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2020年半导体元件领域的中国局专利的发展竞争态势——北京、广东、江苏领先，京东方、武汉华星、中芯国际较强

已有 4121 次阅读 2021-2-13 19:51 |系统分类:博客资讯

陈立新张琳黄颖：中美欧日韩五局专利报告1524.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心

第一部分 2020年中国国家发明专利统计分析报告

8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势

8.40 半导体元件领域中国局专利的发展竞争态势

第40个技术领域是半导体元件，主要包括用于整流、放大、振荡、开关的半导体方法和器件，还包括热电半导体（如半导体制冷）、热磁半导体、磁性半导体、有机半导体、压电半导体，以及半导体发光和照明器件（如发光二极管，简称LED）。

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图8.40-1 半导体元件领域的中国局专利增长情况

2020年，中国局在半导体元件领域上的专利授权增长8%，达到8947项，占总授权量的2%，该领域是专利数量第38多的技术领域。近年来，半导体元件领域的专利增长较快，但波动较大。

表8.40-1 2020年各国半导体元件领域的中国局专利数量

	国家	专利数量	专利份额	技术构成比重
1	中国	6260	75%	2%
2	日本	917	10%	3%
3	美国	322	4%	2%
4	德国	159	2%	2%
5	韩国	614	7%	7%
6	法国	20	0%	1%
7	瑞士	12	0%	1%
8	荷兰	54	1%	3%
9	瑞典	4	0%	0%
10	英国	19	0%	1%
11	意大利	6	0%	1%
12	新加坡	7	0%	1%
13	丹麦	2	0%	0%
14	奥地利	17	0%	3%
15	其他	75	1%	1%
	小计	8947	100%	2%

注：本表按照第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。

我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的75%，份额相对偏低6个百分点。国内专利中有2%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于日本、韩国等国家，这说明我国在半导体元件领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。

表8.40-2 2020年国内各省市区半导体元件领域专利数量

	省区	专利数量	专利份额	技术构成
1	北京	999	15%	2%
2	广东	926	14%	1%
3	江苏	829	12%	2%
4	上海	710	11%	3%
5	湖北	520	8%	3%
6	浙江	490	7%	1%
7	台湾	446	7%	7%
8	陕西	289	4%	2%
9	四川	264	4%	2%
10	安徽	171	3%	1%
11	福建	164	2%	2%
12	山东	157	2%	1%
13	河北	147	2%	2%
14	湖南	117	2%	1%
15	吉林	112	2%	3%
16	河南	62	1%	1%
17	江西	61	1%	1%
18	辽宁	54	1%	1%
19	重庆	39	1%	1%
20	天津	39	1%	1%
21	山西	27	0%	1%
22	黑龙江	24	0%	1%
23	云南	23	0%	1%
24	香港	13	0%	2%
25	广西	12	0%	0%
26	贵州	11	0%	0%
27	甘肃	5	0%	0%
28	内蒙古	3	0%	0%
29	海南	2	0%	0%
30	宁夏	2	0%	0%
31	青海	1	0%	0%
32	新疆	0	0%	0%
33	西藏	0	0%	0%
34	澳门	0	0%	0%

注：本表数据按照第一权利人统计。

2020年，北京获得该领域国家专利999项，占该领域的份额为15%，占本地区专利的2%；其次是广东，达到926项，占该领域的份额为14%，占本地区专利的1%。北京和广东在半导体元件领域上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的半导体元件技术研发力量，是研发能力最强的地区。

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图8.40-2 2020年国内各省市区半导体元件领域专利的数量分布

整体来看，国内的发明专利高度集中在北京、广东、江苏、上海、湖北、浙江、台湾，这7个省区在2020年获得的专利数量共占国内的73%，是我国半导体元件技术专利研发的重要地区。

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图8.40-3 2020年国内各省市区半导体元件领域专利的技术构成比重

另外，台湾、湖北、上海、吉林、陕西、河北、香港、四川在该领域上的技术构成比重较高，超过或达到2%，表明这些地区比较侧重半导体元件技术的研发。

表8.40-3 2020年半导体元件领域中国局专利授权前100家机构

	机构名称	国家地区	专利数量	技术构成
1	京东方科技集团股份有限公司	中国北京	454	17%
2	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	中国湖北	232	36%
3	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	中国上海	212	24%
4	电子科技大学	中国四川	192	9%
5	台湾积体电路制造股份有限公司	中国台湾	151	29%
6	华灿光电（浙江）有限公司	中国浙江	129	95%
7	西安电子科技大学	中国陕西	127	9%
8	乐金显示有限公司	韩国	125	24%
9	三星显示有限公司	韩国	104	28%
10	TCL科技集团股份有限公司	中国广东	98	42%
11	华南理工大学	中国广东	91	5%
12	清华大学	中国北京	84	3%
13	三星电子株式会社	韩国	81	5%
14	云谷（固安）科技有限公司	中国河北	77	47%
15	LG化学株式会社	韩国	74	11%
16	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司	中国广东	70	16%
17	株式会社半导体能源研究所	日本	68	65%
18	华中科技大学	中国湖北	67	3%
19	西安交通大学	中国陕西	66	3%
20	昆山国显光电有限公司	中国江苏	64	24%
21	上海天马有机发光显示技术有限公司	中国上海	61	31%
22	中国科学院微电子研究所	中国北京	57	24%
22	浙江大学	中国浙江	57	2%
24	上海天马微电子有限公司	中国上海	56	20%
25	北京大学	中国北京	51	7%
26	华灿光电（苏州）有限公司	中国江苏	50	98%
27	英特尔公司	美国	48	8%
28	深圳市华星光电技术有限公司	中国广东	44	8%
28	晶元光电股份有限公司	中国台湾	44	92%
30	中节能万润股份有限公司	中国山东	43	84%
30	联华电子股份有限公司	中国台湾	43	37%
32	LG伊诺特有限公司	韩国	42	21%
32	三菱电机株式会社	日本	42	4%
34	夏普株式会社	日本	40	10%
35	上海和辉光电有限公司	中国上海	38	34%
35	南京邮电大学	中国江苏	38	6%
37	上海华虹宏力半导体制造有限公司	中国上海	35	16%
37	合肥鑫晟光电科技有限公司	中国安徽	35	31%
39	住友化学株式会社	日本	34	17%
40	爱思开海力士有限公司	韩国	33	7%
40	中国科学院半导体研究所	中国北京	33	16%
42	富士电机株式会社	日本	32	20%
43	河南大学	中国河南	31	16%
43	TCL集团股份有限公司	中国广东	31	27%
43	东南大学	中国江苏	31	2%
46	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	中国上海	30	25%
46	华南师范大学	中国广东	30	11%
46	湖北大学	中国湖北	30	16%
46	亮锐控股有限公司	荷兰	30	54%
46	索尼公司	日本	30	4%
51	武汉华星光电技术有限公司	中国湖北	29	7%
52	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	中国吉林	28	6%
52	华南协同创新研究院	中国广东	28	50%
52	中国科学院化学研究所	中国北京	28	10%
55	武汉天马微电子有限公司	中国湖北	27	14%
56	友达光电股份有限公司	中国台湾	26	8%
56	精工爱普生株式会社	日本	26	4%
56	吉林大学	中国吉林	26	2%
56	中山大学	中国广东	26	4%
56	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	中国江苏	26	21%
56	格罗方德半导体公司	开曼群岛	26	36%
56	昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司	中国江苏	26	59%
56	英飞凌科技股份有限公司	德国	26	11%
56	美光科技公司	美国	26	25%
65	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	中国北京	25	37%
66	三星SDI株式会社	韩国	24	12%
66	武汉理工大学	中国湖北	24	2%
66	无锡华润上华科技有限公司	中国江苏	24	48%
66	默克专利有限公司	德国	24	33%
70	南京溧水高新创业投资管理有限公司	中国江苏	23	6%
70	富士胶片株式会社	日本	23	5%
72	瑞萨电子株式会社	日本	22	21%
72	陕西莱特光电材料股份有限公司	中国陕西	22	88%
72	北大方正集团有限公司	中国北京	22	14%
72	中南大学	中国湖南	22	1%
72	扬州乾照光电有限公司	中国江苏	22	73%
77	中国科学院上海硅酸盐研究所	中国上海	21	13%
77	上海集成电路研发中心有限公司	中国上海	21	17%
77	山东浪潮华光光电子股份有限公司	中国山东	21	95%
77	欧司朗光电半导体有限公司	德国	21	70%
77	福州大学	中国福建	21	4%
77	南京工业大学	中国江苏	21	5%
77	日亚化学工业株式会社	日本	21	66%
77	北京鼎材科技有限公司	中国北京	21	95%
85	南京大学	中国江苏	20	4%
85	深圳大学	中国广东	20	4%
87	新世纪光电股份有限公司	中国台湾	19	100%
87	长春海谱润斯科技有限公司	中国吉林	19	100%
87	厦门大学	中国福建	19	2%
87	TDK株式会社	日本	19	10%
91	环球展览公司	美国	18	100%
91	湘能华磊光电股份有限公司	中国湖南	18	95%
91	厦门乾照光电股份有限公司	中国福建	18	90%
94	广东聚华印刷显示技术有限公司	中国广东	17	40%
94	复旦大学	中国上海	17	4%
94	武汉大学	中国湖北	17	2%
94	湘潭大学	中国湖南	17	5%
94	上海磁宇信息科技有限公司	中国上海	17	50%
94	德克萨斯仪器股份有限公司	美国	17	11%
94	苏州大学	中国江苏	17	3%

