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陈立新 张琳 黄颖:中美欧日韩五局专利报告1637.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
2020年,台湾积体电路制造股份有限公司获得中国局发明专利528项,比上一年增长了6%,近6年年均增长率为15%,是获得中国局专利授权数量第99多的机构。
图9.99-1 台湾积体电路制造股份有限公司的中国局专利增长情况
从专利数量上来看,台湾积体电路制造股份有限公司的重点技术领域是:半导体制造、半导体元件、半导体组件与集成电路、半导体零配件、信息存储。在这5个领域上获得了数量最多的中国局专利,为366至32项。
表9.99-1 台湾积体电路制造股份有限公司主要技术领域的专利分布
技术领域 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 增长率 | |
1 | 半导体制造 | 366 | 340 | 301 | 244 | 357 | 192 | 105 | 8% |
2 | 半导体元件 | 151 | 172 | 104 | 157 | 168 | 77 | 42 | -12% |
3 | 半导体组件与集成电路 | 145 | 126 | 91 | 88 | 146 | 73 | 46 | 15% |
4 | 半导体零配件 | 125 | 121 | 151 | 111 | 167 | 98 | 50 | 3% |
5 | 信息存储 | 32 | 21 | 26 | 29 | 43 | 31 | 32 | 52% |
6 | 光学和摄影 | 23 | 26 | 18 | 25 | 23 | 20 | 9 | -12% |
7 | 材料化学与纳米 | 15 | 20 | 14 | 17 | 30 | 21 | 9 | -25% |
8 | 计算机一般零部件 | 7 | 3 | 1 | 1 | 1 | 2 | 3 | 133% |
9 | 电气元件和结构部件 | 4 | 5 | 3 | 4 | 10 | 6 | 3 | -20% |
10 | 物理信号和控制 | 4 | 2 | 4 | 3 | 7 | 3 | 4 | 100% |
11 | 成型加工作业 | 4 | 1 | 4 | 3 | 6 | 5 | 3 | 300% |
12 | 基本电子电路 | 3 | 12 | 12 | 8 | 21 | 15 | 26 | -75% |
13 | 包装和储运 | 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
14 | 图像通信 | 2 | 1 | 3 | 3 | 6 | 0 | 1 | 100% |
15 | 发电和输变电 | 2 | 2 | 2 | 6 | 8 | 8 | 9 | 0% |
16 | 数据识别 | 2 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
17 | 光电辐射测量与核物理 | 2 | 3 | 1 | 3 | 13 | 13 | 5 | -33% |
18 | 材料测试 | 2 | 2 | 2 | 3 | 4 | 3 | 0 | 0% |
19 | 数据交换网络 | 1 | 2 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | -50% |
20 | 数字信息传输 | 1 | 2 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | -50% |
21 | 图像处理 | 1 | 1 | 0 | 0 | 2 | 0 | 1 | 0% |
22 | 物理测量 | 1 | 2 | 0 | 2 | 4 | 0 | 2 | -50% |
23 | 分离和混合加工作业 | 1 | 1 | 1 | 2 | 6 | 2 | 0 | 0% |
24 | 广播和电话 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | -- |
25 | 无线通信业务 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
26 | 无线通信网络 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | -- |
27 | 数据传输控制程序 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | -- |
28 | 数据传输控制协议 | 0 | 0 | 0 | 2 | 0 | 0 | 0 | -- |
29 | 通信传输系统 | 0 | 3 | 1 | 0 | 1 | 1 | 2 | -100% |
30 | 电热与等离子体 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | -- |
注:专利数据按照第一申请人进行统计,增长率(%)指2019-2020年的增长率。
2020年,台湾积体电路制造股份有限公司增长较快的技术领域包括:成型加工作业、计算机一般零部件、图像通信、物理信号和控制、信息存储,增长率达到了300%到52%。
图9.99-2 台湾积体电路制造股份有限公司的中国局专利各领域的增长情况
相对来讲,台湾积体电路制造股份有限公司专利研发的优势领域是:半导体零配件、半导体制造、半导体组件与集成电路、半导体元件、信息存储。在这5个技术领域上,台湾积体电路制造股份有限公司的专利份额相对较高,占同领域中国局专利数量的5.3%到1.5%。
图9.99-3 2020年台湾积体电路制造股份有限公司在20个相对优势领域中的专利占比
从第一发明人来看,2020年台湾积体电路制造股份有限公司的研发人员较多,超过360人,人均发明专利1项。其中,张哲诚、余振华、廖忠志、江国诚、李威养、彭成毅、藤原英弘、陈芳、冯家馨、林俊成等人的专利数量较多,达到34至4项。
总体来看,台湾积体电路制造股份有限公司的专利技术研发和布局重点主要集中在半导体制造领域上。同时,成型加工作业、计算机一般零部件、图像通信、物理信号和控制、信息存储技术发展也很快,专利数量暴增。
