体以及p型半导体晶体 | 藤仓序章 | 赛奥科思有限公司 |
| 201780020295.0 | 氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法 | 成田好伸 | 赛奥科思有限公司 |
| 201710743966.8 | 氮化物晶体衬底的制造方法及氮化物晶体层叠体 | 吉田丈洋 | 赛奥科思有限公司 |
| 201780037496.1 | 氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法 | 藤仓序章 | 赛奥科思有限公司 |
| 201680059888.3 | 无中介层的叠式裸片互连 | R·沙威尔 | 赛灵思公司 |
| 201610423688.3 | 半导体元件及半导体元件的制造方法 | 奥尔加·克雷姆帕斯卡 | 赛米控电子股份有限公司 |
| 201611051383.0 | 用于功率电子部件的连接配对件的材料结合连接的装置 | 英戈·博根 | 赛米控电子股份有限公司 |
| 201680036275.8 | 半导体部件制造用膜 | 林下英司 | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 201680065928.5 | 工艺用脱模膜、其用途、以及使用其的树脂密封半导体的制造方法 | 清水胜 | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 201680038179.7 | 半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法 | 镰田润 | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 201780030268.1 | 含金属膜形成用组合物、含金属膜形成用组合物的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 茅场靖刚 | 三井化学株式会社 |
| 201580046947.9 | 防护膜组件、其制造方法及曝光方法 | 高村一夫 | 三井化学株式会社 |
| 201780069668.3 | 研磨液以及研磨方法 | 松尾贤 | 三井金属矿业株式会社 |
| 201680054775.4 | 粘结接合结构 | 上郡山洋一 | 三井金属矿业株式会社 |
| 201710077961.6 | 激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法 | 中野重则 | 三井-陶氏聚合化学株式会社 |
| 201710437128.8 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | 鹿内洋志 | 三垦电气株式会社 |
| 201810001824.9 | 半导体装置 | 川尻智司 | 三垦电气株式会社 |
| 201680058423.6 | 半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 | 鹿内洋志 | 三垦电气株式会社 |
| 201810635534.X | 半导体装置及其制造方法 | 铃木健司 | 三菱电机株式会社 |
| 201810299527.7 | 电力用半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 | 近藤聪 | 三菱电机株式会社 |
| 201711326833.7 | III-V族氮化物半导体外延片的制造方法 | 惠良淳史 | 三菱电机株式会社 |
| 201780082067.6 | 衬底处理装置和衬底的制造方法 | 横川政弘 | 三菱电机株式会社 |
| 201780028691.8 | 电力用半导体装置及其制造方法 | 冈部博明 | 三菱电机株式会社 |
| 201680084542.9 | 半导体装置及其制造方法 | 吉田基 | 三菱电机株式会社 |
| 201780076986.2 | 激光加工装置、激光加工方法及半导体装置的制造方法 | 福永圭吾 | 三菱电机株式会社 |
| 201680051471.2 | 碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 | 中村勇 | 三菱电机株式会社 |
| 201711227739.6 | 半导体制造装置 | 山口成德 | 三菱电机株式会社 |
| 201680055591.X | 半导体装置和其制造方法 | 山本圭 | 三菱电机株式会社 |
| 201710976758.2 | 芯片焊盘、半导体装置及半导体装置的制造方法 | 作谷和彦 | 三菱电机株式会社 |
| 201580085524.8 | 半导体装置、半导体装置的制造方法 | 中村胜光 | 三菱电机株式会社 |
| 201680067437.4 | 电力用半导体装置 | 浅地伸洋 | 三菱电机株式会社 |
| 201580081427.1 | 半导体装置 | 末川英介 | 三菱电机株式会社 |
| 201710025398.8 | 半导体装置及其制造方法 | 安藤直人 | 三菱电机株式会社 |
| 201680091075.2 | 碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 | 滨野健一 | 三菱电机株式会社 |
| 201680081876.0 | 质量管理装置、质量管理方法及记录介质 | 上田宜史 | 三菱电机株式会社 |
| 201580083670.7 | 半导体装置的制造方法 | 上田哲也 | 三菱电机株式会社 |
| 201580080945.1 | 半导体装置的制造方法 | 川濑祐介 | 三菱电机株式会社 |
| 201780017010.8 | 半导体装置及其制造方法、电力变换装置 | 须贺原和之 | 三菱电机株式会社 |
| 201710385329.8 | 半导体装置及其制造方法 | 坂本健 | 三菱电机株式会社 |
| 201711460237.8 | 半导体装置及其制造方法 | 森琢郎 | 三菱电机株式会社 |
| 201580081702.X | 半导体装置的制造方法 | 加地考男 | 三菱电机株式会社 |
| 201680082881.3 | 电力用半导体装置及电力用半导体核心模块 | 玉田美子 | 三菱电机株式会社 |
| 201580085210.8 | 半导体装置及其制造方法 | 浜口卓也 | 三菱电机株式会社 |
| 201680039593.X | 半导体元件的制造方法 | 吉川兼司 | 三菱电机株式会社 |
| 201680081114.0 | 电力用半导体装置及其制造方法 | 川岛裕史 | 三菱电机株式会社 |
| 201680080810.X | 碳化硅半导体装置及其制造方法 | 渡边友胜 | 三菱电机株式会社 |
| 201880026226.5 | 接合结构体及其制造方法以及电动机及其制造方法 | 山崎浩次 | 三菱电机株式会社 |
| 201780017450.3 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 林田哲郎 | 三菱电机株式会社 |
| 201780011281.2 | 半导体模块以及半导体模块的制造方法 | 伊藤悠策 | 三菱电机株式会社 |
| 201810461415.7 | 半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置 | 田中贯 | 三菱电机株式会社 |
| 201780041744.X | 半导体装置及其制造方法 | 滨田宪治 | 三菱电机株式会社 |
| 201680090264.8 | 化合物半导体器件的制造方法 | 佐佐木肇 | 三菱电机株式会社 |
| 201810642931.X | 半导体装置 | 江口佳佑 | 三菱电机株式会社 |
| 201880025305.4 | 半导体器件的制造方法 | 吉川兼司 | 三菱电机株式会社 |
| 201711450676.0 | 半导体装置、电力转换装置及半导体装置的制造方法 | 中村胜光 | 三菱电机株式会社 |
| 201910435905.4 | 半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法 | 中村祥太郎 | 三菱电机株式会社 |
| 201780048633.1 | 半导体装置 | 古桥壮之 | 三菱电机株式会社 |
| 201880010334.3 | 半导体元件及其制造方法 | 砂本昌利 | 三菱电机株式会社 |
| 201810879693.4 | 半导体装置及电力变换装置 | 陈则 | 三菱电机株式会社 |
| 201780028697.5 | 半导体装置及其制造方法 | 根岸哲 | 三菱电机株式会社 |
| 201810053651.5 | 液晶显示装置及T FT阵列基板的制造方法 | 外德仁 | 三菱电机株式会社 |
| 201810156731.3 | 半导体装置、半导体装置的制造方法 | 大宅大介 | 三菱电机株式会社 |
| 201780016941.6 | GaN结晶的制造方法 | 矶宪司 | 三菱化学株式会社 |
| 201780048923.6 | 导电性C面GaN基板 | 三川丰 | 三菱化学株式会社 |
| 201780048862.3 | GaN结晶生长方法和C面GaN基板 | 三川丰 | 三菱化学株式会社 |
| 201580055599.1 | 抑制了包含钨的材料的损伤的半导体元件的清洗液、及使用其的半导体元件的清洗方法 | 尾家俊行 | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 201680021359.4 | 用于使晶圆再生的含有含碳硅氧化物的材料的清洗液及清洗方法 | 尾家俊行 | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 201680018256.2 | 化合物、树脂、和它们的纯化方法、及其应用 | 樋田匠 | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 201680042984.7 | 化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、抗蚀图案和电路图案形成方法及纯化方法 | 冈田佳奈 | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 201780034188.3 | 树脂组合物、层叠体、带树脂组合物层的半导体晶圆、带树脂组合物层的半导体搭载用基板和半导体装置 | 泷口武纪 | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 201680050394.9 | 光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法 | 樋田匠 | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 201711315848.3 | 布线基板的制造方法 | 丰田裕二 | 三菱制纸株式会社 |
| 201580069954.0 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 内海淳 | 三菱重工工作机械株式会社 |
| 201780031656.1 | 绝缘膜 | 石川史朗 | 三菱综合材料株式会社 |
| 201880068798.X | 锡或锡合金电镀液 | 渡边真美 | 三菱综合材料株式会社 |
| 201880068858.8 | 锡或锡合金电镀液 | 渡边真美 | 三菱综合材料株式会社 |
| 201880011409.X | 等离子体处理装置用电极板及等离子体处理装置用电极板的再生方法 | 野村聪 | 三菱综合材料株式会社 |
| 202010211330.0 | CMP浆料组成物和使用其抛光图案化钨晶片的方法 | 李知虎 | 三星SDI株式会社 |
| 201710636140.1 | 用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法及电子装置 | 沈秀姸 | 三星SDI株式会社 |
| 201680056927.4 | 有机膜CMP浆料组成物的应用及使用其的研磨方法 | 崔正敏 | 三星SDI株式会社 |
| 201780074614.6 | 用于抛光有机膜的浆料组合物和使用其抛光有机膜的方法 | 金廷熙 | 三星SDI株式会社 |
| 201710893281.1 | 形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置 | 尹熙灿 | 三星SDI株式会社 |
| 201680068602.8 | CMP研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法 | 姜东宪 | 三星SDI株式会社 |
| 201610365800.2 | 封装基板和制造封装基板的方法 | 李东郁 | 三星电机株式会社 |
| 201610423538.2 | 半导体封装件及其制造方法 | 白龙浩 | 三星电机株式会社 |
| 201610948185.8 | 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置 | 卓容奭 | 三星电子株式会社 |
| 201710346507.6 | 形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法 | 王维一 | 三星电子株式会社 |
| 201610881602.1 | 半导体封装件、制造该半导体封装件的方法及半导体模块 | 金淳范 | 三星电子株式会社 |
| 201710858966.2 | 具有对准键的半导体装置及其制造方法 | 申树浩 | 三星电子株式会社 |
| 201710145255.0 | 静电卡盘和包括其的衬底处理装置 | 金珉成 | 三星电子株式会社 |
| 201711047437.0 | 采用传输装置制造集成电路器件的方法 | 张珉九 | 三星电子株式会社 |
| 201610204802.3 | 制造半导体装置的方法和通过该方法制造的半导体装置 | 徐在禹 | 三星电子株式会社 |
| 201610997545.3 | 清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法 | 金珠英 | 三星电子株式会社 |
| 201610561616.5 | 半导体装置、片上系统、移动装置和半导体系统 | 卞晟铢 | 三星电子株式会社 |
| 201610102379.6 | 具有在隔离区上的间隔件的半导体器件 | 朴炳哉 | 三星电子株式会社 |
| 201710940681.3 | 半导体器件 | 宣敏喆 | 三星电子株式会社 |
| 201510765524.4 | 电子器件及其制造方法 | 李珉贤 | 三星电子株式会社 |
| 201610282358.7 | 半导体器件 | 金伦楷 | 三星电子株式会社 |
| 201810007078.4 | 利用空气间隔分离导电结构的半导体器件及其制造方法 | 孙洛辰 | 三星电子株式会社 |
| 201610032156.7 | 制造具有鳍形图案的半导体器件的方法 | 刘庭均 | 三星电子株式会社 |
| 201710514602.2 | 处理基片的装置和方法 | 李晓山 | 三星电子株式会社 |
| 201580046751.X | 用于设置块的电子装置和方法 | 李相默 | 三星电子株式会社 |
| 201710152713.3 | 用于制造半导体器件的方法 | 尹灿植 | 三星电子株式会社 |
| 201610210080.2 | 形成源极/漏极上包括导电接触件的半导体器件的方法 | 乔治·A·吉尔 | 三星电子株式会社 |
| 201610176766.4 | 包括面积增加的接触件的半导体器件 | 尹彰燮 | 三星电子株式会社 |
| 201610073151.9 | 具有电荷存储层的竖直存储器装置及其制造方法 | 李铉旭 | 三星电子株式会社 |
| 201610529169.5 | 镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法 | 朴圭熙 | 三星电子株式会社 |
| 201610131423.6 | 半导体装置和用于制造半导体装置的方法 | 尹彰燮 | 三星电子株式会社 |
| 201510737327.1 | 包括二维材料的电子器件以及制造该电子器件的方法 | 罗昌皓 | 三星电子株式会社 |
| 201610177408.5 | 集成电路器件及其制造方法 | 郑在烨 | 三星电子株式会社 |
| 201610905553.0 | 用于化学机械抛光的浆料组合物、其制法、抛光方法、制造半导体器件的方法和抛光设备 | 金礼桓 | 三星电子株式会社 |
| 201811054979.5 | 垂直场效应晶体管和包括其的半导体器件 | 刘庭均 | 三星电子株式会社 |
| 201610545881.4 | 半导体器件 | 刘庭均 | 三星电子株式会社 |
| 201610617613.9 | 制造集成电路器件的方法 | 金元洪 | 三星电子株式会社 |
| 201910109891.7 | 用于制造半导体器件的系统和方法 | 全尚珍 | 三星电子株式会社 |
| 201610149691.0 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | 金柱然 | 三星电子株式会社 |
| 201610476203.7 | 半导体器件及其制造方法 | 郭大荣 | 三星电子株式会社 |
| 201810808732.1 | 集成电路封装、其制造方法和包括所述封装的可穿戴设备 | 郑灿憙 | 三星电子株式会社 |
| 201710445270.7 | 集成电路封装、其制造方法和包括所述封装的可穿戴设备 | 郑灿憙 | 三星电子株式会社 |
| 201911347524.7 | 半导体器件 | 柳镐仁 | 三星电子株式会社 |
| 201711100178.3 | 集成电路装置及其制作方法 | 全辉璨 | 三星电子株式会社 |
| 201710090799.1 | 存储器件 | 朴日穆 | 三星电子株式会社 |
| 201811514995.8 | 半导体器件及其制造方法 | 金真雅 | 三星电子株式会社 |
| 201710727476.9 | 化学机械抛光方法、制造半导体器件的方法和半导体制造装置 | 洪命基 | 三星电子株式会社 |
| 201610293686.7 | 制造半导体器件的方法 | 李在焕 | 三星电子株式会社 |
| 201611252323.5 | 半导体封装 | 权兴奎 | 三星电子株式会社 |
| 201610879028.6 | 半导体器件及其制造方法 | 金局泰 | 三星电子株式会社 |
| 201610890553.8 | 制造半导体器件的方法 | 金东赫 | 三星电子株式会社 |
| 201610591020.X | 用于半导体装置的堆叠件及其形成方法 | 乔治·A·凯特尔 | 三星电子株式会社 |
| 201611111478.7 | 用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统 | 姜仁求 | 三星电子株式会社 |
| 201610978958.7 | 制造自对准垂直场效应晶体管的方法和微电子结构 | 洪俊九 | 三星电子株式会社 |
| 201610245093.3 | 应变堆叠的纳米片FET和/或量子阱堆叠的纳米片 | 豪尔赫·A·基特 | 三星电子株式会社 |
| 201610971023.6 | 半导体器件及其制造方法 | 朴文圭 | 三星电子株式会社 |
| 201710094905.3 | 半导体器件的制造方法 | 金孝真 | 三星电子株式会社 |
| 201610848720.2 | 半导体器件及其制造方法 | 李相烨 | 三星电子株式会社 |
| 201610108652.6 | 半导体器件及其制造方法 | 李东勋 | 三星电子株式会社 |
| 201710244138.X | 铝化合物以及使用其形成薄膜和制造集成电路器件的方法 | 朴圭熙 | 三星电子株式会社 |
| 201910915589.0 | 半导体装置 | 尹彰燮 | 三星电子株式会社 |
| 201910049167.X | 半导体器件 | 申硕浩 | 三星电子株式会社 |
| 201511021210.X | 具有硅化物的半导体器件及其制造方法 | 李炯宗 | 三星电子株式会社 |
| 201410440478.6 | 半导体器件及其制造方法 | 今井清隆 | 三星电子株式会社 |
| 201610915853.7 | 制造半导体器件的方法 | 金钟寿 | 三星电子株式会社 |
| 201710151188.3 | 半导体装置及其制造方法 | 沈善一 | 三星电子株式会社 |
| 201510684599.X | 具有应力体的半导体器件 | 李哉勋 | 三星电子株式会社 |
| 201610899136.X | 测量厚度的方法、处理图像的方法及执行其的电子系统 | 朴民哲 | 三星电子株式会社 |
| 201610173543.2 | 包括栅极接触部分的半导体器件 | 尹彰燮 | 三星电子株式会社 |
| 201511000918.7 | 半导体器件及其制造方法 | 刘庭均 | 三星电子株式会社 |
| 201710426584.2 | 半导体器件及其制造方法 | 张胤京 | 三星电子株式会社 |
| 201710446932.2 | 制造用于鳍式场效应晶体管的源极-漏极接触件的方法 | 乔治·A·凯特尔 | 三星电子株式会社 |
| 201810270157.4 | 三维半导体装置 | 殷东锡 | 三星电子株式会社 |
| 201610970916.9 | 层叠装置和制造半导体器件的系统 | 金映敏 | 三星电子株式会社 |
| 201711021196.2 | 制造存储器件的方法 | 李基硕 | 三星电子株式会社 |
| 201911135879.X | 半导体装置和制造半导体装置的方法 | 崔永焕 | 三星电子株式会社 |
| 201710120178.3 | 半导体器件 | 克里希纳.库马尔.布瓦尔卡 | 三星电子株式会社 |
| 201610831395.9 | 制造半导体器件的方法和图案化方法 | 韩东佑 | 三星电子株式会社 |
| 201610893808.6 | 半导体装置及其制造方法 | 张锺光 | 三星电子株式会社 |
| 201611223805.8 | 半导体器件及其制造方法 | 金东权 | 三星电子株式会社 |
| 201910193855.3 | 半导体器件及其制造方法 | 金锡勋 | 三星电子株式会社 |
| 201610962976.6 | 半导体器件及其制造方法 | 金基一 | 三星电子株式会社 |
| 201710804253.8 | 使用蚀刻停止层的存储器装置 | 李正吉 | 三星电子株式会社 |
| 201610177256.9 | 集成电路器件及其制造方法 | 郑在烨 | 三星电子株式会社 |
| 201610986776.4 | 形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法 | 林载顺 | 三星电子株式会社 |
| 201710064379.6 | 等离子体蚀刻的方法 | 朴皓用 | 三星电子株式会社 |
| 201810154260.2 | 半导体器件及其制造方法 | 薛光洙 | 三星电子株式会社 |
| 201610087701.2 | 半导体器件及其制造方法 | 金东权 | 三星电子株式会社 |
| 201710061548.0 | 制造半导体器件的方法 | 尹灿植 | 三星电子株式会社 |
| 201610329900.X | 布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件 | 金田中 | 三星电子株式会社 |
| 201611100627.X | 制造半导体器件的方法 | 安商燻 | 三星电子株式会社 |
| 201710383517.7 | 集成电路器件及其制造方法 | M.坎托罗 | 三星电子株式会社 |
| 201610884035.5 | 集成电路器件 | 卓容奭 | 三星电子株式会社 |
| 201710232643.2 | 半导体器件的制造方法 | 米可·坎托罗 | 三星电子株式会社 |
| 201610228203.5 | 半导体器件及其形成方法 | 金成玟 | 三星电子株式会社 |
| 201611115396.X | 布线结构及其形成方法和形成掩模布局的方法 | 吴寅旭 | 三星电子株式会社 |
| 201580068291.0 | 鳍式场效应晶体管 | 金相亿 | 三星电子株式会社 |
| 201610102164.4 | 包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法 | 梁基延 | 三星电子株式会社 |
| 201610974184.0 | 半导体器件的制造方法 | 金湳健 | 三星电子株式会社 |
| 201611043189.8 | 半导体封装件及其制造方法 | 柳承官 | 三星电子株式会社 |
| 201710001539.2 | 用于监视处理室的设备 | 普罗托波波夫·弗拉基米尔 | 三星电子株式会社 |
| 201610875203.4 | 具有柔性互连件的半导体装置及其制造方法 | 任浩赫 | 三星电子株式会社 |
| 201610884201.1 | 集成电路器件及其制造方法 | 李道善 | 三星电子株式会社 |
| 201610615043.X | 设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法 | 宋泰中 | 三星电子株式会社 |
| 201610685464.X | 基板移送系统 | 崔凤洙 | 三星显示有限公司 |
| 201610082176.5 | 薄膜晶体管基底、其制造方法、显示装置及其制造方法 | 金铉哲 | 三星显示有限公司 |
| 201610806349.3 | 激光结晶方法 | 裵俊和 | 三星显示有限公司 |
| 201711373532.X | 蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法 | 金俸均 | 三星显示有限公司 |
| 201611186007.2 | 制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置 | 崔新逸 | 三星显示有限公司 |
| 201610013502.7 | 薄膜晶体管基底和制造薄膜晶体管基底的方法 | 柳明官 | 三星显示有限公司 |
| 201510073831.6 | 阵列基底和使用该阵列基底安装集成电路的方法 | 李大根 | 三星显示有限公司 |
| 201510405309.3 | 显示装置和用于制造该显示装置的方法 | 权昭罗 | 三星显示有限公司 |
| 201510623475.0 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 | 柳春基 | 三星显示有限公司 |
| 201510672844.5 | 薄膜晶体管阵列基底及其制造方法和有机发光显示设备 | 朴商镇 | 三星显示有限公司 |
| 201610011946.7 | 制造显示装置的设备 | 车裕敏 | 三星显示有限公司 |
| 201510585342.9 | 薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置 | 金广海 | 三星显示有限公司 |
| 201410165737.9 | 显示面板及其制造方法 | 金泳道 | 三星显示有限公司 |
| 201610912545.9 | 用于切割衬底的工作台 | 崔原瑀 | 三星显示有限公司 |
| 201510745344.X | 显示装置及其制造方法 | 赵承奂 | 三星显示有限公司 |
| 201610034254.4 | 显示设备 | 郭源奎 | 三星显示有限公司 |
| 201510400542.2 | 有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法 | 安基完 | 三星显示有限公司 |
| 201610920465.8 | 激光结晶装置 | 李忠焕 | 三星显示有限公司 |
| 201610053924.7 | 有机发光显示设备及其制造方法 | 郑知泳 | 三星显示有限公司 |
| 201610059134.X | 有机发光二极管显示器 | 金度勋 | 三星显示有限公司 |
| 201610122283.6 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | 金炳容 | 三星显示有限公司 |
| 201610158031.9 | 静电吸盘系统 | 李德重 | 三星显示有限公司 |
| 201510883961.6 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | 方硕焕 | 三星显示有限公司 |
| 201610729381.6 | 发光二极管转移装置和发光二极管的转移方法 | 金旻首 | 三星显示有限公司 |
| 201610178367.1 | 显示设备以及制造显示设备的设备和方法 | 金善姝 | 三星显示有限公司 |
| 201510455327.2 | 薄膜晶体管基底、包括其的显示装置以及它们的制造方法 | 郑雄喜 | 三星显示有限公司 |
| 201710447134.1 | 激光晶化设备和方法 | 苏炳洙 | 三星显示有限公司 |
| 201610213008.5 | 蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管基板的方法 | 安守民 | 三星显示有限公司 |
| 201610852990.0 | 用于弯曲基底的盒 | 具滋钦 | 三星显示有限公司 |
| 201510817706.1 | 透明有机发光显示设备以及制造其的方法 | 金埈永 | 三星显示有限公司 |
| 201510764886.1 | 显示装置及用于制造该显示装置的设备和方法 | 许明洙 | 三星显示有限公司 |
| 201610172981.7 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | 李贤准 | 三星显示有限公司 |
| 201711084695.6 | 激光晶化装置及晶化激光束的控制方法 | 李童敏 | 三星显示有限公司 |
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| 201710800226.3 | 输送体、输送装置以及划线系统 | 西尾仁孝 | 三星钻石工业股份有限公司 |
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| 201910944054.6 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 | 戴嘉翔 | 厦门天马微电子有限公司 |
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| 201910096898.X | 一种柔性显示面板及其制备方法，柔性显示装置 | 翟应腾 | 厦门天马微电子有限公司 |
| 201810089038.9 | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 | 郑斌义 | 厦门天马微电子有限公司 |
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| 201811634732.0 | 干法刻蚀方法 | 吴智勇 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
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| 201811580999.6 | 半导体失效定位测试单元及其失效定位方法 | 李金 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 201910159685.7 | 薄膜沉积层缺陷扫描程式的建立方法及扫描机台 | 沈萍 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 201910159725.8 | 监控缺陷观察设备晶圆载台精度偏移量的方法 | 瞿燕 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 201910159741.7 | 缺陷观察设备晶圆载台精度偏移的补偿方法 | 瞿燕 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
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| 201810840340.3 | 晶片侦测装置及方法 | 代志亮 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
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| 202010063862.4 | 金属短路失效定位结构和方法 | 杨领叶 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
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| 201910297202.X | 浅沟槽隔离结构的制造方法 | 郁赛华 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
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| 201711127897.4 | PVD设备的工艺腔的工艺调节结构和方法 | 胡彬彬 | 上海华力微电子有限公司 |