注：本表数据按照第一权利人进行统计。

2020年，在半导体元件领域上获得中国局专利授权最多的机构是京东方科技集团股份有限公司，其次是武汉华星光电半导体显示技术有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司。

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图8.40-4 2020年半导体元件领域中国局专利授权前30家机构

从技术构成上看，新世纪光电、长春海谱润斯、华灿光电、北京鼎材、晶元光电等机构的比重较高，均超过90%，这些机构一多半的专利属于该领域，半导体元件技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。

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图8.40-5 2020年30家机构的半导体元件技术构成比重

致谢

感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。

附表8.40-1 2020年半导体元件领域的中国局主要机构的专利

专利号	专利名称	权利人	发明人
201710631976.2	膜层剥离设备、膜层剥离控制方法和装置	京东方科技集团股份有限公司	张
201710775220.5	一种OLED基板及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张星
201810532362.3	将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法	京东方科技集团股份有限公司	李东
201710742464.3	掩膜条及其制备方法、掩膜板	京东方科技集团股份有限公司	张健
201711349933.1	显示面板、显示装置以及显示方法	京东方科技集团股份有限公司	刘庭良
201710432950.5	阵列基板、显示面板和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	田露
201710251930.8	薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路	京东方科技集团股份有限公司	郑在纹
201810301530.8	一种OL ED发光器件及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	高昊
201810002381.5	基板剥离方法及OL ED照明装置的制作方法	京东方科技集团股份有限公司	钟杰兴
201610816073.7	显示基板及制作方法和显示设备	京东方科技集团股份有限公司	周桢力
201710674200.9	一种有机发光二极管显示面板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	程鸿飞
201710736837.6	背板及其制造方法	京东方科技集团股份有限公司	宋振
201710778971.2	用于有机电致发光显示器件的盖板及其制作方法、有机电致发光显示器件以及显示设备	京东方科技集团股份有限公司	林俊仪
201810263256.X	一种彩膜盖板、OL ED显示面板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	罗程远
201710030672.0	薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李延钊
201710718273.3	阵列基板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	先建波
201610663487.0	一种阵列基板及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张俊
201710656152.0	一种显示面板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	宋文峰
201711029353.4	一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	蒲巡
201710358507.8	一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板	京东方科技集团股份有限公司	宫奎
201810319552.7	有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	宫奎
201810242259.5	一种显示基板及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王磊
201810440204.5	一种薄膜封装结构及其封装方法、OL ED显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王涛
201810468258.2	一种显示装置及其使用方法、显示设备及其使用方法	京东方科技集团股份有限公司	周威龙
201810320190.3	磁控溅射设备、成膜方法、OL ED制备方法及显示面板	京东方科技集团股份有限公司	薛金祥
201710361808.6	一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板	京东方科技集团股份有限公司	张慧娟
201810224703.0	显示基板及其制造方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	陈右儒
201810239891.4	一种柔性基板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	谢明哲
201710633391.4	一种基板母板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	何传友
201710058736.8	一种显示基板的制作方法及显示基板	京东方科技集团股份有限公司	谢蒂旎
201711013764.4	一种显示基板及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王明
201710131906.0	一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张慧
201710198484.9	一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板	京东方科技集团股份有限公司	卢鑫泓
201710500420.X	一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	朴求铉
201810721037.1	一种显示面板及制作方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	孟宪芹
201710332885.9	一种OL ED显示面板及其制备方法	京东方科技集团股份有限公司	孙中元
201710642629.X	一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张嵩
201710329943.2	发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法	京东方科技集团股份有限公司	顾鹏飞
201710333297.7	一种柔性基板制备方法、柔性基板、显示面板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	杨静
201711224640.0	发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置	京东方科技集团股份有限公司	陈右儒
201810717318.X	有机发光显示面板、显示装置及其制备方法	京东方科技集团股份有限公司	张晓晋
201711319957.2	OL ED封装结构、OL ED器件、显示装置及OL ED封装结构的制备方法	京东方科技集团股份有限公司	于东慧
201810354794.X	有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	侯文军
201810550968.X	显示面板及其封装方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	宫奎
201810083800.2	扇出结构及其制造方法、显示面板	京东方科技集团股份有限公司	李云泽
201710696908.4	一种OL ED器件及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李锡平
201610379365.9	OL ED显示面板、显示装置及OL ED显示面板的制作方法	京东方科技集团股份有限公司	张嵩
201710934320.8	一种发光器件、像素电路、其控制方法及相应装置	京东方科技集团股份有限公司	梁恒镇
201810282718.2	一种显示面板及其制作方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	戴于力
201710123029.2	一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法	京东方科技集团股份有限公司	徐威
201710731532.6	用于OL ED显示器的彩膜基板和OL ED显示器	京东方科技集团股份有限公司	罗程远
201710258247.7	薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板	京东方科技集团股份有限公司	吕振华
201710349240.6	薄膜晶体管及其制作方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	卢鑫泓
201810782411.9	光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	丁小梁
201710346827.1	有机电致发光显示器件和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王利娜
201710549904.3	一种导电层及其制备方法、柔性基板、柔性装置	京东方科技集团股份有限公司	汪军
201710710508.4	有机发光显示器件及制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王强
201710888921.X	OL ED显示面板及其制备方法和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王琳琳
201711354148.5	一种封装组件及其制造方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	任锦宇
201810344535.9	一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法	京东方科技集团股份有限公司	王有为
201810345269.1	一种封装盖板、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	刘庭良
201810357717.X	显示背板及显示器件	京东方科技集团股份有限公司	张玉欣
201810717210.0	一种封装结构、显示面板、显示装置及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	陈运金
201810253619.1	基板处理方法和基板处理装置	京东方科技集团股份有限公司	刘肖楠
201810582516.X	一种柔性显示基板的制备方法	京东方科技集团股份有限公司	胡月
201810672316.3	一种基板及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	胡月
201710386619.4	垂直型薄膜晶体管及其制备方法	京东方科技集团股份有限公司	曲连杰
201710564648.5	薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板	京东方科技集团股份有限公司	苏同上
201710375613.7	阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李海旭
201710591961.8	阵列基板及其制作方法和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李海旭
201810270332.X	薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板和装置	京东方科技集团股份有限公司	李俊杰
201610966561.6	半导体薄膜和薄膜晶体管、其制作方法、相关装置	京东方科技集团股份有限公司	闫梁臣
201710841812.2	阵列基板及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	周全国
201711045581.0	一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张星
201810385040.0	一种有机发光显示面板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	孙阔
201810240561.7	掩膜装置及其制作方法、蒸镀系统	京东方科技集团股份有限公司	吕守华
201710731029.0	柔性显示装置及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	王和金
201710329780.8	薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	操彬彬
201710813421.X	薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	汪建国
201710785779.6	一种OL ED显示面板及其制备方法、OL ED显示装置	京东方科技集团股份有限公司	高永益
201810116148.X	有机电致发光显示器件及其制备方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李发顺
201710897252.2	显示基板及其制作方法、驱动方法、显示面板和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	蒲巡
201810003003.9	一种有机电致发光器件	京东方科技集团股份有限公司	全威
201711020536.X	制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王景帅
201810674103.4	夹具组件、张网机及其使用方法	京东方科技集团股份有限公司	张德
201710591929.X	一种封框胶结构、显示面板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张学勇
201810358400.8	一种显示面板及其制备方法和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	左岳平
201710271099.2	发光结构、显示面板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	黄炜赟
201710482644.2	LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李海旭
201810327290.9	量子点成膜方法、显示面板及其制作方法、显示装置	京东方科技集团股份有限公司	罗程远
201810048777.3	OL ED显示面板及其驱动方法和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	刘伟
201810743612.8	一种封装结构	京东方科技集团股份有限公司	王子锋
201710887617.3	一种掩模版及其成膜方法、成膜设备	京东方科技集团股份有限公司	周桢力
201710267543.3	低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板	京东方科技集团股份有限公司	杨昕
201710318885.3	一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	宫奎
201710330560.7	金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	李正亮
201710954432.X	一种阵列基板及其制备方法、柔性显示装置	京东方科技集团股份有限公司	陈立强
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201711242755.2	复合膜及其制备方法、电致发光显示器件	京东方科技集团股份有限公司	李砚秋
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201811151116.X	掩膜框架、支撑板、掩膜框架组件及掩膜版组件	京东方科技集团股份有限公司	吕文旭
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201810450058.4	有机膜结构及制备方法、封装结构及制备方法和发光基板	京东方科技集团股份有限公司	卢冠宇
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201711044094.2	柔性显示装置及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	卜德军
201810136086.9	显示基板和显示装置	京东方科技集团股份有限公司	张正元
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201710558592.2	电致发光二极管阵列基板及其制备方法、显示面板	京东方科技集团股份有限公司	侯文军
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201910085413.7	有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置	京东方科技集团股份有限公司	宋振
201910918703.5	一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法及系统	京东方科技集团股份有限公司	陈右儒
201811374479.X	有机发光器件及其制造方法、照明装置	京东方科技集团股份有限公司	王琳琳
201910016841.4	一种显示面板及显示装置	京东方科技集团股份有限公司	王灿
201710953291.X	封装盖板及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	罗程远
201711037640.X	量子点层图案化的方法、量子点发光器件及其制作方法	京东方科技集团股份有限公司	陈卓
201710233270.0	一种交联纳米颗粒薄膜及制备方法与薄膜光电子器件	TCL科技集团股份有限公司	陈崧
201610287980.7	一种高开口率的显示面板及其制作方法	TCL科技集团股份有限公司	陈亚文
201710464477.9	量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710575807.1	一种卤素钝化钙钛矿量子点及其制备方法和QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	程陆玲
201611255821.5	一种纳米晶体、制备方法及半导体器件	TCL科技集团股份有限公司	刘政
201711007464.5	一种薄膜及其制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710465846.6	一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710302092.2	一种温度测量装置、发光器件及显示阵列	TCL科技集团股份有限公司	陈崧
201611162666.2	一种量子点显示面板及其制作方法	TCL科技集团股份有限公司	陈亚文
201611257332.3	一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件	TCL科技集团股份有限公司	杨一行
201710724540.8	一种QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	刘佳
201710127261.3	一种电极结构、QL ED及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	张滔
201710301382.5	一种氧化物包覆量子点L ED的制备方法	TCL科技集团股份有限公司	聂志文
201711347087.X	复合膜及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	程陆玲
201710234571.5	一种平板显示器的封装装置及方法	TCL科技集团股份有限公司	谢铭
201710124307.6	一种MoSx及制备方法、量子点发光二极管及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	王宇
201610904391.9	一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	覃辉军
201710508825.8	一种金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法及电学器件	TCL科技集团股份有限公司	程陆玲
201711350172.1	一种复合物材料的制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	张珈铭
201711450474.6	一种纳米材料及其制备方法、光电器件	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
