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陈立新 张琳 黄颖:中美欧日韩五局专利报告1588.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
2020年,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司获得中国局发明专利886项,比上一年增长了-6%,近6年年均增率为24%,是获得中国局专利授权数量第50多的机构。
图9.50-1 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的中国局专利增长情况
从专利数量上来看,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的重点技术领域是:半导体制造、半导体组件与集成电路、半导体元件、半导体零配件、信息存储。在这5个领域上获得了数量最多的中国局专利,为598至47项。
表9.50-1 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司主要技术领域的专利分布
技术领域 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 增长率 | |
1 | 半导体制造 | 598 | 644 | 721 | 618 | 589 | 401 | 171 | -7% |
2 | 半导体组件与集成电路 | 247 | 167 | 123 | 104 | 48 | 21 | 23 | 48% |
3 | 半导体元件 | 212 | 220 | 191 | 147 | 180 | 86 | 48 | -4% |
4 | 半导体零配件 | 97 | 99 | 131 | 131 | 76 | 59 | 21 | -2% |
5 | 信息存储 | 47 | 27 | 34 | 18 | 11 | 8 | 9 | 74% |
6 | 光学和摄影 | 42 | 65 | 36 | 49 | 39 | 22 | 25 | -35% |
7 | 材料化学与纳米 | 25 | 29 | 49 | 70 | 46 | 13 | 10 | -14% |
8 | 基本电子电路 | 22 | 20 | 18 | 6 | 7 | 3 | 2 | 10% |
9 | 光电辐射测量与核物理 | 17 | 18 | 26 | 33 | 22 | 20 | 7 | -6% |
10 | 物理信号和控制 | 13 | 22 | 21 | 9 | 3 | 0 | 0 | -41% |
11 | 广播和电话 | 10 | 9 | 2 | 1 | 0 | 1 | 0 | 11% |
12 | 计算机一般零部件 | 9 | 4 | 2 | 1 | 1 | 0 | 0 | 125% |
13 | 成型加工作业 | 9 | 5 | 9 | 8 | 12 | 20 | 14 | 80% |
14 | 计算机安全 | 4 | 2 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100% |
15 | 物理测量 | 4 | 11 | 13 | 14 | 10 | 6 | 2 | -64% |
16 | 发电和输变电 | 3 | 1 | 3 | 1 | 0 | 0 | 1 | 200% |
17 | 数据识别 | 3 | 2 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 50% |
18 | 数字信息传输 | 2 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
19 | 电子商务和管理系统 | 2 | 4 | 4 | 1 | 0 | 0 | 0 | -50% |
20 | 计算机接口 | 2 | 1 | 2 | 2 | 0 | 0 | 0 | 100% |
21 | 材料测试 | 2 | 11 | 14 | 20 | 12 | 7 | 7 | -82% |
22 | 分离和混合加工作业 | 2 | 4 | 2 | 2 | 2 | 6 | 7 | -50% |
23 | 数据传输控制协议 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
24 | 数据交换网络 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
25 | 通信传输系统 | 1 | 0 | 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
26 | 图像处理 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
27 | 计算机应用与软件工程 | 1 | 14 | 15 | 6 | 0 | 3 | 1 | -93% |
28 | 控制器和运算器(CPU) | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0% |
29 | 显示展示用品和声学 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | -- |
30 | 无线通信业务 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | -- |
注:专利数据按照第一申请人进行统计,增长率(%)指2019-2020年的增长率。
2020年,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司增长较快的技术领域包括:发电和输变电、计算机一般零部件、计算机安全、计算机接口、成型加工作业,增长率达到了200%到80%。
图9.50-2 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的中国局专利各领域的增长情况
相对来讲,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司专利研发的优势领域是:半导体制造、半导体零配件、半导体组件与集成电路、半导体元件、信息存储。在这5个技术领域上,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的专利份额相对较高,占同领域中国局专利数量的8.2%到2.2%。
图9.50-3 2020年中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在20个相对优势领域中的专利占比
从第一发明人来看,2020年中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的研发人员较多,超过300人,人均发明专利3项。其中,周飞、李勇、张海洋、张城龙、周鸣、赵猛、邓浩、徐建华、郑二虎、陈彧等人的专利数量较多,达到103至11项。
总体来看,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的专利技术研发和布局重点主要集中在半导体制造领域上。同时,发电和输变电、计算机一般零部件、计算机安全、计算机接口、成型加工作业技术发展也很快,专利数量暴增。
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时,向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表9.50-1 2020年中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的中国局专利
专利号 | 专利名称 | 发明人 |
201710059049.8 | 一种MEMS器件的制作方法 | 王明军 |
201510670150.8 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 张冬梅 |
201610407471.3 | 半导体结构及形成方法 | 周 |
201510669901.4 | 一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置 | 周 |
201610398774.3 | 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统 | 王辛 |
201510622384.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 王 |
201510975478.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 刘焕 |
201510623142.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 刘继 |
201610021334.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 胡敏达 |
201511024383.7 | 半导体结构及其制造方法 | 周 |
201610527879.4 | 半导体结构的制造方法 | 周 |
201611040773.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 许谢慧娜 |
201410088289.7 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 王孝远 |
201510975530.2 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 李凤莲 |
201410086407.0 | 一种光掩模制作方法 | 巫轶骏 |
201410349884.1 | 提高通孔OPC模型的适用面的方法 | 黄宜斌 |
201410350095.X | 增强OPC模型在图形偏移上精度的方法 | 黄宜斌 |
201610871307.8 | 用于带隙电压基准电路的操作方法 | 杨家奇 |
201610018952.5 | 半导体装置及其制造方法 | 李勇 |
201510702113.0 | 掩膜版版图以及形成半导体结构的方法 | 余云初 |
201410114596.8 | 光学邻近校正方法及双重图形曝光方法 | 程仁强 |
201410604099.6 | 掩模版和半导体器件的形成方法 | 沈满华 |
201410698161.2 | 光罩的制作方法 | 田明静 |
201410240701.2 | 一种光掩模图案透光强度修正的方法 | 田明静 |
201610974585.6 | 电压带隙电路的修调方法和修调装置 | 周耀 |
201510134221.2 | 晶圆减薄方法 | 王娉婷 |
201610787086.6 | 三重图形化的方法 | 沈忆华 |
201610079532.8 | 鳍式晶体管的形成方法 | 李勇 |
201610130608.5 | 鳍式晶体管的形成方法 | 李勇 |
201610531756.8 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610415987.2 | 封装方法 | 陈彧 |
201510560915.2 | 硅通孔的形成方法 | 何作鹏 |
201610407346.2 | 半导体结构及形成方法 | 周飞 |
201510005139.X | CMOS晶体管的形成方法 | 刘佳磊 |
201510438155.8 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201510904215.0 | 晶体管的形成方法 | 禹国宾 |
201610531721.4 | 半导体器件及其形成方法 | 李勇 |