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时,向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表9.99-1 2020年台湾积体电路制造股份有限公司的中国局专利
专利号 | 专利名称 | 发明人 |
201710408051.1 | 通讯网络中的数据包管理系统和方法 | K·斯坦伍德 |
201710131934.2 | 调压器电路、集成变压器以及制造集成变压器的方法 | 阿伦·罗思 |
201610084673.9 | 多阈值电压场效应晶体管及其制造方法 | 埃米沃克 |
201610556719.2 | 用于制造半导体器件的方法 | 埃米沃克 |
201610907979.X | 具有垂直FET器件的静态随机存取存储器件 | 包家豪 |
201510859529.3 | 半导体元件及制造方法 | 布莱戴恩·杜瑞兹 |
201610900900.0 | 半导体器件制造的方法和处理系统 | 蔡承晏 |
201711215205.1 | 半导体器件及其制造方法 | 蔡嘉庆 |
201510833407.7 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 蔡俊雄 |
201510208656.7 | 用于热映射和热工艺控制的方法和装置 | 蔡俊雄 |
201610903298.6 | 栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 | 蔡俊雄 |
201610933690.5 | 半导体结构和其制造方法 | 蔡敏瑛 |
201610729466.4 | 半导体器件及其制造方法 | 蔡明玮 |
201710299984.1 | 具有低阈值电压的FINFET变容器及其制造方法 | 蔡铺桓 |
201710859812.5 | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 | 蔡双吉 |
201510770505.0 | 多周期晶圆清洁方法 | 蔡颖颉 |
201610263564.3 | 半导体装置及其制造方法 | 蔡永智 |
201710717449.3 | 半导体结构和相关方法 | 蔡宇翔 |
201711217256.8 | 半导体器件及制造方法 | 蔡仲轩 |
201610087672.X | 具有金属屏蔽层的集成电路和图像感测器件以及相关制造方法 | 蔡宗翰 |
201610910249.5 | 半导体器件及其形成方法 | 蔡宗翰 |
201711220067.6 | 半导体装置结构及其形成方法 | 蔡宗翰 |
201710566906.3 | 半导体器件及其制造方法 | 曹淳凯 |
201611114845.9 | 半导体结构及其制造方法 | 曹佩华 |
201510859792.2 | 用于光刻工艺的护膜组件及掩模护膜系统的制造方法 | 曾俊豪 |
201810789252.5 | 半导体封装件和方法 | 曾士豪 |
201710821674.1 | 具有伪连接件的半导体封装件及其形成方法 | 陈承先 |
201610711927.5 | 用于背侧深沟槽隔离的额外的掺杂区域 | 陈春元 |
201610715454.6 | 背照式图像传感器及其形成方法 | 陈春元 |
201811273778.4 | 化学机械研磨方法 | 陈东楷 |
201710061617.8 | 半导体装置、集成电路结构与半导体装置的形成方法 | 陈芳 |
201710942807.0 | 逻辑单元结构和方法 | 陈芳 |
201610846581.X | 存储器装置 | 陈芳 |
201610914575.3 | 半导体装置及其制造方法 | 陈芳 |
201610770025.9 | 解调装置及操作解调装置的方法 | 陈焕能 |
201610919834.1 | 半导体器件及其制造方法 | 陈蕙祺 |
201611200189.4 | 晶圆匣系统以及传送半导体晶圆的方法 | 陈加源 |
201610090342.6 | 掩埋沟道半导体器件及其制造方法 | 陈家忠 |
201810376849.7 | 半导体结构的切割方法及由此形成的结构 | 陈嘉仁 |
201610516949.6 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 陈建颖 |
201510437327.X | 具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法 | 陈建颖 |
201811355127.X | 多芯片集成扇出封装件 | 陈洁 |
201810460875.8 | 掩模组件和用于制造芯片封装件的方法 | 陈洁 |
201610624175.9 | 半导体结构及其制造方法 | 陈颉彦 |
201711281699.3 | 封装件及其形成方法 | 陈明发 |
201410186381.7 | 半导体装置的制造方法 | 陈能国 |
201610815887.9 | 用于诊断半导体晶圆的方法和系统 | 陈鹏任 |
201710173055.6 | 混合接合半导体晶片的3DIC结构与方法 | 陈如曦 |
201611189878.X | 半导体结构及其制造方法 | 陈升照 |
201510789106.9 | 用于形成半导体器件结构的方法 | 陈威廷 |
201610969659.7 | 半导体结构及其形成方法 | 陈威廷 |
201410733604.7 | 叠层封装件结构中的翘曲控制 | 陈威宇 |
201711037113.9 | 制造半导体元件的方法 | 陈维邦 |
201711051864.6 | 半导体器件及其形成方法 | 陈文进 |
201610915568.5 | 高压MOSFET、半导体结构及其制造方法 | 陈翔裕 |
201611063636.6 | 用于先进光刻的薄膜组件和方法 | 陈炫辰 |
201611091047.9 | 用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化 | 陈濬凯 |
