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2020年半导体组件与集成电路领域的中国局专利的发展竞争态势——广东、上海、北京领先，京东方、武汉华星、中芯国际较强
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告1525.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
第一部分 2020年中国国家发明专利统计分析报告
8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势
8.41 半导体组件与集成电路领域中国局专利的发展竞争态势
第41个技术领域是半导体组件与集成电路。
图8.41-1 半导体组件与集成电路领域的中国局专利增长情况
2020年，中国局在半导体组件与集成电路领域上的专利授权增长12%，达到7050项，占总授权量的1%，该领域是专利数量第43多的技术领域。近年来，半导体组件与集成电路领域的专利增长较快。
表8.41-1 2020年各国半导体组件与集成电路领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 4588 | 74% | 1% |
2 | 日本 | 847 | 12% | 3% |
3 | 美国 | 274 | 4% | 1% |
4 | 德国 | 89 | 1% | 1% |
5 | 韩国 | 488 | 7% | 5% |
6 | 法国 | 24 | 0% | 1% |
7 | 瑞士 | 11 | 0% | 0% |
8 | 荷兰 | 14 | 0% | 1% |
9 | 瑞典 | 2 | 0% | 0% |
10 | 英国 | 6 | 0% | 0% |
11 | 意大利 | 2 | 0% | 0% |
12 | 新加坡 | 11 | 0% | 1% |
13 | 丹麦 | 1 | 0% | 0% |
14 | 奥地利 | 25 | 0% | 4% |
15 | 其他 | 71 | 1% | 1% |
小计 | 7050 | 100% | 1% |
注：本表按照第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。
我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的74%，份额相对偏低7个百分点。国内专利中有1%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于日本、韩国等国家，这说明我国在半导体组件与集成电路领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。
表8.41-2 2020年国内各省市区半导体组件与集成电路领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 广东 | 991 | 19% | 1% |
2 | 上海 | 811 | 16% | 3% |
3 | 北京 | 782 | 15% | 1% |
4 | 湖北 | 749 | 14% | 4% |
5 | 台湾 | 591 | 11% | 9% |
6 | 江苏 | 455 | 9% | 1% |
7 | 浙江 | 151 | 3% | 0% |
8 | 福建 | 108 | 2% | 1% |
9 | 安徽 | 101 | 2% | 0% |
10 | 河北 | 99 | 2% | 2% |
11 | 四川 | 73 | 1% | 1% |
12 | 山东 | 51 | 1% | 0% |
13 | 江西 | 45 | 1% | 1% |
14 | 陕西 | 43 | 1% | 0% |
15 | 湖南 | 39 | 1% | 0% |
16 | 重庆 | 20 | 0% | 0% |
17 | 天津 | 19 | 0% | 0% |
18 | 辽宁 | 16 | 0% | 0% |
19 | 河南 | 13 | 0% | 0% |
20 | 吉林 | 8 | 0% | 0% |
21 | 香港 | 6 | 0% | 1% |
22 | 黑龙江 | 4 | 0% | 0% |
23 | 广西 | 2 | 0% | 0% |
24 | 贵州 | 2 | 0% | 0% |
25 | 内蒙古 | 2 | 0% | 0% |
26 | 山西 | 1 | 0% | 0% |
27 | 云南 | 1 | 0% | 0% |
28 | 甘肃 | 1 | 0% | 0% |
29 | 新疆 | 1 | 0% | 0% |
30 | 海南 | 0 | 0% | 0% |
31 | 宁夏 | 0 | 0% | 0% |
32 | 青海 | 0 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 0 | 0% | 0% |
34 | 澳门 | 0 | 0% | 0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
2020年，广东获得该领域国家专利991项，占该领域的份额为19%，占本地区专利的1%；其次是上海，达到811项，占该领域的份额为16%，占本地区专利的3%。广东和上海在半导体组件与集成电路领域上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的半导体组件与集成电路技术研发力量，是研发能力最强的地区。
图8.41-2 2020年国内各省市区半导体组件与集成电路领域专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在广东、上海、北京、湖北、台湾、江苏、浙江，这7个省区在2020年获得的专利数量共占国内的87%，是我国半导体组件与集成电路技术专利研发的重要地区。
图8.41-3 2020年国内各省市区半导体组件与集成电路领域专利的技术构成比重
另外，台湾、湖北、上海、河北、广东、北京、福建、江西在该领域上的技术构成比重较高，超过或达到1%，表明这些地区比较侧重半导体组件与集成电路技术的研发。
表8.41-3 2020年半导体组件与集成电路领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 596 | 23% |
2 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国湖北 | 282 | 43% |
3 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 中国上海 | 247 | 28% |
4 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 233 | 66% |
5 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 145 | 27% |
6 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 143 | 28% |
7 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 117 | 42% |
8 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 95 | 22% |
9 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 中国上海 | 94 | 48% |
10 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 91 | 24% |
11 | 索尼公司 | 日本 | 90 | 12% |
12 | 武汉天马微电子有限公司 | 中国湖北 | 89 | 45% |
13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 79 | 19% |
14 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 77 | 24% |
15 | 昆山国显光电有限公司 | 中国江苏 | 76 | 29% |
16 | 云谷（固安）科技有限公司 | 中国河北 | 74 | 45% |
16 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 74 | 15% |
18 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 73 | 4% |
19 | OPPO广东移动通信有限公司 | 中国广东 | 67 | 2% |
20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 64 | 11% |
21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 51 | 23% |
22 | 厦门天马微电子有限公司 | 中国福建 | 48 | 17% |
23 | 群创光电股份有限公司 | 中国台湾 | 42 | 37% |
24 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 41 | 35% |
24 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 41 | 18% |
26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 中国上海 | 39 | 32% |
26 | 上海和辉光电有限公司 | 中国上海 | 39 | 35% |
28 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 36 | 41% |