201610263659.5 | 离子注入异常的检测结构及其制备方法,以及检测方法 | 史江北 |
201610341917.7 | 高压ESD保护电路 | 王俊 |
201610666917.4 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 周飞 |
201410648701.6 | 背照式CMOS图像传感器及其形成方法 | 伏广才 |
201510423139.1 | 半导体结构、半导体器件、芯片结构及其形成方法 | 袁俊 |
201511025334.5 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610079732.3 | 环栅MOSFET及其形成方法 | 张海洋 |
201610407349.6 | 栅控二极管及其形成方法 | 周飞 |
201510274789.4 | 麦克风的制造方法 | 王明军 |
201610345375.0 | 一种MEMS器件及其制造方法和电子装置 | 郑超 |
201610312181.0 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 王强 |
201610933794.6 | 一种半导体器件及其制造方法 | 张建华 |
201611140082.5 | 一种MEMS器件的制作方法 | 施林波 |
201410784924.5 | 光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法 | 邹永祥 |
201510181833.7 | 熔丝单元电路 | 王艳琴 |
201510158677.2 | 晶圆的表面处理方法、半导体器件及其制作方法 | 周真 |
201511018593.5 | 一种化学机械研磨铜金属互连层后实施的清洗方法 | 施成 |
201610605668.8 | 一种半导体器件及其制作方法 | 禹国宾 |
201410222435.0 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 邓浩 |
201610006033.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 李敏 |
201510090264.5 | 对半导体对象执行操作的处理方法、系统及装置 | 史晓霖 |
201510960495.7 | 一种腔室纯净度的监测方法 | 何永根 |
201410398110.8 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 周鸣 |
201610018229.7 | 一种半导体器件以及制备方法、电子装置 | 由云鹏 |
201510563367.9 | 一种半导体器件及其制造方法 | 李勇 |
201610490291.6 | 一种半导体器件及其制造方法 | 李勇 |
201610919383.1 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 赵海 |
201510666662.7 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 周飞 |
201710087199.X | 一种电熔丝器件及其制造方法 | 王楠 |
201610309122.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 林静 |
201610240678.6 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 陈亮 |
201610255203.4 | 一种半导体器件及其制备方法和电子装置 | 王伟 |
201510622379.4 | 电流舵型数模转换器及电子装置 | 翁芊 |
201510021534.7 | 一种MEMS器件制备方法 | 何昭文 |
201510088656.8 | 版图数据的处理方法 | 王刚 |
201510005764.4 | 一种SOI器件及其制备方法 | 刘金华 |
201610510635.5 | 半导体装置及其制造方法 | 神兆旭 |
201510336342.5 | 一种半导体装置及其制造方法 | 肖德元 |
201410554187.X | 光掩膜、半导体器件的制作方法及半导体器件 | 许志颖 |
201510035918.4 | 数据处理方法和装置 | 胡平 |
201610034509.7 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 邓浩 |
201510131035.3 | 一种检测晶圆键合质量的方法 | 李兵 |
201610341110.3 | 一种半导体器件及其检测方法及电子装置 | 刘立 |
201610297881.7 | 研磨垫及其形成方法、研磨监测方法 | 曹均助 |
201610349550.3 | 一种MEMS器件及制备方法、电子装置 | 伏广才 |
201610309536.0 | 测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法 | 竹敏 |
201510018670.0 | 用于后光学邻近修正修复的方法 | 杜杳隽 |
201510019301.3 | 用于后光学邻近修正修复的方法 | 杜杳隽 |
201510020507.8 | 用于后光学邻近修正修复的方法 | 杜杳隽 |
201611191926.9 | 光刻方法 | 裴明俊 |
201410310233.1 | 光刻胶图形的灰化方法 | 张海洋 |
201510493268.8 | 晶圆刻蚀的控制方法及晶圆制造方法 | 张海洋 |
201510354359.3 | 派工系统和派工方法 | 许磊 |
201610664942.9 | 电压调节器 | 杨家奇 |
201611200253.9 | 一种物理不可克隆芯片及其制造方法 | 段慧萍 |
201410353625.6 | 存储器的操作方法 | 黄正乙 |
201610017949.1 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 程晋广 |
201510894467.X | 提高鳍式场效应管性能的方法 | 李勇 |
201510119859.9 | 半导体结构的形成方法 | 周洁鹏 |
201610420475.5 | 半导体器件的形成方法 | 李勇 |
201610213588.8 | 刻蚀方法及半导体结构的形成方法 | 胡敏达 |
201510669884.4 | 一种半导体器件的制造方法 | 邓武锋 |
201610536767.5 | 隔离结构的形成方法 | 周飞 |
201510552896.9 | 半导体结构的形成方法 | 禹国宾 |
201510540806.4 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 周飞 |
201510016512.1 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 周飞 |
201510372856.6 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201510459384.8 | 半导体器件及其形成方法 | 周飞 |
201510654252.0 | PMOS晶体管及其形成方法 | 徐建华 |
201610011819.7 | 半导体器件以及改善半导体器件性能的方法 | 李勇 |
201610079722.X | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 张海洋 |
201610083791.8 | 晶体管的形成方法 | 周飞 |
201610083793.7 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610216934.8 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 纪世良 |
201610318186.4 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 周飞 |
201610410566.0 | 鳍式场效应管的形成方法 | 李勇 |
201610420451.X | 鳍式场效应管的形成方法 | 李勇 |
201610885872.X | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610407448.4 | 调节光刻胶层厚度值的方法和系统 | 刘洋 |
201610979493.7 | 一种半导体器件的制作方法 | 陆水华 |
201710015091.X | 凸块封装方法 | 章国伟 |
201610048644.7 | 针对栅极开路电阻进行晶圆可接受度测试的样品处理方法 | 庞凌华 |
201610292139.7 | 测试结构及其形成方法以及测试方法 | 吴湘君 |
201610293060.6 | 半导体测试结构及其形成方法以及测试方法 | 程凌霄 |
201610403191.5 | 一种用于同时检测多个底部接触塞的工艺窗口的版图结构 | 李莹 |
201611083632.4 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 李勇 |
201610134339.X | 半导体结构及其形成方法 | 刘继全 |
201610240670.X | 深沟槽结构的制作方法、半导体器件及电子装置 | 蔡超 |
201610297862.4 | 半导体结构及其制造方法 | 周飞 |
201610667679.9 | 半导体结构的形成方法 | 纪世良 |
201410136570.3 | 接触插塞的形成方法 | 张海洋 |
201410720415.6 | 半导体结构的形成方法 | 何其暘 |
201510215997.7 | 半导体结构的形成方法 | 张海洋 |
201510446426.4 | 半导体结构的形成方法 | 张海洋 |
201510448032.2 | 半导体结构的形成方法 | 张海洋 |
201510456364.5 | 半导体结构及其制造方法 | 张冠群 |
201510621876.2 | 半导体结构及其制造方法 | 袁光杰 |
201510640892.6 | 导电插塞结构的形成方法 | 王亮 |
201610006648.9 | 半导体器件的形成方法 | 何其暘 |
201610664696.7 | 半导体结构的形成方法 | 张城龙 |
201610667669.5 | 半导体结构的形成方法 | 禹国宾 |
201610318187.9 | 半导体结构的形成方法 | 李勇 |
201510465562.8 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201510923234.8 | 半导体结构的制造方法 | 周飞 |
201610531683.2 | 半导体器件的形成方法 | 李勇 |
201610803203.3 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201410537884.4 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 徐建华 |
201510053282.6 | 一种半导体器件的制造方法和电子装置 | 王新鹏 |
201510144359.0 | 半导体结构及其形成方法 | 谢欣云 |
201510341051.5 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 赵杰 |