201611187332.0 | 存储电路及其写入方法 | 陈炎辉 |
201610669564.3 | 具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶 | 陈彦豪 |
201710060271.X | 层迭误差测量装置及方法 | 陈彦良 |
201610815080.5 | 作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离 | 陈奕寰 |
201611042625.X | 半导体器件及其制造方法 | 陈奕升 |
201611047027.1 | 半导体器件及其制造方法 | 陈奕升 |
201711215095.9 | 半导体器件及其制造方法 | 陈奕升 |
201510321307.6 | 半导体器件结构及其制造方法 | 陈奕志 |
201610004626.9 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 陈逸仁 |
201710910211.2 | 字线驱动器及其操作方法 | 陈宇翔 |
201710073489.9 | 半导体制造装置、系统及方法 | 陈志宏 |
201611219635.6 | 半导体结构及其形成方法 | 陈志华 |
201611253338.3 | 封装件及其形成方法 | 陈志华 |
201710301516.3 | 集成芯片及其形成方法 | 陈志良 |
201811132804.1 | 局部互连结构、半导体集成电路装置及其制造方法 | 陈志良 |
201710103949.8 | 半导体器件 | 陈重辉 |
201710270429.6 | FinFET及其形成方法 | 程潼文 |
201710508727.4 | 存储器阵列中的错误校正方法及实施其的系统 | 池育德 |
201710965541.1 | 用于分区存储块的调节电路及其操作方法 | 池育德 |
201611216681.0 | 半导体结构及其制造方法 | 邓桔程 |
201610912552.9 | 测量间隙、厚度的方法及系统 | 邓君浩 |
201711246518.3 | 半导体器件及其形成方法 | 董雨陇 |
201410682658.5 | 制造半导体器件的方法 | 杜建男 |
201611264430.X | 半导体装置及其制造方法 | 樊圣亭 |
201810271979.4 | 多重图案化方法 | 范振豊 |
201610729667.4 | 半导体器件结构及其形成方法 | 方琮闵 |
201510616190.4 | 制造具有凹槽的半导体器件的方法 | 方立言 |
201611221320.5 | 半导体器件及其制造方法 | 冯家馨 |
201610663504.0 | 半导体装置及其制造方法 | 冯家馨 |
201610548348.3 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 冯家馨 |
201710385218.7 | FINFET结构及其方法 | 冯家馨 |
201510780314.2 | 半导体装置及调节方法 | 高耀寰 |
201511025062.9 | 纳米线半导体器件结构及制造方法 | 戈本·多恩伯斯 |
201710596457.7 | 伪鳍蚀刻以在衬底中形成凹槽 | 官琬纯 |
201610907217.X | 化学汽相沉积装置和利用该装置制造半导体器件的方法 | 郭人华 |
201810826085.7 | 用于工艺室的自动传送和干燥工具 | 郭宗圣 |
201710061474.0 | 集成晶片结构及其形成方法 | 何承颖 |
201611074770.6 | 半导体器件结构及其形成方法 | 何冠霖 |
201510859640.2 | 置入散色条于微影工艺的方法 | 何育如 |
201710533705.3 | 半导体器件及其制造方法 | 何政昌 |
201710315517.3 | 半导体器件制造工艺中改善临界尺寸均匀性的方法 | 洪继正 |
201510565628.0 | 金属栅极及其制造方法 | 洪奇成 |
201510826986.2 | 用于清洁等离子体处理室和衬底的方法 | 洪士平 |
201710061111.7 | 半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统 | 洪世玮 |
201610574665.2 | 制程设备及化学气相沉积制程 | 洪世玮 |
201810177871.9 | 存储器件及其工作方法 | 洪显星 |
201610664839.4 | 半导体装置及其制造方法 | 胡嘉欣 |
201811010338.X | 检测芯片载具的设备、方法及系统 | 胡政纲 |
201811132795.6 | 形成半导体器件的方法以及封装件 | 胡致嘉 |
201711217049.2 | 集成芯片和形成图像传感器集成芯片的方法 | 黄柏翰 |
201810735698.X | 集成电路布局方法、结构和系统 | 黄博祥 |
201510133081.7 | 用于光刻工艺的辅助部件 | 黄道旻 |
201510837506.2 | 化学机械抛光后清洁及设备 | 黄富明 |
201810263929.1 | 半导体器件和制造方法 | 黄冠育 |
201510859230.8 | 用于互连的结构和方法 | 黄建桦 |
201510849369.4 | 形成导电特征的方法 | 黄建桦 |
201710833697.4 | 图像传感器及其制造方法 | 黄建彰 |
201510298932.3 | 包括FinFET的半导体器件及其制造方法 | 黄俊程 |
201710681961.7 | 封装件及其形成方法 | 黄立贤 |
201711339828.X | 金属栅极结构、半导体器件及其制造方法 | 黄铭淇 |
201410441793.0 | 器件参数的确定方法和装置 | 黄慕真 |
201810693005.5 | 具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件 | 黄诗雅 |
201710661042.3 | 在半导体条中形成掺杂区 | 黄士文 |