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| 201710173639.3 | 半导体结构的制造方法 | 陈志壕 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201710233807.3 | 半导体衬底的原位背面清洗 | 叶明熙 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810797093.3 | 处理工具、自动检测工具及其使用方法 | 林佳汉 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201810178766.7 | 鳍式集成电路器件及其阈值电压调节方法 | 程仲良 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201710727712.7 | 集成电路及其形成方法 | 谢佾苍 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201810200862.7 | 金属栅极结构切割工艺 | 王祥保 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201610636066.9 | 整合扇出型封装及其制造方法 | 胡毓祥 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910305550.7 | 半导体器件及其形成方法 | 李劭宽 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910184263.5 | 贯穿硅通孔设计、三维集成电路及其制造方法 | 郑光茗 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201911037049.3 | 用于化学机械研磨系统的研磨头及化学机械研磨方法 | 陈彦良 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710954200.4 | 半导体装置的布局方法及用以执行该方法的可读取媒体 | 杨荣展 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711292065.8 | 鳍式场效晶体管的制造方法 | 洪同萱 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810768065.9 | 平坦化工艺控制的实施方法及集成电路制造系统 | 陈俊宏 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201510372539.4 | 包括2D材料的半导体器件及其制造方法 | 林孟佑 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201510743052.2 | 倒装芯片封装 | 刘育志 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811133991.5 | 半导体器件及其制造方法 | 陈明发 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810811318.6 | 模块加压工作站及利用其处理半导体的方法 | 黄俊荣 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711112249.1 | 用于FinFET器件的方法和结构 | 蔡劲 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811247487.8 | 用于制造半导体器件的方法 | 黄玉莲 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810994413.4 | 半导体装置的形成方法 | 苏煜中 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811337222.7 | 用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统 | 王志佑 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711208758.4 | 接触插塞及其制造方法 | 潘国华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811381317.9 | 用于半导体器件的接触插塞及其形成方法 | 姆鲁尼尔卡迪尔巴德 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711105357.6 | 半导体元件及其形成方法 | 翁桐敏 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910560047.6 | 多层互连部件的互连结构、以及互连结构及其制造方法 | 蔡宗霖 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711166177.9 | 具有弧形底面的合并的外延部件的半导体器件及其制造方法 | 李宜静 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811276372.1 | 加工半导体晶圆的方法、清洗方法及加工系统 | 彭至亿 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811102054.3 | 半导体装置的形成方法 | 蔡万霖 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710236854.3 | 晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法 | 林剑锋 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810409999.3 | 集成电路及其制造方法 | 曹钧涵 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811019709.0 | 对薄膜进行计量分析的装置及方法与获得薄膜性质的方法 | 应继锋 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810970797.6 | 形成半导体器件的方法 | 谢昀蓁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711274600.7 | 封装件及其形成方法 | 陈明发 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810970491.0 | 具有光栅图案的对准标记及其形成方法 | 王之妤 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910537975.0 | 接合支撑结构、多个半导体晶圆及其接合方法 | 李昇展 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810834899.5 | 集成电路及其形成方法 | 徐丞伯 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810042939.2 | 鳍式场效应晶体管器件和方法 | 王尹 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910568406.2 | 光子器件和形成光子器件方法 | 余振华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710085702.8 | 具有减薄的衬底的封装件 | 余振华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710587367.1 | 具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法 | 余振华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711276307.4 | 集成电路及其形成方法 | 王柏钧 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810004704.4 | 半导体制造设备、气帘装置以及半导体元件的保护方法 | 吴旻政 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710731428.7 | 集成电路结构及其形成方法 | 钟健豪 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711278787.8 | 半导体器件及其制造方法 | 郑兆钦 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810455390.X | 半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 | 黄如立 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201610783819.9 | 用于双重图案化工艺的临界尺寸控制 | 张哲诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810067968.4 | CMOS图像传感器及其形成方法 | 吴尉壮 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910146963.5 | 半导体封装结构及用于形成半导体封装结构的方法 | 叶庭聿 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201611116263.4 | 鳍式场效应晶体管结构及其制造方法 | 邱意为 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201611094963.8 | 间隔件结构及其制造方法 | 亚历山大·克尔尼斯基 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810457817.X | 形成集成电路的方法 | 程仲良 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201610541815.X | 具有掺杂的隔离绝缘层的鳍式场效应晶体管 | 吴政达 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201611104136.2 | 半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法 | 张耀文 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710647365.7 | FINFET及其形成方法 | 张哲诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710610887.X | 半导体结构及其制造方法 | 郑锡圭 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811544219.2 | 半导体器件和方法 | 余振华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711214421.4 | 半导体结构的制造方法 | 余德伟 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710073471.9 | 半导体元件及其制造方法 | 张志豪 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710223059.0 | 衬底传送装置及其端缘作用器 | 许云杰 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710182629.6 | 半导体装置的制造方法 | 陈宏豪 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810084030.3 | 衬底载体劣化检测及修复 | 王仁地 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811446618.5 | 用于FinFET器件的掩埋金属和方法 | 周雷峻 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810162000.X | 互连芯片 | 丁国强 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201611202277.8 | 半导体器件及其制造方法 | 陈英儒 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710209057.6 | 研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法 | 杨青海 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710080649.2 | 机台诊断工具、晶圆处理机台载入端口诊断工具及其方法 | 林书弘 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810325087.8 | 基板处理设备、旋转式固定座及基板处理方法 | 戴郡良 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710794548.1 | 制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法 | 黄永昌 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710755358.9 | 半导体装置及其制造方法 | 范家声 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201910448386.5 | 连接件结构及其形成方法 | 陈承先 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711278625.4 | 封装件及其形成方法 | 邹贤儒 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810609924.X | 半导体封装件和方法 | 黄子松 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810789446.5 | 半导体器件及其制造方法 | 邹贤儒 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910078539.1 | 封装体的接着结构及其制造方法 | 曹佩华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810662285.3 | 集成电路和其形成方法以及半导体装置 | 黄诗涵 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811278142.9 | 叠对记号结构、半导体装置及使用声波检测叠对误差的方法 | 李雨青 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810151144.5 | 研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法 | 蔡晴翔 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810384829.4 | 集成电路装置及其形成方法 | 朱峯庆 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711269562.6 | 半导体器件制造工具及其制造方法 | 李孟宪 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810385033.0 | 隔离结构上的阻挡结构 | 杨宇轩 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711044384.7 | 用于在开口中形成金属层的方法及其形成装置 | 王喻生 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810613449.3 | 制造半导体器件的方法和清洗衬底的方法 | 李中杰 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810376773.8 | 一种位于衬底上的f inFET及其形成方法 | 江国诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810825350.X | 封装件及其形成方法 | 陈明发 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811107929.9 | 清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体 | 赖诚忠 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711024611.X | 半导体装置结构的制造方法 | 吴中文 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201610720080.7 | 形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构 | 郭富强 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811318128.7 | 通过氢处理形成低应力氮化硅层 | 谢维哲 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810689001.X | 半导体装置的制造方法 | 李胜男 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811487556.2 | 形成半导体器件的方法以及半导体器件 | 吴凯强 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811592443.9 | 封装件及其形成方法 | 王博汉 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810992184.2 | 半导体结构及其制造方法 | 张耀文 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711271274.4 | 半导体器件及其制造方法 | 李昆穆 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710248771.6 | 半导体器件和制造方法 | 陈宏豪 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711218718.8 | 使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻 | 林恩平 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910089333.9 | 用于封装件集成的缓冲设计 | 陈洁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810790528.1 | 具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法 | 刘昱廷 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910049965.2 | 半导体器件和制造方法 | 余振华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810998352.9 | 导电部件形成方法及结构 | 卢炜业 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811360092.9 | 快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构 | 朱育贤 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711246449.6 | 用于形成不同晶体管的源极/漏极区的注入 | 于殿圣 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811081811.3 | 低k部件形成工艺和由此形成的结构 | 高琬贻 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810230259.3 | 栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构 | 魏孝宽 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201611032568.7 | 鳍式场效晶体管的制作方法 | 张哲诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711044112.7 | 半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法 | 庄孟哲 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811220153.1 | 半导体结构和用于形成半导体器件的方法 | 古尔巴格·辛格 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710137209.6 | 半导体装置及其制造方法 | 刘子正 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810190914.7 | 半导体器件及其形成方法 | 江国诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910288415.6 | 集成扇出型封装及其制造方法 | 王之妤 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811324426.7 | 半导体结构和相关联的制造方法 | 刘丙寅 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710624915.3 | 用于半导体制造的改进的介电膜 | 吴正一 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811355245.0 | 用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构 | 彭泰彦 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811447838.X | 半导体器件及其制造方法 | 李承远 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710581416.0 | 晶体管装置及其制造方法 | 李凱璿 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810068843.3 | 应变沟道的场效应晶体管 | 马克·范·达尔 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811258405.X | 检测晶圆损害的装置与系统 | 陈毅沣 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201610820532.9 | 运送系统及运送加工元件的方法 | 李雨青 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910816674.1 | 晶圆清洁系统及方法 | 王翠薇 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811278765.6 | 绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法 | 吴政达 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710352118.4 | 半导体结构 | 蔡永智 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710929998.7 | 超低介电常数金属间介电层的形成方法 | 施伯铮 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811434905.4 | 在半导体装置中的接垫结构和其制造方法 | 黄宏书 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201610999050.4 | 半导体工艺设备与半导体装置的制造方法 | 张简秀峰 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711215620.7 | 去除蚀刻掩模的方法 | 朱君瀚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201610900912.3 | 原子层沉积方法及其结构 | 李欣怡 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710957976.1 | 晶体管的形成方法 | 李凯璿 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910456789.4 | 半导体封装件和方法 | 郭宏瑞 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810450493.7 | 通孔结构及其形成方法 | 黄伟杰 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711274799.3 | 互连结构及其制造方法 | 张又仁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710617231.0 | 封装结构的形成方法 | 蔡易达 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710660773.6 | 制造一半导体元件的方法及其系统 | 訾安仁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711172514.5 | 半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法 | 苏奕龙 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201911207478.0 | 电化学镀系统和工艺执行方法、形成半导体结构的方法 | 粘耀仁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810000743.7 | 离子布植机及离子布植机腔室的制造方法 | 林宜静 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711341333.0 | 鳍临界尺寸负载优化 | 梁家铭 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810460994.3 | 半导体封装件及其形成方法 | 陈洁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810804923.0 | 半导体器件及其形成方法 | 吴志伟 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711335781.X | 用于半导体器件的鳍结构 | 江国诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811426233.2 | 具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 | 曹佩华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910115849.6 | 用于形成晶圆密封环的方法 | 邓伊筌 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811146888.4 | 形成半导体结构的部件的方法 | 陈玺中 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910454567.9 | 封装件和形成封装件的方法 | 余振华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710834344.6 | 半导体结构、半导体装置的制造方法以及设计布局的方法 | 葛贝夫·辛格 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910162651.3 | 半导体器件和制造方法 | 庄博尧 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710118081.9 | 半导体结构及其制造方法 | 周家政 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811021011.2 | 流体控制组件及其使用方法 | 谢文杰 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710778827.9 | 集成电路装置与半导体结构的制造方法 | 林奕安 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710454238.5 | 一种用于制造半导体结构的方法 | 陈衿良 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810005078.0 | 用于烘烤模块的合格性测试方法和系统 | 赵家峥 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910912789.0 | 半导体结构及其制造方法 | 曹佩华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811113172.4 | 半导体工艺方法 | 余德伟 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201710351793.5 | 半导体装置结构的制造方法及半导体装置结构 | 黄士文 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201611107415.4 | 双侧集成扇出封装件 | 潘国龙 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201810584631.0 | 鳍式二极管结构及其方法 | 周友华 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910608348.1 | 半导体器件和形成半导体器件的方法 | 曾英诚 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910211336.5 | 使用注入防止金属损失 | 吴历杰 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910620402.4 | 鳍片式场效应晶体管装置 | 布莱戴恩杜瑞兹 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201711103608.7 | 制作半导体装置的方法 | 陈志良 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910543420.7 | 半导体元件的载带系统与从载带的口袋搬移半导体元件的方法 | 廖宗仁 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201811360314.7 | 以反应器进行蚀刻的方法及蚀刻系统 | 林育奇 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 201910005235.2 | 半导体装置的制造方法 | 黄玉莲 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
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| 201611169169.5 | 一种基于金-黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备 | 张静 | 同济大学 |
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| 202011549631.0 | 一种高效率引线框架镀银治具 | 操瑞林 | 铜陵蓝盾丰山微电子有限公司 |
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| 201680016302.5 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置 | 池田典昭 | 凸版印刷株式会社 |
| 201680027694.5 | 凹凸图案形成体的制造方法、其制造装置以及贴纸 | 筱田光一 | 凸版印刷株式会社 |
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| 201810413913.4 | 具有加热机制的晶圆座及包含该晶圆座的反应腔体 | 荒见淳一 | 拓荆科技股份有限公司 |
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| 201911066876.5 | 一种石墨烯芯片加工切割装置 | 张小云 | 拓普瑞机器人科技东台有限公司 |
| 202010099440.2 | 一种二极管引脚裁切装置 | 蔡燕旋 | 拓普瑞机器人科技东台有限公司 |
| 201780012704.2 | 接合线 | 土居聪子 | 拓自达电线株式会社 |
| 201580008408.6 | 支撑基板的装置以及操作静电夹的方法 | 岱尔·K·史东 | 瓦里安半导体设备公司 |
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| 201810009361.0 | 三维半导体元件及其制造方法 | 陈暐旻 | 旺宏电子股份有限公司 |
| 201810063404.3 | 三维非易失性存储器及其制造方法 | 林怡婷 | 旺宏电子股份有限公司 |
| 201810254914.9 | 具有具不同特征尺寸的图案的半导体装置及其制造方法 | 李智雄 | 旺宏电子股份有限公司 |
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| 201910197436.7 | 芯片挑拣总成及芯片移动方法 | 谢作宏 | 旺矽科技股份有限公司 |
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| 201680032218.2 | 晶舟、晶片处理装置以及晶片的处理方法 | 韦费德·莱尔希 | 韦费德·莱尔希 |
| 201911075490.0 | 太阳能电池片及制备方法 | 范维涛 | 维科诚（苏州）光伏科技有限公司 |
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| 201611070720.0 | 树脂片 | 中村茂雄 | 味之素株式会社 |
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| 201810259783.3 | 沟槽分离栅器件及其制造方法 | 方冬 | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 201810404695.8 | OTP存储器件及其制作方法、电子装置 | 孙晓峰 | 无锡华润上华科技有限公司 |
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| 201910484130.X | 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 | 何新玉 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 |
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| 202010833547.5 | 一种神经网络模型预测的半导体薄膜工艺参数优化系统 | 刘胜 | 武汉大学 |
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| 202010481838.2 | 一种亚纳米顶栅电极场效应晶体管的可控制备方法 | 胡耀武 | 武汉大学 |
| 202010249233.0 | 一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法 | 宋毅 | 武汉大学 |
| 202010783693.1 | 一种具有晶体结构检测及原位修复功能的装置 | 刘胜 | 武汉大学 |
| 202110386214.7 | 一种转印头、转印头阵列及微L ED巨量转移方法 | 刘胜 | 武汉大学 |
| 201910123976.0 | 红外吸收掺杂硅及其制备方法 | 刘昌 | 武汉大学 |
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| 201910999565.8 | 一种太阳能电池片的色差分选方法 | 沈满德 | 武汉纺织大学 |
| 201610351250.9 | 导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品 | 张志强 | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 201710631297.5 | 一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料 | 晏小平 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 202010493082.3 | 硅光子晶圆的打点标记方法及装置 | 冯朋 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
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| 201910625448.5 | 半导体器件及其制造方法 | 盛备备 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
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| 201810135245.3 | 一种接触孔的刻蚀方法 | 孟凡顺 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201810119093.8 | 一种掩膜板、制作方法及对准的方法 | 赵长林 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201910409848.2 | 一种键合结构的缺陷扫描方法及设备 | 王琼 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201910647015.X | 一种半导体器件的制造方法 | 谢岩 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201910477874.9 | 一种闪存器件的制备方法 | 王辉 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201910493122.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 王辉 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
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| 201910884939.1 | 半导体器件及其制作方法 | 杨一凡 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201910821893.9 | 多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法 | 马鸣明 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 202010762646.9 | 晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构 | 叶国梁 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 201910891622.0 | 测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法 | 姚佳辉 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