29 | 株式会社村田制作所 | 日本 | 35 | 8% |
29 | 生益电子股份有限公司 | 中国广东 | 35 | 95% |
29 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 35 | 33% |
32 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 中国广东 | 34 | 69% |
33 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 33 | 29% |
33 | 高通股份有限公司 | 美国 | 33 | 3% |
35 | 三菱电机株式会社 | 日本 | 31 | 3% |
35 | 维沃移动通信有限公司 | 中国广东 | 31 | 2% |
37 | 株式会社日本显示器 | 日本 | 30 | 25% |
37 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 30 | 13% |
39 | 深圳市景旺电子股份有限公司 | 中国广东 | 28 | 93% |
40 | 三星电机株式会社 | 韩国 | 26 | 11% |
40 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 26 | 24% |
42 | 英特尔公司 | 美国 | 25 | 4% |
43 | 格罗方德半导体公司 | 开曼群岛 | 24 | 33% |
43 | 索尼半导体解决方案公司 | 日本 | 24 | 35% |
43 | 豪威科技股份有限公司 | 美国 | 24 | 38% |
43 | 电子科技大学 | 中国四川 | 24 | 1% |
47 | 美光科技公司 | 美国 | 23 | 23% |
48 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 22 | 0% |
48 | 富士电机株式会社 | 日本 | 22 | 14% |
50 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 21 | 9% |
50 | 清华大学 | 中国北京 | 21 | 1% |
50 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 中国江苏 | 21 | 48% |
50 | 株式会社尼康 | 日本 | 21 | 18% |
50 | 东芝存储器株式会社 | 日本 | 21 | 31% |
55 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 20 | 6% |
56 | 日东电工株式会社 | 日本 | 19 | 9% |
56 | 广东生益科技股份有限公司 | 中国广东 | 19 | 51% |
56 | 北大方正集团有限公司 | 中国北京 | 19 | 12% |
56 | 上海中航光电子有限公司 | 中国上海 | 19 | 28% |
60 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 中国北京 | 18 | 26% |
60 | 鹏鼎控股（深圳）股份有限公司 | 中国广东 | 18 | 78% |
60 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 18 | 1% |
60 | 松下知识产权经营株式会社 | 日本 | 18 | 3% |
64 | 德淮半导体有限公司 | 中国江苏 | 17 | 33% |
64 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 17 | 20% |
64 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 | 17 | 15% |
67 | 佳能株式会社 | 日本 | 16 | 2% |
67 | 太阳油墨制造株式会社 | 日本 | 16 | 89% |
69 | 欣兴电子股份有限公司 | 中国台湾 | 15 | 68% |
69 | 日立化成株式会社 | 日本 | 15 | 31% |
69 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 中国江苏 | 15 | 2% |
69 | 夏普株式会社 | 日本 | 15 | 4% |
69 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 中国江苏 | 15 | 10% |
69 | 广州国显科技有限公司 | 中国广东 | 15 | 44% |
75 | 复旦大学 | 中国上海 | 14 | 4% |
75 | 业成科技（成都）有限公司 | 中国四川 | 14 | 13% |
77 | 广东工业大学 | 中国广东 | 13 | 2% |
77 | 无锡华润上华科技有限公司 | 中国江苏 | 13 | 26% |
77 | 株式会社电装 | 日本 | 13 | 3% |
77 | 精工爱普生株式会社 | 日本 | 13 | 2% |
77 | 京瓷株式会社 | 日本 | 13 | 11% |
82 | 力旺电子股份有限公司 | 中国台湾 | 12 | 29% |
82 | 硅存储技术公司 | 美国 | 12 | 67% |
82 | 江门崇达电路技术有限公司 | 中国广东 | 12 | 100% |
82 | 珠海杰赛科技有限公司 | 中国广东 | 12 | 100% |
86 | 晶元光电股份有限公司 | 中国台湾 | 11 | 23% |
86 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 中国广东 | 11 | 73% |
86 | 新唐科技股份有限公司 | 中国台湾 | 11 | 23% |
86 | 奥士康精密电路（惠州）有限公司 | 中国广东 | 11 | 100% |
86 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 11 | 0% |
86 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 日本 | 11 | 13% |
86 | 华南理工大学 | 中国广东 | 11 | 1% |
93 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 10 | 10% |
93 | LG化学株式会社 | 韩国 | 10 | 1% |
93 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 | 中国浙江 | 10 | 40% |
93 | 北京大学 | 中国北京 | 10 | 1% |
93 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 美国 | 10 | 6% |
93 | 格科微电子（上海）有限公司 | 中国上海 | 10 | 59% |
93 | 罗伯特博世有限公司 | 德国 | 10 | 1% |
93 | 采钰科技股份有限公司 | 中国台湾 | 10 | 67% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
2020年，在半导体组件与集成电路领域上获得中国局专利授权最多的机构是京东方科技集团股份有限公司，其次是武汉华星光电半导体显示技术有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司。
图8.41-4 2020年半导体组件与集成电路领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看，江门崇达、珠海杰赛、奥士康、生益电子等机构的比重较高，均超过70%，这些机构一多半的专利属于该领域，半导体组件与集成电路技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。
图8.41-5 2020年30家机构的半导体组件与集成电路技术构成比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.41-1 2020年半导体组件与集成电路领域的中国局主要机构的专利
专利号 | 专利名称 | 权利人 | 发明人 |
201710631976.2 | 膜层剥离设备、膜层剥离控制方法和装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张 |
201510519084.4 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋松 |
201810532362.3 | 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李东 |
201711349933.1 | 显示面板、显示装置以及显示方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘庭良 |
201710749283.3 | 基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201710024600.5 | 显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张俊 |
201710198886.9 | 显示面板及其显示方法和制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 盖翠丽 |
201710570694.6 | 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王灿 |