201510348723.5 | 半导体器件的形成方法 | 张海洋 |
201510657291.6 | 鳍式场效应管的形成方法 | 赵海 |
201610420453.9 | 半导体器件及其形成方法 | 李勇 |
201610527902.X | 多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 神兆旭 |
201510652425.5 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201510896857.0 | 改善SRAM性能的方法 | 李勇 |
201611110242.1 | 半导体结构及其形成方法 | 宋春 |
201710187480.0 | 封装结构及其形成方法 | 殷原梓 |
201610407331.6 | 封装结构及其封装方法 | 王冲 |
201610803202.9 | 保护电路和集成电路 | 甘正浩 |
201611083625.4 | 静电放电保护结构及其形成方法和工作方法 | 周飞 |
201510541068.5 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 周飞 |
201610756374.5 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 李勇 |
201610217443.5 | 半导体器件及其形成方法 | 张城龙 |
201610006664.8 | 半导体结构及其形成方法 | 林静 |
201510377832.X | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201610080737.8 | 存储器及其形成方法 | 杨晓蕾 |
201610231201.1 | SRAM存储器及其形成方法 | 周飞 |
201610356785.5 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 张金霜 |
201610356716.4 | 一种半导体器件的制作方法 | 李敏 |
201610331056.4 | 一种半导体器件的制造方法 | 张城龙 |
201610356680.X | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 韩亮 |
201510673832.4 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 伏广才 |
201610881311.2 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 刘轶群 |
201610531682.8 | 半导体器件的形成方法 | 李勇 |
201610297863.9 | 半导体结构及其制造方法 | 周飞 |
201610204360.2 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 张海洋 |
201410707066.4 | 晶体管及其形成方法 | 刘焕新 |
201510006082.5 | P型鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 李勇 |
201610365140.8 | LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法 | 李勇 |
201510341804.2 | 动态比较器和包括该动态比较器的模数转换器 | 杨海峰 |
201510960961.1 | 石英管的防护方法 | 沈建飞 |
201510532696.7 | GaN薄膜的制备方法 | 彭昀鹏 |
201610709471.9 | 器件表面的保护层的去除方法 | 李广宁 |
201610755201.1 | 半导体器件的制备方法 | 陈卓凡 |
201610630458.4 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 谢欣云 |
201610643226.2 | FinFET器件的制造方法 | 黄敬勇 |
201710126769.1 | 封装方法 | 陈彧 |
201610877477.7 | 测试方法 | 夏泽坤 |
201610404786.2 | 晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法 | 沈景龙 |
201510005960.1 | 光学邻近修正方法 | 王兴荣 |
201610006700.0 | 局部互连结构的制作方法 | 李敏 |
201610073020.0 | 半导体装置的制造方法 | 周飞 |
201610073062.4 | 半导体装置及其制造方法 | 李勇 |
201510551706.1 | 互连结构的制造方法 | 周鸣 |
201610073030.4 | 半导体装置的制造方法和系统 | 徐建华 |
201610510621.3 | 半导体装置及其制造方法 | 冯军宏 |
201610510623.2 | 半导体装置及其制造方法 | 周鸣 |
201510618118.5 | 自偏置锁相环 | 贾海珑 |
201510923180.5 | 互连结构及其形成方法 | 徐建华 |
201610216906.6 | 半导体结构及其的形成方法 | 周鸣 |
201610646942.6 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610133528.5 | 闪存结构及其形成方法 | 邹陆军 |
201611247481.1 | 一种化学机械研磨方法 | 陈怡骏 |
201710170317.3 | 研磨垫的研磨方法 | 张祥春 |
201510471306.X | 测试图形的形成方法 | 杨青 |
201610755125.4 | 曝光方法、光刻方法及半导体制造方法 | 王清蕴 |
201610981570.2 | 一种带隙基准电路 | 杨家奇 |
201610044349.4 | 一种RFID系统的电子标签的解调电路 | 朱红卫 |
201510666331.3 | 静态随机存取存储器单元、静态随机存取存储器及电子装置 | 张弓 |
201610044389.9 | 存储器以及位线驱动电路 | 周世聪 |
201610406762.0 | 芯片的制备方法及刻蚀方法 | 张士健 |
201510547991.X | 高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法 | 李勇 |
201610662883.1 | 半导体结构的形成方法 | 张海洋 |
201410640548.2 | 晶体管的制造方法 | 毛刚 |
201510536211.1 | 晶体管及其形成方法 | 黄子伦 |
201510741813.0 | 半导体结构的形成方法 | 李勇 |
201610206325.4 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 王冬江 |
201610208077.7 | 半导体结构的制造方法 | 周飞 |
201610210892.7 | 鳍式场效应管的形成方法 | 李勇 |
201410425885.X | 半导体结构及其形成方法 | 胡平 |
201610510477.3 | 半导体器件的制造方法 | 周鸣 |
201510658333.8 | 鳍式场效应管的形成方法 | 赵海 |
201610666918.9 | 半导体结构的形成方法 | 谢欣云 |
201510654255.4 | 半导体结构及其形成方法 | 赵杰 |
201610414190.0 | CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法 | 李勇 |
201610126984.7 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 周鸣 |
201710311014.9 | 电熔丝装置及其形成方法 | 杨承 |
201610342927.2 | 高压ESD保护器件、电路及装置 | 王俊 |
201510714032.2 | 快闪存储器的制作方法 | 陈亮 |
201610192683.4 | 半导体存储器件及其制造方法 | 李冠华 |
201610443324.1 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 罗文军 |
201610255609.2 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 万宇 |
201610206310.8 | 半导体器件及其形成方法 | 常荣耀 |
201510631712.8 | 电阻随机存取存储器及其形成方法 | 肖莉红 |
201610518865.6 | 一种存储器单元阵列结构和电子装置 | 仇圣棻 |
201610935251.8 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 邓浩 |
201410766590.9 | MOS晶体管及其形成方法 | 王文博 |
201610237031.8 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610667678.4 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610915984.5 | 半导体结构及其制造方法 | 张海洋 |
201610919782.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 陈宗高 |
201510615429.6 | 一种用于ESD防护的STI二极管 | 李勇 |
201610206121.0 | 写操作追踪电路及包括写操作追踪电路的存储器 | 方伟 |
201610633438.2 | 一种半导体器件及其制备方法 | 赵猛 |
201610938604.X | 用于量测机台的自动调校方法和系统 | 阮炯明 |
201510967098.2 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 张城龙 |
201511027924.1 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 何丽丽 |
201610089099.6 | 一种半导体器件的制作方法 | 禹国宾 |
201610802975.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 李勇 |
201610807671.8 | 一种半导体器件的制造方法 | 李勇 |
201610444352.5 | 一种半导体器件及其控制方法和版图结构 | 甘正浩 |
201610832490.0 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 王成诚 |
201610938708.0 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 郑二虎 |
201410163043.1 | 避免大长宽比图形的孔洞层光学邻近修正方法 | 张婉娟 |
201610929499.3 | 用于检测基板上的标记的装置、设备和方法 | 何世峰 |
201610925898.2 | 基板校准装置以及检测系统 | 岳力挽 |
201510974155.X | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 王亮 |