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| 202110845560.7 | 一种用于晶圆检测的Z-Theta组合装置 | 郭建华 | 武汉中导光电设备有限公司 |
| 201910843353.0 | 一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法 | 赵天龙 | 西安电子科技大学 |
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| 202010713459.1 | 具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法 | 汤晓燕 | 西安电子科技大学 |
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| 202010922623.X | 基于碳化硅衬底的垂直氮化铝PN结二极管及制备方法 | 周弘 | 西安电子科技大学 |
| 202010922618.9 | 基于碳化硅衬底的垂直氮化铝肖特基二极管及制备方法 | 周弘 | 西安电子科技大学 |
| 201710558126.4 | 含有铁电栅介质的叠层栅增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 马晓华 | 西安电子科技大学 |
| 201711436188.4 | 具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201711436190.1 | 具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910440262.2 | 具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910664067.8 | 阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管及其制作方法 | 陈大正 | 西安电子科技大学 |
| 201910754050.1 | 具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201711434029.0 | 高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910326079.X | 一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法 | 任泽阳 | 西安电子科技大学 |
| 201910326087.4 | 一种孔径式复合衬底氮化镓器件及其制备方法 | 任泽阳 | 西安电子科技大学 |
| 201910976688.X | 阳极边缘浮空的GaN微波二极管及制备方法 | 张进成 | 西安电子科技大学 |
| 201911066932.5 | 一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法 | 元磊 | 西安电子科技大学 |
| 201811296733.9 | 一种基于悬浮场板的自对准栅氮化镓增强型垂直功率器件 | 何云龙 | 西安电子科技大学 |
| 201910060484.1 | 非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 张雅超 | 西安电子科技大学 |
| 201910544998.4 | 在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法 | 宁静 | 西安电子科技大学 |
| 201910095569.3 | 一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法 | 郑雪峰 | 西安电子科技大学 |
| 201911067748.2 | 一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管及其制备方法 | 汤晓燕 | 西安电子科技大学 |
| 201910189814.7 | 一种垂直功率器件及其制作方法 | 何云龙 | 西安电子科技大学 |
| 201910544984.2 | 基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法 | 宁静 | 西安电子科技大学 |
| 201610420932.0 | 基于沟道晶向选择的压应变Si PMOS器件及其制备方法 | 赵新燕 | 西安电子科技大学 |
| 201911279219.9 | 一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法 | 敖金平 | 西安电子科技大学 |
| 201810460871.X | 基于叠层钝化结构的HEMT器件及其制备方法 | 马晓华 | 西安电子科技大学 |
| 201810811387.7 | 基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法 | 马晓华 | 西安电子科技大学 |
| 201810602874.2 | 一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 吕红亮 | 西安电子科技大学 |
| 202010256166.5 | 基于P-GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法 | 杨凌 | 西安电子科技大学 |
| 201910365950.7 | 一种共振隧穿二极管及其制作方法 | 杨林安 | 西安电子科技大学 |
| 201910664076.7 | 氮化镓肖特基二极管及其制作方法 | 张春福 | 西安电子科技大学 |
| 202010735924.1 | 增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 毛维 | 西安电子科技大学 |
| 201910304385.3 | 一种横向肖特基栅双极晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910304405.7 | 碳化硅平面垂直型场效应晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910305038.2 | 具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910440263.7 | 具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910095568.9 | 一种GaN器件欧姆接触的改良方法 | 郑雪峰 | 西安电子科技大学 |
| 201910028105.0 | 一种基于自终止转移的大功率器件及其制备方法 | 宓珉瀚 | 西安电子科技大学 |
| 202010699370.4 | 一种硅基结型积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910304397.6 | 一种横向结型栅双极晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201710813122.6 | 一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 202010699364.9 | 一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201811246791.0 | 一种基于硅通孔的三维耦合器及其制备方法 | 卢启军 | 西安电子科技大学 |
| 201911217900.0 | 多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法 | 毛维 | 西安电子科技大学 |
| 201911217921.2 | 隧穿场效应晶体管及其制作方法 | 毛维 | 西安电子科技大学 |
| 201810811364.6 | 一种氮化镓基宽摆幅线性化器件及制作方法 | 马晓华 | 西安电子科技大学 |
| 201910024910.6 | 基于单片异质集成的Cascode结构GaN高电子迁移率晶体管及制作方法 | 张春福 | 西安电子科技大学 |
| 201910993203.8 | 大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法 | 张进成 | 西安电子科技大学 |
| 202010255504.3 | 一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法 | 杨凌 | 西安电子科技大学 |
| 202010735308.6 | 结型栅-漏功率器件 | 毛维 | 西安电子科技大学 |
| 202010735925.6 | 功率开关器件及其制作方法 | 毛维 | 西安电子科技大学 |
| 201911003262.2 | 基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法 | 宁静 | 西安电子科技大学 |
| 201910080193.9 | 具有AlGaN/GaN异质结的垂直型场效应晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 201910079724.2 | 具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法 | 段宝兴 | 西安电子科技大学 |
| 202010734370.3 | 一种SiC MPS二极管器件及其制备方法 | 何艳静 | 西安电子科技大学 |
| 202010734362.9 | 一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法 | 袁昊 | 西安电子科技大学 |
| 201810755826.7 | AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法 | 马晓华 | 西安电子科技大学 |
| 202010177072.9 | 基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法 | 宓珉瀚 | 西安电子科技大学 |
| 202010964527.1 | 基于p型NiO薄膜和斜面终端结构的肖特基二极管及其制作方法 | 冯倩 | 西安电子科技大学 |
| 201911381321.X | 具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及其制备方法 | 韩超 | 西安电子科技大学 |
| 201810433594.3 | 一种MOS器件的制作方法及器件 | 祝杰杰 | 西安电子科技大学 |
| 202010490791.6 | 一种集成JBS的碳化硅UMOSFET器件 | 汤晓燕 | 西安电子科技大学 |
| 202010490801.6 | 一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件 | 汤晓燕 | 西安电子科技大学 |
| 201810755852.X | Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法 | 马晓华 | 西安电子科技大学 |
| 202010735936.4 | 异质结场效应晶体管 | 毛维 | 西安电子科技大学 |
| 201910860000.1 | 基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 | 张春福 | 西安电子科技大学 |
| 202011084760.7 | 一种抗单粒子效应的FinFET器件及制备方法 | 张春福 | 西安电子科技大学 |
| 201910860757.0 | 基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 | 张春福 | 西安电子科技大学 |
| 201910860761.7 | 基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 | 张春福 | 西安电子科技大学 |
| 201810755831.8 | (AlxGa1-x)2O3/Ga2O3器件的外延层转移方法 | 马佩军 | 西安电子科技大学 |
| 201910167033.8 | 耐高温QFN封装结构的制备方法 | 马磊 | 西安航思半导体有限公司 |
| 201811630981.2 | 一种接合材料、半导体装置及其制造方法 | 郎丰群 | 西安华为技术有限公司 |
| 201811561600.X | 埋入式基板及其制作方法 | 彭浩 | 西安华为技术有限公司 |
| 201810413790.4 | 一种耐压双极晶体管及其制作方法 | 樊庆扬 | 西安建筑科技大学 |
| 201910943288.9 | 一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法 | 王玮 | 西安交通大学 |
| 202010719387.1 | 一种高分辨大扫描场系统的二阶像差补偿方法 | 康永锋 | 西安交通大学 |
| 202010717980.2 | 一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法 | 康永锋 | 西安交通大学 |
| 202010738885.0 | 一种可编码阵列式静电偏转器、聚焦偏转系统及设计方法 | 胡航锋 | 西安交通大学 |
| 201910194062.3 | 低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法 | 王玮 | 西安交通大学 |
| 201811075622.5 | 一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法 | 王玮 | 西安交通大学 |
| 201910333867.1 | 一种正六边形太阳能电池片的切片方法及拼接方法 | 张宏 | 西安交通大学 |
| 201811420175.2 | 一步制备仿金字塔形全无机钙钛矿膜的方法 | 杨冠军 | 西安交通大学 |
| 201910075663.2 | n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法 | 王宏兴 | 西安交通大学 |
| 201811420178.6 | 一种用于硅绒面尖角及棱边圆滑化处理的楔形毛刷 | 杨冠军 | 西安交通大学 |
| 201910890609.3 | (100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法 | 王宏兴 | 西安交通大学 |
| 201910890607.4 | 一种（100）晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法 | 王宏兴 | 西安交通大学 |
| 201910718681.8 | 一种采用盐溶液腐蚀晶体硅的方法 | 王鹤 | 西安交通大学 |
| 202010858426.6 | 一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法 | 潘毅 | 西安交通大学 |
| 201910854962.6 | 一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构及其制造方法 | 张永海 | 西安交通大学深圳研究院 |
| 201611184781.X | 基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法 | 张亮 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201710686364.3 | N型隧穿场效应晶体管 | 张捷 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201611184383.8 | 用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法 | 左瑜 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201711351287.2 | 基于硅通孔的转接板及其制备方法 | 张捷 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201711351294.2 | 基于二极管的集成电路抗静电转接板及其制备方法 | 冉文方 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201711351330.5 | 基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法 | 冉文方 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201711351143.7 | 用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法 | 张捷 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201711352400.9 | 用于系统级封装的防静电装置 | 张捷 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 201910470483.4 | SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法 | 李淑娟 | 西安理工大学 |
| 201810246811.8 | 一种具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管 | 蒲红斌 | 西安理工大学 |
| 201810380268.0 | 一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法 | 王彩琳 | 西安理工大学 |
| 201811568174.2 | 一种高硅铝合金封装外壳及其制作方法 | 朱训 | 西安赛尔电子材料科技有限公司 |
| 201910539215.3 | 一种基于扁平封装集成电路器件剪边成型用设备 | 马瑜加 | 西安太乙电子有限公司 |
| 201911121310.8 | 一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺 | 陈晓宇 | 西安微电子技术研究所 |
| 202010183688.7 | 一种无空白区域的晶圆上硅通孔的制作方法 | 张宁 | 西安微电子技术研究所 |
| 201811052415.8 | 一种高厄利电压的双极器件及其制作方法 | 任永宁 | 西安微电子技术研究所 |
| 201811057870.7 | 一种倾角硅槽刻蚀工艺 | 郝军 | 西安微电子技术研究所 |
| 202010544608.6 | 一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法 | 唐磊 | 西安微电子技术研究所 |
| 202010544602.9 | 一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法 | 匡乃亮 | 西安微电子技术研究所 |
| 201911052935.3 | 一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺 | 陈晓宇 | 西安微电子技术研究所 |
| 201810715738.4 | 一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法 | 李家贵 | 西安卫光科技有限公司 |
| 201911121037.9 | 一种晶棒的加工方法及晶片 | 陈光林 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 202111180208.2 | 硅片承载装置和分离设备 | 严涛 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202111137980.6 | 一种硅片的最终抛光方法、系统以及硅片 | 崔世勋 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202011321225.9 | 一种用于在硅片目视检测过程中夹持硅片的装置 | 马强强 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202110044533.X | 一种获取晶圆接触点的方法及系统 | 苏建生 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202011542248.2 | 一种晶圆翻转设备 | 吕天爽 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202011347533.9 | 夹取储存在硅片盒中的硅片的装置、方法及硅片传送设备 | 吕天爽 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
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| 202011285956.2 | 一种晶圆盒装载装置和晶圆盒装载方法 | 吕天爽 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202011506727.9 | 能够保持FOUP的盖部的洁净度的装载端口及设备前端模块 | 苏建生 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201910531379.1 | 一种支撑结构和具有其的热处理装置 | 郭恺辰 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201811553821.2 | 清洗装置及清洗方法 | 史进 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202011557684.7 | 一种晶圆分选设备及晶圆分选方法 | 孙介楠 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202110330104.9 | 硅片中金属含量的测量方法 | 谭继东 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201910072442.X | 一种晶圆热处理方法和晶圆 | 郭恺辰 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202110133255.5 | 一种夹持晶圆的部件及机构 | 张少飞 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202011382851.9 | 一种用于卡夹硅片的卡盘销及用于保持硅片的装置 | 苏建生 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201910372442.1 | 一种研磨设备和研磨台的调节方法 | 崔世勋 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201910978694.9 | 一种研磨设备 | 郑秉胄 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202110723876.9 | 一种侦测晶圆异常的方法、装置、设备及计算机存储介质 | 陈海龙 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 202110317141.6 | 晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法 | 蒲以松 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201910649553.2 | 一种硅片夹持装置 | 张少飞 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 201910491834.X | 一种基于半导体多台阶深度刻蚀的表面金薄膜图形化方法 | 牛中会 | 西安增材制造国家研究院有限公司 |
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| 202010650711.9 | 一种同型异质结构IMPAT T二极管及其制作方法 | 戴扬 | 西北大学 |
| 201911143853.X | 芯片与基板对位及精调平的显微激光系统的操作方法 | 闫瑛 | 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所） |
| 201911143862.9 | 便于单齿更换的基于高精度装配的疏齿托架 | 陈嘉荣 | 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所） |
| 201911313390.7 | 芯片基板大压力倒装键合调平台的自调平及锁定方法 | 张志耀 | 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所） |
| 201910696261.4 | 直接转换X射线探测材料的制备方法 | 汪雅伟 | 西北工业大学 |
| 202010302170.0 | 一种金属-二维硒化铟-石墨肖特基二极管及制备方法 | 赵清华 | 西北工业大学 |
| 201910463283.6 | 二维材料与半导体粉体复合材料的晶体管及制备方法 | 苏力宏 | 西北工业大学 |
| 201910772039.8 | 一种具有逆变器的电力系统及其制造方法 | 郑晓杰 | 西藏华东水电设备成套有限公司 |
| 201680078011.9 | 用于在固体中平坦地产生改性部的方法和设备 | 拉尔夫·里斯克 | 西尔特克特拉有限责任公司 |
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| 201780042691.3 | 光刻光学器件调节和监测 | T·F·A·小毕比 | 西默有限公司 |
| 201910946399.5 | 球栅阵列器件植球的通用装置 | 张冬梅 | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) |
| 201780006837.9 | 缩合反应型芯片粘合剂、L ED发光装置及其制造方法 | 梶原宽夫 | 西铁城时计株式会社 |
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| 201910300320.1 | 引线框架结构，芯片封装结构及其制造方法 | 陈世杰 | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
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| 201910176974.8 | 半导体封装方法 | 周辉星 | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 201811095185.3 | 电子封装件及其制法 | 李泳达 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201711121672.8 | 电子封装件及其制法 | 周世民 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201710075566.4 | 电子元件及其制法 | 陈培领 | 矽品精密工业股份有限公司 |
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| 201810255788.9 | 基板结构及其制法及导电凸块 | 万国辉 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201811094927.0 | 电子封装结构及其制法 | 谢沛蓉 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201710425415.7 | 电子封装件及其制法 | 游进暐 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201710328822.6 | 电子封装件及其制法 | 蔡明汎 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201510541416.9 | 电子封装件及其制法 | 张宏达 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201710260697.X | 侦测系统 | 何敏专 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201710784754.4 | 电子封装件及其制法 | 蔡文山 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201811136514.4 | 电子封装件及其制法 | 叶育玮 | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 201910699009.9 | 一种硅基底的清洗方法 | 辛培培 | 烯湾科城（广州）新材料有限公司 |
| 201910699156.6 | 一种硅基底的清洗方法 | 辛培培 | 烯湾科城（广州）新材料有限公司 |
| 201910699129.9 | 一种硅基底的清洗方法 | 辛培培 | 烯湾科城（广州）新材料有限公司 |
| 201580085778.X | 用于金属薄膜沉积的坩埚及用于金属薄膜沉积的蒸发源 | 朴显植 | 铣益系统有限责任公司 |
| 201910734046.9 | 基板温度测量装置及基板温度测量方法 | 朴永秀 | 系统科技公司 |
| 201810394147.1 | 印刷方法 | 金哲佑 | 细美事有限公司 |
| 201711161961.0 | 基板处理装置及基板处理方法 | 卢贤贞 | 细美事有限公司 |
| 201711166938.0 | 基板支撑组件及包括其的探针台 | 黄仁郁 | 细美事有限公司 |
| 201711435358.7 | 填充通孔的方法和用于执行该方法的装置 | 史允基 | 细美事有限公司 |
| 201711042198.X | 基板支撑装置、包括其的基板处理系统及基板处理方法 | 金载烈 | 细美事有限公司 |
| 201711469016.7 | 液体供应单元、基板处理装置及去除气泡的方法 | 方炳善 | 细美事有限公司 |
| 201710389450.8 | 传送单元及用于处理基板的装置和方法 | 李暎熏 | 细美事有限公司 |
| 201611075932.8 | 基板处理装置及方法 | 金载容 | 细美事有限公司 |
| 201710499043.2 | 基板处理装置和基板处理方法 | 李基胜 | 细美事有限公司 |
| 201710523906.5 | 基板处理装置 | 李知桓 | 细美事有限公司 |
| 201710525594.1 | 用于处理基板的装置和方法 | 金荣河 | 细美事有限公司 |
| 201611011607.5 | 旋转头及包括该旋转头的基板处理装置和方法 | 李知桓 | 细美事有限公司 |
| 201710383849.5 | 用于处理基板的装置和方法 | 金大民 | 细美事有限公司 |
| 201810383774.5 | 供电装置及包括该供电装置的基板处理装置 | H·梅里克延 | 细美事有限公司 |
| 201710388785.8 | 用于处理基板的方法和装置 | 方炳善 | 细美事有限公司 |
| 201710633490.2 | 基板处理系统 | 李廷焕 | 细美事有限公司 |
| 201810383604.7 | 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法 | 李承汉 | 细美事有限公司 |
| 201710680374.6 | 裸芯顶出装置 | 李喜澈 | 细美事有限公司 |
| 201710386836.3 | 基板处理装置和基板处理方法 | 崔基勋 | 细美事有限公司 |
| 201711015273.3 | 基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法 | 尹遵喜 | 细美事有限公司 |
| 201710389463.5 | 用于处理基板的装置和方法 | 李孝元 | 细美事有限公司 |
| 201780046128.3 | T FT基板、具备T FT基板的扫描天线、及T FT基板的制造方法 | 美崎克纪 | 夏普株式会社 |
| 201880037299.4 | 有源矩阵基板和显示装置 | 武田悠二郎 | 夏普株式会社 |
| 201780075996.4 | T FT基板、具备T FT基板的扫描天线以及T FT基板的制造方法 | 美崎克纪 | 夏普株式会社 |
| 201780053900.4 | 有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置 | 西村淳 | 夏普株式会社 |
| 201780046545.8 | 扫描天线 | 水崎真伸 | 夏普株式会社 |
| 201580063805.3 | 半导体装置及其制造方法 | 铃木正彦 | 夏普株式会社 |
| 201680032280.1 | 有源矩阵基板 | 宫本忠芳 | 夏普株式会社 |
| 201880005786.2 | 薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置 | 吉田昌弘 | 夏普株式会社 |
| 201680032544.3 | 有源矩阵基板 | 宫本忠芳 | 夏普株式会社 |
| 201580064209.7 | 半导体装置及其制造方法 | 菊池哲郞 | 夏普株式会社 |
| 201780013382.3 | 显示面板用基板的制造方法 | 齐藤贵翁 | 夏普株式会社 |
| 201780008343.4 | 半导体装置及其制造方法 | 齐藤贵翁 | 夏普株式会社 |
| 201880042965.3 | 有源矩阵基板和显示装置 | 海濑泰佳 | 夏普株式会社 |
| 201780029753.7 | T FT基板、具备T FT基板的扫描天线及T FT基板的制造方法 | 美崎克纪 | 夏普株式会社 |
| 201680054850.7 | 半导体装置及其制造方法 | 原义仁 | 夏普株式会社 |
| 201680043576.3 | 半导体装置及其制造方法 | 中野文树 | 夏普株式会社 |
| 201880013188.X | 驱动电路、矩阵基板以及显示装置 | 吉田昌弘 | 夏普株式会社 |
| 201780066430.5 | T FT基板、具备T FT基板的扫描天线以及T FT基板的制造方法 | 美崎克纪 | 夏普株式会社 |
| 201780067282.9 | T FT基板、具备T FT基板的扫描天线以及T FT基板的制造方法 | 美崎克纪 | 夏普株式会社 |
| 201780012574.2 | 薄膜晶体管基板和显示面板 | 内田诚一 | 夏普株式会社 |
| 201780064709.X | T FT基板 | 蔡乙诚 | 夏普株式会社 |
| 201611207737.6 | 封装基板及其制作工艺、半导体元件封装结构及制作工艺 | 林少雄 | 先进封装技术私人有限公司 |
| 201711095362.3 | 形成三维导线环的方法和使用该方法形成的导线环 | 杰弗里·格里杰尔多 | 先进科技新加坡有限公司 |
| 201711019019.0 | 包括可压缩结构的成型装置 | 何树泉 | 先进科技新加坡有限公司 |
| 201710581588.8 | 用于将均匀的夹紧压力施加到衬底上的模塑系统 | 何树泉 | 先进科技新加坡有限公司 |
| 201810759501.6 | 用于分配粘性粘合剂的装置和方法 | 郑志华 | 先进科技新加坡有限公司 |
| 201711063553.1 | 用于引用由工件载体所支撑的工件的工件引用系统和方法 | 哈里斯·汤姆 | 先进装配系统新加坡有限公司 |
| 201710855050.1 | FCOB芯片在芯片-传递装置的暂时存储 | 罗美尔·塞巴斯蒂安 | 先进装配系统有限责任两合公司 |
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| 201780006431.0 | 基板搬运用机器人 | 金兑炫 | 现代重工集团股份有限公司 |
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| 201810193966.X | 一种深浅沟槽半导体功率器件及其制备方法 | 欧阳伟伦 | 香港商莫斯飞特半导体股份有限公司 |
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| 202010195290.5 | 一种L ED外延生长方法 | 林传强 | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 201810986245.4 | 一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法 | 王金斌 | 湘潭大学 |