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201611178281.5	一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	梁柱荣
201711352369.9	电子传输材料及其制备方法、发光二极管	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
201710602432.3	OL ED显示器件的封装方法及OL ED显示器件	TCL科技集团股份有限公司	谢铭
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201711375123.3	量子点发光层及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	曹蔚然
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201611207517.3	一种LB量子点薄膜、发光二极管及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	刘政
201710117613.7	一种量子点发光二极管器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	张东华
201710465142.9	量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710465119.X	量子点与碳纳米材料交联的薄膜及制备方法与QL ED	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201610768349.9	一种油溶性蓝光量子点及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	程陆玲
201711480139.0	复合薄膜及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	吴龙佳
201711443948.4	载流子传输材料、载流子传输薄膜及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
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201711354720.8	白光量子点发光二极管及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	曹蔚然
201711375252.2	量子点发光二极管及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	曹蔚然
201810236836.X	QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710600961.X	一种显示器件的封装方法及显示器件	TCL科技集团股份有限公司	谢铭
201710154349.4	一种核壳结构胶体纳米片、QL ED器件及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	刘政
201710262781.5	丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QL ED及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	杨成玉
201711448269.6	一种薄膜的制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
201810678920.7	量子点发光二极管及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	张珈铭
201710465231.3	一种基于金属粒子与有机小分子交联的器件封装方法	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201711353907.6	一种QL ED器件的后处理方法	TCL科技集团股份有限公司	杨一行
201711349350.9	空穴注入材料及其制备方法和QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
201710683612.9	一种显示设备及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	刘佳
201711351046.8	空穴传输材料、QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	吴劲衡
201711446731.9	QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	李泽伟
201711158219.4	一种印章及其制备方法与量子点转印方法	TCL科技集团股份有限公司	张滔
201610827455.X	一种柔性衬底、显示器件及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	程陆玲
201710465232.8	一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710465257.8	量子点与金属纳米粒子交联的薄膜及其制备方法、应用	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201711450451.5	一种金属氧化物及其制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	吴劲衡
201711464371.5	氧化锌纳米材料及其制备方法、发光器件	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
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201611225242.6	一种OL ED显示面板及其制作方法	TCL科技集团股份有限公司	陈亚文
201711338839.6	一种封装薄膜及其制备方法、光电器件	TCL科技集团股份有限公司	朱佩
201611198058.7	一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	梁柱荣
201710465143.3	无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QL ED	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
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201711447345.1	导电薄膜及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	李龙基
201710285630.1	MXn薄膜的制备方法及其应用	TCL科技集团股份有限公司	王宇
201710940281.2	T FT的制备方法、用于制备T FT的墨水及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	辛征航
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201710747620.5	封装薄膜、电子装置及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	朱佩
201710747617.3	封装薄膜、电子装置及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	朱佩
201711351183.1	量子点薄膜及其制备方法、QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	曹蔚然
201711445296.8	一种QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	李泽伟
201711431439.X	一种QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	王宇
201710261921.7	一种可提高出光效率的QL ED及制备方法	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201710653101.2	一种具有氧化石墨烯界面层的QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	梁柱荣
201711006886.0	一种QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201711163315.8	一种氧化物薄膜及其制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	曹蔚然
201710465851.7	一种基于无机薄膜的器件封装方法	TCL科技集团股份有限公司	向超宇
201711442175.8	一种场效应晶体管及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	辛征航
201711163187.7	氧化物薄膜的制备方法与QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	王宇
201711446379.9	一种量子点固态膜及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	杨青松
201710743035.8	2D TMDs-导电聚合物复合材料、其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	李龙基
201710733074.X	封装薄膜及其应用	TCL科技集团股份有限公司	朱佩
201711464350.3	CuMO2及其制备方法、发光器件	TCL科技集团股份有限公司	王宇
201810601243.9	量子点薄膜的制备方法	TCL科技集团股份有限公司	辛征航
201810759931.8	量子点发光二极管及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	张珈铭
201710852901.7	封装薄膜、电子装置及电子装置的制备方法	TCL科技集团股份有限公司	朱佩
201710307745.6	串联多层QL ED器件及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	刘佳
201711474734.3	复合纳米颗粒及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	程陆玲
201711470216.4	电极和QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	王雄志
201810685207.5	管状双异质结纳米材料及其制备方法和应用	TCL科技集团股份有限公司	李龙基
201810819307.2	复合材料及其制备方法和量子点发光二极管	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
201810759539.3	一种量子点发光二极管及其制备方法	TCL科技集团股份有限公司	李龙基
201810820799.7	一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管	TCL科技集团股份有限公司	叶炜浩
201710985528.2	氧化锌薄膜及其制备方法、发光器件	TCL科技集团股份有限公司	何斯纳
201711464310.9	电子传输材料及其制备方法和QL ED器件	TCL科技集团股份有限公司	吴龙佳
201711125691.8	显示装置、显示面板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	沐俊
201810361249.3	有机发光二极管的封装结构及其制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	金江江
201711125895.1	一种柔性基板及其制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王选
201710995933.2	基板搬送卡夹及基板搬送方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	刘思洋
201711279718.9	晶体管及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	赵瑜
201711025367.9	基板及OL ED器件的制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	陈世敏
201711132003.0	柔性基板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	梁博
201710649786.3	一种掩膜板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	蒋谦
201710822698.9	将柔性OL ED面板贴合到曲面盖板上的装置及方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	金祥
201810234384.1	一种OL ED面板及OL ED显示器	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	倪晶
201710855074.7	一种OL ED薄膜封装方法、结构及OL ED结构	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	余威
201810086670.8	一种用于背板贴合的治具、背板贴合设备及方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	江国栋
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201810637584.1	有源矩阵有机发光二极管精细荫罩组件及其制造方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	曹绪文
201710700001.0	一种OL ED显示面板的制作方法及装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	余威
201811082073.4	OL ED封装结构的保护膜、OL ED封装结构及制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	程家有
201811238227.4	窄边框OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	杨杰
201811181588.X	一种高分子热活化延迟荧光材料及其制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201811415668.7	一种用于柔性OL ED面板薄膜封装的掩模版	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	杜骁
201810080082.3	有机半导体器件的封装方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	蔡丰豪
201710708601.1	柔性基板剥离装置及剥离方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	刘典
201710546604.X	一种柔性OL ED阵列基板及其制作方法、OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	卜呈浩
201810125459.2	曲面显示器件的制作方法、曲面显示器件及显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	邹新
201710609509.X	集成触控功能的OL ED显示屏的制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	曹绪文
201710644819.5	柔性OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	陈哲
201710699927.2	一种OL ED显示面板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	杨杰
201810391400.8	柔性背板的制作方法、柔性背板以及柔性显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	商纶
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201711189684.4	一种柔性触控显示屏的制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	叶剑
201710511539.7	一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王国超
201711113366.X	一种柔性显示面板的缺陷修复方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王威
201811220267.6	电致发光材料、电致发光材料的制备方法及发光器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
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201811363314.2	一种深蓝光热活化延迟荧光材料及其应用	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201811251536.5	吖啶衍生物、有机电致发光器件及显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201810536530.6	OL ED发光材料的制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	易国霞
201811535059.5	掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	孙朴
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201910340692.7	柔性显示面板的制作方法及用于制作柔性显示面板的载体基板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张佑诚
201810708417.1	显示面板及显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	万凯
201710674521.9	薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	李松杉
201710850475.3	低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	李松杉
201810599623.3	柔性OL ED显示装置及其贴合支撑膜的方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	刘宇
201711448145.8	一种OL ED薄膜封装结构及封装方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	郭天福
201810389127.5	一种柔性OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	秦学思
201810644996.8	一种用于柔性显示装置的盖板和柔性显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王璟
201810919562.4	一种柔性OL ED显示面板的制备方法及其母板结构	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	袁朝煜
201810299892.8	柔性显示器及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	叶剑
201711167173.2	一种柔性OL ED显示装置及封胶方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	许杰
201811542380.6	显示面板以及显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	余威
201811520847.7	显示面板及显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	冯校亮
201810427942.6	蒸镀用的掩膜版及掩膜版装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	杜骁
201810688438.1	柔性显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	金江江
201810491254.6	OL ED显示面板及其制造方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	蒋国强
201811539782.0	红光热活化延迟荧光材料、其制备方法及有机发光二极管器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201811470216.9	具有高介电常数薄膜的柔性基板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	金鹏