201510422648.2 | 一种半导体器件的制造方法 | 肖莉红 |
201510674010.8 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 周飞 |
201610006426.7 | 一种半导体器件的制造方法 | 陈亮 |
201510058550.3 | 一种半导体测试设备及方法 | 朱俊灏 |
201410310519.X | 一种半导体器件及其制备方法 | 赵猛 |
201410696596.3 | 晶体管及其形成方法 | 赵猛 |
201610489129.2 | 测试设备及测试方法 | 崔嘉 |
201710209611.0 | 偏置电流产生电路 | 陈廷乾 |
201610094461.9 | 位线驱动电路及非易失性存储电路 | 權彞振 |
201610044356.4 | 半导体器件安全认证方法 | 赵连国 |
201610293401.X | GGNMOS晶体管、多指GGNMOS器件及电路 | 雷玮 |
201610879198.4 | MEMS麦克风及其形成方法 | 王贤超 |
201310371044.0 | 用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法和系统 | 蔡博修 |
201610803034.3 | 管芯分拣装置 | 杨晨 |
201610379168.7 | 半导体装置及其制造方法 | 周飞 |
201610379201.6 | 半导体装置及其制造方法 | 张城龙 |
201610423223.8 | 半导体装置及其制造方法 | 周飞 |
201510418859.9 | 光学邻近修正方法 | 杜杳隽 |
201510926262.5 | 光学邻近效应矫正方法 | 舒强 |
201510198746.2 | 掩模板、散焦量的测试方法及其测试系统 | 张强 |
201710323412.2 | PUF特征值的生成方法和具有PUF的器件 | 黄正太 |
201610984604.3 | 一种基于CDSEM的特征识别方法及装置 | 柏耸 |
201610067371.0 | 基于眼镜式交互终端的试衣服务处理方法 | 孙晓雁 |
201610217397.9 | 用于存储器的电压维持电路、存储器及电子设备 | 黄正乙 |
201510548258.X | 半导体结构的形成方法 | 李勇 |
201510366383.9 | 晶体管的制造方法 | 黄瑞轩 |
201510894294.1 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 李勇 |
201510894481.X | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 李勇 |
201610079377.X | 晶体管及其形成方法 | 徐建华 |
201610130606.6 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 周飞 |
201610213608.1 | 半导体结构的形成方法 | 黄瑞轩 |
201610405073.8 | 半导体结构及其制造方法 | 周飞 |
201610504769.6 | LDMOS晶体管及其形成方法 | 赵猛 |
201610744154.0 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201611111149.2 | 半导体测试结构及其形成方法 | 周飞 |
201510703687.X | 接触孔的形成方法 | 刘继全 |
201610319283.5 | 半导体结构的形成方法 | 周鸣 |
201610407462.4 | 互连结构及形成方法 | 周鸣 |
201610666919.3 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610738862.3 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610744286.3 | 半导体结构的形成方法 | 王彦 |
201610884440.7 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610964304.9 | 晶体管及其形成方法 | 周飞 |
201611100045.1 | 半导体结构的形成方法 | 肖芳元 |
201510894238.8 | CMOS器件的形成方法 | 李勇 |
201610531672.4 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201710243649.X | 反熔丝结构电路及其形成方法 | 冯军宏 |
201410734536.6 | 互连结构及其形成方法 | 黄敬勇 |
201710173582.7 | 半导体结构及其形成方法 | 邓国贵 |
201710438327.0 | 半导体结构及其形成方法 | 蒋昊 |
201610006662.9 | 半导体结构及其制造方法 | 周飞 |
201510894291.8 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 李勇 |
201610006633.2 | 双极型晶体管及其形成方法 | 杨晓蕾 |
201610079745.0 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 张海洋 |
201610662636.1 | 半导体结构的形成方法 | 谢欣云 |
201610753384.3 | 半导体器件及其制造方法 | 甘正浩 |
201611185845.8 | 射频发射电路、发射机及用户终端 | 王多 |
201610006669.0 | 麦克风结构及其制造方法 | 王强 |
201610090910.2 | 基于硅通孔的温度传感器及温度测量方法、电子装置 | 甘正浩 |
201510615978.3 | 一种硅通孔传感器及检测方法、电子装置 | 冯军宏 |
201510670146.1 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 陈福成 |
201610260588.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 李志超 |
201710552611.0 | 一种凸块回流方法 | 蔡凤萍 |
201610459887.X | 一种半导体器件的制作方法 | 张海洋 |
201410837905.4 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 梁海慧 |
201510270513.9 | 半导体器件及其制备方法和电子装置 | 施森华 |
201510339118.1 | 延迟单元 | 李智 |
201410184945.3 | 一种接口转换装置和网络系统 | 刘琦 |
201610403694.2 | 掩膜层结构、半导体器件及其制造方法 | 宋长庚 |
201610919641.6 | 一种半导体器件及其制造方法 | 周俊卿 |
201610490311.X | 一种半导体器件及其制造方法 | 徐建华 |
201610089201.2 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 徐建华 |
201710153641.4 | 一种半导体器件的检测结构及其制备方法、检测方法 | 夏禹 |
201611239032.2 | I/O接收机及其接收电路 | 耿彦 |
201610927729.2 | 一种晶圆清洗方法 | 谷勋 |
201610802982.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 邓武锋 |
201610881292.3 | 一种半导体器件的制作方法 | 王明军 |
201710513010.9 | 供电电路、生成方法和控制方法 | 汪腾野 |
201710118714.6 | 金属凸块装置及其制造方法 | 薛兴涛 |
201610073065.8 | 半导体装置的制造方法 | 张帅 |
201610091575.8 | 半导体装置及其制造方法 | 李勇 |
201510963348.5 | 探针测试连接装置 | 张克堂 |
201610338988.1 | 用于串行闪存的写操作的方法和串行闪存 | 程昱 |
201510660942.7 | 一种电熔丝存储单元、电熔丝存储阵列及其使用方法 | 杨家奇 |
201510661893.9 | 一种电熔丝存储单元和电熔丝存储阵列 | 杨家奇 |
201610630737.0 | 图案化光阻的形成方法及其结构 | 陈林 |
201610404770.1 | 双极结型晶体管的制造方法及半导体芯片的制作方法 | 张焕云 |
201610459954.8 | 快闪记忆体中浅沟槽的制作方法 | 常荣耀 |
201410163124.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 何作鹏 |
201611066883.1 | 互连结构及其制造方法 | 何作鹏 |
201610561689.4 | 静电放电保护电路 | 甘正浩 |
201510960949.0 | 图像传感器芯片的封装结构及封装方法 | 何明 |
201610348962.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 唐文涛 |
201610885628.3 | 一种化学机械研磨方法 | 唐强 |
201610392505.6 | 高速预充电敏感放大器电路、快速读取电路及电子装置 | 陈永耀 |
201610398818.2 | 一种字线电压生成电路、半导体器件及电子装置 | 权彝振 |
201610927405.9 | 半导体装置的制造方法 | 常荣耀 |
201410325477.7 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 王新鹏 |
201610261460.9 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 任佳 |
201710078543.9 | 一种半导体器件及电子装置 | 殷原梓 |
201610807658.2 | 一种垂直FinFET器件及其制备方法、电子装置 | 张海洋 |
201410720427.9 | 晶圆研磨方法 | 陈彧 |
201611067307.9 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 黄风建 |
201610407441.2 | 传感器电路及其使用方法 | 吴蕾 |
201611104423.3 | 一种光罩真空吸盘区域污染物的检测系统以及检测方法 | 卢建卫 |
201610407316.1 | 电压发生单元的检测电路及检测方法 | 杨家奇 |
201610083868.1 | 包含有监测图形的掩膜版以及监测方法 | 邢滨 |
201610129786.6 | 光刻掩膜版的制造方法 | 邢滨 |
201511028178.8 | 掩膜版图形的修正方法 | 杜杳隽 |
201611207623.1 | 自加热效应模型及测试方法 | 林曦 |
201610788897.8 | 存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法 | 彭家旭 |
201610192132.8 | 基准电流获取电路、只读存储器及电子设备 | 侯海华 |
201610402929.6 | 一种外部双电压输入选择开关电路及电子装置 | 權彞振 |
201510621821.1 | 一种相变存储器的编程测试方法 | 李莹 |