| 201710426277.4 | 一种铁电场效应晶体管及其制备方法 | 廖敏 | 湘潭大学 |
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| 201910234441.0 | 一种铁电栅场效应晶体管及其制备方法 | 廖敏 | 湘潭大学 |
| 202010622412.4 | 一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 | 曾斌建 | 湘潭大学 |
| 201711329187.X | 一种T FT基板的镀膜方法 | 黄乐 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
| 201880012706.6 | 无电解触击镀镍液以及镀镍被膜的成膜方法 | 加藤友人 | 小岛化学药品株式会社 |
| 201880012615.2 | 无电解镀敷工艺 | 加藤友人 | 小岛化学药品株式会社 |
| 201680034767.3 | 利用符号快速错误检测的硅后验证和调试 | S·米特拉 | 小利兰·斯坦福大学理事会 |
| 202010159894.4 | 一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法 | 张红梅 | 芯创（天门）电子科技有限公司 |
| 201910858065.2 | 一种测试芯片工艺角偏移的方法 | 丁玲 | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 201710391266.7 | 一种双臂双叉式机械手及其运送晶圆的工艺方法 | 陈春华 | 芯导精密（北京）设备有限公司 |
| 201811021267.3 | 半导体器件结构及其制作方法 | 肖德元 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 201910629684.4 | 检测晶圆键合强度的方法及晶圆键合机台 | 余兴 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910865778.1 | 半导体结构及其形成方法 | 余兴 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910550713.8 | 半导体器件的制造方法 | 谭经纶 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910405744.4 | 低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法 | 周华 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910406880.5 | 半导体晶圆测试结构及其形成方法 | 周华 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910572614.X | 沟槽隔离结构及其形成方法 | 姚公达 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910410254.3 | 存储器结构及其形成方法、存储器结构的电路 | 谭经纶 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910572789.0 | 存储器结构及其形成方法 | 余兴 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910630418.3 | 晶圆切削机台及晶圆边缘切削方法 | 余兴 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910497752.6 | 一种半导体结构、图像传感器、芯片及其形成方法 | 姚公达 | 芯盟科技有限公司 |
| 201910345524.7 | 三维存储器以及制作方法 | 周华 | 芯盟科技有限公司 |
| 202110722814.6 | 半导体结构及半导体结构的形成方法 | 刘藩东 | 芯盟科技有限公司 |
| 202110722827.3 | 动态随机存取存储器及其形成方法 | 华文宇 | 芯盟科技有限公司 |
| 202110787179.X | 半导体结构及半导体结构的形成方法 | 骆中伟 | 芯盟科技有限公司 |
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| 201911413952.5 | 芯片焊接的控制方法和控制系统 | 徐虎 | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 201911032371.7 | 一种腐蚀液及芯片台面的制备方法 | 邹颜 | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 201911007905.0 | 一种器件拨件包装控制方法 | 白文 | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 201810395122.3 | 流体控制装置 | 冯传彰 | 辛耘企业股份有限公司 |
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| 201810465360.7 | 封装载板结构及其制造方法 | 谢育忠 | 欣兴电子股份有限公司 |
| 201810163669.0 | 半导体封装结构及其制作方法 | 谭瑞敏 | 欣兴电子股份有限公司 |
| 201810799183.6 | 基板结构及其制造方法 | 林建辰 | 欣兴电子股份有限公司 |
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| 201810906876.0 | 封装基板结构与其接合方法 | 柯正达 | 欣兴电子股份有限公司 |
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| 201810679002.6 | 线路板的制造方法 | 吴建德 | 欣兴电子股份有限公司 |
| 201810965115.2 | 散热基板及其制作方法与芯片封装结构 | 林建辰 | 欣兴电子股份有限公司 |
| 201810695129.7 | 接合电子元件的方法 | 曾晨威 | 欣兴电子股份有限公司 |
| 201811213335.6 | 线路载板结构及其制作方法 | 林纬廸 | 欣兴电子股份有限公司 |
| 201910574865.1 | 一种离子检测器及其制备方法 | 石清雯 | 新昌县厚泽科技有限公司 |
| 201910574232.0 | 一种离子监控器及其制备方法 | 石清雯 | 新昌县厚泽科技有限公司 |
| 201910574230.1 | 一种离子探测器及其制备方法 | 石清雯 | 新昌县厚泽科技有限公司 |
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| 201680060720.4 | 电子装置以及电子装置的制造方法 | 鎌田英纪 | 新电元工业株式会社 |
| 201680060719.1 | 电子装置的制造方法以及电子装置 | 鎌田英纪 | 新电元工业株式会社 |
| 201680043423.9 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 | 小笠原淳 | 新电元工业株式会社 |
| 201680043436.6 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 | 小笠原淳 | 新电元工业株式会社 |
| 201680009069.8 | 半导体装置 | 小谷凉平 | 新电元工业株式会社 |
| 201710832129.2 | 引线框架和电子部件装置 | 笠原哲一郎 | 新光电气工业株式会社 |
| 201610821830.X | 引线架及其制造方法、半导体装置 | 林真太郎 | 新光电气工业株式会社 |
| 201610625745.6 | 引线框、半导体装置以及引线框的制造方法 | 坂井直也 | 新光电气工业株式会社 |
| 201610915103.X | 半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法 | 林真太郎 | 新光电气工业株式会社 |
| 201710012575.9 | 引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 | 笠原哲一郎 | 新光电气工业株式会社 |
| 201710449228.2 | 器件表面处理方法及系统 | 张毅 | 新华三技术有限公司 |
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| 201910236940.3 | 一种硅片转移装置及硅片测试装置 | 夏秋良 | 新美光（苏州）半导体科技有限公司 |
| 201680015469.X | 加速掺杂硅中缺陷形成、稳定电池性能、制造电池的方法和电池 | B·J·哈勒姆 | 新南创新私人有限公司 |
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| 201811617682.5 | 半导体装置及其形成方法 | 韦维克 | 新唐科技股份有限公司 |
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| 201980040517.4 | 半导体装置 | 浜崎正生 | 新唐科技日本株式会社 |
| 202010498393.9 | 半导体装置 | 太田朋成 | 新唐科技日本株式会社 |
| 201980043532.4 | 半导体装置 | 大屋满明 | 新唐科技日本株式会社 |
| 201880088260.5 | 半导体装置 | 广木均典 | 新唐科技日本株式会社 |
| 202080004600.9 | 电阻元件及功率放大电路 | 宫岛贤一 | 新唐科技日本株式会社 |
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| 201711475161.6 | 一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法及所得的产品和薄膜晶体管 | 陈卓 | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 201711408137.0 | 防止Al腐的处理方法 | 卢朋 | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 201710934949.2 | 过孔逆角检测方法和装置 | 陈赵豪 | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 201711480196.9 | 一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 林振国 | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 201711278338.3 | 薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺 | 刘刚 | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 201711481186.7 | 光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法 | 庄宇鹏 | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 201811519123.0 | OL ED基板及其图案偏移检测方法、装置 | 罗志猛 | 信利半导体有限公司 |
| 201910424489.8 | 一种衬底基板的清洗方法 | 罗志猛 | 信利半导体有限公司 |
| 201910556205.0 | 一种光伏电池的刻蚀方法 | 刘宏发 | 信利半导体有限公司 |
| 201780026381.2 | 模板组件的选别方法及工件的研磨方法以及模板组件 | 佐藤一弥 | 信越半导体株式会社 |
| 201780027731.7 | 线锯装置及工件的切断方法 | 宇佐美佳宏 | 信越半导体株式会社 |
| 201880018073.X | 晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置 | 田中佑宜 | 信越半导体株式会社 |
| 201880026727.3 | 工件的切断方法及接合部件 | 丰田史朗 | 信越半导体株式会社 |
| 201680042042.9 | 半导体晶圆的制造方法 | 宇佐美佳宏 | 信越半导体株式会社 |
| 201880021867.1 | 工件的切断方法 | 丰田史朗 | 信越半导体株式会社 |
| 201580063283.7 | 外延晶片的制造方法 | 针谷秀树 | 信越半导体株式会社 |
| 201980005186.0 | 工件分离装置及工件分离方法 | 大谷义和 | 信越工程株式会社 |
| 201610912284.0 | 晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法 | 田上昭平 | 信越化学工业株式会社 |
| 201610865473.7 | 热传导性硅酮组合物以及半导体装置 | 秋场翔太 | 信越化学工业株式会社 |
| 201610505786.1 | 晶片加工用临时粘合构件、晶片加工用层叠体以及薄晶片的制造方法 | 田边正人 | 信越化学工业株式会社 |
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| 201710898801.8 | 半色调相移光掩模坯、制造方法和半色调相移光掩模 | 高坂卓郎 | 信越化学工业株式会社 |
| 201611052097.6 | 晶片层合体和制备方法 | 安田浩之 | 信越化学工业株式会社 |
| 201680033205.7 | 具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法 | 秋山昌次 | 信越化学工业株式会社 |
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| 201880014716.3 | 碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板 | 长泽弘幸 | 信越化学工业株式会社 |
| 201680032041.6 | 具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法 | 秋山昌次 | 信越化学工业株式会社 |
| 201680031978.1 | 具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法 | 秋山昌次 | 信越化学工业株式会社 |
| 201680032098.6 | 具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法 | 秋山昌次 | 信越化学工业株式会社 |
| 201710209017.1 | 含硅酮骨架高分子化合物、光固化性树脂组合物、光固化性干膜、积层体、及图案形成方法 | 丸山仁 | 信越化学工业株式会社 |
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| 201710279647.6 | 清洁剂组合物和薄衬底的制备 | 上野方也 | 信越化学工业株式会社 |
| 201810796676.4 | 有机膜形成用组合物、图案形成方法及有机膜形成用树脂 | 郡大佑 | 信越化学工业株式会社 |
| 201710107328.7 | 半导体装置及其制造方法、倒装芯片型半导体装置及其制造方法 | 曾我恭子 | 信越化学工业株式会社 |
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| 202110279340.2 | 一种快恢复二极管芯片及其制备方法 | 严毅琳 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 202010566213.6 | 一种半导体台面金属剥离方法 | 王秋建 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 202010171990.0 | 一种防止刮蹭台面的钝化结构及其制备方法和应用 | 陈年 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 202011181382.4 | 一种大功率高压肖特基势垒二极管 | 马文力 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 202110209032.2 | 一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用 | 李浩 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 201910113972.4 | 一种高品质石英舟的生产加工方法 | 郭辉 | 扬州美和光电科技有限公司 |
| 201810744767.3 | 一种L ED芯片及其切割方法 | 石峰 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 201811145385.5 | 一种侧向外延生长的方法及半导体结构 | 吴真龙 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 201911021625.5 | 一种快速贴装BGA芯片的方法 | 周思远 | 扬州万方电子技术有限责任公司 |
| 201811474028.3 | 一种肖特基二极管的加工方法 | 李瑞江 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 201910486698.5 | 一种半导体缺陷剔除方法 | 景昌忠 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 201910923286.3 | 一种沟槽肖特基多晶硅沉积后栅氧中断返工方法 | 杨正铭 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
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| 201910388921.2 | T FT阵列基板及T FT阵列基板的制造方法 | 张丹妮 | 业成科技（成都）有限公司 |
| 201910213025.2 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 | 钟金峰 | 业成科技（成都）有限公司 |
| 202010335571.6 | 太阳能电池硅片二次印刷用翻转运输装置及其生产工艺 | 赵辉 | 一道新能源科技（衢州）有限公司 |
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| 201910227044.0 | 用于光束抖动和刮削的镭射加工系统和方法 | 马克·A·昂瑞斯 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 201910568345.X | 一种集成电路的制造装置及其制造方法 | 蒋中英 | 伊犁师范大学 |
| 201580066701.8 | 用于半导体清洁的阿基米德刷 | 布拉德利·斯科特·威瑟斯 | 伊利诺斯工具制品有限公司 |
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| 201810039324.4 | 承载盘 | 邓志明 | 亿力鑫系统科技股份有限公司 |
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| 201610355354.7 | 用于三维集成结构的改善布线 | A博罗特 | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
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| 201710389520.X | 具有底侧树脂和焊料触点的无胶带引线框封装体 | J·塔利多 | 意法半导体公司 |
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| 201710289319.4 | 具有顺应性角的堆叠半导体封装体 | J·塔利多 | 意法半导体公司 |
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| 201610983331.0 | 用于减小半导体器件中的热机械应力的方法以及对应器件 | P·科尔帕尼 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201611052945.3 | 双沟道HEMT器件及其制造方法 | F·尤克拉诺 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710931764.6 | 用于硅通孔的电测试的改进系统以及对应的制造工艺 | A·帕加尼 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710833172.0 | 用于热保护的电路及其操作方法 | G·L·托里希 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201610350411.2 | 导通状态阻抗降低的常闭型晶体管及其制造方法 | F·尤克拉诺 | 意法半导体股份有限公司 |
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| 201680070352.1 | 用于衬底制造的晶圆板和掩模装置 | T·布卢克 | 因特瓦克公司 |
| 201610282659.X | 具有选择性接合垫保护的CMOS-MEMS积体电路装置 | D·李 | 因文森斯公司 |
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| 201680058110.0 | 用于干扰屏蔽的引线接合线 | 阿比欧拉·奥佐拉 | 英帆萨斯公司 |
| 201710742731.7 | 用于制造双极结型晶体管的方法和双极结型晶体管 | D楚玛科夫 | 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司 |
| 201710574489.7 | 用于产生超级结器件的方法 | F.希尔勒 | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 201810140687.7 | 电子器件 | K·霍塞尼 | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
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| 201710831909.5 | 半导体器件 | M.达伊内塞 | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
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| 201710646215.4 | 具有包括两个层的场电极的晶体管装置 | T.费伊尔 | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
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| 201710907580.6 | 半导体器件和用于形成半导体器件的方法 | F.希尔勒 | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 201810004865.3 | 包括限定出凹口的包封材料的半导体装置 | K·K·顾 | 英飞凌科技股份有限公司 |
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| 201810575915.3 | 绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件 | C·P·桑道 | 英飞凌科技股份有限公司 |
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| 201710576245.2 | 加工半导体晶片的方法和覆盖半导体晶片的保护覆盖件 | 弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201810072092.2 | 具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法 | J·G·拉文 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710702389.8 | 半导体构件、用于加工衬底的方法和用于制造半导体构件的方法 | S·克里韦茨 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711123924.0 | 具有不同熔化温度的互连结构的封装体 | A·格拉斯曼 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710652352.9 | 包括激活掺杂剂的制造方法和具有陡峭结的半导体装置 | A·布雷梅塞尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711349402.2 | 具有保护涂层的功率半导体模块 | R·拜尔雷尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710711881.1 | 用于处理载体的方法和电子部件 | K.普吕格尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710300656.9 | 芯片载体上基于腔体的特征 | T.贝默尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710293227.3 | 用于测试晶体管结构的栅极绝缘的半导体器件和方法 | D.贝克迈尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711397689.6 | 射频器件封装体及其形成方法 | S·特罗塔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201510917326.5 | 形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法 | R·埃斯特夫 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710378000.9 | 制造半导体器件的方法、半导体衬底组件和管芯组件 | M.布伦鲍尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710822540.1 | 使用保护层的自对准碳化硅接触的形成 | 拉维·凯沙夫·乔希 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710854614.X | 电子器件、电子模块及其制造方法 | G·阿德马 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710906126.9 | 功率半导体装置 | J.G.拉文 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711400878.4 | 将电子芯片与连接器主体互连并使连接器主体成形的通用过程 | S·卡德韦尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711349813.1 | 半导体器件 | J·G·拉文 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201810245551.2 | 半导体设备及其装配方法和电力设备 | 斯特凡·马凯纳 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711424717.9 | 用于制造电子模块组件的方法和电子模块组件 | R·拜尔雷尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201810063124.2 | 包括晶体管芯片、二极管芯片和驱动器芯片的半导体模块 | A.阿伦斯 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710756156.6 | 半导体晶片和方法 | A·布里纳 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710632240.7 | 晶片盒、将晶片布置在晶片盒中的方法、晶片保护板和保护晶片的方法 | M·门格尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710826878.4 | 具有dV/dt可控性的功率半导体装置 | C.耶格 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711008174.2 | 功率半导体器件终止结构 | J-G.鲍尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201910693605.6 | 用于校准超声键合机的方法 | F·伊科克 | 英飞凌科技股份有限公司 |
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| 201710660496.9 | 具有背侧金属结构的器件及其形成方法 | J·鲍姆加特尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
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| 201710865895.9 | 用于分割半导体装置的方法和半导体装置 | M·法齐内利 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710710220.7 | 具有用于将电感器连接到一个或一个以上晶体管的预成形电连接部的功率开关封装 | 赵应山 | 英飞凌科技美国公司 |
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| 201910119192.0 | 一种芯片纳米银浆涂覆装置 | 崔建中 | 英鸿纳米科技股份有限公司 |
| 202010542473.X | 一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法 | 郎芳 | 英利能源（中国）有限公司 |
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| 202080003294.7 | 电子装置和其制造方法 | 张安邦 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 202080000989.X | 半导体装置和其制造方法 | 黄敬源 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
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| 201810348132.1 | 转移载板与晶粒载板 | 赖育弘 | 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 |
| 201910294488.6 | 半导体器件内部焊点表面异物层的解析方法及系统 | 李文婷 | 英特尔产品（成都）有限公司 |
| 201810146657.7 | 具有带有多电介质栅极堆叠体的Ⅲ-Ⅴ族材料有源区的非平面半导体器件 | G·杜威 | 英特尔公司 |
| 201810413954.3 | 具有Ⅲ-Ⅴ族材料有源区和渐变栅极电介质的半导体器件 | G·杜威 | 英特尔公司 |
| 201580080351.0 | 具有局部化副鳍隔离的高电子迁移率晶体管 | W.拉克马迪 | 英特尔公司 |
| 201680022710.1 | 用于半导体器件的具有高高宽比的穿过电介质的导电路径 | T沃尔特 | 英特尔公司 |
| 201480079228.2 | 具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法 | G·比马拉塞蒂 | 英特尔公司 |
| 201580080368.6 | 防止通孔着落短接的倒置选择性电介质交联 | K.林 | 英特尔公司 |
| 201580083356.9 | 具有增大的接触面积的半导体器件接触 | R.梅汉德鲁 | 英特尔公司 |
| 201680013385.2 | 用于薄FLI涂敷的在Cu表面抛光上的掺Zn焊料 | F·华 | 英特尔公司 |
| 201380079074.2 | 在微电子器件中形成低带隙源极和漏极结构的方法 | R·里奥斯 | 英特尔公司 |
| 201680014524.3 | 具有带有整体附接结构的嵌入式迹线层的微电子衬底 | Y.邓 | 英特尔公司 |
| 201710356176.4 | 保形低温密闭性电介质扩散屏障 | S·金 | 英特尔公司 |
| 201480081430.9 | 并入有阻挡层的1S1R存储单元 | E·V·卡尔波夫 | 英特尔公司 |
| 201480083547.0 | 利用半导体器件的牺牲性阻挡层的选择性沉积 | G·克洛斯特 | 英特尔公司 |
| 201480083614.9 | 形成具有非对称外形的鳍状物结构的装置和方法 | W·拉赫马迪 | 英特尔公司 |
| 201480079250.7 | 具有不同大小的鳍状部的多栅极晶体管 | N·尼迪 | 英特尔公司 |
| 201480079891.2 | 用于基于鳍状物的电子设备的固体源扩散结 | W·M·哈菲兹 | 英特尔公司 |
| 201480080746.6 | 具有空隙加速击穿的MOS反熔丝 | R·奥拉-沃 | 英特尔公司 |
| 201480081280.1 | 用于创建缓冲区以减少微电子晶体管中的泄漏的装置和方法 | C·S·莫哈帕特拉 | 英特尔公司 |
| 201580082343.X | 磷化铝铟子鳍状物锗沟道晶体管 | M·V·梅茨 | 英特尔公司 |
| 201710076353.3 | 具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法 | T·甘尼 | 英特尔公司 |
| 201480083592.6 | 过孔阻挡层 | R·胡拉尼 | 英特尔公司 |
| 201710329076.2 | 形成于全局隔离或局部隔离的衬底上的三维的锗基半导体器件 | A·卡佩拉尼 | 英特尔公司 |
| 201480083617.2 | 具有增大的调谐范围的CMOS变容二极管 | M·埃尔-塔纳尼 | 英特尔公司 |
| 201480083487.2 | 耐受扩散的III-V族半导体异质结构及包括其的器件 | H·W·肯内尔 | 英特尔公司 |
| 201480083615.3 | 将过孔与密集间距金属互连层的顶和底自对准的结构和方法 | R·E·申克尔 | 英特尔公司 |
| 201710067644.6 | 用于非平面半导体器件架构的精密电阻器 | J-Y·D·叶 | 英特尔公司 |
| 201580079933.7 | 具有双层电介质结构的封装 | 周铮 | 英特尔公司 |
| 201710310671.1 | 高击穿电压Ⅲ-N耗尽型MOS电容器 | H·W·田 | 英特尔公司 |
| 201480083474.5 | 具有缺陷减少的Ⅲ族氮化物结构的集成电路管芯以及与其相关联的方法 | S·达斯古普塔 | 英特尔公司 |
| 201710723086.4 | 具有罩层的气隙互连以及形成的方法 | K·费希尔 | 英特尔公司 |
| 201480080717.X | 用于电子束(EBEAM)直接写入系统的圆角化校正 | Y波罗多维斯基 | 英特尔公司 |
| 201380081115.1 | 在多个鳍状物间距结构当中的笔直、高和一致的鳍状物的蚀刻技术 | M·S·安巴蒂 | 英特尔公司 |
| 201480082938.0 | 使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路 | H·W·田 | 英特尔公司 |
| 201480083593.0 | 用于非平面半导体器件鳍下中的III-V族半导体合金及其形成方法 | H·W·肯内尔 | 英特尔公司 |
| 201480083536.2 | 受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善 | K·J·辛格 | 英特尔公司 |
| 201680010781.X | 微电子互连适配器 | C.盖斯勒 | 英特尔公司 |
| 201710059597.0 | 减小的接触电阻的自对准接触金属化 | G·A·格拉斯 | 英特尔公司 |
