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2020年半导体元件领域的中国局专利的发展竞争态势——北京、广东、江苏领先，京东方、武汉华星、中芯国际较强
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告1524.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
第一部分 2020年中国国家发明专利统计分析报告
8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势
8.40 半导体元件领域中国局专利的发展竞争态势
第40个技术领域是半导体元件，主要包括用于整流、放大、振荡、开关的半导体方法和器件，还包括热电半导体（如半导体制冷）、热磁半导体、磁性半导体、有机半导体、压电半导体，以及半导体发光和照明器件（如发光二极管，简称LED）。
图8.40-1 半导体元件领域的中国局专利增长情况
2020年，中国局在半导体元件领域上的专利授权增长8%，达到8947项，占总授权量的2%，该领域是专利数量第38多的技术领域。近年来，半导体元件领域的专利增长较快，但波动较大。
表8.40-1 2020年各国半导体元件领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 6260 | 75% | 2% |
2 | 日本 | 917 | 10% | 3% |
3 | 美国 | 322 | 4% | 2% |
4 | 德国 | 159 | 2% | 2% |
5 | 韩国 | 614 | 7% | 7% |
6 | 法国 | 20 | 0% | 1% |
7 | 瑞士 | 12 | 0% | 1% |
8 | 荷兰 | 54 | 1% | 3% |
9 | 瑞典 | 4 | 0% | 0% |
10 | 英国 | 19 | 0% | 1% |
11 | 意大利 | 6 | 0% | 1% |
12 | 新加坡 | 7 | 0% | 1% |
13 | 丹麦 | 2 | 0% | 0% |
14 | 奥地利 | 17 | 0% | 3% |
15 | 其他 | 75 | 1% | 1% |
小计 | 8947 | 100% | 2% |
注：本表按照第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。
我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的75%，份额相对偏低6个百分点。国内专利中有2%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于日本、韩国等国家，这说明我国在半导体元件领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。
表8.40-2 2020年国内各省市区半导体元件领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 北京 | 999 | 15% | 2% |
2 | 广东 | 926 | 14% | 1% |
3 | 江苏 | 829 | 12% | 2% |
4 | 上海 | 710 | 11% | 3% |
5 | 湖北 | 520 | 8% | 3% |
6 | 浙江 | 490 | 7% | 1% |
7 | 台湾 | 446 | 7% | 7% |
8 | 陕西 | 289 | 4% | 2% |
9 | 四川 | 264 | 4% | 2% |
10 | 安徽 | 171 | 3% | 1% |
11 | 福建 | 164 | 2% | 2% |
12 | 山东 | 157 | 2% | 1% |
13 | 河北 | 147 | 2% | 2% |
14 | 湖南 | 117 | 2% | 1% |
15 | 吉林 | 112 | 2% | 3% |
16 | 河南 | 62 | 1% | 1% |
17 | 江西 | 61 | 1% | 1% |
18 | 辽宁 | 54 | 1% | 1% |
19 | 重庆 | 39 | 1% | 1% |
20 | 天津 | 39 | 1% | 1% |
21 | 山西 | 27 | 0% | 1% |
22 | 黑龙江 | 24 | 0% | 1% |
23 | 云南 | 23 | 0% | 1% |
24 | 香港 | 13 | 0% | 2% |
25 | 广西 | 12 | 0% | 0% |
26 | 贵州 | 11 | 0% | 0% |
27 | 甘肃 | 5 | 0% | 0% |
28 | 内蒙古 | 3 | 0% | 0% |
29 | 海南 | 2 | 0% | 0% |
30 | 宁夏 | 2 | 0% | 0% |
31 | 青海 | 1 | 0% | 0% |
32 | 新疆 | 0 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 0 | 0% | 0% |
34 | 澳门 | 0 | 0% | 0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
2020年，北京获得该领域国家专利999项，占该领域的份额为15%，占本地区专利的2%；其次是广东，达到926项，占该领域的份额为14%，占本地区专利的1%。北京和广东在半导体元件领域上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的半导体元件技术研发力量，是研发能力最强的地区。
图8.40-2 2020年国内各省市区半导体元件领域专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在北京、广东、江苏、上海、湖北、浙江、台湾，这7个省区在2020年获得的专利数量共占国内的73%，是我国半导体元件技术专利研发的重要地区。
图8.40-3 2020年国内各省市区半导体元件领域专利的技术构成比重
另外，台湾、湖北、上海、吉林、陕西、河北、香港、四川在该领域上的技术构成比重较高，超过或达到2%，表明这些地区比较侧重半导体元件技术的研发。
表8.40-3 2020年半导体元件领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 454 | 17% |
2 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国湖北 | 232 | 36% |
3 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 中国上海 | 212 | 24% |
4 | 电子科技大学 | 中国四川 | 192 | 9% |
5 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 151 | 29% |
6 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 中国浙江 | 129 | 95% |
7 | 西安电子科技大学 | 中国陕西 | 127 | 9% |
8 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 125 | 24% |
9 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 104 | 28% |
10 | TCL科技集团股份有限公司 | 中国广东 | 98 | 42% |
11 | 华南理工大学 | 中国广东 | 91 | 5% |
12 | 清华大学 | 中国北京 | 84 | 3% |
13 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 81 | 5% |
14 | 云谷（固安）科技有限公司 | 中国河北 | 77 | 47% |
15 | LG化学株式会社 | 韩国 | 74 | 11% |
16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 70 | 16% |
17 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 68 | 65% |
18 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 67 | 3% |
19 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 66 | 3% |
20 | 昆山国显光电有限公司 | 中国江苏 | 64 | 24% |
21 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 中国上海 | 61 | 31% |
22 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 57 | 24% |
22 | 浙江大学 | 中国浙江 | 57 | 2% |
24 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 56 | 20% |
25 | 北京大学 | 中国北京 | 51 | 7% |
26 | 华灿光电（苏州）有限公司 | 中国江苏 | 50 | 98% |
27 | 英特尔公司 | 美国 | 48 | 8% |
28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 44 | 8% |
28 | 晶元光电股份有限公司 | 中国台湾 | 44 | 92% |
30 | 中节能万润股份有限公司 | 中国山东 | 43 | 84% |
30 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 43 | 37% |
32 | LG伊诺特有限公司 | 韩国 | 42 | 21% |
32 | 三菱电机株式会社 | 日本 | 42 | 4% |
34 | 夏普株式会社 | 日本 | 40 | 10% |
35 | 上海和辉光电有限公司 | 中国上海 | 38 | 34% |
35 | 南京邮电大学 | 中国江苏 | 38 | 6% |
37 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 35 | 16% |
37 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 35 | 31% |
39 | 住友化学株式会社 | 日本 | 34 | 17% |
40 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 33 | 7% |
40 | 中国科学院半导体研究所 | 中国北京 | 33 | 16% |
42 | 富士电机株式会社 | 日本 | 32 | 20% |
43 | 河南大学 | 中国河南 | 31 | 16% |
43 | TCL集团股份有限公司 | 中国广东 | 31 | 27% |
43 | 东南大学 | 中国江苏 | 31 | 2% |
46 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 30 | 25% |
46 | 华南师范大学 | 中国广东 | 30 | 11% |
46 | 湖北大学 | 中国湖北 | 30 | 16% |
46 | 亮锐控股有限公司 | 荷兰 | 30 | 54% |
46 | 索尼公司 | 日本 | 30 | 4% |
51 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 29 | 7% |
52 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 中国吉林 | 28 | 6% |
52 | 华南协同创新研究院 | 中国广东 | 28 | 50% |
52 | 中国科学院化学研究所 | 中国北京 | 28 | 10% |
55 | 武汉天马微电子有限公司 | 中国湖北 | 27 | 14% |
56 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 26 | 8% |
56 | 精工爱普生株式会社 | 日本 | 26 | 4% |
56 | 吉林大学 | 中国吉林 | 26 | 2% |
56 | 中山大学 | 中国广东 | 26 | 4% |