201810301530.8 | 一种OL ED发光器件及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高昊 |
201710086972.0 | 一种阵列基板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 肖志莲 |
201710206142.7 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘珠林 |
201710281639.5 | 一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何晓龙 |
201610816073.7 | 显示基板及制作方法和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周桢力 |
201710674200.9 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 程鸿飞 |
201710736837.6 | 背板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201810611465.9 | 显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 梁志伟 |
201610947129.2 | 背光源、显示装置及其驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付杰 |
201710541709.6 | 柔性显示面板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高涛 |
201710030672.0 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李延钊 |
201710470926.0 | 一种阵列基板及其维修方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王小元 |
201710718273.3 | 阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 先建波 |
201610663487.0 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张俊 |
201610620200.6 | 像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈宇鹏 |
201610214189.3 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王丹 |
201810069889.7 | 阵列基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 牟广营 |
201810029319.5 | 一种显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐传祥 |
201810319552.7 | 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201810242259.5 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王磊 |
201810320190.3 | 磁控溅射设备、成膜方法、OL ED制备方法及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薛金祥 |
201710599518.5 | 显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朱劲野 |
201610930229.4 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201710183218.9 | 一种固态光源的制备方法和固态光源 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201711013369.6 | 深度摄像器件及制造方法、显示面板及制造方法、装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王鹏鹏 |
201710087430.5 | 阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董向丹 |
201710556342.5 | 一种显示基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吴守政 |
201710690679.5 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 崔海峰 |
201810224703.0 | 显示基板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈右儒 |
201710457046.X | 面板的制造方法、面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈军 |
201710005691.8 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏磊 |
201710294993.1 | 走线结构、显示基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王本莲 |
201710149453.4 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 贵炳强 |
201710633391.4 | 一种基板母板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何传友 |
201710349242.5 | 一种封装面板、器件封装结构及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董廷泽 |
201710058736.8 | 一种显示基板的制作方法及显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谢蒂旎 |
201710265370.1 | 柔性显示母板、柔性显示基板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王欣欣 |
201710309230.X | 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王磊 |
201711013764.4 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王明 |
201711069984.9 | 一种有机电致发光显示面板及其驱动方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘英明 |
201911103786.9 | 显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李新国 |
201710131906.0 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧 |
201710500420.X | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朴求铉 |
201810721037.1 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孟宪芹 |
201710642629.X | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张嵩 |
201710423173.8 | 一种像素结构、显示基板、显示装置和显示方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘文渠 |
201710224259.8 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 崔承镇 |
201710141689.3 | 一种阵列基板，阵列基板的像素电极充电方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘冬妮 |
201710301304.5 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王涛 |
201710374728.4 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李洋 |
201710534097.8 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 臧鹏程 |
201710692964.0 | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710736947.2 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王文涛 |
201710329943.2 | 发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾鹏飞 |