| 201480079120.3 | 用于在相同管芯上形成Ge/SiGe沟道和III-V族沟道晶体管的技术 | G·A·格拉斯 | 英特尔公司 |
| 201480083597.9 | 利用基于深宽比沟槽的工艺形成均匀层 | S·K·加德纳 | 英特尔公司 |
| 201480083740.4 | 用于化学辅助图案化的光可界定的对准层 | T·R·扬金 | 英特尔公司 |
| 201680032509.1 | 封装集成的合成射流设备 | F.艾德 | 英特尔公司 |
| 201580080106.X | 用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构 | R·米恩德鲁 | 英特尔公司 |
| 201710116832.3 | 具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法 | B·塞尔 | 英特尔公司 |
| 201580002713.4 | 模制电介质纳米结构 | S库恩 | 英特尔公司 |
| 201711054009.0 | 具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件 | R·皮拉里塞泰 | 英特尔公司 |
| 201710034693.X | 有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法 | A·J·派特 | 英特尔公司 |
| 201480081235.6 | 具有使用穿硅过孔(TSV)的集成麦克风器件的管芯 | K·J·李 | 英特尔公司 |
| 201710216991.0 | CMOS架构的隧穿场效应晶体管（T FET）以及制造N型和P型T FET的方法 | R·科特利尔 | 英特尔公司 |
| 201710000739.6 | 高电压场效应晶体管 | H·W·田 | 英特尔公司 |
| 201480080459.5 | 用于通过催化剂氧化物形成而创建微电子器件隔离的设备和方法 | G·比马拉塞蒂 | 英特尔公司 |
| 201480080734.3 | 具有横向渐变功函数的晶体管栅极金属 | C-H·简 | 英特尔公司 |
| 201610313170.4 | 晶体管器件、电子设备以及形成晶体管器件的方法 | G·A·格拉斯 | 英特尔公司 |
| 201580077587.9 | 集成电路（IC）衬底的选择性金属化 | B.C.马林 | 英特尔公司 |
| 201480083605.X | 用于实现ART沟槽中的Ⅲ-Ⅴ GAA的INGAAS EPI结构及湿法蚀刻工艺 | S·K·加德纳 | 英特尔公司 |
| 201580080235.9 | 富铟NMOS晶体管沟道 | C·S·莫哈帕特拉 | 英特尔公司 |
| 201480078954.2 | 用于集成电路的柱状电阻器结构 | 李呈光 | 英特尔公司 |
| 201710536570.6 | 用于集成有功率管理和射频电路的片上系统(SOC)结构的III族-N晶体管 | H·W·田 | 英特尔公司 |
| 201580080102.1 | 双材料高K热密封剂系统 | V·麦克马汉 | 英特尔公司 |
| 201580083358.8 | 用于应力增强与接触的通过背侧显露实现的深EPI | A.D.利拉克 | 英特尔公司 |
| 201580081143.2 | 用于FinFET掺杂的双高度玻璃 | C-G.李 | 英特尔公司 |
| 201580082487.5 | 在两侧上具有金属的功率门 | D纳尔逊 | 英特尔公司 |
| 201580082490.7 | 使用选择性氮化硅覆盖对具有自对准内部间隔件和SOI FINFET的多沟道纳米线器件的制造 | V·H·勒 | 英特尔公司 |
| 201480079089.3 | 高电压晶体管和低电压非平面晶体管的单片集成 | K·弗阿 | 英特尔公司 |
| 201480080745.1 | 利用电子束通用切具的交叉扫描接近度校正 | Y波罗多维斯基 | 英特尔公司 |
| 201680082393.2 | 创建具有富铟侧表面和底表面的有源沟道的设备和方法 | C.S.莫哈帕特拉 | 英特尔公司 |
| 201580083015.1 | 半导体纳米线装置及其制造方法 | R.梅汉德鲁 | 英特尔公司 |
| 201480010686.0 | 柔性封装架构 | B·E·谢 | 英特尔公司 |
| 201711404006.5 | 形成自对准帽的方法和设备 | B.博亚诺夫 | 英特尔公司 |
| 201580080408.7 | 通过选择性氧化的多高度FINFET器件 | S·金 | 英特尔公司 |
| 201580079932.2 | 具有子鳍状物层的晶体管 | W·拉赫马迪 | 英特尔公司 |
| 201580078094.7 | 用于电子束曝光系统的精密对准系统 | Y波罗多维斯基 | 英特尔公司 |
| 201580085568.0 | 受限且可伸缩的防护帽 | V.沙尔马 | 英特尔公司 |
| 201580079314.8 | 用于解耦合光致抗蚀剂的扩散和溶解性切换机制的手段 | M.克里萨克 | 英特尔公司 |
| 201580084790.9 | 栅极下方具有子鳍状物电介质区的晶体管 | W·拉赫马迪 | 英特尔公司 |
| 201580085500.2 | 具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管 | G.A.格拉斯 | 英特尔公司 |
| 201610561772.1 | 用于衬底的系统和方法 | 朗道夫·克鲁兹 | 英特希尔美国公司 |
| 201710846058.1 | 太阳能电池组件铝边框自动上料、打胶系统 | 李贵彬 | 营口金辰机械股份有限公司 |
| 201710619830.6 | 用于热处理腔室的支撑圆柱 | 梅兰·贝德亚特 | 应用材料公司 |
| 201810278612.5 | 用于热处理腔室的高温测量过滤器 | 约瑟夫·M·拉内什 | 应用材料公司 |
| 201580081054.8 | 半导体器件 | 鲍新宇 | 应用材料公司 |
| 201780044001.8 | 用于非接触对准的方法和设备 | 蒂莫·艾德勒 | 应用材料公司 |
| 201880072145.9 | 高压蒸气退火处理设备 | J·M·舒浩勒 | 应用材料公司 |
| 201780045515.5 | 用于化学机械抛光的保持环 | 安德鲁·J·纳甘盖斯特 | 应用材料公司 |
| 201780054189.4 | 用于沉积系统中的非接触式运输的载体，用于载体的运输的装置，以及用于运输载体的方法 | 克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼 | 应用材料公司 |
| 201710840913.8 | 用于高深宽比半导体器件结构的具有污染物去除的无黏附干燥工艺 | 史蒂文·韦尔韦贝克 | 应用材料公司 |
| 201780068080.6 | 基板处理设备以及使用基板处理设备的方法 | 曹生贤 | 应用材料公司 |
| 201780083540.2 | 具有防闪耀DMD的分辨率增强的数字光刻 | 托马斯·L·莱蒂格 | 应用材料公司 |
| 201710953411.6 | 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫 | 穆罕默德萨米尔 | 应用材料公司 |
| 201680022918.3 | 缓冲腔室晶片加热机构和支撑机械臂 | W·T·韦弗 | 应用材料公司 |
| 201680032137.2 | 工艺腔室 | 刘炜 | 应用材料公司 |
| 201780016548.7 | 半导体处理装备的30NM排队式液体颗粒计数器测试和清洁 | 王建奇 | 应用材料公司 |
| 201780026150.1 | 全区域逆流热交换基板支撑件 | 约翰怀特 | 应用材料公司 |
| 201980035398.3 | 半导体晶片处理中最小化晶片背侧损伤的方法 | A·A·哈贾 | 应用材料公司 |
| 201580016760.4 | 在铝等离子体装备部件上生成紧密的氧化铝钝化层 | S·J·金 | 应用材料公司 |
| 201580036673.5 | 用于热腔室应用和热处理的光管阵列 | 约瑟夫·M·拉内什 | 应用材料公司 |
| 201580034167.2 | 兼容的研磨垫以及研磨模块 | 陈志宏 | 应用材料公司 |
| 201680011245.1 | 用于图案化的掩模蚀刻 | G陈 | 应用材料公司 |
| 201810343864.1 | 衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法 | 詹姆斯·D·卡达希 | 应用材料公司 |
| 201580035653.6 | 旋转批量外延系统 | 雅各布·纽曼 | 应用材料公司 |
| 201610890145.2 | 具有顶部基板支撑组件的热处理腔室 | 欧勒格·塞雷布里安诺夫 | 应用材料公司 |
| 201710619540.1 | 溶胶凝胶涂布的支撑环 | 约瑟夫拉内什 | 应用材料公司 |
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| 201710619014.5 | L ED阵列的线性高装填密度 | 约瑟夫·R·约翰逊 | 应用材料公司 |
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| 201710620229.9 | 用于处理腔室的陶瓷涂覆的石英盖体 | 伯纳德黄 | 应用材料公司 |
| 201910514110.2 | 处理基板的方法 | G·巴拉苏布拉马尼恩 | 应用材料公司 |
| 201680016568.X | 用于3D共形处理的原子层处理腔室 | 刘炜 | 应用材料公司 |
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| 201610637513.2 | 氧化物蚀刻选择性系统 | L·徐 | 应用材料公司 |
| 201710946426.X | 基板支撑组件 | P·K·库尔施拉希萨 | 应用材料公司 |
| 201980008042.0 | 用于监测纳米结构的方法 | S·利瓦伊 | 应用材料以色列公司 |
| 201880050681.9 | 用于移动基板的方法和系统以及用于评估基板的方法 | 奥弗·阿丹 | 应用材料以色列公司 |
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| 202010998344.1 | 扇出型封装工艺和扇出型封装结构 | 何正鸿 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
| 202011178278.X | 堆叠封装结构和堆叠封装方法 | 何正鸿 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
| 202011200293.X | 电磁屏蔽散热封装结构及其制备方法 | 李立兵 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
| 202010854277.6 | 电磁屏蔽结构、电磁屏蔽结构制作方法和电子产品 | 王顺波 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
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| 202011206345.4 | 电磁屏蔽模组结构和电磁屏蔽模组结构的制备方法 | 孔德荣 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
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| 201610670687.9 | 供气及排气装置 | 许官善 | 圆益IPS股份有限公司 |
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| 202010013039.2 | 冷却设备及待冷却件的冷却方法 | 罗佳明 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011015413.9 | 晶圆键合方法及其结构 | 郭帅 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980000175.3 | 用于形成双镶嵌互连结构的方法 | 许健 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980002585.1 | 具有可编程逻辑器件和异构存储器的统一半导体器件及其形成方法 | 刘峻 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811440530.2 | 晶圆间键合结构的形成方法、晶圆的键合方法 | 高林 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910001024.1 | 一种芯片制备方法以及芯片结构 | 严孟 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201810989226.7 | 化学液槽装置 | 徐融 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010716832.9 | 半导体芯片样品目标位置的定位方法和定位装置 | 邹锭 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811524018.6 | 一种三维存储器及其通道孔结构的形成方法 | 吕震宇 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010150770.X | 一种半导体芯片密封环及其制造方法 | 赵祥辉 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010472797.0 | 测试结构、测试方法以及半导体结构 | 杨素慧 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910252213.6 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | 王启光 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910427639.0 | 半导体器件及其形成方法 | 胡凯 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201911256967.5 | 一种晶圆片的加工方法和系统 | 张春雷 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010655610.0 | 键合存储器件及其制造方法 | 杨盛玮 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980002584.7 | 用于校准粒子束的垂直度的方法以及应用于半导体制造工艺的系统 | 陈广甸 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202080000523.X | 用于三维存储器的接触结构 | 孙中旺 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202080000434.5 | 具有XTACKING架构的DRAM存储器件 | 刘磊 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980001304.0 | 三维存储器件及其制造方法 | 肖莉红 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010826246.X | 半导体封装结构及其制造方法 | 刘峻 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910122181.8 | 测试结构和测试方法 | 周玉婷 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010527656.4 | 炉管的进气装置及其炉管结构 | 谢定方 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811348222.7 | 3D NAND闪存的制作方法和连接结构 | 田武 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010018198.1 | 一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法 | 宋亮东 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010412145.8 | 一种多晶圆划片方法及半导体结构 | 肖莉红 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010095343.6 | 3D NAND的台阶结构的形成方法以及3DNAND存储器及其制造方法 | 周玉婷 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910836140.5 | 一种互连结构、三维存储器件及互连结构的制作方法 | 甘程 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910247964.9 | 3D存储器件及其制造方法 | 朱九方 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980002496.7 | 用于以基于衍射的叠加量测为基础评估临界尺寸的系统和方法 | 冯耀斌 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010502933.6 | 互连结构及其形成方法 | 杨罡 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010689714.3 | 形成三维集成布线结构的方法及其半导体结构 | 朱继锋 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980001777.0 | 具有源极结构的三维存储设备和用于形成其的方法 | 黄攀 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010428927.0 | 多堆叠层三维存储器件及其制造方法 | 刘峻 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010733184.8 | 一种三维存储器的制造方法 | 李拓 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010078448.0 | 半导体结构及其制备方法 | 羅興安 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010002190.6 | 晶圆承载装置 | 陈建宇 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811139605.3 | 三维存储器结构及制造方法 | 胡斌 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811139565.2 | 半导体器件的制造方法和集成电路的制造方法 | 孙超 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010362746.2 | 一种半导体器件及其制造方法 | 孙超 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202080001288.8 | 接触焊盘结构及其形成方法 | 王迪 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010148408.9 | 晶圆的检测方法和检测设备 | 丁小叶 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010355926.8 | 一种开口的形成方法 | 谢海波 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010080267.1 | 一种在沟槽内填充金属的方法和一种沟槽结构 | 吴友明 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201911164226.4 | 自对准四重图案及半导体器件的制造方法 | 刘峻 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011128587.6 | 三维存储器的漏电分析方法及三维存储器 | 范光龙 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201880005353.7 | 三维存储器件及其制作方法 | 王鹏程 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010627386.4 | 一种半导体器件及其制作方法 | 刘威 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010714686.6 | 时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法 | 杨盛玮 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010353120.5 | 一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法 | 穆钰平 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980001305.5 | 三维存储器件及其制造方法 | 肖莉红 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910096136.X | 晶圆处理设备 | 王启光 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010060113.6 | 半导体机台控制方法、装置及存储介质 | 刘隆冬 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010447910.X | 半导体处理装置及处理方法 | 王林 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010898353.3 | 一种集成电路修复方法 | 魏磊 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811092078.5 | 存储器的形成方法 | 王秉国 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010217513.3 | 清洗方法 | 周永平 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811062282.2 | 制作高压器件与半导体器件的方法 | 许文山 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010473520.X | 一种GOI失效点的检测方法 | 卜丽丽 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010761836.9 | 晶圆缺陷的检测方法、检测系统和计算机可读存储介质 | 周静兰 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010640621.1 | 存储器件及其制造方法 | 肖亮 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910250069.2 | 晶片键合结构及其制作方法 | 王涛 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010914382.4 | 半导体结构及其制造方法 | 刘峻 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010055223.3 | 存储器件及其制造方法 | 杨竹 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010401989.2 | 一种对准图像获取方法、装置及系统 | 周毅 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980001291.7 | 半导体器件制造方法 | 王启光 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910120689.4 | 一种3D封装多点焊接的方法及装置、设备及存储介质 | 李涌伟 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010782174.3 | 晶圆处理装置 | 黄欣欣 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011037579.0 | 晶圆处理装置 | 朱焜 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011171431.6 | 一种三维存储器及其接触插塞的制造方法 | 李兆松 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910847327.5 | 堆叠封装结构的失效分析方法及结构 | 漆林 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201911380001.2 | 三维存储器栅极叠层缺陷的测试方法及测试装置 | 闾锦 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910002543.X | 一种晶圆固定台以及晶圆键合设备 | 邢瑞远 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011215138.5 | 一种输气管道、半导体机台 | 白靖宇 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202080000681.5 | 三维存储器件及其制作方法 | 黄开谨 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201911100701.1 | 三维存储器及其制备方法 | 白靖宇 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010873525.1 | 三维存储器的制备方法及离子注入装置 | 孙璐 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010699066.X | 开口形貌的测量方法及装置 | 郎陆广 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202080000251.3 | 金属污染测试装置和方法 | 王秉国 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910511094.1 | 晶圆清洗机台及其晶圆清洗方法 | 吕相林 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010625113.6 | 一种曲面研磨装置及芯片提取方法 | 林万建 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010361086.6 | 用于在半导体制造中定位图案的标记 | 张豆豆 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980001834.5 | 具有位于缝隙结构中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法 | 霍宗亮 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010769015.X | 一种刻蚀方法以及三维存储器 | 李明 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011187557.2 | 一种晶圆表面杂质取样装置 | 徐小明 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010888606.9 | 一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法 | 卢倩文 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010008946.8 | 待清洗工件的清洗方法及清洗设备 | 夏余平 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980002592.1 | 具有背面隔离结构的三维存储器件 | 甘程 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011183882.1 | 半导体器件高度分布的检测方法 | 张鹏真 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202110354897.8 | 应力迁移测试结构和应力迁移测试方法 | 王志强 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010161888.2 | 三维存储器制造方法及三维存储器 | 吴林春 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010330140.0 | 原子层沉积设备及3D存储器件 | 李远博 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010342454.2 | 薄膜沉积装置及3D存储器件的制造方法 | 熊少游 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201811101351.6 | 平衡晶圆弯曲度分布的方法 | 孟昭生 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010095996.4 | 失效分析方法及结构 | 杜晓琼 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202010476739.5 | 用于半导体结构的刻蚀方法及3D存储器件的制造方法 | 张福涛 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011505042.2 | 光刻胶相容性检测装置 | 刘云飞 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910087492.5 | 一种湿法刻蚀设备及方法 | 顾立勋 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011132876.3 | 一种半导体器件及其安装结构、封装模具和制作方法 | 陈鹏 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910849258.1 | 半导体互连结构及其制备方法 | 陈顺福 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011473708.0 | 一种3D NAND存储器件的制造方法 | 贺晓平 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202080000228.4 | 三维NAND存储器件及形成其的方法 | 孙中旺 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 202011017654.7 | 一种半导体器件及制造方法 | 肖为引 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201980003370.1 | 芯片封装结构及其制造方法 | 曾心如 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 201910326080.2 | 一种无水切割金刚石齿状划片刀及其制作方法 | 田硕 | 长沙华腾智能装备有限公司 |