56 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 中国江苏 | 26 | 21% |
56 | 格罗方德半导体公司 | 开曼群岛 | 26 | 36% |
56 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 中国江苏 | 26 | 59% |
56 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 26 | 11% |
56 | 美光科技公司 | 美国 | 26 | 25% |
65 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 中国北京 | 25 | 37% |
66 | 三星SDI株式会社 | 韩国 | 24 | 12% |
66 | 武汉理工大学 | 中国湖北 | 24 | 2% |
66 | 无锡华润上华科技有限公司 | 中国江苏 | 24 | 48% |
66 | 默克专利有限公司 | 德国 | 24 | 33% |
70 | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 | 中国江苏 | 23 | 6% |
70 | 富士胶片株式会社 | 日本 | 23 | 5% |
72 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 22 | 21% |
72 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | 中国陕西 | 22 | 88% |
72 | 北大方正集团有限公司 | 中国北京 | 22 | 14% |
72 | 中南大学 | 中国湖南 | 22 | 1% |
72 | 扬州乾照光电有限公司 | 中国江苏 | 22 | 73% |
77 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 中国上海 | 21 | 13% |
77 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 中国上海 | 21 | 17% |
77 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 中国山东 | 21 | 95% |
77 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 德国 | 21 | 70% |
77 | 福州大学 | 中国福建 | 21 | 4% |
77 | 南京工业大学 | 中国江苏 | 21 | 5% |
77 | 日亚化学工业株式会社 | 日本 | 21 | 66% |
77 | 北京鼎材科技有限公司 | 中国北京 | 21 | 95% |
85 | 南京大学 | 中国江苏 | 20 | 4% |
85 | 深圳大学 | 中国广东 | 20 | 4% |
87 | 新世纪光电股份有限公司 | 中国台湾 | 19 | 100% |
87 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 中国吉林 | 19 | 100% |
87 | 厦门大学 | 中国福建 | 19 | 2% |
87 | TDK株式会社 | 日本 | 19 | 10% |
91 | 环球展览公司 | 美国 | 18 | 100% |
91 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 中国湖南 | 18 | 95% |
91 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 中国福建 | 18 | 90% |
94 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 中国广东 | 17 | 40% |
94 | 复旦大学 | 中国上海 | 17 | 4% |
94 | 武汉大学 | 中国湖北 | 17 | 2% |
94 | 湘潭大学 | 中国湖南 | 17 | 5% |
94 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 中国上海 | 17 | 50% |
94 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 美国 | 17 | 11% |
94 | 苏州大学 | 中国江苏 | 17 | 3% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
2020年，在半导体元件领域上获得中国局专利授权最多的机构是京东方科技集团股份有限公司，其次是武汉华星光电半导体显示技术有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司。
图8.40-4 2020年半导体元件领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看，新世纪光电、长春海谱润斯、华灿光电、北京鼎材、晶元光电等机构的比重较高，均超过90%，这些机构一多半的专利属于该领域，半导体元件技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。
图8.40-5 2020年30家机构的半导体元件技术构成比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.40-1 2020年半导体元件领域的中国局主要机构的专利
专利号 | 专利名称 | 权利人 | 发明人 |
201710631976.2 | 膜层剥离设备、膜层剥离控制方法和装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张 |
201710775220.5 | 一种OLED基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张星 |
201810532362.3 | 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李东 |
201710742464.3 | 掩膜条及其制备方法、掩膜板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张健 |
201711349933.1 | 显示面板、显示装置以及显示方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘庭良 |
201710432950.5 | 阵列基板、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田露 |
201710251930.8 | 薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郑在纹 |
201810301530.8 | 一种OL ED发光器件及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高昊 |
201810002381.5 | 基板剥离方法及OL ED照明装置的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 钟杰兴 |
201610816073.7 | 显示基板及制作方法和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周桢力 |
201710674200.9 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 程鸿飞 |
201710736837.6 | 背板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201710778971.2 | 用于有机电致发光显示器件的盖板及其制作方法、有机电致发光显示器件以及显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 林俊仪 |
201810263256.X | 一种彩膜盖板、OL ED显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 罗程远 |
201710030672.0 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李延钊 |
201710718273.3 | 阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 先建波 |
201610663487.0 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张俊 |
201710656152.0 | 一种显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋文峰 |
201711029353.4 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒲巡 |
201710358507.8 | 一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201810319552.7 | 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201810242259.5 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王磊 |
201810440204.5 | 一种薄膜封装结构及其封装方法、OL ED显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王涛 |
201810468258.2 | 一种显示装置及其使用方法、显示设备及其使用方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周威龙 |
201810320190.3 | 磁控溅射设备、成膜方法、OL ED制备方法及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薛金祥 |
201710361808.6 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧娟 |
201810224703.0 | 显示基板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈右儒 |
201810239891.4 | 一种柔性基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谢明哲 |
201710633391.4 | 一种基板母板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何传友 |
201710058736.8 | 一种显示基板的制作方法及显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谢蒂旎 |
201711013764.4 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王明 |
201710131906.0 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧 |
201710198484.9 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢鑫泓 |
201710500420.X | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朴求铉 |
201810721037.1 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孟宪芹 |
201710332885.9 | 一种OL ED显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙中元 |
201710642629.X | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张嵩 |
201710329943.2 | 发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾鹏飞 |