201610208298.4 | 一种半导体电容器及其制作方法和电子装置 | 吴健 |
201710130943.X | 半导体器件及其形成方法 | 郑二虎 |
201510354799.9 | 一种多晶硅刻蚀方法 | 赵连国 |
201611075036.1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 陈林 |
201410216718.4 | 一种制作半导体器件的方法 | 隋运奇 |
201510540775.2 | MOS晶体管及其形成方法 | 张城龙 |
201510904226.9 | 晶体管及其形成方法 | 赵猛 |
201610293057.4 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 李勇 |
201610356806.3 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 赵猛 |
201610505262.2 | 一种FinFET器件的制造方法 | 周飞 |
201610537321.4 | 半导体结构及其形成方法 | 周鸣 |
201610666905.1 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610784554.4 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610831749.X | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201611002333.3 | 半导体结构及其形成方法 | 邓浩 |
201611085957.6 | 半导体结构及其形成方法 | 张海洋 |
201710363176.7 | 半导体结构及其形成方法 | 陈福成 |
201610940330.8 | 测试结构及测试单元 | 王志娟 |
201710131317.2 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 周飞 |
201611009447.0 | 用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的方法和系统 | 曹喜 |
201611206324.6 | 用于管控线上缺陷的方法和系统 | 闫卫卫 |
201610457929.6 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 陈德艳 |
201610804720.2 | 一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件 | 黄河 |
201610182177.7 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 韩秋华 |
201610345387.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 包小燕 |
201610664298.5 | 半导体结构的形成方法 | 张城龙 |
201611112156.4 | 半导体结构及其形成方法 | 张城龙 |
201610662867.2 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201611089134.0 | 半导体结构的形成方法 | 贺鑫 |
201710185895.4 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201410217871.9 | 一种半导体器件的制备方法 | 涂火金 |
201610308959.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 黄河 |
201610527878.X | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610801089.0 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 何凤英 |
201611066007.9 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610994448.9 | 动态随机存储器及其形成方法 | 林曦 |
201410453193.6 | 一种用于测试晶圆叠层结构的金属连接性的测试结构 | 郑超 |
201611262695.6 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 李勇 |
201710920028.0 | 静电放电保护电路及其结构和工作方法 | 谷欣明 |
201710160423.3 | 熔丝结构及其形成方法 | 冯军宏 |
201611239029.0 | 半导体结构及其形成方法 | 林静 |
201710087188.1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 张青淳 |
201610919830.3 | 半导体结构及其形成方法、测量电容的方法 | 周飞 |
201510345790.1 | 半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 | 李敏 |
201410554493.3 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 赵猛 |
201610830376.4 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 王成诚 |
201510255865.7 | 一种CMOS图像传感器及其制作方法和操作方法 | 何昭文 |
201510673816.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 伏广才 |
201610490297.3 | 一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置 | 陈德艳 |
201610516729.3 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610958506.2 | 半导体器件及其形成方法 | 涂火金 |
201611239033.7 | 半导体结构及其形成方法 | 贺鑫 |
201510642509.0 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201610315907.6 | 栅控二极管及其形成方法 | 甘正浩 |
201610788877.0 | LDMOS及其形成方法 | 周飞 |
201610840197.9 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 姚陆军 |
201611065220.8 | 半导体结构及其形成方法、以及SRAM | 李勇 |
201610906470.3 | 一种半导体器件及其制造方法 | 宋以斌 |
201610882468.7 | 一种半导体器件及其制造方法 | 宋以斌 |
201510970425.X | 具有局部互连结构的器件及其制造方法 | 傅丰华 |
201710363142.8 | 扇出结构和方法 | 张宏 |
201410751266.X | 版图设计规则检查的方法及系统 | 张虎 |
201410323130.9 | 改善多孔低k薄膜的突起缺陷的方法 | 周鸣 |
201610944773.4 | 芯片封装方法及封装结构 | 陈彧 |
201610256886.5 | 半导体器件的制备方法 | 梁海慧 |
201610044738.7 | 提取芯片版图特征的方法、CMP仿真方法及系统 | 李雪 |
201710157818.8 | MEMS麦克风的形成方法以及MEMS麦克风 | 王强 |
201610935798.8 | 一种MEMS器件及制备方法、电子装置 | 王强 |
201611176623.X | 一种半导体器件的制备方法 | 张健 |
201610919656.2 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 郑二虎 |
201511026881.5 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 王冬江 |
201710567272.3 | 一种晶圆级封装结构及其封装方法 | 付俊 |
201610239211.X | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 徐长春 |
201610937675.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 神兆旭 |
201610938722.0 | 一种标准单元的版图结构及电子装置 | 黄晨 |
201410369929.1 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 方磊 |
201610016990.7 | 信号接收装置和信号处理设备 | 朱恺 |
201710141109.0 | 一种过零检测电路及DC-DC转换器 | 陈春鹏 |
201610994781.X | 一种保持电压的产生电路及电子设备 | 司徒道明 |
201710269047.1 | 一种PUF特征值的生成方法和具有PUF的装置 | 王韬 |
201611018521.5 | 半导体结构及其形成方法 | 杨志勇 |
201610006560.7 | 半导体结构的制造方法 | 周飞 |
201610006646.X | 鳍式晶体管的形成方法 | 李勇 |
201610006666.7 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610083755.1 | 晶体管及其形成方法 | 赵猛 |
201610646944.5 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610646956.8 | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610738883.5 | 半导体结构的制造方法 | 张海洋 |
201610991129.2 | 鳍式场效应管的制造方法 | 易旭东 |
201610130572.0 | 半导体结构及其形成方法 | 赵猛 |
201610997270.3 | 半导体结构及其制造方法 | 周俊卿 |
201610962602.4 | 多阈值电压晶体管及其形成方法 | 周飞 |
201710611384.4 | 鳍式晶体管及其形成方法 | 贺鑫 |
201710711275.X | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610664338.6 | 半导体结构的形成方法 | 谢欣云 |
201611110258.2 | 半导体结构及其形成方法 | 赵简 |
201611242214.5 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201710169212.6 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 周飞 |
201710812750.2 | 一种鳍式场效应半导体的形成方法 | 周飞 |