201710333297.7 | 一种柔性基板制备方法、柔性基板、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨静 |
201810509909.8 | OL ED显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张浩 |
201711224640.0 | 发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈右儒 |
201810354794.X | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 侯文军 |
201810550968.X | 显示面板及其封装方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201810832773.4 | 一种柔性电路板、阵列基板、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘彬彬 |
201710171104.2 | 氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710787331.8 | 一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201710210793.3 | 一种COA基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 许志财 |
201810083800.2 | 扇出结构及其制造方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李云泽 |
201710696908.4 | 一种OL ED器件及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李锡平 |
201610379365.9 | OL ED显示面板、显示装置及OL ED显示面板的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张嵩 |
201710840811.6 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄鹏 |
201710934320.8 | 一种发光器件、像素电路、其控制方法及相应装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 梁恒镇 |
201810282718.2 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 戴于力 |
201710335930.6 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董水浪 |
201710427881.9 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 姚琪 |
201611046783.2 | 一种光源结构及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高健 |
201710765411.3 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐德智 |
201710123029.2 | 一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐威 |
201710731532.6 | 用于OL ED显示器的彩膜基板和OL ED显示器 | 京东方科技集团股份有限公司 | 罗程远 |
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201710900924.0 | 叠层OL ED显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 叶志杰 |
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201710775887.5 | 降低晶片翘曲的共源极阵列形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910537547.8 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张国栋 |
201710729963.9 | 能够控制晶圆边缘形貌的三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201911189954.0 | 一种半导体芯片及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 黄腾 |
201810962144.3 | 一种晶圆及芯片 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910299688.0 | 一种静电放电保护结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李志国 |
201911184237.9 | 一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱宏斌 |
201910248617.8 | 3D NAND闪存及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201810710256.X | 形成三维存储器的方法以及三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 宋玉洁 |
201910144835.7 | 三维存储器及形成三维存储器的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201811316987.2 | 一种三维存储器及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王恩博 |
201710728043.5 | 一种3D NAND闪存沟道孔的平坦化工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 张坤 |
201710699746.X | 半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡军 |
201880005434.7 | 三维存储器件的混和键合触点结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201810558364.X | 半导体制造方法及半导体结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 赵亮亮 |
201880001693.2 | 三维存储器件以及用于形成三维存储器件的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201880000952.X | 具有屏蔽层的三维存储器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 霍宗亮 |
201880000972.7 | 具有屏蔽层的三维存储器器件以及用于制造其的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 霍宗亮 |
201880001999.8 | 利用自然氧化层形成具有沟道结构的三维存储器件的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201910252053.5 | 一种三维存储器及其编程操作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王明 |
201711182647.0 | 包括富硅氮化硅隔离介质层的3D NAND导线孔的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭帅 |
201910144771.0 | 三维存储器及形成三维存储器的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201710740889.0 | 一种标记图形及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李思晢 |
201910121833.6 | 三维存储器的形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
201711140450.0 | 一种基于氧化物-多晶硅薄膜堆叠的3DNAND沟道孔成形方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 方振 |
201811634636.6 | 一种三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
201910299308.3 | 一种静电放电保护结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李志国 |
201910842809.1 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李治昊 |
201910522875.0 | 3D NAND存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 霍宗亮 |