201710333297.7 | 一种柔性基板制备方法、柔性基板、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨静 |
201711224640.0 | 发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈右儒 |
201810717318.X | 有机发光显示面板、显示装置及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张晓晋 |
201711319957.2 | OL ED封装结构、OL ED器件、显示装置及OL ED封装结构的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 于东慧 |
201810354794.X | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 侯文军 |
201810550968.X | 显示面板及其封装方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201810083800.2 | 扇出结构及其制造方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李云泽 |
201710696908.4 | 一种OL ED器件及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李锡平 |
201610379365.9 | OL ED显示面板、显示装置及OL ED显示面板的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张嵩 |
201710934320.8 | 一种发光器件、像素电路、其控制方法及相应装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 梁恒镇 |
201810282718.2 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 戴于力 |
201710123029.2 | 一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐威 |
201710731532.6 | 用于OL ED显示器的彩膜基板和OL ED显示器 | 京东方科技集团股份有限公司 | 罗程远 |
201710258247.7 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吕振华 |
201710349240.6 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢鑫泓 |
201810782411.9 | 光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 丁小梁 |
201710346827.1 | 有机电致发光显示器件和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王利娜 |
201710549904.3 | 一种导电层及其制备方法、柔性基板、柔性装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 汪军 |
201710710508.4 | 有机发光显示器件及制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王强 |
201710888921.X | OL ED显示面板及其制备方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王琳琳 |
201711354148.5 | 一种封装组件及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 任锦宇 |
201810344535.9 | 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王有为 |
201810345269.1 | 一种封装盖板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘庭良 |
201810357717.X | 显示背板及显示器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张玉欣 |
201810717210.0 | 一种封装结构、显示面板、显示装置及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈运金 |
201810253619.1 | 基板处理方法和基板处理装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘肖楠 |
201810582516.X | 一种柔性显示基板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡月 |
201810672316.3 | 一种基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡月 |
201710386619.4 | 垂直型薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲连杰 |
201710564648.5 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201710375613.7 | 阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710591961.8 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201810270332.X | 薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板和装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李俊杰 |
201610966561.6 | 半导体薄膜和薄膜晶体管、其制作方法、相关装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 闫梁臣 |
201710841812.2 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周全国 |
201711045581.0 | 一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张星 |
201810385040.0 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙阔 |
201810240561.7 | 掩膜装置及其制作方法、蒸镀系统 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吕守华 |
201710731029.0 | 柔性显示装置及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王和金 |
201710329780.8 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201710813421.X | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 汪建国 |
201710785779.6 | 一种OL ED显示面板及其制备方法、OL ED显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高永益 |
201810116148.X | 有机电致发光显示器件及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李发顺 |
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201710233270.0 | 一种交联纳米颗粒薄膜及制备方法与薄膜光电子器件 | TCL科技集团股份有限公司 | 陈崧 |
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201710198230.7 | 基于弧形源场板和弧形漏场板的垂直型功率器件及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201810893495.3 | 一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器 | 西安电子科技大学 | 张春福 |
201810893511.9 | 一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 | 陈大正 |
201811328759.7 | n型AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 周小伟 |
201710558132.X | 基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管 | 西安电子科技大学 | 祝杰杰 |
201710158895.5 | 一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710157056.1 | 一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710812418.6 | 一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710844659.9 | 一种阶梯高K介质层元素纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710844705.5 | 一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710866946.X | 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710198228.X | 分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710197645.2 | 基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710210728.0 | SiC双槽UMOSFET器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201710848515.0 | 基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201710848508.0 | 平面型光电探测器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201710421686.5 | Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201711138236.1 | HEMT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201610424039.5 | 基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201611187742.5 | 一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201810900339.5 | 一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201611188525.8 | SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201611188557.8 | AlAs-Ge-AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201610488045.7 | 基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201810811349.1 | 一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法 | 西安电子科技大学 | 杨凌 |