201811026164.6	用于显示面板的柔性基板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张福阳
201811523410.9	有机发光二极管显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	金江江
201811545490.8	热活化延迟荧光化合物及其制备方法与有机电致发光二极管器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201811475447.9	蓝光TADF材料及其制备方法和电致发光器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201811393824.4	OL ED显示装置及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	胡妞
201711174574.0	柔性OL ED显示面板的制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王超梁
201810407146.6	OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张锋
201710565739.0	显示面板及其制备方法、显示器	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	白思航
201810929077.5	OL ED显示面板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	徐彬
201810701540.0	显示面板及其制造方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	方宏
201811198063.7	一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	郭天福
201811497360.1	显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	向明
201910253087.6	一种OL ED显示器件及其制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张明
201810579425.0	显示面板及其制作方法、显示模组、电子装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	涂昕
201810765037.1	OL ED显示面板封装构件及OL ED显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	李朝
201811142938.1	OL ED面板以及制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张兴永
201811239811.1	阵列基板及其制作方法、显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张兴永
201811551060.7	显示屏封装结构	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	丁峰
201910364759.0	有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示器	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王俊媛
201811516497.7	复合膜层的制作方法及显示器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	赵宸
201810658433.4	一种集成激光剥离和激光切割的设备系统及其操作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	朱晨光
201711320347.4	OL ED背板结构及OL ED背板制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	张伟彬
201810580441.1	一种显示面板、显示模组、电子装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	祝翠林
201811557158.3	显示面板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	卜呈浩
201811482115.3	发光面板、发光面板的制作方法及显示设备	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	李朝
201710767108.7	一种柔性衬底、柔性OL ED器件及其制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	李松杉
201810077203.9	OL ED显示面板及OL ED显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	巫君杰
201810199591.8	显示设备及显示设备阻水效果的测试方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	孙业熙
201810475342.7	OL ED显示面板及其制作方法、OL ED显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	徐彬
201810201218.1	柔性面板的分离方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	陶强
201810297153.5	一种OL ED器件的制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	黄静
201910515557.1	空穴传输材料及其制备方法、有机电致发光器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
201810685206.0	OL ED显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	陈彩琴
201811123193.4	一种显示面板及显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	余文静
201910147176.2	显示器结构	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	汪衎
201810836758.7	OL ED基板及其制作方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	白亚梅
201810402299.1	显示面板的柔性盖板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	黄翠
201710439938.7	薄膜晶体管及其制作方法、有机电致发光显示器	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	赵瑜
201810071720.5	OL ED器件的薄膜封装方法及OL ED器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	彭斯敏
201810077201.X	OL ED阳极及其制造方法、OL ED基板的制造方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	喻蕾
201910342009.3	红色热激活延迟荧光材料及其制备方法、电致发光器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王彦杰
201910421646.X	交联型聚酰亚胺、聚酰亚胺薄膜及其制备方法、OL ED器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	汪亚民
201711471046.1	柔性显示面板的修复方法及其装置和柔性显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	易国霞
201711487828.4	显示面板制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	夏存军
201811437465.8	显示面板的制备方法及显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	沐俊应
201810947263.1	有机发光显示面板及其制造方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	郭天福
201910095008.3	一种OL ED显示面板及其制备方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	孙佳佳
201810594755.7	一种OL ED显示面板的制备方法及OL ED显示面板、显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	王傲
201810951517.7	一种掩膜板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	杜骁
201810371760.1	曲面屏的修复方法及装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	钟小华
201910437252.3	蓝荧光材料及显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	白科研
201910098498.2	热激活延迟荧光材料、有机电致发光器件及显示面板	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	白亚梅
201811259724.2	一种掩模板及显示面板封装方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	杜骁
201811555637.1	柔性显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	夏明勇
201811418224.9	一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	向明
201910319925.5	有机发光二极管装置以及其形成方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	申九林
201910406601.5	OL ED面板及其制造方法	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	龚文亮
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201910481980.4	有机化合物及其应用、有机发光二极管电致发光器件	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	罗佳佳
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201811191958.8	一种显示基板激光剥离装置	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	朱晨光
201710313396.9	高功率PiN二极管及其制备方法	西安电子科技大学	王斌
201710166438.0	一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管	西安电子科技大学	贾护军
201710313883.5	固态等离子PIN二极管	西安电子科技大学	王斌
201711153166.7	Ga2O3薄膜晶体管的制备方法	西安电子科技大学	张春福
201811181410.5	柔性二硫化钼光电晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	林珍华
201811421097.8	基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法	西安电子科技大学	周小伟
201710583808.0	SiC欧姆接触结构及其制作方法	西安电子科技大学	张艺蒙
201611122956.4	基于Ga2O3材料的帽层复合双栅PMOSFET及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201610486996.0	SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法	西安电子科技大学	吴翼飞
201710157716.6	一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管	西安电子科技大学	段宝兴
201611123674.6	基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET及其制备方法	西安电子科技大学	元磊
201710235790.5	一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法	西安电子科技大学	吕红亮
201710583819.9	耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法及其结构	西安电子科技大学	张艺蒙
201710412534.9	基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201611210305.0	一种纵向沟道的SiC结型栅双极型晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	宋庆文
201610298895.0	T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管	西安电子科技大学	张金风
201810315148.2	基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器	西安电子科技大学	陆小力
201710421135.9	蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法	西安电子科技大学	贾仁需
201710420544.7	基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810716895.7	基于韦德曼效应的扭振磁电耦合器件及其制作方法	西安电子科技大学	师阳
201710197668.3	源-漏复合场板垂直型电力电子器件	西安电子科技大学	毛维
201710198826.7	基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法	西安电子科技大学	毛维
201710198830.3	基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法	西安电子科技大学	毛维
201710197666.4	弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件	西安电子科技大学	毛维
201710198226.0	浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法	西安电子科技大学	毛维
201710198230.7	基于弧形源场板和弧形漏场板的垂直型功率器件及其制作方法	西安电子科技大学	毛维
201810893495.3	一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器	西安电子科技大学	张春福
201810893511.9	一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管及制作方法	西安电子科技大学	陈大正
201811328759.7	n型AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及制备方法	西安电子科技大学	周小伟
201710558132.X	基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管	西安电子科技大学	祝杰杰
201710158895.5	一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管	西安电子科技大学	段宝兴
201710157056.1	一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管	西安电子科技大学	段宝兴
201710812418.6	一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管	西安电子科技大学	段宝兴
201710844659.9	一种阶梯高K介质层元素纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管	西安电子科技大学	段宝兴
201710844705.5	一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管	西安电子科技大学	段宝兴
201710866946.X	一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管	西安电子科技大学	段宝兴
201710198228.X	分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法	西安电子科技大学	毛维
201710197645.2	基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件	西安电子科技大学	毛维
201710210728.0	SiC双槽UMOSFET器件及其制备方法	西安电子科技大学	汤晓燕
201710848515.0	基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201710848508.0	平面型光电探测器及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201710421686.5	Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201711138236.1	HEMT器件及其制备方法	西安电子科技大学	吕红亮
201610424039.5	基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法	西安电子科技大学	蒋道福
201611187742.5	一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法	西安电子科技大学	胡辉勇
201810900339.5	一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201611188525.8	SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件	西安电子科技大学	王斌
201611188557.8	AlAs-Ge-AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法	西安电子科技大学	王斌
201610488045.7	基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法	西安电子科技大学	蒋道福
201810811349.1	一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法	西安电子科技大学	杨凌
201710466243.8	肖特基接触注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法	西安电子科技大学	张玉明
201810723450.1	集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件	西安电子科技大学	汤晓燕
201611188527.7	异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件	西安电子科技大学	胡辉勇
201710157394.5	一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管	西安电子科技大学	段宝兴
201710198229.4	复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管	西安电子科技大学	毛维
201710623812.5	一种具有复合介质层纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201710623838.X	一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201710624383.3	具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201710624384.8	具有复合介质层纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201611187763.7	一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法	西安电子科技大学	王斌
201611187942.0	一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法	西安电子科技大学	胡辉勇