201910248585.1 | 3D NAND闪存及制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910149878.4 | 一种半导体结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 夏季 |
201910565454.6 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201910571660.8 | 用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201980000740.6 | 具有沉积的半导体插塞的三维存储器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201880000581.5 | 用于形成三维存储器设备的沟道插塞的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201880004875.5 | 提高三维存储器件之沟道孔均匀度的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201980001326.7 | 具有增大的存储密度的三维闪存器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 佘敏 |
201880005362.6 | 三维存储器件的源极结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡禺石 |
201880005197.4 | 三维存储装置的阵列共源极结构以及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201980000233.2 | 集成电路封装结构及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
201710132422.8 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201980000426.8 | 位线驱动器装置 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈亮 |
201811359454.2 | 半导体器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈俊 |
201811233678.9 | 3D存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张若芳 |
201980000506.3 | 用于形成三维存储器件的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 华文宇 |
201910361617.9 | 3D存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱紫晶 |
201910564592.2 | 3D存储器件的制造方法及3D存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201980000491.0 | 具有增大数量的位线的架构的三维存储设备 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201911268390.X | 一种沟道结构的制备方法及存储结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨涛 |
201910066928.2 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201911257760.X | 存储器及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 梅国柱 |
201910619171.5 | 一种三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201910744330.4 | 一种三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201910531835.2 | 三维存储器件及三维存储器件的制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 郑亮 |
201910619102.4 | 一种三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201910654792.7 | 一种形成三维存储器的方法及三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘隆冬 |
201910566427.0 | 3D存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许锋 |
201810852517.1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 沈淼 |
201910534448.4 | 一种半导体结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 欧阳颖洁 |
201811344515.8 | 形成三维存储器的方法以及三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 宋玉洁 |
201910248601.7 | 3D NAND闪存及制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201811024242.9 | 三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 华子群 |
201811120270.0 | 三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李远 |
201910378577.9 | 台阶结构的制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘云飞 |
201910522873.1 | 3D NAND存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 霍宗亮 |
201910621271.1 | 三维存储器的制备方法、三维存储器及电子设备 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201880009111.5 | 三维存储器设备的接合开口结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201910132274.9 | 一种三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘毅华 |
201811330532.6 | 三维存储器及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张坤 |
201980000428.7 | 三维存储器件及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张中 |
201880005231.8 | 用于测试三维存储器设备的结构和方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 金钟俊 |
201880005225.2 | 三维存储组件形成过程中阶梯的蚀刻控制方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201811486511.3 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 华文宇 |
201980000832.4 | 用于形成具有背面字线的三维存储器件的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910667308.4 | 三维存储器的制造方法以及三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201880001921.6 | 多堆叠层三维存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201880005575.9 | 三维存储器件及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱继锋 |
201880001660.8 | 多堆叠层三维存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201980000186.1 | 三维存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201980000413.0 | 三维存储器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 华文宇 |
201811209758.0 | 三维存储器以及形成三维存储器的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201980000786.8 | 具有弯折的背面字线的三维存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910421869.6 | 一种半导体器件及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王永庆 |