201810082747.4 | 半导体封装件中的导电通孔及其形成方法 | 黄松辉 |
201711348612.X | 光子封装件及其形成方法 | 黄松辉 |
201711083383.3 | 半导体结构和方法 | 黄伟立 |
201811125022.5 | 工件结合设备、控制结合波传播的方法以及工件结合系统 | 黄信华 |
201611245732.2 | 集成芯片与其形成方法 | 黄信耀 |
201510859455.3 | 集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统 | 黄旭霆 |
201710450329.1 | 半导体器件及其形成方法 | 黄翊铭 |
201611042602.9 | 半导体器件及其制造方法 | 黄意君 |
201710905773.8 | 时间依赖性介电击穿的缓解 | 黄意君 |
201510256037.5 | 纳米线的形成方法 | 黄玉莲 |
201710799098.5 | 半导体器件及其制造方法 | 黄玉莲 |
201710073702.6 | 装置封装件以及用于形成装置封装件的方法 | 黄育智 |
201611019343.8 | 制造指纹扫描器的方法以及半导体装置 | 黄育智 |
201510641267.3 | 封装件中的非垂直贯通孔 | 黄震麟 |
201610916999.3 | 半导体器件及其形成方法 | 黄正仪 |
201611047190.8 | 高压LDMOS晶体管及其制造方法 | 霍克孝 |
201610807369.2 | 半导体制造装置及其研磨模块 | 简宏仲 |
201510851598.X | 在氧化物衬底上的FinFET沟道和相关方法 | 江国诚 |
201710012907.3 | 两步伪栅极形成 | 江国诚 |
201510860763.8 | 半导体结构及其制造方法 | 江国诚 |
201510122423.5 | 具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法 | 江国诚 |
201510852155.2 | 用于鳍场效晶体管元件的方法和结构 | 江国诚 |
201410768915.7 | 用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制 | 江国诚 |
201710217965.X | 半导体器件及其制造方法 | 江国诚 |
201710794034.6 | 半导体结构及其制造方法 | 江国诚 |
201610719403.0 | 用于FINFET的栅极替代工艺 | 江宏礼 |
201710950405.5 | 半导体结构和形成半导体器件的方法 | 江宏礼 |
201811278324.6 | 集成电路及其制造方法 | 卡思克·穆鲁克什 |
201510831372.3 | 用于抛光衬底的系统和方法 | 赖俊宇 |
201811191955.4 | 静电放电保护的电路、系统及方法 | 赖明芳 |
201611187265.2 | 半导体器件中的局部互连件及其制造方法 | 赖瑞尧 |
201810836178.8 | LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法 | 赖怡仁 |
201610863516.8 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 赖政杰 |
201611248438.7 | 图像传感器件及其制造方法 | 赖志育 |
201610395508.5 | 天车输送系统以及天车输送系统的输送车和控制方法 | 黎辅宪 |
201510565931.0 | 用于测量闪烁噪声的电路及其使用方法 | 黎兆杰 |
201710277388.3 | 电子器件及其操作方法 | 李伯浩 |
201610663488.5 | 半导体装置及其制造方法 | 李勃学 |
201611092388.8 | 半导体器件及其制造方法 | 李陈毅 |
201610677738.0 | 半导体装置及其制造方法 | 李春霆 |
201710456366.3 | 半导体器件及其形成方法 | 李东颖 |
201710906158.9 | 制造半导体器件的方法和半导体器件 | 李东颖 |
201711271177.5 | 基于纳米线的集成电路器件的间隔件及其制造方法 | 李东颖 |
201610742346.8 | 半导体器件 | 李佳叡 |
201610966964.0 | 存储器件及其操作方法 | 李嘉富 |
201610362731.X | 仓储系统及仓储系统控制方法 | 李建法 |
201711257771.9 | 减少半导体制造中接触件深度变化的方法 | 李筠 |
201711085852.5 | 具有集成电感器的半导体结构 | 李名哲 |
201610643423.4 | 接合结构及其形成方法 | 李明机 |
201710063581.7 | 气体供应装置及方法 | 李乾铭 |
201611180076.2 | 半导体器件及其制造方法 | 李威养 |
201611181493.9 | 半导体结构和半导体器件的制造方法 | 李威养 |
201710801062.6 | 半导体器件及其形成方法 | 李威养 |
201710310947.6 | 半导体装置及其制造方法 | 李威养 |
201710123871.6 | 半导体器件及其制造方法 | 李威养 |
201610903179.0 | 原子层沉积方法及其结构 | 李欣怡 |
201510849444.7 | 钴互连件技术 | 李雅玲 |
201610770652.2 | 集成电路及其制造方法 | 李宜静 |
201611089731.3 | 用于半导体器件的结构和方法 | 李宜静 |
201610676946.9 | 半导体器件及其静态随机存取存储器单元和制造方法 | 李宜静 |
201810580009.2 | 集成电路封装件及其形成方法 | 李岳川 |
201811122586.3 | 集成芯片及其形成方法 | 李岳川 |
201610719401.1 | 在半导体器件中制造自对准接触件的方法 | 李振铭 |