201810900370.9	基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810900333.8	基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810900315.X	基于(AlxGa1-x)2O3材料的双波段紫外光电探测器及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810900367.7	一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201910080209.6	具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201710866957.8	一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管	西安电子科技大学	段宝兴
201811232412.2	一种异质结薄膜光伏器件的制备方法	西安电子科技大学	仲鹏
201810811137.3	一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法	西安电子科技大学	马晓华
201710466252.7	注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法	西安电子科技大学	汤晓燕
201710074260.7	InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法	西安电子科技大学	蒋道福
201711017958.1	基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法	西安电子科技大学	张金风
201810906340.9	基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法	西安电子科技大学	王悦湖
201811565026.5	基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法	西安电子科技大学	韩根全
201711187853.0	基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法	西安电子科技大学	张进成
201910323208.X	基于铁电极化效应的紫外发光二极管及制备方法	西安电子科技大学	许晟瑞
201910487615.4	基于P-GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件	西安电子科技大学	王冲
201910429877.5	垂直型的高压MOSFET器件及制作方法	西安电子科技大学	冯倩
201711187865.3	GaN/AlGaN横向超级结二极管及其制作方法	西安电子科技大学	张进成
201810315143.X	基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器	西安电子科技大学	陆小力
201811018286.0	一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构及制作方法	西安电子科技大学	马晓华
201811018296.4	一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法	西安电子科技大学	马晓华
201711437748.8	高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201710020055.2	一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管	西安电子科技大学	段宝兴
201710021096.3	一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管	西安电子科技大学	段宝兴
201910079714.9	具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201711436192.0	高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201711436198.8	高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201810723449.9	集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件	西安电子科技大学	汤晓燕
201910754054.X	具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201811002463.6	一种基于HEMT器件的开关结构	西安电子科技大学	郑雪峰
201611188578.X	基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法	西安电子科技大学	王斌
201810398738.6	优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	李聪
201810398867.5	具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	李聪
201811564501.7	一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法	西安电子科技大学	杨林安
201811447507.6	p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探测器及制作方法	西安电子科技大学	周小伟
201910518172.0	基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法	西安电子科技大学	刘红侠
201710583815.0	欧姆接触结构制备工艺及结构	西安电子科技大学	张艺蒙
201710852545.9	高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201910016393.8	基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法	西安电子科技大学	张进成
201910430611.2	应变型氧化镓MOSFET器件结构及制备方法	西安电子科技大学	冯倩
201711187876.1	GaN基JBS与超级结混合结构二极管及其制作方法	西安电子科技大学	张进成
201810900497.0	基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201710411588.3	异质结阻变存储器及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810592174.X	一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810952687.7	一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管	西安电子科技大学	贾护军
201910054769.4	基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	张雅超
201810946004.7	基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法	西安电子科技大学	张雅超
201810801746.0	基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法	西安电子科技大学	许晟瑞
201810592160.8	基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201810461440.5	HEMT器件及其制备方法	西安电子科技大学	马晓华
201910459143.1	一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管	西安电子科技大学	宋庆文
201910224881.8	无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法	西安电子科技大学	李聪
201910754063.9	具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201910754051.6	具有部分碳化硅/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201810321820.9	渐变组分漂移层垂直型功率二极管及其制作方法	西安电子科技大学	毛维
201910430622.0	高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法	西安电子科技大学	冯倩
201810320962.3	具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法	西安电子科技大学	段宝兴
201810945840.3	一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法	西安电子科技大学	张雅超
201910976638.1	基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法	西安电子科技大学	张进成
201810689886.3	基于石墨烯插入层结构的GaN基L ED器件制备方法	西安电子科技大学	宁静
201811003853.5	一种HEMT开关器件	西安电子科技大学	郑雪峰
201711382462.4	一种L ED芯片的制造方法及L ED芯片	西安电子科技大学	胡辉勇
201810466984.0	一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法	西安电子科技大学	贾仁需
201811558022.4	一种双异质结和复合钝化层的IMPAT T二极管及其制作方法	西安电子科技大学	杨林安
201810433595.8	GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件	西安电子科技大学	马晓华
201810709666.2	P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法	西安电子科技大学	王冲
201510670150.8	一种半导体器件及其制备方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张冬梅
201610531756.8	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610407346.2	半导体结构及形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610531721.4	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201511025334.5	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610079732.3	环栅MOSFET及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张海洋
201610407349.6	栅控二极管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610605668.8	一种半导体器件及其制作方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	禹国宾
201510666662.7	一种半导体器件及其制备方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	周飞
201510336342.5	一种半导体装置及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	肖德元
201510894467.X	提高鳍式场效应管性能的方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201510540806.4	测试结构及其形成方法、测试方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201510016512.1	鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201510459384.8	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201510654252.0	PMOS晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	徐建华
201610011819.7	半导体器件以及改善半导体器件性能的方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610079722.X	鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张海洋
201610083791.8	晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610216934.8	鳍式场效应晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	纪世良
201610318186.4	鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610885872.X	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610403191.5	一种用于同时检测多个底部接触塞的工艺窗口的版图结构	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李莹
201610134339.X	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	刘继全
201510465562.8	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201410537884.4	一种半导体器件及其制造方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	徐建华
201510144359.0	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	谢欣云
201610420453.9	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610527902.X	多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	神兆旭
201510896857.0	改善SRAM性能的方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201611083625.4	静电放电保护结构及其形成方法和工作方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610231201.1	SRAM存储器及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610531682.8	半导体器件的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610297863.9	半导体结构及其制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610204360.2	一种半导体器件及其制作方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张海洋
201410707066.4	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	刘焕新
201510006082.5	P型鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610365140.8	LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610630458.4	鳍式场效应晶体管及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	谢欣云
201610643226.2	FinFET器件的制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	黄敬勇
201610404786.2	晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	沈景龙
201610073062.4	半导体装置及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201610510623.2	半导体装置及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	周鸣
201510547991.X	高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201510536211.1	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	黄子伦
201510741813.0	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610206325.4	鳍式场效应晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	王冬江
201610208077.7	半导体结构的制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201510658333.8	鳍式场效应管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵海
201510654255.4	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵杰
201610414190.0	CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610126984.7	一种半导体器件及其制备方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	周鸣
201610255609.2	一种半导体器件及其制作方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	万宇
201510631712.8	电阻随机存取存储器及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	肖莉红
201610935251.8	鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	邓浩
201410766590.9	MOS晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	王文博
201610237031.8	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610667678.4	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610915984.5	半导体结构及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张海洋
201610919782.8	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	陈宗高
201510615429.6	一种用于ESD防护的STI二极管	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201610802975.5	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201410310519.X	一种半导体器件及其制备方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	赵猛
201410696596.3	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵猛
201610293401.X	GGNMOS晶体管、多指GGNMOS器件及电路	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	雷玮
201510894481.X	鳍式场效应晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610079377.X	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	徐建华
201610405073.8	半导体结构及其制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610504769.6	LDMOS晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵猛
201510894291.8	鳍式场效应晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610006633.2	双极型晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	杨晓蕾
201610079745.0	鳍式场效应晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张海洋