201710466243.8 | 肖特基接触注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张玉明 |
201810723450.1 | 集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201611188527.7 | 异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201710157394.5 | 一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710198229.4 | 复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710623812.5 | 一种具有复合介质层纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710623838.X | 一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710624383.3 | 具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710624384.8 | 具有复合介质层纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201611187763.7 | 一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201611187942.0 | 一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201810900370.9 | 基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810900333.8 | 基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810900315.X | 基于(AlxGa1-x)2O3材料的双波段紫外光电探测器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810900367.7 | 一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201910080209.6 | 具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710866957.8 | 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201811232412.2 | 一种异质结薄膜光伏器件的制备方法 | 西安电子科技大学 | 仲鹏 |
201810811137.3 | 一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201710466252.7 | 注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201710074260.7 | InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201711017958.1 | 基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 | 张金风 |
201810906340.9 | 基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王悦湖 |
201811565026.5 | 基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 韩根全 |
201711187853.0 | 基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201910323208.X | 基于铁电极化效应的紫外发光二极管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 许晟瑞 |
201910487615.4 | 基于P-GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件 | 西安电子科技大学 | 王冲 |
201910429877.5 | 垂直型的高压MOSFET器件及制作方法 | 西安电子科技大学 | 冯倩 |
201711187865.3 | GaN/AlGaN横向超级结二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201810315143.X | 基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器 | 西安电子科技大学 | 陆小力 |
201811018286.0 | 一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201811018296.4 | 一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201711437748.8 | 高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710020055.2 | 一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710021096.3 | 一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201910079714.9 | 具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201711436192.0 | 高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201711436198.8 | 高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201810723449.9 | 集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201910754054.X | 具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201811002463.6 | 一种基于HEMT器件的开关结构 | 西安电子科技大学 | 郑雪峰 |
201611188578.X | 基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201810398738.6 | 优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201810398867.5 | 具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201811564501.7 | 一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 杨林安 |
201811447507.6 | p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探测器及制作方法 | 西安电子科技大学 | 周小伟 |
201910518172.0 | 基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 | 刘红侠 |
201710583815.0 | 欧姆接触结构制备工艺及结构 | 西安电子科技大学 | 张艺蒙 |
201710852545.9 | 高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201910016393.8 | 基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201910430611.2 | 应变型氧化镓MOSFET器件结构及制备方法 | 西安电子科技大学 | 冯倩 |
201711187876.1 | GaN基JBS与超级结混合结构二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201810900497.0 | 基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201710411588.3 | 异质结阻变存储器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810592174.X | 一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810952687.7 | 一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 贾护军 |
201910054769.4 | 基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张雅超 |
201810946004.7 | 基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张雅超 |
201810801746.0 | 基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 许晟瑞 |
201810592160.8 | 基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810461440.5 | HEMT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201910459143.1 | 一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管 | 西安电子科技大学 | 宋庆文 |
201910224881.8 | 无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201910754063.9 | 具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201910754051.6 | 具有部分碳化硅/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201810321820.9 | 渐变组分漂移层垂直型功率二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201910430622.0 | 高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 冯倩 |
201810320962.3 | 具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201810945840.3 | 一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 张雅超 |
201910976638.1 | 基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201810689886.3 | 基于石墨烯插入层结构的GaN基L ED器件制备方法 | 西安电子科技大学 | 宁静 |
201811003853.5 | 一种HEMT开关器件 | 西安电子科技大学 | 郑雪峰 |
201711382462.4 | 一种L ED芯片的制造方法及L ED芯片 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201810466984.0 | 一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201811558022.4 | 一种双异质结和复合钝化层的IMPAT T二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 杨林安 |