201910203959.8 | 一种3D NAND存储器件的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 汤召辉 |
201910432348.0 | 三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖为引 |
201811031283.0 | 三维存储器的制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201811634502.4 | 一种三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
201811203267.5 | 三维存储器以及形成三维存储器的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201811454678.1 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张中 |
201811202855.7 | 三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 华子群 |
201711140438.X | 一种在高深宽比沟道孔刻蚀中保护侧壁的工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 方振 |
201811202841.5 | 三维存储器以及形成三维存储器的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201910362607.7 | 形成三维存储器的方法及三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 李磊 |
201911259258.2 | 一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱宏斌 |
201811382986.8 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 霍宗亮 |
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201910568036.2 | 半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许文山 |
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201880005367.9 | 三维存储器件及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡禺石 |
201880005190.2 | 三维存储器器件的复合衬底 | 长江存储科技有限责任公司 | 华文宇 |
201811404852.1 | 形成三维存储器的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201810288884.3 | 一种3D NAND存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201810810624.8 | 三维存储器及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 孟洁云 |
201811147897.5 | 3D-NAND闪存的形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201910001509.0 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张中 |
201910248966.X | 3D NAND闪存及制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910623636.4 | 三维存储器及其制备方法、电子设备 | 长江存储科技有限责任公司 | 戴健 |
201910151660.2 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张文杰 |
201910532913.0 | 三维存储器件及三维存储器件的制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘青松 |
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201811352970.2 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
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201810417746.0 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 宋哲 |
201880002772.5 | 键合存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨盛玮 |
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201811014595.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 黄新运 |
201811095238.1 | 3D存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
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201810863133.X | 存储器结构及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
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201980000507.8 | 三维存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 华文宇 |
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201811634603.1 | 一种三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
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201910563587.X | 三维存储器的形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
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201880005594.1 | 三维存储器设备的开口布局 | 长江存储科技有限责任公司 | 何佳 |
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201910567323.1 | 3D存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许锋 |
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201811139616.1 | 3D存储器件的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
201811207913.5 | 3D存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 华文宇 |
201980001298.9 | 三维存储器件中的存储器内计算 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨盛玮 |
201811415010.6 | 3D NAND存储器件中导电插塞的形成方法及3D NAND存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910034112.1 | 三维存储器件及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910248967.4 | 3D NAND闪存及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201880005524.6 | 字线结构与三维存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201910114559.X | 存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201910618650.5 | 一种三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王启光 |
201811547690.7 | 三维存储器及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201980000541.5 | 三维存储器件中的高k电介质层及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
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201711339902.8 | 有机发光显示装置 | 乐金显示有限公司 | 李在晟 |
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