201710131234.3 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610885892.7 | 鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201610877723.9 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 周飞 |
201610756336.X | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201410704633.0 | 半导体结构及其形成方法 | 张海洋 |
201610531664.X | 鳍式场效应管及其形成方法 | 李勇 |
201610424408.0 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 韩秋华 |
201610788845.0 | 半导体器件及其形成方法 | 周飞 |
201610213609.6 | 自启动的偏置电流源电路 | 朱恺 |
201611187333.5 | 一种键合对准精度的检测方法和半导体器件 | 程晋广 |
201710061545.7 | 一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置 | 刘玄 |
201610841502.6 | 一种透射电子显微镜样品及其制备方法 | 殷原梓 |
201610379422.3 | 总线故障检测电路 | 郭振业 |
201610044361.5 | 新产品运作匹配装置及方法 | 暨欣媛 |
201510963712.8 | 存储器的读取电路及其读取方法 | 汤天申 |
201610240837.2 | 防止自掺杂效应的方法 | 李震远 |
201610933382.2 | 测试机台 | 王侃晟 |
201610642822.9 | 半导体器件的制备方法 | 李广宁 |
201610915730.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 李勇 |
201610565666.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 黄永彬 |
201610925897.8 | 闪存器件及其制造方法 | 李善融 |
201610379438.4 | 半导体装置及其制造方法 | 张海洋 |
201710345448.0 | 直流-直流转换电路系统及其形成方法 | 翁芊 |
201410357405.0 | 一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备 | 邓武锋 |
201610027076.2 | 参考电流获取单元、只读存储器及电子装置 | 姜敏 |
201710058816.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 李勇 |
201710067775.4 | 一种激光退火方法 | 沈耀庭 |
201611186841.1 | 一种沟槽型IGBT及其制造方法和电子装置 | 袁雷兵 |
201710395647.2 | 一种提高重布线层表面均匀性的方法 | 蔡凤萍 |
201510005533.3 | 半导体器件的形成方法 | 许继辉 |
201611115481.6 | 高压检测电路 | 彭家旭 |
201710129244.3 | 一种集成电路芯片及其保护方法、装置 | 永田诚一 |
201710273216.9 | 带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统 | 梁婷轩 |
201710333172.4 | PUF特征值的生成方法和具有PUF的器件 | 黄正太 |
201610015640.9 | 电熔丝位单元阵列中电熔丝的缺陷检测方法及电路 | 罗睿明 |
201710706018.7 | 半导体器件及其形成方法 | 张城龙 |
201610664716.0 | 双重图形化的方法 | 张城龙 |
201611185755.9 | 半导体结构以及半导体结构的形成方法 | 任佳 |
201610970621.1 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 郑二虎 |
201610006680.7 | 半导体结构及其形成方法 | 高长城 |
201710039936.9 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201510706331.1 | 半导体结构及其形成方法 | 余云初 |
201610082771.9 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201610362447.2 | 半导体结构的形成方法 | 洪中山 |
201610404105.2 | 半导体结构的制造方法 | 周飞 |
201610744164.4 | 半导体结构的制造方法 | 张海洋 |
201610914857.3 | 半导体器件及其形成方法 | 韩秋华 |
201610970759.1 | 用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构 | 李勇 |
201610972378.7 | 半导体结构的形成方法 | 贺鑫 |
201610365196.3 | 半导体结构及其制造方法 | 周飞 |
201610527753.7 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201611198710.5 | 封装结构及其形成方法 | 金立中 |
201711034035.7 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201611198711.X | 电容及其形成方法、图像传感器电路及其形成方法 | 梁昕 |
201611177978.0 | 半导体器件及其形成方法 | 周飞 |
201510654312.9 | 晶体管及其形成方法 | 黄河 |
201610315837.4 | 半导体结构的形成方法 | 金兰 |
201610664178.5 | 半导体结构及其制造方法 | 赵猛 |
201611178075.4 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 邱慈云 |
201610192253.2 | 电荷泵稳压器及存储器、物联网设备 | 周耀 |
201610192685.3 | 晶体振荡器电路 | 冯二媛 |
201610516625.2 | 半导体装置及其制造方法 | 张城龙 |
201610966683.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 张海洋 |
201710071142.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 许继辉 |
201610356701.8 | 用于测试模拟信号的系统 | 杨家奇 |
201610402677.7 | 一种负升压电路、半导体器件及电子装置 | 權彞振 |
201610578748.9 | 一种多时序可编程存储器及电子装置 | 權彞振 |
201710931404.6 | 半导体封装模具、半导体器件及半导体器件的封装方法 | 陈彧 |
201610881295.7 | 一种硅通孔测试结构及其测试方法 | 甘正浩 |
201610970592.9 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 郑二虎 |
201810843852.5 | 一种半导体器件的制作方法 | 邓浩 |
201511026807.3 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 李敏 |
201710148001.4 | 麦克风及其制造方法 | 石慧 |
201710331663.5 | 半导体装置和检测器件发热的方法 | 周飞 |
201710514058.1 | 供电电路、生成方法和控制方法 | 杨家奇 |
201510613287.X | 一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法 | 张弓 |
201611072290.6 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 程晋广 |
201610402943.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 吴健 |
201610512145.9 | 半导体装置及其制造方法 | 周鸣 |
201610925896.3 | 半导体装置的制造方法 | 周飞 |
201610263531.9 | 封装件及其制造方法 | 殷原梓 |
201610889998.4 | 密封环结构、半导体器件及电子装置 | 宋春 |
201710934832.4 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 柴娜 |
201611180910.8 | 图像传感器及其制造方法 | 邱慈云 |
201611053099.7 | 一种半导体器件和电子装置 | 王伟 |
201611251521.X | 一种研磨垫的处理方法 | 唐强 |
201610240833.4 | 制造执行系统及其操作方法 | 屈昕嘉 |
201610263582.1 | 存储单元 | 叶晓 |
201610094474.6 | 半导体器件安全认证方法 | 呼翔 |
201610369921.4 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 金兰 |
201610937953.X | 半导体结构及其制造方法 | 张海洋 |
201710583020.X | 芯片封装方法及芯片封装结构 | 陈彧 |
201710128366.0 | 用于检测氮浓度的结构及方法 | 刘媛娜 |
201610947975.4 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 郑二虎 |
201710335177.0 | 半导体器件及其形成方法 | 李宗亮 |
201510086556.1 | 一种SRAM及其制造方法、电子装置 | 张弓 |
201710385153.6 | 半导体存储器件及其制造方法和掩膜版 | 陈卓凡 |
201610094463.8 | 电平转换电路 | 權彞振 |
201710465539.8 | 一种CMOS反相器和电子装置 | 赵祥富 |
201610726754.4 | 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 黄敬勇 |
201611176621.0 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | 俞宏俊 |
201610357337.7 | 一种用于测试探针氧化的磨针清针系统及方法 | 刘琦 |
201510974152.6 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 郑二虎 |
201610915624.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 沈满华 |
201610140142.7 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 赵猛 |
201610309000.9 | 一种用于相变存储器的相变薄膜及其制备方法 | 汪昌州 |