201810433595.8 | GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201810709666.2 | P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法 | 西安电子科技大学 | 王冲 |
201510670150.8 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张冬梅 |
201610531756.8 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610407346.2 | 半导体结构及形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610531721.4 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201511025334.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610079732.3 | 环栅MOSFET及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201610407349.6 | 栅控二极管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610605668.8 | 一种半导体器件及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 禹国宾 |
201510666662.7 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201510336342.5 | 一种半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 肖德元 |
201510894467.X | 提高鳍式场效应管性能的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510540806.4 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510016512.1 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510459384.8 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510654252.0 | PMOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201610011819.7 | 半导体器件以及改善半导体器件性能的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610079722.X | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201610083791.8 | 晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610216934.8 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 纪世良 |
201610318186.4 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610885872.X | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610403191.5 | 一种用于同时检测多个底部接触塞的工艺窗口的版图结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李莹 |
201610134339.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘继全 |
201510465562.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201410537884.4 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐建华 |
201510144359.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201610420453.9 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610527902.X | 多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 神兆旭 |
201510896857.0 | 改善SRAM性能的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201611083625.4 | 静电放电保护结构及其形成方法和工作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610231201.1 | SRAM存储器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610531682.8 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610297863.9 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610204360.2 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201410707066.4 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘焕新 |
201510006082.5 | P型鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610365140.8 | LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610630458.4 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 谢欣云 |
201610643226.2 | FinFET器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄敬勇 |
201610404786.2 | 晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈景龙 |
201610073062.4 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610510623.2 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201510547991.X | 高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510536211.1 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 黄子伦 |
201510741813.0 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610206325.4 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王冬江 |
201610208077.7 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510658333.8 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵海 |
201510654255.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵杰 |
201610414190.0 | CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610126984.7 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201610255609.2 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 万宇 |
201510631712.8 | 电阻随机存取存储器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 肖莉红 |
201610935251.8 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201410766590.9 | MOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王文博 |
201610237031.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610667678.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610915984.5 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201610919782.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈宗高 |
201510615429.6 | 一种用于ESD防护的STI二极管 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610802975.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201410310519.X | 一种半导体器件及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201410696596.3 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201610293401.X | GGNMOS晶体管、多指GGNMOS器件及电路 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 雷玮 |
201510894481.X | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610079377.X | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201610405073.8 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610504769.6 | LDMOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201510894291.8 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610006633.2 | 双极型晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杨晓蕾 |
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201710432825.4 | 一种基于倒装封装的L ED芯片结构 | 电子科技大学 | 周伟 |
201610896409.5 | 一种自平衡的太赫兹肖特基势垒二极管 | 电子科技大学 | 张勇 |
201710991444.X | 一种磷化铟纳米锥膜及其制备方法和应用 | 电子科技大学 | 王志明 |