201610662636.1	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	谢欣云
201610753384.3	半导体器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	甘正浩
201510270513.9	半导体器件及其制备方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	施森华
201610490311.X	一种半导体器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	徐建华
201610073065.8	半导体装置的制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张帅
201610091575.8	半导体装置及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201610404770.1	双极结型晶体管的制造方法及半导体芯片的制作方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张焕云
201610807658.2	一种垂直FinFET器件及其制备方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张海洋
201610208298.4	一种半导体电容器及其制作方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	吴健
201510540775.2	MOS晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张城龙
201510904226.9	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵猛
201610293057.4	鳍式场效应管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610537321.4	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周鸣
201610666905.1	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201611002333.3	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	邓浩
201611085957.6	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张海洋
201610457929.6	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	陈德艳
201610804720.2	一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	黄河
201710185895.4	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610527878.X	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201611066007.9	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610516729.3	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610958506.2	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	涂火金
201611239033.7	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	贺鑫
201510642509.0	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610315907.6	栅控二极管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	甘正浩
201610788877.0	LDMOS及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610840197.9	一种半导体器件及其制作方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	姚陆军
201611065220.8	半导体结构及其形成方法、以及SRAM	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610906470.3	一种半导体器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	宋以斌
201610882468.7	一种半导体器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	宋以斌
201610256886.5	半导体器件的制备方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	梁海慧
201511026881.5	一种半导体器件及其制备方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	王冬江
201610239211.X	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	徐长春
201410369929.1	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	方磊
201611018521.5	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	杨志勇
201610006560.7	半导体结构的制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610083755.1	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵猛
201610646944.5	半导体器件的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610646956.8	半导体器件的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610738883.5	半导体结构的制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张海洋
201710611384.4	鳍式晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	贺鑫
201710711275.X	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201710169212.6	鳍式场效应管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201710131234.3	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201410704633.0	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	张海洋
201610531664.X	鳍式场效应管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610424408.0	鳍式场效应晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	韩秋华
201610788845.0	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201610379438.4	半导体装置及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张海洋
201710058816.3	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201611186841.1	一种沟槽型IGBT及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	袁雷兵
201610006680.7	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	高长城
201710039936.9	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201510706331.1	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	余云初
201610914857.3	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	韩秋华
201610970759.1	用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610365196.3	半导体结构及其制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201611198711.X	电容及其形成方法、图像传感器电路及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	梁昕
201611177978.0	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201510654312.9	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	黄河
201610315837.4	半导体结构的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	金兰
201610664178.5	半导体结构及其制造方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	赵猛
201611178075.4	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	邱慈云
201610966683.5	一种半导体器件的制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张海洋
201610402943.6	一种半导体器件及其制造方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	吴健
201610512145.9	半导体装置及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	周鸣
201611053099.7	一种半导体器件和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	王伟
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201710465539.8	一种CMOS反相器和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	赵祥富
201610726754.4	一种鳍式场效应晶体管及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	黄敬勇
201610140142.7	一种半导体器件及其制造方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	赵猛
201610309000.9	一种用于相变存储器的相变薄膜及其制备方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	汪昌州
201610919492.3	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201710131028.2	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	韩秋华
201710364138.3	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
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201710011951.2	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
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201610133540.6	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201710379186.X	掺杂区及IGBT器件的形成方法和结构	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	刘剑
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201611072328.X	半导体结构及其形成方法、以及SRAM	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
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201510437702.0	一种半导体器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	徐建华
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201611033736.4	晶体管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	徐建华
201610907894.1	鳍式场效应管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
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201611154390.3	一种半导体器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	蔡建祥
201610017702.X	一种半导体器件及其制作方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	陈建奇
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201611076217.6	阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	张翼英
201710033040.X	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	吴健
201610364768.6	半导体器件的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610908755.0	鳍式场效应管及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201710505666.6	半导体装置的制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	王楠
201710084423.X	一种半导体器件及其制造方法和电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201610585175.2	半导体器件及其制备方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	周儒领
201610379189.9	半导体装置的制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	李勇
201710621512.3	半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	贺鑫
201710722966.X	静电放电晶体管阵列装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	冯军宏
201710144096.2	三维闪存器件及其制造方法	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	刘盼盼
201610935796.9	一种半导体器件及制备方法、电子装置	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	宋以斌
201711324835.2	半导体结构及晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201710130724.1	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201711260155.9	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201611248887.1	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	李勇
201610537318.2	晶体管的形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	杨晓蕾
201810096015.0	半导体器件及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	周飞
201611100048.5	半导体结构及其形成方法	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	徐建华
201710020991.3	一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法	电子科技大学	许龙来
201710432825.4	一种基于倒装封装的L ED芯片结构	电子科技大学	周伟
201610896409.5	一种自平衡的太赫兹肖特基势垒二极管	电子科技大学	张勇
201710991444.X	一种磷化铟纳米锥膜及其制备方法和应用	电子科技大学	王志明
201710384457.0	一种PMOS器件结构	电子科技大学	乔明
201710439235.4	一种短路阳极SOI LIGBT	电子科技大学	罗小蓉
201710564683.7	一种具有复合介质层结构的结势垒肖特基二极管	电子科技大学	杜江锋
201710651404.0	一种GaN异质结纵向逆导场效应管	电子科技大学	周琦
201710425816.2	一种超结DMOS器件	电子科技大学	任敏
201710726672.4	一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件	电子科技大学	任敏
201810996579.X	基于平面工艺的GaAs基三维霍尔传感器及其生产工艺	电子科技大学	董健方
201510367028.3	具有复合低K电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应管	电子科技大学	杜江锋
201710366413.5	复合曲面陷光结构及其制备方法	电子科技大学	郭小伟
201710707119.6	一种防止关断失效的栅控晶闸管器件	电子科技大学	任敏
201710668240.2	一种深槽超结DMOS器件	电子科技大学	任敏
201810929911.0	一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法	电子科技大学	次会聚
201810929912.5	一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法	电子科技大学	宋宇浩
201710433420.2	一种碳化硅T rench MOS器件及其制作方法	电子科技大学	张金平
201811091016.2	一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法	电子科技大学	郭浩
201710985640.6	一种基于三维狄拉克材料的隧穿型光电探测器及制备方法	电子科技大学	王军
201710024009.X	一种增强型热稳定性光敏传感器及其制备方法	电子科技大学	高敏
201710703841.2	一种具有相分离结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	贾春阳
201810366137.7	基于介孔导电层衬底的钙钛矿太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	熊杰
201810950644.5	白光有机发光二极管及制备方法	电子科技大学	陶斯禄
201710508421.9	一种碳化硅功率器件终端结构	电子科技大学	张有润
201710726176.9	一种变禁带宽度的超结VDMOS器件	电子科技大学	李泽宏
201710986449.3	一种具有拑位结构的沟槽栅电荷储存型IGBT器件及其制造方法	电子科技大学	张金平
201710433429.3	一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法	电子科技大学	张金平
201810089912.9	氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法	电子科技大学	钱凌轩
201810079091.0	一种量子点结构光电探测器及其制备方法	电子科技大学	王军
201710149961.2	一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构	电子科技大学	刘继芝