201610757064.5 | 重布线路结构 | 李宗徽 |
201710711927.X | 制造具有改进的漏极中的金属落置的ESDFINFET的系统和方法 | 李宗吉 |
201710985652.9 | 半导体器件以及半导体器件制造的方法 | 李宗吉 |
201510953080.7 | 半导体器件及其制造方法 | 梁春昇 |
201510736369.3 | 生物器件及其生物感测方法 | 廖大传 |
201711292921.X | 用于半导体制造的方法以及晶圆台 | 廖启宏 |
201710073636.2 | 半导体装置与其形成方法 | 廖舜章 |
201711278072.2 | 形成集成电路的方法 | 廖显煌 |
201710561145.2 | 通过扩散掺杂和外延轮廓成型 | 廖志腾 |
201710464190.6 | 集成电路器件及其形成方法 | 廖志腾 |
201610738830.3 | 静态随机存取存储器 | 廖忠志 |
201610643550.4 | 集成电路结构 | 廖忠志 |
201610641063.4 | 集成电路结构 | 廖忠志 |
201611056628.9 | 静态随机存取存储单元的布局 | 廖忠志 |
201610072794.1 | 静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法 | 廖忠志 |
201610642590.7 | 集成电路结构 | 廖忠志 |
201510212052.X | 多阶鳍的形成方法及其结构 | 廖忠志 |
201610712689.X | 存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法 | 廖忠志 |
201711272840.3 | 用于鳍式场效应晶体管的互连结构及其形成方法 | 廖忠志 |
201611058662.X | 用于制造静态随机存取存储器件的方法 | 廖忠志 |
201610623938.8 | 静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法 | 廖忠志 |
201711162311.8 | 静态随机存取存储器件 | 廖忠志 |
201711269364.X | 半导体结构和形成集成电路结构的方法 | 廖忠志 |
201810862186.X | 半导体结构 | 廖忠志 |
201711272890.1 | 半导体器件、集成电路芯片及其形成方法 | 廖忠志 |
201610117616.6 | 热增强的散热器 | 林柏尧 |
201610531827.4 | 形成多孔低-k结构的系统和方法 | 林伯俊 |
201710061113.6 | 半导体装置及制造方法 | 林国楹 |
201810404016.7 | 微机电系统装置与微机电系统的封装方法 | 林宏桦 |
201711047931.7 | FINFET和形成FINFET的方法 | 林经祥 |
201711342088.5 | 封装件及其形成方法 | 林俊成 |
201610785784.2 | 半导体器件及制造方法 | 林俊成 |
201710959894.0 | 半导体器件和方法 | 林俊成 |
201810717245.4 | 具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构 | 林俊成 |
201810400637.8 | 用于3D封装的应力补偿层 | 林俊宏 |
201710835332.5 | 半导体器件及其制造方法 | 林孟汉 |
201810978755.7 | 集成电路(IC)及其形成方法 | 林孟汉 |
201711335237.5 | 用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构 | 林孟汉 |
201711143942.5 | 半导体器件及其制造方法 | 林孟汉 |
201510245423.4 | 半导体器件及其形成方法 | 林孟佑 |
201611021412.9 | 半导体器件及其形成方法 | 林群雄 |
201611119842.4 | 具有高低不平的互连件的集成扇出结构 | 林士庭 |
201711275053.4 | 半导体器件和制造方法 | 林舜宽 |
201611215835.4 | 两个晶体管的带隙基准电路、集成电路及其形成方法 | 林雅芬 |
201711056997.2 | 具有电源检测器的双轨器件及其操作方法 | 林洋绪 |
201810345782.0 | 写入辅助电路 | 林洋绪 |
201510777502.X | 垂直式半导体结构及其制造方法 | 林义雄 |
201710064163.X | 半导体器件及其制造方法 | 林义雄 |
201611222514.7 | 半导体器件 | 林于轩 |
201610677823.7 | 互连结构和其制造方法及半导体器件 | 林瑀宏 |
201610683475.4 | 互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 | 林瑀宏 |
201610688948.X | 用于制造半导体的机构、系统及方法 | 林育民 |
201710576065.4 | 半导体器件及其制造方法 | 林峪群 |
201610651985.3 | 半导体装置的制造方法 | 林毓超 |
201810639363.8 | 扫描器、校正系统及其方法 | 林正穆 |
201611237958.8 | 具有层间互连件的堆叠衬底结构 | 林政贤 |
201710286253.3 | FinFET结构及其形成方法 | 林志翰 |
201710301063.4 | 金属栅极隔离结构及其形成方法 | 林志翰 |
201710061657.2 | 半导体装置与形成半导体装置的方法 | 林志翰 |
201610723852.2 | 具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法 | 林智伟 |
201710248998.0 | 集成电路及其制造方法 | 林仲德 |
201710963927.9 | FET和形成FET的方法 | 林资敬 |