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201710439235.4 | 一种短路阳极SOI LIGBT | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
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201710425816.2 | 一种超结DMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
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201710668240.2 | 一种深槽超结DMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
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201710433420.2 | 一种碳化硅T rench MOS器件及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
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201710508421.9 | 一种碳化硅功率器件终端结构 | 电子科技大学 | 张有润 |
201710726176.9 | 一种变禁带宽度的超结VDMOS器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201710986449.3 | 一种具有拑位结构的沟槽栅电荷储存型IGBT器件及其制造方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
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201710149961.2 | 一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构 | 电子科技大学 | 刘继芝 |
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201811060221.2 | 一种自偏置各向异性磁电阻传感单元的制备方法 | 电子科技大学 | 唐晓莉 |
201910025423.1 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | 电子科技大学 | 熊杰 |
201710642100.8 | 一种消除高电场的器件 | 电子科技大学 | 章文通 |
201710668236.6 | 一种超结VDMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201710985732.4 | 一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201710371935.4 | 一种逆阻型氮化镓器件 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201710709133.X | 一种改善关断特性的栅控晶闸管器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201710726660.1 | 一种横向双扩散MOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810191091.X | 高di/dt耐量光控晶闸管 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201810330128.2 | 高di/dt光控晶闸管版图设计方法 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201811381512.1 | 一种MSM光电探测器的制备方法 | 电子科技大学 | 苟君 |
201810893390.8 | 基于a-SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 李伟 |
201810893394.6 | 基于a-SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 李伟 |
201810113817.8 | 一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201711026475.8 | 具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201711445502.5 | 带有P型埋层的双栅载流子储存性IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201810113820.X | 一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201710625714.5 | 一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET | 电子科技大学 | 任敏 |
201710490849.5 | 一种具有表面双栅控制的横向RC-IGBT器件 | 电子科技大学 | 赵建明 |
201810366519.X | 一种基于反溶剂动态旋涂制备钙钛矿薄膜的方法 | 电子科技大学 | 熊杰 |
201810944474.X | 一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法 | 电子科技大学 | 黄文 |
201810003688.7 | 一种基于有机场效应管压力传感器及其制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201610310899.6 | 具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810113223.7 | 一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201810003748.5 | 一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201811185124.6 | 一种白光钙钛矿型电致发光器件以及制备方法 | 电子科技大学 | 郭浩 |
201810113221.8 | 一种具有快速关断特性的SOI LIGBT | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201810224788.2 | 一种槽栅短路阳极SOI LIGBT | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201810953482.0 | 一种具有稳固短路承受能力的IGBT | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201710708389.9 | 一种具有复合栅介质的栅控晶闸管 | 电子科技大学 | 任敏 |
201710425854.8 | 一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810326836.9 | 一种屏蔽栅功率DMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201710762028.2 | 一种基于低温制备热结晶活性层的厚膜有机太阳能电池及其制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201910266142.5 | 一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法 | 电子科技大学 | 高瞻 |
201810685086.4 | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管 | 电子科技大学 | 杜江锋 |
201710509569.4 | GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张有润 |
201810996515.X | 一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201711235719.3 | 多沟道的横向高压器件 | 电子科技大学 | 周锌 |
201810711336.7 | 一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管及其制备方法 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201811081497.9 | 一种基于磁场效应旋涂工艺的有机光电探测器及制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201811091002.0 | 一种基于有机场效应管的光敏传感器及其制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201810571838.4 | 一种二极管及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810996571.3 | 一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810042181.2 | 一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201810113804.0 | 一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810989310.9 | 一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201711219518.4 | 用于ESD防护的可控硅整流器 | 电子科技大学 | 乔明 |
201810553861.0 | 一种二极管及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201710232453.0 | 硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法 | 电子科技大学 | 李春 |
201810952144.5 | 一种制造柔性光电探测器的方法 | 电子科技大学 | 李世彬 |
201711455406.9 | 一种逆阻型功率MOSFET器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201710203874.0 | 一种SOI横向高压器件 | 电子科技大学 | 章文通 |
201710384050.8 | 一种SOI层变掺杂的BCD器件及其制造方法 | 电子科技大学 | 乔明 |
201811298649.0 | 基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器及制备方法 | 电子科技大学 | 金立川 |
201810999865.1 | 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法 | 电子科技大学 | 刘黎明 |
201810490309.1 | 一种基于超声波退火工艺的有机太阳能电池及其制备方法 | 电子科技大学 | 钟建 |
201810394401.8 | 一种硅基三光电探测器 | 电子科技大学 | 张有润 |
201710665471.8 | 一种超结功率器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810998571.7 | 一种横向沟槽型MOSFET器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910738050.2 | 一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻型IGBT | 电子科技大学 | 郑崇芝 |