| 201711467340.5 | 一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法 | 李若松 | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 202010573208.8 | 具有摄像侦测装置的机械手臂组件及半导体生产设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201811120674.X | 多重图形化方法及存储器的形成方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711480652.X | 缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法 | 蔡长益 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710815798.9 | 具有摄像侦测装置的机械手臂组件及半导体生产设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710851868.6 | 半导体刻蚀设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711091289.2 | 半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710774298.5 | 半导体结构的测试载具及测试方法 | 刘明德 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711132320.2 | 器件清洗方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710574932.0 | 一种导电栓塞的制备方法及具有导电栓塞的半导体器件 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711138426.3 | 芯片堆栈立体封装结构及其制造方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711049885.4 | 一种多重间距曝光图案及其制备方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711004001.3 | 一种半导体封装结构及其制造方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710340261.1 | 存储器及其形成方法、半导体器件 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201811146010.0 | 电容结构及其形成方法 | 王晓玲 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710774069.3 | 高深宽比结构的制备方法及结构 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710416611.8 | 真空系统及具有真空系统的半导体设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711057866.6 | 成膜方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711009584.9 | 具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810059759.5 | 浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统 | 蔡长益 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711298961.5 | 特征尺寸微缩方法及应用于半导体存储器的结构 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711467952.4 | 具有双倍间距的布局图形及其形成方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810187209.1 | 连接结构及其制造方法、半导体器件 | 谢明灯 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810102548.5 | 铝膜低温溅镀方法、铝导线层制造方法及具有其的结构 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810072900.5 | 存储元件的位线的制作过程、存储元件及其制作方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810188891.6 | 一种半导体晶圆结构的刻蚀方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201710596312.7 | 喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711061893.0 | 半导体封装件及其制造方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711474162.9 | 半导体设备前端模块、半导体设备及晶圆处理方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810188330.6 | 存储器及其制造方法、半导体器件 | 谢明灯 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810188331.0 | 连接结构及其制造方法、半导体器件 | 谢明灯 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711474634.0 | 测量点补偿值的计算方法、装置及设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711111868.9 | 晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711439945.3 | 半导体存储器件结构及其制作方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201811062202.3 | 一种刻蚀方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810129123.3 | 半导体器件及其制造方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810289842.1 | 一种自对准沟槽的形成方法 | 杨军 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711409038.4 | 用于改善铜线短路的制程工艺 | 蔡长益 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711055985.8 | 半导体生产设备及半导体工艺方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201810279061.4 | 半导体生产设备自清洗方法及栅极字线结构制备方法 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201711474154.4 | 双重图形化方法及双重图形化结构 | 不公告发明人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 201980090551.2 | 拾取性的评价方法、切晶粘晶一体型膜、切晶粘晶一体型膜的评价方法及分选方法、以及半导体装置的制造方法 | 田泽强 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201880017473.9 | 接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法 | 川名祐贵 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201980032401.6 | 切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 | 木村尚弘 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201980020030.X | 研磨液、研磨液组及研磨方法 | 岩野友洋 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201580080728.2 | 粘接剂组合物以及连接体 | 工藤直 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201780031010.3 | 脱模膜 | 石岛英明 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201780025733.2 | 接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 | 川名祐贵 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201380062944.5 | 感光性树脂组合物、感光性膜以及抗蚀图案的形成方法 | 岩下健一 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201780057709.7 | 悬浮液和研磨方法 | 大内真弓 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201680062779.7 | 半导体用粘接剂、半导体装置以及制造该半导体装置的方法 | 本田一尊 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201780093690.1 | 研磨液和研磨方法 | 大塚祐哉 | 昭和电工材料株式会社 |
| 201811323045.7 | 化学气相沉积装置 | 石桥直人 | 昭和电工株式会社 |
| 201780079551.3 | SiC晶片及SiC晶片的制造方法 | 藤川阳平 | 昭和电工株式会社 |
| 201780057496.8 | n型SiC单晶基板及其制造方法以及SiC外延晶片 | 江藤数马 | 昭和电工株式会社 |
| 201880032744.8 | SiC外延晶片及其制造方法 | 深田启介 | 昭和电工株式会社 |
| 201780051959.X | SiC外延晶片及其制造方法、以及缺陷识别方法 | 郭玲 | 昭和电工株式会社 |
| 201780052334.5 | SiC外延晶片及其制造方法、大凹坑缺陷检测方法、缺陷识别方法 | 郭玲 | 昭和电工株式会社 |
| 201811031817.X | 一种硅晶体片磷扩散方法 | 韩大伟 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
| 201910396644.X | 一种低压环境下的高均匀性浅结扩散工艺 | 何一峰 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
| 201910796178.4 | 一种蓝宝石衬底的制造方法和滴蜡设备 | 徐良 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 202110284566.1 | 半导体封装结构及其制备方法 | 郭丽丽 | 浙江铖昌科技股份有限公司 |
| 202010469000.1 | 具有热沉结构的GaN器件及其制备方法 | 莫炯炯 | 浙江大学 |
| 201810113409.2 | 一种基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管及制备方法 | 刘妮 | 浙江大学 |
| 201810668024.2 | 一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管 | 吕建国 | 浙江大学 |
| 202010475767.5 | 二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法 | 莫炯炯 | 浙江大学 |
| 202010469012.4 | 增强型GaN HEMT器件及其制备方法 | 郁发新 | 浙江大学 |
| 202010850469.X | 基于多漏指结构的GaN HEMT器件及其制备方法 | 莫炯炯 | 浙江大学 |
| 201910947984.7 | 一种硅纳米线阵列芯片检测细胞代谢物、脂质的方法 | 邬建敏 | 浙江大学 |
| 202010274351.7 | GaN器件SiC衬底刻蚀方法 | 郁发新 | 浙江大学 |
| 201910482155.6 | 一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法 | 余学功 | 浙江大学 |
| 201810670232.6 | 一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法 | 吕建国 | 浙江大学 |
| 201910924318.1 | 一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法 | 郁发新 | 浙江大学 |
| 202010477741.4 | GaN-Si异质外延结构及制备方法 | 莫炯炯 | 浙江大学 |
| 201910924313.9 | 一种三维异构模组焊接方法 | 郁发新 | 浙江大学 |
| 201910586222.9 | 三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法 | 赵毅 | 浙江大学 |
| 202110897827.7 | 一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件 | 任娜 | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 202110158040.9 | GaN器件结构及制备方法 | 赵绪然 | 浙江工商大学 |
| 201810280944.7 | 一种芬顿与超声辅助变刚度气压砂轮抛光SiC曲面方法 | 赵军 | 浙江工业大学 |
| 202010150008.1 | 一种双基岛散热芯片封装工序 | 徐德慧 | 浙江工业职业技术学院 |
| 201910637111.6 | 一种用于三寸晶圆贴蜡的方法 | 王忠远 | 浙江光特科技有限公司 |
| 201910165888.7 | 基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置 | 刘燕枝 | 浙江积成星科技有限公司 |
| 202110421490.2 | 转接板及其制备方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 202010588583.X | 一种基于石墨烯做散热涂层的三维异构模组的制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 202010588587.8 | 一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 202010129509.1 | 一种凹槽内芯片放置方法 | 郁发新 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 202010587711.9 | 一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 202111200988.2 | 半导体键合结构及其制备方法 | 黄雷 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 202010912622.7 | 基于背部液冷导入的堆叠封装结构及其制备方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176831.9 | 一种具有电磁屏蔽功能的射频微系统及成型工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176985.8 | 一种立式焊接的射频芯片系统级封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176981.X | 一种高度集成的射频芯片系统级封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811593351.2 | 一种液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811177021.5 | 一种密闭型系统级封装光电模块工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176851.6 | 一种具有电磁屏蔽功能的射频芯片系统级封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176941.5 | 一种金属做密闭壳体的射频芯片系统级封装结构及工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176922.2 | 一种底部散热型射频芯片转接板封装工艺 | 郭丽丽 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811593477.X | 一种互联电感的制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811593367.3 | 一种竖立放置射频模块的相变散热结构的制作工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811593482.0 | 一种栓塞互联式的TSV结构及其制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811634005.4 | 一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176833.8 | 一种射频芯片的Fan-out封装工艺 | 王永河 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176982.4 | 一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
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| 201811176820.0 | 一种侧面散热型射频芯片系统级封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811177019.8 | 一种防辐射型系统级封装光电模块工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811177024.9 | 一种射频芯片的系统级封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811634002.0 | 用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器及其制作方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811593344.2 | 一种纵向互联的射频立方体结构的制作工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811176817.9 | 一种射频芯片扇出型系统级封装工艺 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
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| 202110304969.8 | 多芯片贴装结构及其制备方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
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| 201811593465.7 | 一种用于射频微系统组件的相变散热器制作方法 | 郁发新 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 201811596612.6 | 一种高密度侧壁互联方法 | 冯光建 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
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| 201911410108.7 | 一种集成电路密封腔体内部水汽和氢气含量的控制方法 | 关亚男 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 201711236302.9 | 一种长线列探测器的塑封方法 | 陈于伟 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 201810763632.1 | 一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法 | 徐海铭 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 201810764445.5 | 一种MOSFET功率器件的制备方法 | 徐海铭 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 201910826820.9 | 一种提高高压器件抗辐照性能的方法 | 张海良 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 202110289715.3 | 可编程的电源开关器件及其制备方法 | 张海良 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 201811130680.3 | 一种TSV填孔方法 | 赵飞 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 202010041400.2 | 一种具有大面积侧壁金属图形的薄膜电路的制备方法 | 赵飞 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 201811275775.4 | 一种抗辐照多栅器件及其制备方法 | 武唯康 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 201710861928.2 | 一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法 | 吴少兵 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201910655060.X | 具有分割子器件的GaN高电子迁移率晶体管及制造方法 | 张凯 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201811024949.X | 基于键合转移的超大功率限幅器MMIC及制备方法 | 戴家赟 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201710861956.4 | 一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 吴少兵 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201711459745.4 | 一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 张凯 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201711097266.2 | 一种MOS型器件的制造方法 | 杨同同 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201711155475.8 | 一种外延层变掺杂浓度的碳化硅二极管及其制备方法 | 杨同同 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201910778546.2 | 一种硅基自适应喷涌式微流体散热基板及其制备方法 | 禹淼 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201810306975.5 | 基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法 | 吴立枢 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201910262944.9 | 一种超薄晶圆基体芯片金球倒装焊接的方法 | 田飞飞 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201610158628.3 | 微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法 | 吴少兵 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201810728796.0 | 一种晶圆传载手臂及晶圆承载装置 | 张泽东 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201810650037.7 | 一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 | 杨同同 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201711462615.6 | 一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 张凯 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201610158793.9 | 减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法 | 吴少兵 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 202011413182.7 | 一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法 | 戴家赟 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201910899025.2 | 一种SiC芯片光刻标记形成方法 | 李飞飞 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 201811190170.5 | 一种GaN基p型栅结构的制备方法 | 徐哲 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 201811191206.1 | 一种GaN基材料的凹槽制备方法 | 徐哲 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 201810142411.2 | 一种横向结构的半导体异质结变容管装置 | 曾建平 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 201811406407.9 | 一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法 | 苏娟 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 201710031104.2 | SiO2中电荷与SiO2/Si界面态的分离测试方法 | 董鹏 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 202010737582.7 | 石墨烯载流子调控方法以及石墨烯量子霍尔器件 | 王仕建 | 中国计量科学研究院 |
| 201910316864.7 | 一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置 | 王亮 | 中国科学技术大学 |
| 201910102753.6 | 一种碳化硅单晶薄膜的制备方法 | 李强 | 中国科学技术大学 |
| 201810265693.5 | 一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法 | 曹刚 | 中国科学技术大学 |
| 201810916518.8 | 一种整流方法 | 初宝进 | 中国科学技术大学 |
| 201910698159.8 | 常关型场效应晶体管及其制备方法 | 孙海定 | 中国科学技术大学 |
| 201910366161.5 | 半导体量子芯片及其制作方法 | 李海欧 | 中国科学技术大学 |
| 201910316988.5 | 半导体掺杂的扩散深度检测方法 | 王亮 | 中国科学技术大学 |
| 201910366140.3 | 半导体栅极电控量子点及其制备方法 | 李海欧 | 中国科学技术大学 |
| 201910706502.9 | 氧化镓晶体管及其制备方法 | 龙世兵 | 中国科学技术大学 |
| 201910706501.4 | 氧化镓基肖特基二极管及其制备方法 | 龙世兵 | 中国科学技术大学 |
| 201811362745.7 | 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 | 梁冬冬 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201811106311.0 | 二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法 | 魏钟鸣 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201910772038.3 | 一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法 | 赵晓松 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201711346622.X | 一种GaN基异质结二极管及其制备方法 | 梁亚楠 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201811417296.1 | 三维空间束缚单杂质原子晶体管及其制备方法 | 窦亚梅 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201910192567.6 | 在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法 | 张韵 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201911126555.X | 可协变应力AlN结构及其制备方法 | 汪连山 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201910187930.5 | 一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法 | 于天 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201710063306.5 | 氮化物纳米带的制备方法 | 袁国栋 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201910570912.5 | 三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法 | 张晓迪 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201910776612.2 | 硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法 | 潘东 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201811255896.2 | 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 | 刘乃鑫 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201910116636.5 | 基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法 | 姜向伟 | 中国科学院半导体研究所 |
| 202010144306.X | 场效应晶体管器件 | 马培培 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201810762721.4 | 一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法 | 申占伟 | 中国科学院半导体研究所 |
| 202010085145.1 | 常关型场效应晶体管及其制备方法 | 郑军 | 中国科学院半导体研究所 |
| 202010148068.X | 硅基IV族合金条及其制备方法 | 王楠 | 中国科学院半导体研究所 |
| 201911058217.7 | 共晶焊接装置及其应用 | 王毅 | 中国科学院电子学研究所 |
| 201811557586.6 | 氧化镁锌薄膜及其制备方法 | 颜涛 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 202010515930.6 | 一种高能离子注入机用冷阴极潘宁离子源装置 | 陈根 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 201810302159.7 | 一种一定禁带宽度硒化亚锗薄膜的制备方法 | 胡劲松 | 中国科学院化学研究所 |
| 201710255801.6 | 以光刻胶为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管及制作和应用 | 孙陨 | 中国科学院金属研究所 |
| 201910033325.2 | 一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器 | 韩拯 | 中国科学院金属研究所 |
| 202010142634.6 | 一种单层原子沟道鳍式场效应晶体管的制备方法及产品 | 韩拯 | 中国科学院金属研究所 |
| 201710302093.7 | 氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | 竺立强 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 201810429577.2 | 一种片上高品质薄膜微光学结构的制备方法 | 程亚 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 201810117079.4 | 一种塑性半导体材料以及其制备方法 | 史迅 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 201910411829.3 | 一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法 | 顾溢 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 202010644757.X | 一种异质半导体薄膜及其制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202011477988.2 | 一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010603630.3 | 一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201810997049.7 | 半导体结构及其制备方法 | 张伟博 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910239157.2 | 基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法 | 刘强 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201710076760.4 | 晶圆键合方法及异质衬底制备方法 | 黄凯 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201710735726.3 | 一种异质结构的制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910506664.8 | 金属侧壁的制备方法及器件结构 | 应利良 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201811619162.8 | 异质键合结构的制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201811619146.9 | 异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201810942371.X | 基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910129433.X | 异质结构的制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010602620.8 | 一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201811019338.6 | 无缺陷穿硅通孔结构的制备方法 | 张伟博 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201911128957.3 | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 吕凯 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010719062.3 | 一种异质衬底上的薄膜结构及其制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201710371220.9 | Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010066837.1 | 一种GaSb基InSb量子点及其制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201911346297.6 | 一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法 | 张苗 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010849598.7 | 减少侧边漏电的SOI场效应晶体管及其制备方法 | 刘强 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010604763.2 | 一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010573844.0 | 一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法 | 郑理 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010574731.2 | 一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法 | 郑理 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910027051.6 | 环栅晶体管的制备方法 | 刘强 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202011348038.X | 在片多参数测量装置 | 吴亮 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010603087.7 | 一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010603852.5 | 一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010849581.1 | 改善自热效应的SOI器件及其制备方法 | 刘强 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201911214247.2 | 一种具有双埋氧层的晶体管结构及其制备方法 | 吕凯 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010553375.6 | 一种硅基氮化镓微波器件及制备方法 | 程新红 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 202010603835.1 | 一种热释电红外探测器的制备方法及热释电红外探测器 | 欧欣 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201911220415.9 | 太赫兹焦平面探测器的封装结构及其制作方法 | 秦华 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201710183417.X | N型场效应薄膜晶体管及其制作方法、CMOS反相器及其制作方法 | 许启启 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201810031021.8 | 基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法 | 孙钱 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201711212927.1 | 一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用 | 徐俞 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201810682762.2 | 基于纳米阵列的弹道输运垂直型晶体管及其制作方法 | 于国浩 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201711439215.3 | 兼容真空环境的图形转移的方法及系统 | 熊康林 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201610633443.3 | 扫描探针及其制备方法 | 秦华 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201710773823.1 | 掺杂源供应管路及化学气相沉积系统 | 鞠涛 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201710326285.1 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板的制作方法及显示装置 | 吴绍静 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201911095999.1 | 一种电路基板的制作方法 | 熊康林 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201811629332.0 | 高沟道迁移率垂直型UMOSFET器件及其制备方法 | 陈扶 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201811080849.9 | 氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特 | 冯加贵 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201910766027.4 | 一种蓝宝石衬底的表面处理方法及其使用的坩埚 | 冯博渊 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 201911210062.4 | 半导体装置及其制造方法及包括该半导体装置的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811096908.1 | 半导体装置及其制造方法 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910861907.X | 一种三维器件的套刻误差补偿方法及系统 | 张利斌 | 中国科学院微电子研究所 |