201810461232.5 | 散热器件和方法 | 林宗澍 |
201611127831.0 | 半导体结构及其制造方法 | 刘柏均 |
201710357807.4 | 排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法 | 刘冠亨 |
201611073787.X | 半导体器件及其制造方法 | 刘国俨 |
201810330565.4 | 接地顶盖模块、气体注入装置及刻蚀设备 | 刘立熙 |
201410373097.0 | 具有导电蚀刻停止层的RRAM单元结构 | 刘铭棋 |
201710039145.6 | 半导体器件 | 刘铭棋 |
201711175978.1 | 用于嵌入式存储器的单元边界结构及其形成方法 | 刘铭棋 |
201710281930.2 | 触发器和集成电路 | 刘祈麟 |
201710853045.7 | 用于制造多栅极晶体管的工艺和产生的结构 | 刘书豪 |
201410808231.5 | 具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法 | 刘勇村 |
201510860640.4 | 半导体装置的制造方法 | 刘朕与 |
201510775895.0 | 用于数字化相位差的电路、PL L电路及用于其的方法 | 刘智民 |
201610986421.5 | 图像传感器及其操作方法 | 刘智民 |
201811132809.4 | 半导体封装件及其形成方法 | 刘重希 |
201610820664.1 | 半导体器件和方法 | 刘子正 |
201710729426.4 | 半导体器件和制造方法 | 卢柏全 |
201611202283.3 | 半导体器件及非易失性存储器阵列 | 卢皓彦 |
201710286357.4 | 形成半导体器件的方法 | 卢祈鸣 |
201310705815.5 | 利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模 | 卢彦丞 |
201711038936.3 | 光瞳相位调制器、极紫外线光刻系统及方法 | 卢彦丞 |
201710454661.5 | 集成电路填料及其方法 | 罗增锦 |
201810715448.X | 静态随机存取存储器 | 吕绍维 |
201711054927.3 | 半导体器件及其制造方法 | 吕伟元 |
201810128085.X | 用于形成应力降低装置的方法 | 吕盈缔 |
201610596983.9 | 用于互连的结构和方法 | 吕志伟 |
201710374650.6 | 半导体存储器件及静态随机存取存储器器件 | 马合木提·斯楠吉尔 |
201811333215.X | 制造半导体结构的方法 | 孟庆豪 |
201610992816.6 | 光学检测装置及其检测方法 | 牛宝华 |
201810714056.1 | 存储器件的测试装置及相关的存储器件的测试和制造方法 | 牛宝华 |
201710845641.0 | 存储器电路、用于写入位单元的电路和方法 | 潘卡伊·阿加沃尔 |
201611238876.5 | 制造嵌入式闪存单元的均匀的隧道电介质的方法 | 潘瑞彧 |
201610993734.3 | 半导体元件的制造方法 | 潘婉君 |
201410756796.3 | 用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模 | 潘兴强 |
201410392595.X | 清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法 | 潘怡勋 |
201810996129.0 | 集成扇出封装件及其形成方法 | 裴浩然 |
201710733120.6 | 平面型的或非平面型的基于FET的静电放电保护器件 | 彭柏霖 |
201610621501.0 | 应变纳米线CMOS器件和形成方法 | 彭成毅 |
201610916350.1 | 带有固相扩散的集成电路结构和方法 | 彭成毅 |
201510812685.4 | FinFET结构及其形成方法 | 彭成毅 |
201510694312.1 | 半导体器件及其制造方法 | 彭成毅 |
201711293943.8 | 半导体测试装置、其制造及使用其测量接触电阻的方法 | 彭成毅 |
201811001159.X | 集成电路及其制造方法 | 彭士玮 |
201610671579.3 | FINFET器件及其制造方法 | 彭彦明 |
201410804259.1 | 半导体器件以及形成垂直结构的方法 | 彭治棠 |
201510262888.0 | 具有互连结构的半导体器件及其形成方法 | 戚国强 |
201710710371.2 | 具有工程变更指令(ECO)单元的标准单元布局、半导体器件及其方法 | 邱茂为 |
201710145183.X | 封装体及其形成方法 | 邱铭彦 |
201710789333.0 | 用于鳍式场效应晶体管的源极和漏极形成技术 | 邱耀德 |
201711278227.2 | 高压电阻器件 | 邱奕正 |
201710612853.4 | 3D交叉条非易失性存储器 | 让-皮埃尔·科林格 |
201711292805.8 | 单片三维(3D)集成电路及其制造方法 | 让-皮埃尔·科林格 |
201611245305.4 | 具有电阻经减小的互连件的存储器装置 | 赛尔·普特·辛格 |
201611245437.7 | 半导体存储器装置 | 赛尔·普特·辛格 |
201710708941.4 | 半导体封装件及其形成方法 | 邵栋梁 |
201710114441.8 | 用于标准单元的中段制程带 | 沈孟弘 |
201610378266.9 | 电镀装置及方法 | 沈雍迪 |
201611246910.3 | 形成半导体装置的方法 | 沈育仁 |
201611001301.1 | 导电外部连接器结构、半导体器件及形成方法 | 施孟甫 |
201711219754.6 | 半导体装置结构的形成方法 | 施孟甫 |
201711050369.3 | 封装结构及其形成方法 | 施应庆 |
