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2020年半导体器件（H01L）类在美专利的布局与竞争——台积电、IBM和三星领先
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告1801.docx
█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第二部分 2020年美国发明专利统计分析报告
18 主要技术类别下世界各国及机构的在美专利布局和竞争
18.3 半导体器件（H01L）类的专利竞争态势
2020年，美国专利商标局在半导体器件（H01L）小类上共授权专利28028项，占总授权量的8%，是专利数量第3多的小类。
2020年，美国在半导体器件（H01L）小类上获得了7986项专利，占该小类专利总量的29%。中国在该小类做出专利发明2370项，获得专利权2424项。日本和韩国的专利数量远多于我国。
表18.3-1 2020年各国半导体器件（H01L）类的专利发明和专利权数量
国家 和地区 | 发明 数量 | 专利权 数量 | 净流失 数量 | 专利 流失率 | 发明 份额 | 专利权 份额 | 份额 流失量 | |
1 | 美国 | 7986 | 8039 | -53 | -1% | 28% | 29% | -0.2% |
2 | 日本 | 6610 | 6440 | 170 | 3% | 24% | 23% | 0.6% |
3 | 韩国 | 4184 | 4200 | -16 | 0% | 15% | 15% | -0.1% |
4 | 中国 | 2370 | 2424 | -54 | -2% | 8% | 9% | -0.2% |
5 | 德国 | 836 | 805 | 31 | 4% | 3% | 3% | 0.1% |
6 | 法国 | 321 | 317 | 4 | 1% | 1% | 1% | 0.0% |
7 | 加拿大 | 136 | 122 | 14 | 10% | 0% | 0% | 0.0% |
8 | 英国 | 177 | 161 | 16 | 9% | 1% | 1% | 0.1% |
9 | 瑞士 | 119 | 63 | 56 | 47% | 0% | 0% | 0.2% |
10 | 荷兰 | 114 | 256 | -142 | -125% | 0% | 1% | -0.5% |
11 | 瑞典 | 26 | 28 | -2 | -8% | 0% | 0% | 0.0% |
12 | 以色列 | 87 | 58 | 29 | 33% | 0% | 0% | 0.1% |
13 | 意大利 | 133 | 84 | 49 | 37% | 0% | 0% | 0.2% |
14 | 印度 | 98 | 12 | 86 | 88% | 0% | 0% | 0.3% |
15 | 其他 | 4831 | 5019 | -188 | -4% | 17% | 18% | -0.7% |
小计 | 28028 | 28028 | 0 | 0% | 100% | 100% | 0% |
注：本表分别按照专利第一发明人和第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。
图18.3-1 2020年各国半导体器件（H01L）类的专利发明和专利权数量对比
2020年，在半导体器件（H01L）小类上获得专授权最多的公司是台积电，其次是IBM和三星公司。
表18.3-2 2020年半导体器件（H01L）类专利授权前10机构
机构名称 | 国家 | 机构英文名称 | 2020 | 2019 | |
1 | 台湾积体电路制造公司 | 中国 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 2323 | 1946 |
2 | 国际商业机器公司 | 美国 | International Business Machines Corporation | 1355 | 1488 |
3 | 三星电子公司 | 韩国 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 1314 | 1113 |
4 | 三星显示公司 | 韩国 | Samsung Display Co., Ltd. | 1051 | 1000 |
5 | 京东方科技集团公司 | 中国 | Boe Technology Group Co., Ltd. | 697 | 798 |
6 | LG显示公司 | 韩国 | LG Display Co., Ltd. | 574 | 453 |
7 | 美光科技公司 | 美国 | Micron Technology, Inc. | 556 | 474 |
8 | 英特尔公司 | 美国 | Intel Corporation | 541 | 460 |
9 | 应用材料公司 | 美国 | Applied Materials, Inc. | 413 | 410 |
10 | 日本半导体能源研究所 | 日本 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 397 | 527 |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
图18.3-2 2020年半导体器件（H01L）类专利授权前10机构
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
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