201611140954.8 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | 王伟 |
201611199034.3 | 一种MEMS器件及制备方法、电子装置 | 王强 |
201710176077.8 | MEMS麦克风及其形成方法 | 王伟 |
201611064783.5 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 陆建刚 |
201610315926.9 | 存储器及其参考电路的校准方法 | 周耀 |
201610919492.3 | 晶体管及其形成方法 | 周飞 |
201610980028.5 | 半导体结构的形成方法 | 徐建华 |
201710131028.2 | 半导体结构及其形成方法 | 韩秋华 |
201710364138.3 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201410166905.6 | 一种制作半导体器件的方法 | 黄瑞轩 |
201510176680.7 | 半导体结构的形成方法 | 徐建华 |
201610755894.4 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201611085942.X | 半导体结构及其形成方法 | 张海洋 |
201610293388.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 李海艇 |
201710156402.4 | 晶圆键合方法以及晶圆键合结构 | 程晋广 |
201410301166.7 | 介质层的形成方法 | 周鸣 |
201710734652.1 | 半导体结构及其形成方法 | 袁可方 |
201610884463.8 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 李勇 |
201610885805.8 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201610903470.8 | 半导体器件及其形成方法 | 李勇 |
201611082490.X | 多阈值电压晶体管及其形成方法 | 杨佳琦 |
201710198632.7 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201711119152.3 | 半导体结构及其形成方法 | 杨列勇 |
201710117402.3 | 一种存储器 | 黄鹏 |
201710011951.2 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610981522.3 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 张金霜 |
201611111226.4 | 半导体器件及其形成方法 | 常荣耀 |
201611152917.9 | 一种半导体器件及其制作方法 | 施林波 |
201610536793.8 | D触发器 | 侯开华 |
201610134366.7 | 输入输出接收电路 | 莫善岳 |
201610079630.1 | 异步逐次逼近型模数转换电路 | 荀本鹏 |
201710595887.7 | MEMS麦克风及其形成方法 | 张建华 |
201611026642.4 | 写追踪跟随性检测方法和电路以及包括该电路的存储器 | 史增博 |
201610392013.7 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 张翼英 |
201610559626.5 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 周飞 |
201610512129.X | 互连结构及其制造方法 | 周鸣 |
201610379423.8 | 静电放电 ESD保护器件和半导体装置 | 李勇 |
201610642440.6 | 一种掩膜图形缺陷的修复方法 | 施维 |
201710020992.8 | 输出驱动器和存储器的读电路 | 权彞振 |
201610584840.6 | FinFET半导体器件及其制造方法 | 李勇 |
201710444291.7 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 陈彧 |
201611061528.5 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 常荣耀 |
201610357262.2 | 高压电平位移电路和非易失性存储器 | 權彞振 |
201610841539.9 | 一种电路及利用该电路对电可编程熔丝电路进行编程的方法 | 齐雪娇 |
201710379725.X | 晶体管及其制作方法 | 张海洋 |
201410487213.1 | 化学机械抛光方法 | 朱宏亮 |
201610882481.2 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 神兆旭 |
201710986872.3 | 芯片封装方法及芯片封装结构 | 陈彧 |
201610331037.1 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 王明军 |
201710386699.3 | 电容结构的制作方法以及电容结构 | 韦亚婷 |
201710063591.0 | 芯片拾取方法以及封装工艺 | 陆建刚 |
201710131842.4 | 一种半导体器件及其制备方法和电子装置 | 陈彧 |
201710386700.2 | 测试结构及凹槽刻蚀检测方法 | 宋春 |
201710322575.9 | 半导体测试结构及晶体管漏电的测试方法 | 殷原梓 |
201710126748.X | 麦克风及其制作方法 | 王强 |
201611214088.2 | 一种研磨垫的处理方法 | 唐强 |
201610392015.6 | 通道冲突检测方法及系统 | 冯二媛 |
201710585449.2 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 王胜名 |
201610124439.4 | 一种半导体光电探测器及其制备方法、电子装置 | 周鸣 |
201610136358.6 | 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 | 黄河 |
201610490296.9 | 方波信号产生电路 | 张卫航 |
201610240596.1 | 传输门电路 | 耿彦 |
201510690769.5 | 掩膜版及双重图形化法的方法 | 余云初 |
201710210531.7 | 一种探测电路 | 曾令刚 |
201710614884.3 | 一种上电信号产生电路 | 權彞振 |
201710629716.1 | 一种存储器及其数据读出驱动电路 | 權彞振 |
201710273534.5 | 地址译码器电路 | 周耀 |
201611237765.2 | 半导体器件及其形成方法 | 李勇 |
201410265014.6 | 刻蚀方法和互连结构的形成方法 | 周鸣 |
201710457539.3 | 半导体器件及其形成方法 | 王士京 |
201410522615.0 | 高能离子注入方法及半导体结构 | 陈勇 |
201710290190.9 | 半导体结构及其形成方法 | 邓浩 |
201510631671.2 | 鳍式场效应管的形成方法 | 李勇 |
201610662471.8 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201710363969.9 | 半导体结构的形成方法、半导体芯片、封装方法及结构 | 陆丽辉 |
201510907954.5 | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | 禹国宾 |
201610805013.5 | 半导体结构的形成方法 | 张城龙 |
201610981568.5 | 互连结构及其形成方法 | 邓浩 |
201710131007.0 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201710776697.5 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201710727100.8 | 半导体结构及其形成方法 | 张城龙 |
201610711318.X | 半导体结构及其形成方法 | 张城龙 |
201710230474.9 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201710282749.3 | 半导体结构及其形成方法 | 包小燕 |
201710957393.9 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201611248888.6 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201710063634.5 | 半导体结构及其形成方法 | 贺鑫 |
201710131086.5 | 半导体结构及其形成方法 | 王彦 |
201710197968.1 | 半导体器件及其形成方法 | 谢欣云 |
201710882503.X | 半导体器件的形成方法 | 周飞 |
201710030460.2 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 陶佳佳 |
201610527859.7 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610961821.0 | 半导体器件及其形成方法 | 周飞 |
201610911374.8 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 李勇 |
201810318224.5 | 放大电路 | 孙铭阳 |
201610664136.1 | 带微调控制的振荡电路 | 唐华 |
201610239195.4 | IO接收机 | 耿彦 |
201610942172.X | 半双工通信装置及其通信方法、半双工通信的装置 | 全南一 |
201710444111.5 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 周飞 |
201611199033.9 | 一种光刻机的像质检测方法 | 邢滨 |
201710615534.9 | 稳压电路和方法 | 王俊 |
201710058601.1 | 一种半导体器件的制备方法 | 张海洋 |
201611124067.1 | 一种光阻剂喷涂量的监测方法 | 袁立春 |
201610331274.8 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 包小燕 |
201610919767.3 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 郑二虎 |
201710597758.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 张天豪 |
201610505261.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 周飞 |
201710615546.1 | 半导体装置及其制造方法 | 李勇 |