201711119005.6 | 一种逆阻型氮化镓器件 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201710726322.8 | 一种具有抗SEB能力的VDMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201711454712.0 | 一种逆阻型VDMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810991168.1 | 一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810892819.1 | 基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 李伟 |
201810893392.7 | 基于a-SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 李东阳 |
201811566341.X | 基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管及其制备方法 | 电子科技大学 | 杨鑫 |
201810105718.5 | 一种具有纵向变掺杂剂量的深槽型横向耐压区 | 电子科技大学 | 程骏骥 |
201711327045.X | 一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件 | 电子科技大学 | 罗谦 |
201810996514.5 | 一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910812108.3 | 一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910316577.6 | 具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件 | 电子科技大学 | 易波 |
201810432406.5 | 一种低压电干扰的柔性热释电红外探测器敏感单元 | 电子科技大学 | 黎威志 |
201910805736.9 | 一种多槽栅横向高压功率器件制造方法 | 电子科技大学 | 魏杰 |
201810131088.9 | 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | 电子科技大学 | 邓小川 |
201810111441.7 | 一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810550253.4 | 一种优化体内电场的载流子增强型IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201810959902.6 | 非富勒烯有机太阳能电池及其制备方法 | 电子科技大学 | 陶斯禄 |
201910231335.7 | 基于复合电子传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法 | 电子科技大学 | 杨根杰 |
201810181699.4 | 一种基于混蒸工艺的具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | 电子科技大学 | 黄江 |
201910088614.2 | 双异质结光敏二极管及制备方法 | 电子科技大学 | 刘兴钊 |
201710985725.4 | 一种CSTBT器件及其制造方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910777480.5 | 一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810550237.5 | 一种集成电压采样功能的IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201910805725.0 | 一种短路阳极薄层高压功率器件 | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201910806766.1 | 一种具有短路自保护能力的横向IGBT | 电子科技大学 | 张金平 |
201910812056.X | 一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810182220.9 | 一种具有能带梯度的钙钛矿可见光探测器及其制备方法 | 电子科技大学 | 黄江 |
201810990451.2 | 一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910805845.0 | 一种超低功耗薄层高压功率器件 | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201810207164.X | 一种横向IGBT的制造方法 | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201810548361.8 | 一种具有内置JFET结构的IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201810748803.3 | 一种槽栅双极型晶体管 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201910777572.3 | 一种横向IGBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910805741.X | 一种高速低功耗高压功率器件 | 电子科技大学 | 罗小蓉 |
201680057871.4 | 一种具有体内场板的折叠型终端 | 电子科技大学 | 任敏 |
201710432727.0 | 一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201710716441.5 | 一种深槽DMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810490635.2 | 一种集成肖特基二极管的LDMOS器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201910831289.4 | 一种VDMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810182676.5 | 一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | 电子科技大学 | 黄江 |
201710984650.8 | 一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201711021619.0 | 具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810998572.1 | 一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910398946.0 | 一种含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料、制备方法及其应用 | 电子科技大学 | 郑永豪 |
201811166608.6 | 一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201510999925.6 | 消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法 | 电子科技大学 | 李俊宏 |
201910213950.5 | 一种高度稳定铅基有机-无机杂化钙钛矿纳米片制备方法 | 电子科技大学 | 彭波 |
201710761364.5 | 一种MOS栅控晶闸管及其制作方法 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201710053780.X | DAST单晶压电材料及其制备方法 | 电子科技大学 | 许向东 |
201711020958.7 | 一种具有混合导电模式的超结IGBT器件 | 电子科技大学 | 张金平 |
201711445407.5 | 一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201810527223.1 | 一种超结器件终端结构 | 电子科技大学 | 任敏 |
201810948820.1 | 一种双极型功率半导体器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810991188.9 | 碳化硅MOSFET器件及其制造方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810997831.9 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910062231.8 | 一种基于LIGBT的双栅控制采样器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201910806717.8 | 一种具有短路自保护能力的IGBT | 电子科技大学 | 张金平 |
201680057865.9 | 一种提高抗单粒子烧毁能力的槽栅MOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201811070263.4 | 一种横向高压器件 | 电子科技大学 | 乔明 |
201910378860.1 | 一种低温制备柔性钙钛矿太阳能电池的方法 | 电子科技大学 | 刘明侦 |
201811201088.8 | 一种基于有机场效应管红外探测器及其制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201910793928.2 | 一种基于海藻酸钠交联光活性层的钙钛矿光电探测器及其制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201910204773.4 | P+屏蔽层电位可调碳化硅MOSFET器件及制备方法 | 电子科技大学 | 邓小川 |
201711425125.9 | 一种RC-IGBT器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810953505.8 | 一种具有低噪声低开关损耗特性的IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201910629038.8 | 一种MOS控制晶闸管 | 电子科技大学 | 张波 |
201911037622.0 | 一种MOS栅控晶闸管及其制造方法 | 电子科技大学 | 张波 |
201810997847.X | 一种横向MOSFET器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201910203095.X | 具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件 | 电子科技大学 | 周锌 |
201910203910.2 | 一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 邓小川 |
201910351121.3 | 一种功率半导体器件及其制造方法 | 电子科技大学 | 周锌 |
201910805592.7 | 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法 | 电子科技大学 | 陈金菊 |
201811195765.X | 一种宽光谱探测器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 于军胜 |
201910242627.0 | 一种具有垂直能带梯度的钙钛矿光电探测器及其制备方法 | 电子科技大学 | 黄江 |
201910510365.1 | 基于植物纤维的柔性压电能量采集器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张晓升 |
201810949847.2 | 一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201811621620.1 | 一种抗辐射半导体器件终端结构 | 电子科技大学 | 周锌 |