201610912647.0 | 具有PMOS存取晶体管的RRAM单元及其形成方法 | 石昇弘 |
201510852193.8 | 具有多层结构的掩模和通过使用掩模的制造方法 | 石志聪 |
201510800379.9 | RRAM器件和方法 | 宋福庭 |
201710057592.4 | 半导体结构及制造其的方法 | 宋福庭 |
201611030074.5 | 半导体结构及其制造方法 | 苏庆忠 |
201710700995.6 | 半导体方法和器件 | 苏怡年 |
201610907219.9 | 存储器件及其制造方法 | 藤原英弘 |
201610906002.6 | 用于交错字线方案的SRAM单元 | 藤原英弘 |
201711213794.X | 存储单元及其工作方法 | 藤原英弘 |
201711055150.2 | 数据存储装置、用于其的地址解码器及其操作方法 | 藤原英弘 |
201810050448.2 | 静态随机存取存储器及其写入辅助电路和写入操作方法 | 藤原英弘 |
201510735448.2 | 用于在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的方法和系统 | 田家穎 |
201710369074.6 | 半导体器件及其制造方法 | 童思频 |
201711218990.6 | 半导体器件及其制造方法 | 涂国基 |
201610065159.0 | 半导体装置及其制造方法 | 万幸仁 |
201810765974.7 | 形成半导体结构的方法及封装件 | 王博汉 |
201710183215.5 | 半导体器件及其制造方法 | 王朝勋 |
201710447702.8 | 具有多个接触插塞的装置及其制造方法 | 王朝勳 |
201711338029.0 | 半导体器件以及形成半导体器件的方法 | 王垂堂 |
201510249663.1 | 用于锗基半导体结构的表面钝化 | 王冠程 |
201710122138.2 | 传输系统与方法 | 王仁地 |
201610907124.7 | 半导体器件及其制造方法 | 王圣祯 |
201711275931.2 | 用于制造集成电路(IC)的方法 | 王胜雄 |
201710138961.2 | 半导体器件及其制造方法 | 王嗣裕 |
201710118357.3 | 自动拆袋系统与自动拆袋方法 | 王希鸣 |
201510397080.3 | 阴极组件、物理汽相沉积系统和用于物理汽相沉积的方法 | 王怡杰 |
201710425545.0 | 半导体器件及其制造方法 | 王喻生 |
201711268936.2 | 形成具有减少的腐蚀的接触插塞的方法 | 王喻生 |
201710752414.3 | 半导体器件及其制造方法 | 王喻生 |
201710073172.5 | 具有灵活的溶液调整的光刻图案化的方法及系统 | 王忠诚 |
201610010247.0 | 鳍式FET技术的集成热电器件 | 王仲盛 |
201711020362.7 | 多栅极半导体器件及其制造方法 | 魏焕昇 |
201510641283.2 | 半导体结构及其制造方法 | 魏嘉余 |
201810698562.6 | 新型单光子雪崩二极管、光电探测器及其制造方法 | 魏嘉余 |
201710701757.7 | 图像传感器集成芯片及其形成方法 | 温启元 |
201510262860.7 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 温宗尧 |
201510193452.0 | 鳍部件的结构及其制造方法 | 温宗尧 |
201510859496.2 | 用以使用二次曝光界定多个层图案的方法 | 翁明晖 |
201610550338.3 | 半导体部件及其制造方法 | 巫柏奇 |
201610784740.8 | 光学邻近校正的修复方法 | 吴秉杰 |
201410392220.3 | 分栅式存储器件及其制造方法 | 吴常明 |
201510849542.0 | 用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统 | 吴朝栋 |
201810584360.9 | 电子器件、其电源转换方法及存储器件 | 吴福安 |
201710990234.9 | 密封环结构及其形成方法 | 吴国铭 |
201611257688.7 | 半导体结构及其制造方法 | 吴宏祥 |
201710695413.X | 半导体器件及其制造方法 | 吴佳典 |
201510776938.7 | 用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台 | 吴健立 |
201611191301.2 | 互连结构及其制造方法 | 吴俊毅 |
201611173936.X | 半导体存储器及其操作方法 | 吴威震 |
201710696149.1 | 半导体器件及其制造方法 | 吴伟成 |
201710700452.4 | 半导体器件及其制造方法 | 吴伟成 |
201810835371.X | 减少存储器阵列边缘CMP凹陷效应的集成芯片及其形成方法 | 吴伟成 |
201611219689.2 | 半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法 | 吴於贝 |
201510982543.2 | 探针卡和晶圆测试系统及晶圆测试方法 | 吴元春 |
201711027361.5 | 制造半导体器件的方法和半导体器件 | 吴云骥 |
201510187452.X | 光刻胶和方法 | 吴振豪 |
201611215254.0 | 半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法 | 吴正一 |
201610657160.2 | 用于FINFET器件中的栅极氧化物的均匀性的平坦STI表面 | 吴政达 |
201610907176.4 | 半导体器件结构及其形成方法 | 吴政宪 |
201610806487.1 | 互连线结构与其制造方法 | 吴中文 |