| 202010702482.0 | 二氧化碳供应系统及具有其的半导体清洁系统 | 崔栽荣 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910683597.7 | 一种硅衬底上外延InP半导体的方法及制得的半导体器件 | 常虎东 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910683606.2 | 硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件 | 常虎东 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910924228.2 | 一种刻蚀装置及刻蚀方法 | 张永奎 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910369630.9 | 互连结构、电路及包括该互连结构或电路的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201911234819.3 | 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法 | 李俊杰 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910108871.8 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910108863.3 | 半导体装置及其制造方法及包括该装置的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811336212.1 | 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910536868.6 | 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案 | 陈睿 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810134800.0 | 垂直纳米线晶体管与其制作方法 | 殷华湘 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810664793.5 | 半导体结构与其制作方法 | 亨利阿达姆松 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810502936.2 | 包括纳米线的器件与其制作方法 | 李俊杰 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810143686.8 | 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 | 徐秋霞 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910011391.X | 一种SOI器件结构及其制备方法 | 宿晓慧 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810495597.X | 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法 | 赵妙 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710531762.8 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910106268.6 | 使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法 | 史丽娜 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710531811.8 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811526241.4 | 半导体器件与其制作方法 | 李彬 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910108642.6 | 芯片的切割方法 | 王文 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811564982.1 | 半导体器件与其制作方法 | 项金娟 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710927728.2 | 垂直堆叠的环栅纳米线晶体管及其制备方法 | 朱正勇 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810596940.X | 半导体器件与其制作方法 | 李俊杰 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811096907.7 | 半导体装置及其制造方法 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 202010119889.0 | 一种半导体器件及其制作方法 | 汪宁 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810075436.5 | 具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法 | 汤益丹 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910138043.9 | 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 | 蔡小五 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201510616088.4 | 半导体器件制造方法 | 许高博 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910105271.6 | 半导体结构与其制作方法 | 熊文娟 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910441230.4 | 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法 | 李俊杰 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811618362.1 | 一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法 | 郑中山 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810096684.8 | CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 | 殷华湘 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201510147801.5 | 栅导体层及其制造方法 | 钟汇才 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810582456.1 | 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法 | 卜建辉 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810582460.8 | 一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法 | 卜建辉 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811577677.6 | 半导体器件、其制造方法、集成电路及电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910386343.9 | 一种双分裂栅功率MOSFET器件及其制备方法 | 陈润泽 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710531812.2 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910011406.2 | 一种SOI器件结构及其制备方法 | 宿晓慧 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910138042.4 | 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 | 蔡小五 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710530298.0 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201711081961.X | GaN基单片功率逆变器及其制作方法 | 黄森 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710530194.X | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810957190.4 | 基于纳米带的晶体管及其制备方法 | 卢年端 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201711303181.5 | FinFET及其制造方法 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201711171651.7 | 基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构 | 王鑫华 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201911047602.1 | 用于测量不同材料的蚀刻选择比的结构及方法 | 李晨 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811171546.8 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811264215.9 | 半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 202010445827.9 | C形沟道部半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201911210061.X | 半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910631672.5 | 一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件 | 项金娟 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810864107.9 | 一种半导体结构及其制备方法 | 李永亮 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810096181.0 | 一种定位工艺缺陷的方法及装置 | 张利斌 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810265900.7 | 一种CMP后表面形貌预测方法及装置 | 曹鹤 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810957189.1 | 图形化装置及其使用方法 | 李海亮 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811101476.9 | 一种半导体器件及其形成方法 | 顾杰 | 中国科学院微电子研究所 |
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| 202110524721.2 | 一种真空鼓总成 | 张德龙 | 中科长光精拓智能装备（苏州）有限公司 |
| 202110685302.7 | 电子元件邦定装置及方法 | 张德龙 | 中科长光精拓智能装备（苏州）有限公司 |
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| 202010667146.7 | 封装基板及其制作方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010847366.8 | 一种嵌埋结构及制备方法、基板 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202110628543.8 | 任意方向自由路径阶梯通孔、基板及通孔结构的制作方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010599238.6 | 支撑框架结构及其制作方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202110816260.6 | 主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构及其制作方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202011258854.1 | 一种双面开窗封装结构及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 201811401833.3 | 一种埋芯流程后置的集成电路封装方法及封装结构 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010536963.9 | 一种无特征层结构的转接载板及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010912209.0 | 一种具有定向光电传输通道的空腔基板及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 201610191287.X | 芯片封装 | 卓尔·赫尔维茨 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 201811401821.0 | 一种集成电路封装方法及封装结构 | 莫锦添 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010911278.X | 一种实现多面互连的连接器及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010778619.0 | 一种嵌入式封装结构及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202011235681.1 | 一种具有围坝的封装结构及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010544120.3 | 一种嵌入式器件封装基板及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202010546656.9 | 一种具有高效散热结构的封装基板及其制造方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 202011182853.3 | 具有埋磁电感结构的封装基板及其制作方法 | 陈先明 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 201780059332.9 | 决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造方法 | 柴崎祐一 | 株式会社 尼康 |
| 201910836809.0 | 图案描绘装置 | 铃木智也 | 株式会社 尼康 |
| 201910693142.3 | 基板处理装置 | 鬼头义昭 | 株式会社 尼康 |
| 201780060676.1 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、元件制造方法、及曝光方法 | 青木保夫 | 株式会社 尼康 |
| 201780058140.6 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社 尼康 |
| 201680030165.0 | 布线图案的制造方法、晶体管的制造方法、以及转印用部件 | 中积诚 | 株式会社 尼康 |
| 201780030933.7 | 基板支承装置、曝光装置、及图案化装置 | 加藤正纪 | 株式会社 尼康 |
| 201780058902.2 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社 尼康 |
| 201780058903.7 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社 尼康 |
| 201780059376.1 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及器件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社 尼康 |
| 201780060674.2 | 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法 | 一之濑刚 | 株式会社 尼康 |
| 201880016788.1 | 物体保持装置、处理装置、平板显示器的制造方法、元件制造方法以及物体保持方法 | 青木保夫 | 株式会社 尼康 |
| 201780043156.X | 研磨体及其制造方法 | 大森恒 | 株式会社 则武 |
| 201780031611.4 | 薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 | 佐藤宏树 | 株式会社ADEKA |
| 201680021625.3 | 基板处理装置 | 郑愚德 | 株式会社EUGENE科技 |
| 201810924904.1 | 搬运装置 | 王鹏 | 株式会社IHI |
| 201680029785.2 | 基板处理系统及基板处理方法 | 庄盛博文 | 株式会社JET |
| 201680029809.4 | 基板处理装置 | 庄盛博文 | 株式会社JET |
| 201680029796.0 | 基板处理装置 | 庄盛博文 | 株式会社JET |
| 201780066854.1 | 流体加热装置 | 三村和弘 | 株式会社KE LK |
| 201780002399.9 | 使用电场吸附法去除异物的系统和方法 | 申东明 | 株式会社LG化学 |
| 201680031312.6 | 基于硅的熔融组合物和使用其的SiC单晶的制造方法 | 郑粲烨 | 株式会社LG化学 |
| 201780017884.3 | 基于硅的熔融组合物和使用其制造碳化硅单晶的方法 | 郑粲烨 | 株式会社LG化学 |
| 201680048915.7 | 基于硅的熔融组合物和使用其的SiC单晶的制造方法 | 郑粲烨 | 株式会社LG化学 |
| 201780068358.X | 嵌段共聚物 | 朴鲁振 | 株式会社LG化学 |
| 201780067383.6 | 嵌段共聚物 | 柳亨周 | 株式会社LG化学 |
| 201880005334.4 | 聚酰亚胺共聚物和使用其的聚酰亚胺膜 | 尹哲民 | 株式会社LG化学 |
| 201880005211.0 | 聚酰亚胺前体组合物和使用其的聚酰亚胺膜 | 尹哲民 | 株式会社LG化学 |
| 201880031975.7 | 用于透明发光器件显示器的电极基底及其制造方法 | 孙镛久 | 株式会社LG化学 |
| 201780071982.5 | 聚合物组合物 | 具世真 | 株式会社LG化学 |
| 201780057021.9 | 涂覆组合物、使用其生产有机电致发光器件的方法和由此生产的有机电致发光器件 | 尹锡喜 | 株式会社LG化学 |
| 201680038962.3 | 喷淋蚀刻装置 | 竹内一马 | 株式会社NSC |
| 201680028396.8 | 激光退火方法、激光退火装置以及薄膜晶体管的制造方法 | 水村通伸 | 株式会社V技术 |
| 201680001052.8 | 成膜装置及成膜方法 | 浅川庆一郎 | 株式会社爱发科 |
| 201680034320.6 | 基板保持装置、成膜装置和基板保持方法 | 织部爱美 | 株式会社爱发科 |
| 201880003097.8 | 薄膜的形成方法 | 畠中正信 | 株式会社爱发科 |
| 201880005621.5 | 离子源和离子注入装置 | 佐佐木德康 | 株式会社爱发科 |
| 201780002185.1 | 静电吸盘及等离子处理装置 | 酒田现示 | 株式会社爱发科 |
| 201680063644.2 | 薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材 | 上野充 | 株式会社爱发科 |
| 201880003963.3 | 元件结构体的制造方法 | 清健介 | 株式会社爱发科 |
| 201980001803.X | 磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法 | 吴承俊 | 株式会社爱发科 |
| 201880002937.9 | 溅射装置 | 金子俊则 | 株式会社爱发科 |
| 201880002935.X | 成膜装置 | 金子俊则 | 株式会社爱发科 |
| 201880005312.8 | 基板处理装置及支撑销 | 佐藤雄亮 | 株式会社爱发科 |
| 201680044815.7 | 基板处理方法及基板处理装置 | 园田和广 | 株式会社爱发科 |
| 201980007645.9 | 半导体装置制造用粘接片及使用其的半导体装置的制造方法 | 近藤恭史 | 株式会社巴川制纸所 |
| 201711425966.X | 半导体集成电路 | 小山润 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680076957.1 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置 | 三宅博之 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680076441.7 | 半导体装置以及传输系统 | 冈本佑树 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710352132.4 | 用于制造半导体装置的方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201880006911.1 | 显示装置 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710144162.6 | 半导体装置的制造方法 | 恵木勇司 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201580054805.7 | 逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备 | 上杉航 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201580033176.X | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 | 冈崎健一 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710578536.5 | 半导体装置及制造半导体装置的方法 | 本田达也 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680012805.5 | 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置 | 肥塚纯一 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710118915.6 | 半导体装置及其制造方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710291791.1 | 半导体装置的制造方法 | 佐藤裕平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680008409.5 | 半导体装置及其制造方法 | 浅见良信 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680077344.X | 金属氧化物膜以及半导体装置 | 保坂泰靖 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710644974.7 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | 栃林克明 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201610082458.5 | 半导体器件 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680079190.8 | 金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680008182.4 | 氧化物及其制造方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680023158.8 | 半导体装置及电子设备 | 福留贵浩 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710327978.2 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710788148.X | 半导体装置 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710266365.2 | 半导体器件及其制造方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680048760.7 | 半导体装置及其制造方法 | 笹川慎也 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201810569628.1 | 半导体装置 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201580059162.5 | 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710304096.4 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201680021254.9 | 半导体装置及其制造方法 | 鸟海聪志 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710232434.8 | 液晶显示装置、E L显示装置以及其制造方法 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201610148642.5 | 半导体装置 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201910837433.5 | 薄膜状部件支撑设备 | 熊仓佳代 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201480064849.3 | 半导体装置 | 山崎舜平 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 201710089447.4 | 异质结双极晶体管 | 梅本康成 | 株式会社村田制作所 |
| 201680062237.X | 弹性波装置 | 高田忠彦 | 株式会社村田制作所 |
| 201980015302.7 | 电容器 | 村濑康裕 | 株式会社村田制作所 |
| 201880013711.9 | 电容器 | 村濑康裕 | 株式会社村田制作所 |
| 201680065839.0 | 弹性波装置 | 关家大辅 | 株式会社村田制作所 |
| 201810258171.2 | 收纳架 | 安部健史 | 株式会社大福 |
| 201710859693.3 | 物品搬运设备 | 北原素行 | 株式会社大福 |
| 201610518176.5 | 搬送设备 | 鸟本和宏 | 株式会社大福 |
| 201811229527.6 | 工件处理装置、工件输送系统 | 仓桥孝治 | 株式会社大亨 |
| 201580047073.9 | 涂布型绝缘膜形成用组合物 | 赤井泰之 | 株式会社大赛璐 |
| 201680059021.8 | 粘接剂 | 小妻宏祯 | 株式会社大赛璐 |
| 201780097805.4 | 析出硬化型Ag-Pd-Cu-In-B系合金 | 宍野龙 | 株式会社德力本店 |
| 201610997489.3 | 晶片的分割方法 | 田渕智隆 | 株式会社迪思科 |
| 201810493357.6 | 切削装置 | 笠井刚史 | 株式会社迪思科 |
| 201710156871.6 | 晶片的加工方法 | 小清水秀辉 | 株式会社迪思科 |
| 201611159546.7 | 保护膜检测方法 | 梁仙一 | 株式会社迪思科 |
| 201610522459.7 | 卡盘工作台和清洗装置 | 新田秀次 | 株式会社迪思科 |
| 201610620260.8 | 密接程度检测方法 | 中村胜 | 株式会社迪思科 |
| 201810127358.9 | 激光加工装置 | 能丸圭司 | 株式会社迪思科 |
| 201610230634.5 | 卡盘台 | 福冈武臣 | 株式会社迪思科 |
| 201610223718.6 | 被加工物的切削加工方法 | 深泽隆 | 株式会社迪思科 |
| 201811080404.0 | 芯片的制造方法 | 淀良彰 | 株式会社迪思科 |
| 201810178284.1 | 切削刀具和安装凸缘 | M·加德 | 株式会社迪思科 |
| 201710327584.7 | 扩展片 | 森俊 | 株式会社迪思科 |
| 201610862695.3 | 光器件晶片的加工方法 | 大庭龙吾 | 株式会社迪思科 |
| 201710413254.X | 晶片加工系统 | 富樫谦 | 株式会社迪思科 |
| 201611166077.1 | 晶片的加工方法 | 大久保广成 | 株式会社迪思科 |
| 201710033605.4 | 晶片的加工方法 | 吉田真司 | 株式会社迪思科 |
| 201710235534.6 | 晶片的加工方法 | 武田昇 | 株式会社迪思科 |
| 201710595270.5 | 磨削装置 | 川名守 | 株式会社迪思科 |
| 201810435506.3 | 切削装置 | 内田文雄 | 株式会社迪思科 |
| 201510882928.1 | 晶片的加工方法 | 山下阳平 | 株式会社迪思科 |
| 201710007888.5 | 晶片的加工方法 | 中村胜 | 株式会社迪思科 |
| 201610916336.1 | L ED基板的形成方法 | 金永奭 | 株式会社迪思科 |
| 201610153195.2 | 扩张装置 | 松田智人 | 株式会社迪思科 |
| 201510731531.2 | 晶片的加工方法 | 森数洋司 | 株式会社迪思科 |
| 201610164246.1 | 晶片的分割方法 | 宫田论 | 株式会社迪思科 |
| 201710740384.4 | SiC晶片的生成方法 | 平田和也 | 株式会社迪思科 |
| 201610127183.2 | 保护膜检测方法 | 梁仙一 | 株式会社迪思科 |
| 201610139782.6 | 层叠器件的制造方法 | 儿玉祥一 | 株式会社迪思科 |
| 201710235954.4 | 晶片的加工方法 | 土屋利夫 | 株式会社迪思科 |
| 201610190979.2 | 薄板的分离方法 | 平田和也 | 株式会社迪思科 |
| 201810173668.4 | 凸缘机构 | 胁田信彦 | 株式会社迪思科 |
| 201610312332.2 | 防水盘 | 俞晨曦 | 株式会社迪思科 |
| 201810022495.6 | 磨削装置 | 桑名一孝 | 株式会社迪思科 |
| 201710982753.0 | 切削装置 | 松山敏文 | 株式会社迪思科 |
| 201810173699.X | 加工装置 | 加藤圭 | 株式会社迪思科 |
| 201710983932.6 | 划痕检测方法 | 吉田真司 | 株式会社迪思科 |
| 201710590252.8 | 磨削装置 | 松原壮一 | 株式会社迪思科 |
| 201710882110.9 | 切削装置 | 田中诚 | 株式会社迪思科 |
| 201810039093.7 | 被加工物的加工方法 | 淀良彰 | 株式会社迪思科 |
| 201610186899.X | 被加工物的搬送托盘 | 田中英明 | 株式会社迪思科 |
| 201610247873.1 | 剥离方法及超声波振动角 | 小柳将 | 株式会社迪思科 |
| 201810203259.4 | 激光加工装置 | 小林豊 | 株式会社迪思科 |
| 201710462981.5 | 切削方法和切削装置 | 重松孝一 | 株式会社迪思科 |
| 201610827456.4 | 分割装置以及晶片的分割方法 | 植木笃 | 株式会社迪思科 |
| 201610951636.3 | 旋转装置 | 清原恒成 | 株式会社迪思科 |
| 201610617838.4 | 被加工物的加工方法 | 有福法久 | 株式会社迪思科 |