201910203535.1 | 一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 | 电子科技大学 | 邓小川 |
201910233361.3 | 一种槽栅双极型晶体管 | 电子科技大学 | 陈万军 |
201910573447.0 | 具有SCR结构的IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201810990432.X | 一种沟槽型超结功率终端结构及其制备方法 | 电子科技大学 | 任敏 |
201811621100.0 | 功率半导体器件 | 电子科技大学 | 周锌 |
201710642237.3 | 一种高耐压横向超结器件 | 电子科技大学 | 章文通 |
201711251078.0 | 层结构非对称的MXene及其衍生的异质结 | 电子科技大学 | 刘焕明 |
201810549474.X | 一种具有凹槽栅型JFET结构的IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201810898315.0 | 一种超结功率器件终端结构及其制备方法 | 电子科技大学 | 任敏 |
201811622189.2 | 一种横向抗辐射功率器件结构 | 电子科技大学 | 周锌 |
201910572446.4 | 具有PNP穿通三极管的IGBT器件 | 电子科技大学 | 李泽宏 |
201910753248.8 | 一种无Snapback效应逆导IGBT及其制造方法 | 电子科技大学 | 张波 |
201911070895.5 | 一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法 | 电子科技大学 | 张金平 |
201810058240.5 | 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管 | 电子科技大学 | 谢倩 |
201811383176.4 | 一种利用二极管钳位的具有载流子存储层的IGBT器件 | 电子科技大学 | 易波 |
201811383212.7 | 一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件 | 电子科技大学 | 易波 |
201910293422.5 | 一种具有超低导通压降的高速IGBT器件 | 电子科技大学 | 易波 |
201910720650.6 | 一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件 | 电子科技大学 | 易波 |
201711455561.0 | 一种逆阻型VDMOS器件 | 电子科技大学 | 任敏 |
201811579271.1 | 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法 | 电子科技大学 | 金立川 |
201910216960.4 | 一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及制备方法 | 电子科技大学 | 黄文 |
201810198345.0 | 一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法 | 电子科技大学 | 熊杰 |
201610824040.7 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家铭 |
201610863516.8 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赖政杰 |
201410373097.0 | 具有导电蚀刻停止层的RRAM单元结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘铭棋 |
201610815080.5 | 作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕寰 |
201610073187.7 | 具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧婉匀 |
201610090342.6 | 掩埋沟道半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈家忠 |
201610916350.1 | 带有固相扩散的集成电路结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201410800225.5 | 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张简旭珂 |
201610915693.6 | FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610550338.3 | 半导体部件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 巫柏奇 |
201610719403.0 | 用于FINFET的栅极替代工艺 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江宏礼 |
201610729819.0 | 用于FINFET的源极和漏极工艺 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201611180076.2 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
201710012907.3 | 两步伪栅极形成 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201710286253.3 | FinFET结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林志翰 |
201610680892.3 | 鳍式场效应晶体管结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201510812685.4 | FinFET结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201510245423.4 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林孟佑 |
201510790762.0 | 半导体器件结构的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201510859637.0 | 半导体装置 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨育佳 |
201510262860.7 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 温宗尧 |
201510298932.3 | 包括FinFET的半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄俊程 |
201610688858.0 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610784021.6 | 半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 叶启瑞 |
201611221320.5 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冯家馨 |
201510777502.X | 垂直式半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林义雄 |
201610677738.0 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李春霆 |
201510859529.3 | 半导体元件及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 布莱戴恩·杜瑞兹 |
201510852268.2 | 包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赵元舜 |
201610084673.9 | 多阈值电压场效应晶体管及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 埃米沃克 |
201710301063.4 | 金属栅极隔离结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林志翰 |
201611255244.X | 半导体结构和其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 庄学理 |
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201510860763.8 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201510321307.6 | 半导体器件结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕志 |
201510122423.5 | 具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201610663504.0 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冯家馨 |
201710289431.8 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201611222514.7 | 半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林于轩 |
201710183215.5 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王朝勋 |
201611216681.0 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 邓桔程 |
201610903179.0 | 原子层沉积方法及其结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李欣怡 |
201610622326.7 | 半导体元件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610729667.4 | 半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 方琮闵 |
201510833407.7 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡俊雄 |
201610023757.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 游承谚 |
201610683475.4 | 互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林瑀宏 |
201610516949.6 | 鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈建颖 |
201510262888.0 | 具有互连结构的半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 戚国强 |
201510245445.0 | 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲豪 |
201610719830.9 | 鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201511025062.9 | 纳米线半导体器件结构及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 戈本·多恩伯斯 |
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