201711009577.9 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 殷原梓 |
201611152920.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 刘剑 |
201611086015.X | 一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置 | 甘正浩 |
201710929682.8 | CMOS图像传感器及其制备方法 | 林杰 |
201611085085.3 | 半导体装置及其制造方法 | 陈卓凡 |
201710328816.0 | 半导体器件及光刻胶图案的清洗方法 | 陈彧 |
201710586311.4 | 一种实时监测机台稳定性的装置、方法及光刻机机台 | 周榆涵 |
201710173281.4 | 半导体结构及其形成方法 | 赵猛 |
201710299097.4 | 半导体装置及其制造方法 | 郑大燮 |
201710557656.7 | 一种半导体器件的制造方法 | 刘剑 |
201610642282.4 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 杨佳琦 |
201610003549.5 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 张海洋 |
201710896967.6 | 半导体结构及其形成方法 | 付俊 |
201610826737.8 | 用于检测基板表面缺陷的装置、系统和方法 | 沈满华 |
201610878856.8 | 用于芯片制造的方法和系统 | 刘孜谦 |
201610531703.6 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610899633.X | 半导体装置及其制造方法 | 赵海 |
201611112145.6 | 鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构 | 禹国宾 |
201710064337.2 | 一种半导体器件的制造方法 | 李勇 |
201710448950.4 | 半导体器件及其形成方法 | 李勇 |
201611048635.4 | 一种半导体器件及半导体器件的制造方法 | 段慧萍 |
201710723132.0 | 图像传感器的制造方法 | 戚德奎 |
201710176063.6 | 存储单元及其形成方法、存储阵列结构及其形成方法 | 仇圣棻 |
201610133540.6 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201610398644.X | 一种总线结构 | 丁艳 |
201610788930.7 | 目标图形的修正方法 | 杜杳隽 |
201610221234.8 | 化学机械抛光仿真的方法和装置 | 刘正方 |
201710060974.2 | 偏压产生电路以及存储器的控制电路 | 权彝振 |
201610021194.2 | 用于测试SRAM周期时间的电路及方法 | 张静 |
201710702288.0 | SRAM测试结构及其形成方法、测试电路及其测试方法 | 王楠 |
201710132222.2 | 一种半导体器件的制造方法 | 李勇 |
201710154812.5 | 半导体晶圆的清洗方法 | 水晓凤 |
201710161581.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 刘佳 |
201710379186.X | 掺杂区及IGBT器件的形成方法和结构 | 刘剑 |
201710522295.2 | 图形化的掩膜层及其形成方法 | 郑二虎 |
201710100565.0 | 半导体结构的制作方法 | 李文剑 |
201610518854.8 | 半导体结构的形成方法 | 周飞 |
201710218432.3 | 缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆 | 姚笛 |
201710160231.2 | 晶圆识别码的监测方法以及监测结构 | 毕强 |
201310743202.0 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 黄河 |
201611081250.8 | 晶圆键合方法及晶圆键合结构 | 陈福成 |
201710072369.7 | 一种半导体器件的制造方法 | 郑二虎 |
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201710424142.4 | 半导体存储器件的制作方法 | 张永兴 |
201710213163.1 | 半导体结构及其形成方法 | 梁金娥 |
201611187661.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 江涛 |
201710372717.2 | 半导体结构及其形成方法 | 胡建强 |
201711035255.1 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201610991455.3 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201710073605.7 | 半导体结构及其形成方法、工作方法 | 王锴 |
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201611072328.X | 半导体结构及其形成方法、以及SRAM | 李勇 |
201611100752.0 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 伏广才 |
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201710717380.4 | 半导体装置的制造方法 | 梁金娥 |
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201610902296.5 | 半导体装置及其制造方法 | 彭文杰 |
201611180246.7 | 图像传感器及其制造方法 | 邱慈云 |
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201710355386.1 | 半导体装置及其制造方法 | 赵猛 |
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201810019082.2 | 半导体封装测试结构及形成方法、半导体封装结构 | 刘杰 |
201610136349.7 | 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 | 黄河 |
201611177412.8 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 王智东 |
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201710630144.9 | 半导体结构及其形成方法 | 邓浩 |
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201610941517.X | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
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201710312300.7 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 王胜名 |
201710734937.5 | 半导体结构及其形成方法 | 张璐 |
201710595546.X | 存储器及其形成方法 | 冯军宏 |
201710163795.1 | 半导体结构及其形成方法 | 戚德奎 |
201611076217.6 | 阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置 | 张翼英 |
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201610364768.6 | 半导体器件的形成方法 | 李勇 |
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201710432845.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 李勇 |
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201710722966.X | 静电放电晶体管阵列装置 | 冯军宏 |
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201710144096.2 | 三维闪存器件及其制造方法 | 刘盼盼 |
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201510929103.0 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和电子装置 | 黄河 |
201711324835.2 | 半导体结构及晶体管的形成方法 | 李勇 |
201710130724.1 | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
201611089140.6 | 半导体结构及其形成方法 | 张城龙 |
201711377169.9 | 半导体器件及其形成方法 | 王潇 |
201710305619.7 | 半导体结构及其形成方法 | 杜丽娟 |
201710622852.8 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201710622855.1 | 半导体结构及其形成方法 | 李勇 |
201710767173.X | 半导体结构及其形成方法 | 周飞 |
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201711486005.X | 半导体器件及其形成方法 | 张欣贵 |
201710011804.5 | 存储器结构及其形成方法 | 王楠 |
201710611711.6 | SRAM存储器及其形成方法 | 李勇 |
201710310970.5 | 存储器及其形成方法 | 郑二虎 |
201611248887.1 | 半导体器件及其形成方法 | 李勇 |
201610537318.2 | 晶体管的形成方法 | 杨晓蕾 |
201610274388.3 | 电可编程熔丝系统及其测试方法 | 陈罗平 |
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201810096015.0 | 半导体器件及其形成方法 | 周飞 |
201611085960.8 | 鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构 | 李勇 |
201710229090.5 | ESD保护电路、ESD保护结构及其形成方法 | 雷玮 |
201611100048.5 | 半导体结构及其形成方法 | 徐建华 |
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