201810878651.9	一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置	电子科技大学	刘永
201811060221.2	一种自偏置各向异性磁电阻传感单元的制备方法	电子科技大学	唐晓莉
201910025423.1	一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	熊杰
201710642100.8	一种消除高电场的器件	电子科技大学	章文通
201710668236.6	一种超结VDMOS器件	电子科技大学	任敏
201710985732.4	一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法	电子科技大学	张金平
201710371935.4	一种逆阻型氮化镓器件	电子科技大学	陈万军
201710709133.X	一种改善关断特性的栅控晶闸管器件	电子科技大学	任敏
201710726660.1	一种横向双扩散MOS器件	电子科技大学	任敏
201810191091.X	高di/dt耐量光控晶闸管	电子科技大学	陈万军
201810330128.2	高di/dt光控晶闸管版图设计方法	电子科技大学	陈万军
201811381512.1	一种MSM光电探测器的制备方法	电子科技大学	苟君
201810893390.8	基于a-SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法	电子科技大学	李伟
201810893394.6	基于a-SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法	电子科技大学	李伟
201810113817.8	一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201711026475.8	具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201711445502.5	带有P型埋层的双栅载流子储存性IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201810113820.X	一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201710625714.5	一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET	电子科技大学	任敏
201710490849.5	一种具有表面双栅控制的横向RC-IGBT器件	电子科技大学	赵建明
201810366519.X	一种基于反溶剂动态旋涂制备钙钛矿薄膜的方法	电子科技大学	熊杰
201810944474.X	一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法	电子科技大学	黄文
201810003688.7	一种基于有机场效应管压力传感器及其制备方法	电子科技大学	于军胜
201610310899.6	具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法	电子科技大学	张金平
201810113223.7	一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT	电子科技大学	罗小蓉
201810003748.5	一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池	电子科技大学	于军胜
201811185124.6	一种白光钙钛矿型电致发光器件以及制备方法	电子科技大学	郭浩
201810113221.8	一种具有快速关断特性的SOI LIGBT	电子科技大学	罗小蓉
201810224788.2	一种槽栅短路阳极SOI LIGBT	电子科技大学	罗小蓉
201810953482.0	一种具有稳固短路承受能力的IGBT	电子科技大学	李泽宏
201710708389.9	一种具有复合栅介质的栅控晶闸管	电子科技大学	任敏
201710425854.8	一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件	电子科技大学	任敏
201810326836.9	一种屏蔽栅功率DMOS器件	电子科技大学	任敏
201710762028.2	一种基于低温制备热结晶活性层的厚膜有机太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	于军胜
201910266142.5	一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法	电子科技大学	高瞻
201810685086.4	一种氮化镓基高电子迁移率晶体管	电子科技大学	杜江锋
201710509569.4	GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法	电子科技大学	张有润
201810996515.X	一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201711235719.3	多沟道的横向高压器件	电子科技大学	周锌
201810711336.7	一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管及其制备方法	电子科技大学	陈万军
201811081497.9	一种基于磁场效应旋涂工艺的有机光电探测器及制备方法	电子科技大学	于军胜
201811091002.0	一种基于有机场效应管的光敏传感器及其制备方法	电子科技大学	于军胜
201810571838.4	一种二极管及其制作方法	电子科技大学	张金平
201810996571.3	一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201810042181.2	一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT	电子科技大学	罗小蓉
201810113804.0	一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201810989310.9	一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201711219518.4	用于ESD防护的可控硅整流器	电子科技大学	乔明
201810553861.0	一种二极管及其制作方法	电子科技大学	张金平
201710232453.0	硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法	电子科技大学	李春
201810952144.5	一种制造柔性光电探测器的方法	电子科技大学	李世彬
201711455406.9	一种逆阻型功率MOSFET器件	电子科技大学	任敏
201710203874.0	一种SOI横向高压器件	电子科技大学	章文通
201710384050.8	一种SOI层变掺杂的BCD器件及其制造方法	电子科技大学	乔明
201811298649.0	基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器及制备方法	电子科技大学	金立川
201810999865.1	一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法	电子科技大学	刘黎明
201810490309.1	一种基于超声波退火工艺的有机太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	钟建
201810394401.8	一种硅基三光电探测器	电子科技大学	张有润
201710665471.8	一种超结功率器件	电子科技大学	任敏
201810998571.7	一种横向沟槽型MOSFET器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910738050.2	一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻型IGBT	电子科技大学	郑崇芝
201711119005.6	一种逆阻型氮化镓器件	电子科技大学	陈万军
201710726322.8	一种具有抗SEB能力的VDMOS器件	电子科技大学	任敏
201711454712.0	一种逆阻型VDMOS器件	电子科技大学	任敏
201810991168.1	一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201810892819.1	基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法	电子科技大学	李伟
201810893392.7	基于a-SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法	电子科技大学	李东阳
201811566341.X	基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管及其制备方法	电子科技大学	杨鑫
201810105718.5	一种具有纵向变掺杂剂量的深槽型横向耐压区	电子科技大学	程骏骥
201711327045.X	一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件	电子科技大学	罗谦
201810996514.5	一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910812108.3	一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910316577.6	具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件	电子科技大学	易波
201810432406.5	一种低压电干扰的柔性热释电红外探测器敏感单元	电子科技大学	黎威志
201910805736.9	一种多槽栅横向高压功率器件制造方法	电子科技大学	魏杰
201810131088.9	一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法	电子科技大学	邓小川
201810111441.7	一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201810550253.4	一种优化体内电场的载流子增强型IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201810959902.6	非富勒烯有机太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	陶斯禄
201910231335.7	基于复合电子传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法	电子科技大学	杨根杰
201810181699.4	一种基于混蒸工艺的具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	黄江
201910088614.2	双异质结光敏二极管及制备方法	电子科技大学	刘兴钊
201710985725.4	一种CSTBT器件及其制造方法	电子科技大学	张金平
201910777480.5	一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201810550237.5	一种集成电压采样功能的IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201910805725.0	一种短路阳极薄层高压功率器件	电子科技大学	罗小蓉
201910806766.1	一种具有短路自保护能力的横向IGBT	电子科技大学	张金平
201910812056.X	一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201810182220.9	一种具有能带梯度的钙钛矿可见光探测器及其制备方法	电子科技大学	黄江
201810990451.2	一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910805845.0	一种超低功耗薄层高压功率器件	电子科技大学	罗小蓉
201810207164.X	一种横向IGBT的制造方法	电子科技大学	罗小蓉
201810548361.8	一种具有内置JFET结构的IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201810748803.3	一种槽栅双极型晶体管	电子科技大学	陈万军
201910777572.3	一种横向IGBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201910805741.X	一种高速低功耗高压功率器件	电子科技大学	罗小蓉
201680057871.4	一种具有体内场板的折叠型终端	电子科技大学	任敏
201710432727.0	一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法	电子科技大学	张金平
201710716441.5	一种深槽DMOS器件	电子科技大学	任敏
201810490635.2	一种集成肖特基二极管的LDMOS器件	电子科技大学	李泽宏
201910831289.4	一种VDMOS器件	电子科技大学	任敏
201810182676.5	一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法	电子科技大学	黄江
201710984650.8	一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法	电子科技大学	张金平
201711021619.0	具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201810998572.1	一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910398946.0	一种含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料、制备方法及其应用	电子科技大学	郑永豪
201811166608.6	一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法	电子科技大学	于军胜
201510999925.6	消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法	电子科技大学	李俊宏
201910213950.5	一种高度稳定铅基有机-无机杂化钙钛矿纳米片制备方法	电子科技大学	彭波
201710761364.5	一种MOS栅控晶闸管及其制作方法	电子科技大学	陈万军
201710053780.X	DAST单晶压电材料及其制备方法	电子科技大学	许向东
201711020958.7	一种具有混合导电模式的超结IGBT器件	电子科技大学	张金平
201711445407.5	一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201810527223.1	一种超结器件终端结构	电子科技大学	任敏
201810948820.1	一种双极型功率半导体器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201810991188.9	碳化硅MOSFET器件及其制造方法	电子科技大学	张金平
201810997831.9	一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910062231.8	一种基于LIGBT的双栅控制采样器件	电子科技大学	李泽宏
201910806717.8	一种具有短路自保护能力的IGBT	电子科技大学	张金平
201680057865.9	一种提高抗单粒子烧毁能力的槽栅MOS器件	电子科技大学	任敏
201811070263.4	一种横向高压器件	电子科技大学	乔明
201910378860.1	一种低温制备柔性钙钛矿太阳能电池的方法	电子科技大学	刘明侦
201811201088.8	一种基于有机场效应管红外探测器及其制备方法	电子科技大学	于军胜
201910793928.2	一种基于海藻酸钠交联光活性层的钙钛矿光电探测器及其制备方法	电子科技大学	于军胜
201910204773.4	P+屏蔽层电位可调碳化硅MOSFET器件及制备方法	电子科技大学	邓小川
201711425125.9	一种RC-IGBT器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201810953505.8	一种具有低噪声低开关损耗特性的IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201910629038.8	一种MOS控制晶闸管	电子科技大学	张波
201911037622.0	一种MOS栅控晶闸管及其制造方法	电子科技大学	张波
201810997847.X	一种横向MOSFET器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201910203095.X	具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件	电子科技大学	周锌
201910203910.2	一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法	电子科技大学	邓小川
201910351121.3	一种功率半导体器件及其制造方法	电子科技大学	周锌
201910805592.7	一种柔性薄膜晶体管及其制备方法	电子科技大学	陈金菊
201811195765.X	一种宽光谱探测器件及其制备方法	电子科技大学	于军胜
201910242627.0	一种具有垂直能带梯度的钙钛矿光电探测器及其制备方法	电子科技大学	黄江
201910510365.1	基于植物纤维的柔性压电能量采集器件及其制备方法	电子科技大学	张晓升
201810949847.2	一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法	电子科技大学	张金平
201811621620.1	一种抗辐射半导体器件终端结构	电子科技大学	周锌
201910203535.1	一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法	电子科技大学	邓小川
201910233361.3	一种槽栅双极型晶体管	电子科技大学	陈万军
201910573447.0	具有SCR结构的IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201810990432.X	一种沟槽型超结功率终端结构及其制备方法	电子科技大学	任敏
201811621100.0	功率半导体器件	电子科技大学	周锌
201710642237.3	一种高耐压横向超结器件	电子科技大学	章文通
201711251078.0	层结构非对称的MXene及其衍生的异质结	电子科技大学	刘焕明
201810549474.X	一种具有凹槽栅型JFET结构的IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201810898315.0	一种超结功率器件终端结构及其制备方法	电子科技大学	任敏
201811622189.2	一种横向抗辐射功率器件结构	电子科技大学	周锌
201910572446.4	具有PNP穿通三极管的IGBT器件	电子科技大学	李泽宏
201910753248.8	一种无Snapback效应逆导IGBT及其制造方法	电子科技大学	张波
201911070895.5	一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法	电子科技大学	张金平
201810058240.5	一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管	电子科技大学	谢倩
201811383176.4	一种利用二极管钳位的具有载流子存储层的IGBT器件	电子科技大学	易波
201811383212.7	一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件	电子科技大学	易波
201910293422.5	一种具有超低导通压降的高速IGBT器件	电子科技大学	易波
201910720650.6	一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件	电子科技大学	易波
201711455561.0	一种逆阻型VDMOS器件	电子科技大学	任敏
201811579271.1	一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法	电子科技大学	金立川
201910216960.4	一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及制备方法	电子科技大学	黄文
201810198345.0	一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法	电子科技大学	熊杰
201610824040.7	半导体器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张家铭
201610863516.8	鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	赖政杰
201410373097.0	具有导电蚀刻停止层的RRAM单元结构	台湾积体电路制造股份有限公司	刘铭棋
201610815080.5	作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离	台湾积体电路制造股份有限公司	陈奕寰
201610073187.7	具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	萧婉匀