201510853179.X | 元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法 | 吴仲强 |
201811631998.X | 半导体器件及其电网(PG)的布局图的生成方法 | 希兰梅·比斯瓦思 |
201710464039.2 | 接触开口及其形成方法 | 萧寒稊 |
201610903438.X | 用于高功率电迁移的通孔轨解决方案 | 萧锦涛 |
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201710906480.1 | 半导体器件及其制造方法 | 萧孟轩 |
201610073187.7 | 具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法 | 萧婉匀 |
201510807835.2 | 用于形成半导体器件结构的互连结构的通孔轮廓的方法 | 萧伟印 |
201611071014.8 | 栅极结构及其制造方法 | 谢博文 |
201610908670.2 | 具有放大的栅电极结构的半导体结构及其形成方法 | 谢博文 |
201510133500.7 | 半导体器件及其布局和制造方法 | 谢东衡 |
201710296032.4 | 半导体结构及其制造方法 | 谢元智 |
201710534227.8 | 半导体封装件中的再分布层及其形成方法 | 谢正贤 |
201711338372.5 | 半导体封装件中的导电通孔及其形成方法 | 谢正贤 |
201710061607.4 | 半导体元件及其制造方法 | 谢志宏 |
201611200612.0 | 集成电路器件及其操作方法 | 谢仲朋 |
201510570350.6 | 用于工艺损伤最小化的MRAM结构 | 徐晨祐 |
201611189728.9 | 半导体结构及其制造方法 | 徐英杰 |
201710984940.2 | 用于IC封装件的热传递结构和方法 | 徐英智 |
201710857999.5 | 形成保护层以防止形成泄漏路径 | 徐永昌 |
201710600282.2 | 形成半导体器件的方法 | 徐志安 |
201510860072.8 | 表膜组件和其制造方法 | 许倍诚 |
201710061464.7 | 半导体装置与其形成方法 | 许家铭 |
201710493087.4 | 低阻抗接触窗插塞的形成方法 | 许劭铭 |
201810995183.3 | 半导体器件和制造方法 | 许耀文 |
201810307831.1 | 半导体制造装置和用于半导体制造的方法 | 许泳顺 |
201711215262.X | 半导体器件及其制造方法 | 许佑凌 |
201710515760.X | 半导体结构及其形成方法 | 许宗翰 |
201610010220.1 | 半导体结构及其制造方法 | 亚历山大·卡尔尼茨基 |
201710351861.8 | 半导体结构及其方法 | 杨超源 |
201610069848.9 | 多重密封环结构 | 杨敦年 |
201710083075.4 | 电阻式随机存取存储器阵列的操作方法与集成电路芯片 | 杨晋杰 |
201510760459.6 | 半导体器件及其制造方法 | 杨名慧 |
201610048520.9 | 烘烤装置和方法 | 杨青海 |
201510859341.9 | 形成金属互连件的方法 | 杨士亿 |
201711034191.3 | 异步时钟域的发送电路和接收电路及其数字信号发送方法 | 杨淑君 |
201510859637.0 | 半导体装置 | 杨育佳 |
201610916200.0 | 半导体器件以及形成场效应晶体管的方法 | 杨育佳 |
201711276669.3 | 周围包裹的外延结构和方法 | 杨正宇 |
201711148122.5 | 高密封良率的多层密封膜 | 杨志坚 |
201810542411.1 | 半导体元件及其制造方法 | 杨忠傑 |
201610663305.X | 用于集成电路图案化的方法 | 杨宗潾 |
201710031102.3 | 具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管 | 叶凌彦 |
201610784021.6 | 半导体器件结构及其形成方法 | 叶启瑞 |
201610770956.9 | 光刻方法 | 叶孝蔚 |
201811123332.3 | 半导体器件以及形成半导体器件的方法 | 尤宏志 |
201610023757.1 | 半导体器件及其制造方法 | 游承谚 |
201810691508.9 | 半导体封装件中的金属化图案及其形成方法 | 游济阳 |
201710680196.7 | 半导体元件及其制造方法 | 游佳达 |
201711290392.X | 半导体器件的互连结构及其制造方法 | 游佳达 |
201710156098.3 | 在光刻中产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统 | 游秋山 |
201610996686.3 | 半导体装置及其制造方法 | 于殿圣 |
201711039479.X | 存储器器件及其操作方法 | 于鸿昌 |
201810042820.5 | 形成半导体器件的方法 | 余德伟 |
201710398746.6 | 高耐久性极紫外光掩模 | 余家豪 |
201610864030.6 | 用于制造半导体器件的方法和系统 | 余俊益 |
201611135570.7 | 使用热与机械强化层的装置及其制造方法 | 余振华 |
201710482330.2 | 伪金属帽和再分布线的路由设计 | 余振华 |
201610677405.8 | 封装结构及其形成方法 | 余振华 |
201610784041.3 | 集成多输出封装件及制造方法 | 余振华 |
201610849228.7 | 三维芯片堆叠的方法和结构 | 余振华 |
201710094366.3 | 半导体装置以及制造的方法 | 余振华 |
201610919590.7 | 分割和接合方法及其形成的结构 | 余振华 |
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