| 201610274010.3 | 切削装置 | 大河原聪 | 株式会社迪思科 |
| 201810010664.4 | 激光加工装置 | 饭塚健太吕 | 株式会社迪思科 |
| 201810338098.X | 切削装置 | 津野贵彦 | 株式会社迪思科 |
| 201710325604.7 | 晶片的加工方法 | 广泽俊一郎 | 株式会社迪思科 |
| 201710637451.X | 晶片的加工方法 | 广泽俊一郎 | 株式会社迪思科 |
| 201810261942.3 | 加工方法 | 竹之内研二 | 株式会社迪思科 |
| 201711103076.7 | 晶片的加工方法 | 中村胜 | 株式会社迪思科 |
| 201611190802.9 | 晶片的加工方法 | 陆昕 | 株式会社迪思科 |
| 201810295763.1 | 晶片的激光加工方法 | 伴祐人 | 株式会社迪思科 |
| 201610791367.9 | 卡盘工作台 | 富樫谦 | 株式会社迪思科 |
| 201710052033.4 | 搬送装置 | 北浦毅 | 株式会社迪思科 |
| 201610607279.9 | 剥离方法和剥离装置 | 高泽徹 | 株式会社迪思科 |
| 201610970401.9 | 晶片的加工方法 | 汤平泰吉 | 株式会社迪思科 |
| 201810407941.5 | 激光加工方法 | 重松孝一 | 株式会社迪思科 |
| 201810786958.6 | 半导体装置的制造方法 | 门口卓矢 | 株式会社电装 |
| 201810224113.8 | 半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板 | 高萩智 | 株式会社电装 |
| 201610962975.1 | 开关元件 | 大川峰司 | 株式会社电装 |
| 201711351298.0 | 开关元件的制造方法 | 山田哲也 | 株式会社电装 |
| 201780014638.2 | 由碳化硅构成的半导体基板及其制造方法 | 杉山尚宏 | 株式会社电装 |
| 201710822062.4 | 半导体装置及其制造方法 | 富田英干 | 株式会社电装 |
| 201810150819.4 | 半导体装置的制造方法 | 永冈达司 | 株式会社电装 |
| 201680041130.7 | 氮化物半导体装置 | 樋口安史 | 株式会社电装 |
| 201680038146.2 | 半导体装置 | 田边广光 | 株式会社电装 |
| 201680049102.X | 半导体装置 | 河野宪司 | 株式会社电装 |
| 201711384307.6 | 开关元件及开关元件的制造方法 | 山田哲也 | 株式会社电装 |
| 201780020496.0 | 半导体装置及其制造方法 | 池浦奖悟 | 株式会社电装 |
| 201810122775.4 | 半导体装置及其制造方法 | 神谷真行 | 株式会社电装 |
| 201680054542.4 | 半导体装置 | 阴泳信 | 株式会社电装 |
| 201711123594.5 | 半导体装置的制造方法 | 细川博司 | 株式会社电装 |
| 201780031618.6 | 半导体装置 | 樽见浩幸 | 株式会社电装 |
| 201810263524.8 | 半导体装置及其制造方法 | 川岛崇功 | 株式会社电装 |
| 201611004830.7 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | 成田勝俊 | 株式会社电装 |
| 201711159927.X | 半导体装置的制造方法 | 熊泽辉显 | 株式会社电装 |
| 201810067250.5 | 半导体装置及其制造方法 | 久野敬史 | 株式会社电装 |
| 201880026333.8 | 用于化学机械研磨的浆料组合物 | 朴惠贞 | 株式会社东进世美肯 |
| 201880088934.1 | 切割装置以及切割方法 | 福家朋来 | 株式会社东京精密 |
| 201810144814.0 | 半导体装置 | 古川大 | 株式会社东芝 |
| 201680050892.3 | 处理装置、溅射装置和准直器 | 竹内将胜 | 株式会社东芝 |
| 201710505113.0 | 蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法 | 松尾圭一郎 | 株式会社东芝 |
| 201710377247.9 | 半导体装置及其制造方法 | 小林研也 | 株式会社东芝 |
| 201710766840.2 | 半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法 | 清水达雄 | 株式会社东芝 |
| 201810163425.2 | 半导体装置及其制造方法 | 下村纱矢 | 株式会社东芝 |
| 201810160330.5 | 半导体装置及其制造方法 | 彦坂年辉 | 株式会社东芝 |
| 201810193446.9 | 半导体装置及其制造方法 | 东条启 | 株式会社东芝 |
| 201710790536.1 | 半导体装置及其制造方法 | 藤农佑树 | 株式会社东芝 |
| 201710766839.X | 半导体装置、半导体装置的制造方法、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机 | 清水达雄 | 株式会社东芝 |
| 201710755006.3 | 半导体装置及其制造方法 | 和田龙 | 株式会社东芝 |
| 201880089952.1 | 半导体元件的制造方法 | 荻原光彦 | 株式会社菲尔尼克斯 |
| 201680036107.9 | 非易失性半导体存储装置 | 大和田福夫 | 株式会社佛罗迪亚 |
| 201680029797.5 | 存储器单元、非易失性半导体存储装置及非易失性半导体存储装置的制造方法 | 冈田大介 | 株式会社佛罗迪亚 |
| 201680041451.7 | 存储器单元、半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法 | 吉田省史 | 株式会社佛罗迪亚 |
| 201680046674.2 | 半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置 | 大和田福夫 | 株式会社佛罗迪亚 |
| 201480081592.2 | 制造系统 | 铃山惠史 | 株式会社富士 |
| 201580080787.X | 中继装置及制造系统 | 清水浩二 | 株式会社富士 |
| 201780073803.1 | 阀装置、使用该阀装置的流量控制方法和半导体制造方法 | 吉田俊英 | 株式会社富士金 |
| 201880037514.0 | 致动器、阀、流体供给系统、以及半导体制造装置 | 三浦尊 | 株式会社富士金 |
| 201880037585.0 | 致动器、阀、以及半导体制造装置 | 三浦尊 | 株式会社富士金 |
| 201780080827.X | 液面计、具备该液面计的气化器以及液面检测方法 | 日高敦志 | 株式会社富士金 |
| 201780023775.2 | 氧化物烧结体和溅射靶、及其制造方法 | 田尾幸树 | 株式会社钢臂功科研 |
| 201680012305.1 | 基板检查方法及系统 | 徐承爱 | 株式会社高迎科技 |
| 201910028131.3 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质 | 大野干雄 | 株式会社国际电气 |
| 201611237956.9 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 | 岛本聪 | 株式会社国际电气 |
| 201711146022.9 | 基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法 | 丸林哲也 | 株式会社国际电气 |
| 201910619215.4 | 基板处理装置以及半导体装置的制造方法 | 冈嶋优作 | 株式会社国际电气 |
| 201580082464.4 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | 汤浅和宏 | 株式会社国际电气 |
| 201710123023.5 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | 八幡橘 | 株式会社国际电气 |
| 201610837078.8 | 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 | 水口靖裕 | 株式会社国际电气 |
| 201710166926.1 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 | 渡桥由悟 | 株式会社国际电气 |
| 201710128701.7 | 处理装置、装置管理控制器、以及装置管理方法 | 浅井一秀 | 株式会社国际电气 |
| 201710110698.6 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法 | 八幡橘 | 株式会社国际电气 |
| 201710657423.4 | 清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质 | 山口天和 | 株式会社国际电气 |
| 201580076770.7 | 衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法 | 村田等 | 株式会社国际电气 |
| 201710096228.9 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | 竹田刚 | 株式会社国际电气 |
| 201710121687.8 | 衬底处理装置、装置管理控制器及装置管理方法 | 浅井一秀 | 株式会社国际电气 |
| 201580048932.6 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 | 小前泰彰 | 株式会社国际电气 |
| 201810166993.8 | 半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 | 永富佳将 | 株式会社国际电气 |
| 201810150065.2 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | 佐野敦 | 株式会社国际电气 |
| 201580081628.1 | 基板处理装置以及半导体装置的制造方法 | 伊藤刚 | 株式会社国际电气 |
| 201710118278.2 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统 | 渡桥由悟 | 株式会社国际电气 |
| 201580082353.3 | 基板处理系统、基板处理装置的文件管理方法及存储介质 | 山本一良 | 株式会社国际电气 |
| 201680050773.8 | 气体供给部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | 佐佐木隆史 | 株式会社国际电气 |
| 201710459088.7 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | 油谷幸则 | 株式会社国际电气 |
| 201710608316.2 | 示教夹具、基板处理装置以及示教方法 | 渡边明人 | 株式会社国际电气 |
| 201580082782.0 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | 清野笃郎 | 株式会社国际电气 |
| 201580082736.0 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 | 山口英人 | 株式会社国际电气 |
| 201710608317.7 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | 中谷公彦 | 株式会社国际电气 |
| 201580081860.5 | 反应管、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | 吉田秀成 | 株式会社国际电气 |
| 201680044904.1 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质 | 上村大义 | 株式会社国际电气 |
| 201710702298.4 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质 | 小川有人 | 株式会社国际电气 |
| 201611237030.X | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 | 岛本聪 | 株式会社国际电气 |
| 201710775132.5 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | 桥本良知 | 株式会社国际电气 |
| 201710773155.2 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质 | 岛本聪 | 株式会社国际电气 |
| 201710676088.2 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | 岛本聪 | 株式会社国际电气 |
| 201910010163.0 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 | 原田胜吉 | 株式会社国际电气 |
| 201780088353.3 | 超声波振动子以及使用超声波振动子的超声波洗净装置 | 中野彰久 | 株式会社海上 |
| 201780003128.5 | 键合方法 | 吉野秀纪 | 株式会社海上 |
| 201780004015.7 | 接合装置，接合方法及接合控制程序 | 驹木野裕次 | 株式会社华祥 |
| 201680078732.X | 在基板上形成电路的方法 | 佐土原大祐 | 株式会社杰希优 |
| 201780048644.X | 气体控制系统、具备该气体控制系统的成膜装置、检测方法以及存储介质 | 西里洋 | 株式会社堀场ST EC |
| 201710153480.9 | 场效应晶体管、存储元件、显示元件和装置及系统的制法 | 曾根雄司 | 株式会社理光 |
| 201610525944.X | 场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统 | 植田尚之 | 株式会社理光 |
| 201780017476.8 | 用于制造场效应晶体管的方法 | 松本真二 | 株式会社理光 |
| 201880023081.3 | 物体交换装置、物体处理装置、平板显示器的制造方法、元件制造方法、物体交换方法、以及物体处理方法 | 青木保夫 | 株式会社尼康 |
| 201680057222.4 | 曝光装置、曝光方法、平面显示器的制造方法、及元件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社尼康 |
| 201680062678.X | 光罩保持装置、曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法、光罩的保持方法以及曝光方法 | 八田澄夫 | 株式会社尼康 |
| 201611216877.X | 搬送装置、搬送方法、曝光装置、以及元件制造方法 | 金城麻子 | 株式会社尼康 |
| 201810418024.7 | 搬送系统、曝光装置、器件制造方法、搬送方法、曝光方法 | 原英明 | 株式会社尼康 |
| 201680020622.8 | 物体搬运装置及方法、曝光装置及方法、平板显示器的制造方法、元件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社尼康 |
| 201680018342.3 | 布局方法、标记检测方法、曝光方法、测量装置、曝光装置、以及组件制造方法 | 柴崎祐一 | 株式会社尼康 |
| 201680030014.5 | 物体保持装置、曝光装置、平板显示器的制造方法及器件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社尼康 |
| 201680020548.X | 曝光装置、平面显示器的制造方法、元件制造方法、及曝光方法 | 内藤一夫 | 株式会社尼康 |
| 201711449501.8 | 曝光装置、曝光方法、器件制造方法及标记 | 芝裕二 | 株式会社尼康 |
| 201580076893.0 | 移动体的控制方法、曝光方法、器件制造方法、移动体装置及曝光装置 | 上田哲宽 | 株式会社尼康 |
| 201680057154.1 | 曝光装置、平面显示器之制造方法、以及元件制造方法 | 白户章仁 | 株式会社尼康 |
| 201680057223.9 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 | 下山隆司 | 株式会社尼康 |
| 201680020108.4 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法及曝光方法 | 青木保夫 | 株式会社尼康 |
| 201680058222.6 | 曝光装置、曝光方法以及平面显示器制造方法 | 白户章仁 | 株式会社尼康 |
| 201780012572.3 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法、遮光装置及曝光方法 | 青木淳行 | 株式会社尼康 |
| 201480047670.7 | 移动体装置和曝光装置以及器件制造方法 | 柴崎祐一 | 株式会社尼康 |
| 201780060911.5 | 搬运装置、曝光装置、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 | 青木保夫 | 株式会社尼康 |
| 201680057225.8 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 | 白户章仁 | 株式会社尼康 |
| 201880054220.9 | 基板研磨装置及基板研磨装置的研磨液吐出方法 | 户川哲二 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710150426.9 | 基板研磨方法、顶环以及基板研磨装置 | 矶野慎太郎 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710509057.8 | 膜厚信号处理装置、研磨装置、膜厚信号处理方法及研磨方法 | 中村显 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710320234.8 | 镀膜装置及其控制方法、衬底保持件、和存储介质 | 藤方淳平 | 株式会社荏原制作所 |
| 201610086720.3 | 基板清洗装置、基板清洗方法以及基板处理装置 | 田中英明 | 株式会社荏原制作所 |
| 201711332926.0 | 基板装卸装置及其控制装置、镀覆装置、存储介质 | 横山俊夫 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710206657.7 | 示教系统、示教方法、清洗装置、存储介质及维护套件 | 矶川英立 | 株式会社荏原制作所 |
| 201580061139.X | 基板清洗装置 | 深谷孝一 | 株式会社荏原制作所 |
| 201810965484.1 | 弹性膜、基板保持装置及研磨装置 | 福岛诚 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710725706.8 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法、存储程序的存储介质 | 山川纯逸 | 株式会社荏原制作所 |
| 201810348533.7 | 泄漏检测方法、以及非暂时性的计算机可读取记录介质 | 作川卓 | 株式会社荏原制作所 |
| 202010459673.9 | 基板处理装置及基板处理系统 | 小畠严贵 | 株式会社荏原制作所 |
| 201610382143.2 | 湿式基板处理装置及衬垫件 | 丰村直树 | 株式会社荏原制作所 |
| 201810175382.X | 研磨方法、研磨装置以及基板处理系统 | 石井游 | 株式会社荏原制作所 |
| 201780041056.3 | 基板固持器及镀覆装置 | 藤方淳平 | 株式会社荏原制作所 |
| 201810461546.5 | 研磨装置以及研磨方法 | 金马利文 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710064401.7 | 基板保持模块、基板处理装置及基板处理方法 | 谷泽昭寻 | 株式会社荏原制作所 |
| 202010459633.4 | 蚀刻方法 | 小畠严贵 | 株式会社荏原制作所 |
| 201711449690.9 | 基板处理装置以及处理基板的制造方法 | 横山俊夫 | 株式会社荏原制作所 |
| 201510724374.2 | 辊部件以及基板处理装置 | 石桥知淳 | 株式会社荏原制作所 |
| 201910539068.X | 修正部、抛光处理组件、基板处理装置及修整冲洗方法 | 山口都章 | 株式会社荏原制作所 |
| 201910129817.1 | 调度器、衬底处理装置及衬底输送方法 | 野野部宏司 | 株式会社荏原制作所 |
| 201811288557.4 | 研磨装置、研磨系统、基板处理装置、研磨方法以及存储器 | 铃木佑多 | 株式会社荏原制作所 |
| 201710198483.4 | 有机E L显示装置和有机E L显示装置的制造方法 | 丸山哲 | 株式会社日本显示器 |
| 201710266582.1 | 显示装置 | 铃村功 | 株式会社日本显示器 |
| 201810879070.7 | 显示装置及其制造方法 | 山口阳平 | 株式会社日本显示器 |
| 201780035111.8 | 等离子体原子层生长装置及原子层生长方法 | 鹫尾圭亮 | 株式会社日本制钢所 |
| 201811538843.1 | 等离子处理装置 | 卢克辛贝勒 | 株式会社日立高新技术 |
| 201711453386.1 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | 山田一也 | 株式会社日立高新技术 |
| 201780010300.X | 磁隧道结元件的制造方法以及感应耦合型等离子处理装置 | 山田将贵 | 株式会社日立高新技术 |
| 201810597169.8 | 等离子处理装置以及试料台 | 楠本广则 | 株式会社日立高新技术 |
| 201780055559.6 | 电子显微镜装置及使用其的倾斜孔的测量方法 | 高木裕治 | 株式会社日立高新技术 |
| 201811538842.7 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | 荒卷徹 | 株式会社日立高新技术 |
| 201910061907.1 | 等离子体处理装置 | 丹藤匠 | 株式会社日立高新技术 |
| 201780000763.8 | 等离子处理方法以及等离子处理装置 | 寺仓聪志 | 株式会社日立高新技术 |
| 201880067635.X | 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶 | 寺前裕美 | 株式会社神户制钢所 |
| 201680047856.1 | 利用等离子体蚀刻的防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板 | 金炫中 | 株式会社世可 |
| 201610730607.4 | 热处理方法以及热处理装置 | 青山敬幸 | 株式会社思可林集团 |
| 201680044960.5 | 基板处理方法及基板处理装置 | 尾辻正幸 | 株式会社斯库林集团 |
| 201810143665.6 | 基板处理装置及基板处理方法 | 荒木知康 | 株式会社斯库林集团 |
| 201810858104.4 | 基板干燥方法和基板处理装置 | 奥谷学 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680036794.4 | 基板处理系统 | 大桥泰彦 | 株式会社斯库林集团 |
| 202010131552.1 | 基板处理装置及基板处理方法 | 安陪裕滋 | 株式会社斯库林集团 |
| 201711475467.1 | 基板处理方法 | 田中裕二 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680041041.2 | 基板处理装置及基板处理方法 | 桥诘彰夫 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710858481.3 | 回收配管清洗方法以及基板处理装置 | 土桥裕也 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680044083.1 | 基板处理方法及基板处理装置 | 尾辻正幸 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710850617.6 | 基板处理装置和基板处理方法 | 杉冈真治 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710540888.1 | 半导体装置的制造方法 | 青山敬幸 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680017231.0 | 基板处理方法和基板处理装置 | 秋月佑介 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680052890.8 | 处理液供给装置、基板处理系统及处理液供给方法 | 岩尾通矩 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710070646.0 | 一种基板处理装置 | 桥本光治 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710622173.0 | 基板处理装置 | 岩田敬次 | 株式会社斯库林集团 |
| 201610865262.3 | 基板保持旋转装置、基板处理装置 | 蒲裕充 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710573685.2 | 热处理方法 | 谷村英昭 | 株式会社斯库林集团 |
| 201810375829.8 | 涂敷方法 | 吉田省吾 | 株式会社斯库林集团 |
| 201611009746.4 | 基板处理装置 | 稻垣幸彦 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710609414.8 | 热处理装置、基板处理装置和热处理方法 | 稻垣幸彦 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710841302.5 | 基板处理装置 | 菊本宪幸 | 株式会社斯库林集团 |
| 201910559676.7 | 基板处理装置及基板处理方法 | 福原文人 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710764007.4 | 基板处理方法 | 日野出大辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680031648.2 | 基板处理装置及基板处理方法 | 田中裕二 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710565095.5 | 基板处理装置和处理杯清洗方法 | 辻川裕贵 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710755442.0 | 基板处理装置和喷嘴清洗方法 | 三浦淳靖 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680031649.7 | 基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法 | 田中裕二 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710618997.0 | 基板处理方法以及基板处理装置 | 三浦淳靖 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710826502.3 | 基板排列装置以及基板排列方法 | 宫本幸辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710813810.2 | 基板对齐装置及方法、基板处理装置及方法、基板排列装置及方法 | 宫本幸辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710844624.5 | 基板处理方法以及基板处理装置 | 宗德皓太 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710616990.5 | 热处理方法 | 谷村英昭 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710704464.4 | 热处理装置、基板处理装置、热处理方法及基板处理方法 | 春本将彦 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710707152.9 | 基板处理装置和基板处理方法 | 西山耕二 | 株式会社斯库林集团 |
| 201911280441.0 | 处理腔室以及基板处理装置 | 中根慎悟 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710373089.X | 基板处理装置及基板处理方法 | 尾辻正幸 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710606084.7 | 热处理装置 | 伊藤祯朗 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710756122.7 | 基板处理方法 | 日野出大辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710791335.3 | 基板搬运装置及基板搬运方法 | 宫本幸辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710814078.0 | 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法 | 村地弘美 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710770930.9 | 基板处理方法 | 日野出大辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710837918.5 | 基板处理方法以及基板处理装置 | 菊本宪幸 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710854370.5 | 基板处理方法以及基板处理装置 | 山口侑二 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710779419.5 | 基板清洗装置及具备该基板清洗装置的基板处理装置 | 村地弘美 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710821036.X | 姿势变更装置 | 宫本幸辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201711077442.6 | 涂敷方法 | 藤原直澄 | 株式会社斯库林集团 |
| 201711239738.3 | 基板处理装置及基板处理方法 | 仲野彰义 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680044966.2 | 基板处理方法以及基板处理装置 | 中村一树 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710612363.4 | 基板处理装置 | 株根孝太 | 株式会社斯库林集团 |
| 201911280442.5 | 处理腔室以及基板处理装置 | 中根慎悟 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710795158.6 | 基板处理装置 | 武明励 | 株式会社斯库林集团 |
| 201710858732.8 | 基板处理装置 | 矢野航 | 株式会社斯库林集团 |
| 201811638318.7 | 基板处理方法 | 日野出大辉 | 株式会社斯库林集团 |
| 201711237826.X | 基板处理方法和基板处理装置 | 藤田和宏 | 株式会社斯库林集团 |
| 201711406516.6 | 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法 | 井上正史 | 株式会社斯库林集团 |
| 201711240829.9 | 基板处理装置和基板处理方法 | 安田周一 | 株式会社斯库林集团 |
| 201680067289.6 | 半导体集成电路装置 | 岸下景介 | 株式会社索思未来 |
| 201710456270.7 | 焊料颗粒 | 安祐营 | 株式会社泰托斯 |
| 201580046342.X | 半导体元件及其制造方法 | 佐佐木公平 | 株式会社田村制作所 |
| 201580046341.5 | 半导体元件和晶体层叠结构体 | 佐佐木公平 | 株式会社田村制作所 |
| 201680016834.9 | 高耐压肖特基势垒二极管 | 佐佐木公平 | 株式会社田村制作所 |
| 201680016988.8 | 晶体层叠结构体 | 后藤健 | 株式会社田村制作所 |
| 201480053760.7 | β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体 | 后藤健 | 株式会社田村制作所 |
| 201380036547.0 | 感光性树脂组合物、感光性干膜、图案形成方法、印刷布线板及其制造方法 | 上田昭史 | 株式会社微处理 |
| 201780030478.0 | 接合装置及接合方法 | 小林泰人 | 株式会社新川 |
| 201780032363.5 | 接合装置 | 瀬山耕平 | 株式会社新川 |
| 201780084465.1 | 接合装置以及接合对象物的高度检测方法 | 早田滋 | 株式会社新川 |
| 201680082710.0 | 电子零件处理单元 | 瀬山耕平 | 株式会社新川 |
| 201780031626.0 | 引线接合装置、其电路以及半导体装置的制造方法 | 安部润一 | 株式会社新川 |
| 201580020478.3 | 使用有无机物质作为变色层的等离子体处理检测指示器 | 山川裕 | 株式会社樱花彩色笔 |
| 201580063223.5 | 使用有金属氧化物微粒作为变色层的等离子体处理检测指示器 | 菱川敬太 | 株式会社樱花彩色笔 |
| 201780028056.X | 等离子体处理检测用组合物及等离子体处理检测用指示器 | 作村武志 | 株式会社樱花彩色笔 |
| 201680064015.1 | 晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法 | 足立大辅 | 株式会社钟化 |
| 201711432026.3 | 一种功率半导体器件的制备方法 | 刘国友 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 201811251334.0 | 一种提高四探针RS测试准确性的方法 | 魏宏杰 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 201711433645.4 | 一种功率半导体器件 | 张泉 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 201710765588.3 | 一种大功率整流管芯的制造方法 | 王东东 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 201610507639.8 | 一种制作功率半导体的方法 | 刘国友 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 201710990256.5 | 晶闸管及其制造方法 | 高军 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
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| 201610947670.3 | 掺杂半导体器件的制备方法和半导体器件 | 史晶晶 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
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