201610090342.6	掩埋沟道半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈家忠
201610916350.1	带有固相扩散的集成电路结构和方法	台湾积体电路制造股份有限公司	彭成毅
201410800225.5	鳍式场效应晶体管的结构和形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张简旭珂
201610915693.6	FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201610550338.3	半导体部件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	巫柏奇
201610719403.0	用于FINFET的栅极替代工艺	台湾积体电路制造股份有限公司	江宏礼
201610729819.0	用于FINFET的源极和漏极工艺	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201611180076.2	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李威养
201710012907.3	两步伪栅极形成	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201710286253.3	FinFET结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林志翰
201610680892.3	鳍式场效应晶体管结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201510812685.4	FinFET结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	彭成毅
201510245423.4	半导体器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林孟佑
201510790762.0	半导体器件结构的结构和形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201510859637.0	半导体装置	台湾积体电路制造股份有限公司	杨育佳
201510262860.7	鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	温宗尧
201510298932.3	包括FinFET的半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	黄俊程
201610688858.0	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201610784021.6	半导体器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	叶启瑞
201611221320.5	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	冯家馨
201510777502.X	垂直式半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林义雄
201610677738.0	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李春霆
201510859529.3	半导体元件及制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	布莱戴恩·杜瑞兹
201510852268.2	包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	赵元舜
201610084673.9	多阈值电压场效应晶体管及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	埃米沃克
201710301063.4	金属栅极隔离结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林志翰
201611255244.X	半导体结构和其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	庄学理
201510853179.X	元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	吴仲强
201510860763.8	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201510321307.6	半导体器件结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈奕志
201510122423.5	具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201610663504.0	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	冯家馨
201710289431.8	鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201611222514.7	半导体器件	台湾积体电路制造股份有限公司	林于轩
201710183215.5	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	王朝勋
201611216681.0	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	邓桔程
201610903179.0	原子层沉积方法及其结构	台湾积体电路制造股份有限公司	李欣怡
201610622326.7	半导体元件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201610729667.4	半导体器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	方琮闵
201510833407.7	包括鳍结构的半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	蔡俊雄
201610023757.1	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	游承谚
201610683475.4	互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件	台湾积体电路制造股份有限公司	林瑀宏
201610516949.6	鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈建颖
201510262888.0	具有互连结构的半导体器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	戚国强
201510245445.0	鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲豪
201610719830.9	鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201511025062.9	纳米线半导体器件结构及制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	戈本·多恩伯斯
201410614306.6	半导体器件的制造方法及半导体器件	台湾积体电路制造股份有限公司	张帅
201610680208.1	FinFET隔离结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201510694312.1	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	彭成毅
201510565628.0	金属栅极及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	洪奇成
201610903438.X	用于高功率电迁移的通孔轨解决方案	台湾积体电路制造股份有限公司	萧锦涛
201610919834.1	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈蕙祺
201510800379.9	RRAM器件和方法	台湾积体电路制造股份有限公司	宋福庭
201611056628.9	静态随机存取存储单元的布局	台湾积体电路制造股份有限公司	廖忠志
201410811892.3	具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201610107591.1	具有不均匀栅极结构的FinFET器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张家玮
201611264430.X	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	樊圣亭
201710456366.3	半导体器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李东颖
201610907124.7	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	王圣祯
201410812448.3	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201610907176.4	半导体器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	吴政宪
201710680196.7	半导体元件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	游佳达
201610548348.3	包括鳍结构的半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	冯家馨
201611021412.9	半导体器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林群雄
201510953080.7	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	梁春昇
201610065159.0	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	万幸仁
201510437327.X	具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈建颖
201510193452.0	鳍部件的结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	温宗尧
201410804259.1	半导体器件以及形成垂直结构的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	彭治棠
201510764636.8	具有停止层的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201611257688.7	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	吴宏祥
201710385218.7	FINFET结构及其方法	台湾积体电路制造股份有限公司	冯家馨
201710600282.2	形成半导体器件的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	徐志安
201710103949.8	半导体器件	台湾积体电路制造股份有限公司	陈重辉
201610657160.2	用于FINFET器件中的栅极氧化物的均匀性的平坦STI表面	台湾积体电路制造股份有限公司	吴政达
201610671579.3	FINFET器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	彭彦明
201611089731.3	用于半导体器件的结构和方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李宜静
201611047027.1	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈奕升
201710464039.2	接触开口及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	萧寒稊
201610689119.3	鳍式场效晶体管结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201410808231.5	具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	刘勇村
201610815934.X	半导体器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张家铭
201610278663.9	交错型隧穿场效应晶体管	台湾积体电路制造股份有限公司	庄绍勋
201711054927.3	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	吕伟元
201710906158.9	制造半导体器件的方法和半导体器件	台湾积体电路制造股份有限公司	李东颖
201710945403.7	一种制造具有多层沟道结构的半导体器件的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	郑兆钦
201610719401.1	在半导体器件中制造自对准接触件的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李振铭
201610784601.5	鳍式场效应晶体管及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201710479451.1	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201710288728.2	FINFET及形成FINFET的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201510852155.2	用于鳍场效晶体管元件的方法和结构	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201710379063.6	半导体器件和方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201710475469.4	晶体管及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201510570350.6	用于工艺损伤最小化的MRAM结构	台湾积体电路制造股份有限公司	徐晨祐
201610263564.3	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	蔡永智
201611114382.6	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	郑凯予
201710119801.3	半导体装置及形成半导体装置的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张简旭珂
201710711927.X	制造具有改进的漏极中的金属落置的ESDFINFET的系统和方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李宗吉
201610914575.3	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈芳
201710063581.7	气体供应装置及方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李乾铭
201610916200.0	半导体器件以及形成场效应晶体管的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	杨育佳
201410768915.7	用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201710985652.9	半导体器件以及半导体器件制造的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李宗吉
201610907979.X	具有垂直FET器件的静态随机存取存储器件	台湾积体电路制造股份有限公司	包家豪
201510844455.6	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	周群渊
201710217965.X	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201710794034.6	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	江国诚
201610903298.6	栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	蔡俊雄
201711217256.8	半导体器件及制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	蔡仲轩
201710031102.3	具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管	台湾积体电路制造股份有限公司	叶凌彦
201610530486.9	用于磁隧道结器件的制造技术和相应的器件	台湾积体电路制造股份有限公司	庄学理
201710057592.4	半导体结构及制造其的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	宋福庭
201710950405.5	半导体结构和形成半导体器件的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	江宏礼
201710464190.6	集成电路器件及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	廖志腾
201710853045.7	用于制造多栅极晶体管的工艺和产生的结构	台湾积体电路制造股份有限公司	刘书豪
201711020362.7	多栅极半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	魏焕昇
201611127831.0	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	刘柏均
201711271177.5	基于纳米线的集成电路器件的间隔件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李东颖
201710061464.7	半导体装置与其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	许家铭
201610651669.6	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201611071014.8	栅极结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	谢博文
201710310947.6	半导体装置及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	李威养
201710425545.0	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	王喻生
201611158235.9	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201610723852.2	具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林智伟
201610908670.2	具有放大的栅电极结构的半导体结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	谢博文
201711215095.9	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	陈奕升
201510790930.6	半导体结构及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	周振成
201710270429.6	FinFET及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	程潼文
201710299984.1	具有低阈值电压的FINFET变容器及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	蔡铺桓
201710508887.9	鳍结构及其形成方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201611047190.8	高压LDMOS晶体管及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	霍克孝
201410392220.3	分栅式存储器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	吴常明
201510747034.1	半导体器件及其制造方法	台湾积体电路制造股份有限公司	张哲诚
201710963927.9	FET和形成FET的方法	台湾积体电路制造股份有限公司	林资敬
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