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2020年半导体制造领域的中国局专利的发展竞争态势——上海、北京、台湾领先，中芯国际、台积电、京东方较强
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告1522.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
第一部分 2020年中国国家发明专利统计分析报告
8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势
8.38 半导体制造领域中国局专利的发展竞争态势
第38个技术领域是半导体制造，包括半导体及其部件的制造方法和设备。
图8.38-1 半导体制造领域的中国局专利增长情况
2020年，中国局在半导体制造领域上的专利授权增长2%，达到7257项，占总授权量的1%，该领域是专利数量第42多的技术领域。近年来，半导体制造领域的专利增长缓慢，并且波动较大。
表8.38-1 2020年各国半导体制造领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 4441 | 71% | 1% |
2 | 日本 | 976 | 13% | 3% |
3 | 美国 | 553 | 8% | 3% |
4 | 德国 | 106 | 1% | 1% |
5 | 韩国 | 241 | 3% | 3% |
6 | 法国 | 26 | 0% | 1% |
7 | 瑞士 | 6 | 0% | 0% |
8 | 荷兰 | 16 | 0% | 1% |
9 | 瑞典 | 2 | 0% | 0% |
10 | 英国 | 8 | 0% | 1% |
11 | 意大利 | 9 | 0% | 1% |
12 | 新加坡 | 14 | 0% | 1% |
13 | 丹麦 | 1 | 0% | 0% |
14 | 奥地利 | 26 | 0% | 4% |
15 | 其他 | 91 | 1% | 1% |
小计 | 7257 | 100% | 1% |
注：本表按照第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。
我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的71%，份额相对偏低10个百分点。国内专利中有1%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于美国、日本、韩国等国家，这说明我国在半导体制造领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。
表8.38-2 2020年国内各省市区半导体制造领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 上海 | 1191 | 23% | 5% |
2 | 北京 | 790 | 15% | 1% |
3 | 台湾 | 735 | 14% | 12% |
4 | 江苏 | 538 | 10% | 1% |
5 | 广东 | 465 | 9% | 1% |
6 | 湖北 | 367 | 7% | 2% |
7 | 浙江 | 231 | 4% | 0% |
8 | 陕西 | 143 | 3% | 1% |
9 | 安徽 | 130 | 3% | 1% |
10 | 四川 | 128 | 2% | 1% |
11 | 湖南 | 68 | 1% | 1% |
12 | 山东 | 65 | 1% | 0% |
13 | 福建 | 63 | 1% | 1% |
14 | 辽宁 | 47 | 1% | 1% |
15 | 重庆 | 47 | 1% | 1% |
16 | 河北 | 47 | 1% | 1% |
17 | 天津 | 25 | 0% | 0% |
18 | 吉林 | 23 | 0% | 1% |
19 | 河南 | 18 | 0% | 0% |
20 | 黑龙江 | 13 | 0% | 0% |
21 | 江西 | 13 | 0% | 0% |
22 | 山西 | 8 | 0% | 0% |
23 | 贵州 | 8 | 0% | 0% |
24 | 云南 | 7 | 0% | 0% |
25 | 香港 | 6 | 0% | 1% |
26 | 内蒙古 | 3 | 0% | 0% |
27 | 宁夏 | 2 | 0% | 0% |
28 | 甘肃 | 1 | 0% | 0% |
29 | 广西 | 0 | 0% | 0% |
30 | 新疆 | 0 | 0% | 0% |
31 | 海南 | 0 | 0% | 0% |
32 | 青海 | 0 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 0 | 0% | 0% |
34 | 澳门 | 0 | 0% | 0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
2020年，上海获得该领域国家专利1191项，占该领域的份额为23%，占本地区专利的5%；其次是北京，达到790项，占该领域的份额为15%，占本地区专利的1%。上海和北京在半导体制造领域上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的半导体制造技术研发力量，是研发能力最强的地区。
图8.38-2 2020年国内各省市区半导体制造领域专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在上海、北京、台湾、江苏、广东、湖北、浙江，这7个省区在2020年获得的专利数量共占国内的83%，是我国半导体制造技术专利研发的重要地区。
图8.38-3 2020年国内各省市区半导体制造领域专利的技术构成比重
另外，台湾、上海、湖北、北京、陕西、江苏、香港、四川在该领域上的技术构成比重较高，超过或达到1%，表明这些地区比较侧重半导体制造技术的研发。
表8.38-3 2020年半导体制造领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 中国上海 | 598 | 67% |
2 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 366 | 69% |
3 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 288 | 11% |
4 | 应用材料公司 | 美国 | 140 | 56% |
5 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 126 | 35% |
6 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 123 | 53% |
7 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 中国北京 | 102 | 58% |
8 | 东京毅力科创株式会社 | 日本 | 101 | 66% |
9 | 西安电子科技大学 | 中国陕西 | 95 | 7% |
9 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 95 | 43% |
11 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 86 | 74% |
12 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 83 | 36% |
13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国湖北 | 80 | 12% |
14 | 电子科技大学 | 中国四川 | 69 | 3% |
15 | 英特尔公司 | 美国 | 66 | 11% |
16 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 62 | 4% |
17 | 科磊股份有限公司 | 美国 | 60 | 53% |
18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 59 | 14% |
19 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 57 | 67% |
20 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 中国北京 | 56 | 82% |
21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 55 | 9% |
22 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 54 | 23% |
22 | 格罗方德半导体公司 | 开曼群岛 | 54 | 75% |
24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 53 | 12% |
25 | 朗姆研究公司 | 美国 | 52 | 63% |
26 | 株式会社迪思科 | 日本 | 47 | 54% |
27 | 三菱电机株式会社 | 日本 | 43 | 4% |
28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 中国上海 | 42 | 66% |
29 | 清华大学 | 中国北京 | 40 | 1% |
30 | 富士电机株式会社 | 日本 | 39 | 25% |
31 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 中国上海 | 38 | 22% |
32 | 矽品精密工业股份有限公司 | 中国台湾 | 37 | 70% |
32 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 中国上海 | 37 | 58% |
34 | 北大方正集团有限公司 | 中国北京 | 34 | 22% |
35 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 中国上海 | 32 | 26% |
35 | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 | 中国江苏 | 32 | 8% |
37 | 江苏长电科技股份有限公司 | 中国江苏 | 30 | 91% |
38 | 株式会社斯库林集团 | 日本 | 29 | 57% |
38 | 无锡华润上华科技有限公司 | 中国江苏 | 29 | 58% |
40 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 中国台湾 | 28 | 64% |
40 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 28 | 26% |
42 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 中国江苏 | 26 | 72% |
42 | 北京大学 | 中国北京 | 26 | 4% |
42 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 26 | 5% |
45 | 琳得科株式会社 | 日本 | 24 | 30% |
45 | 株式会社荏原制作所 | 日本 | 24 | 47% |
47 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 23 | 21% |
47 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 中国江苏 | 23 | 47% |
47 | 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 | 中国上海 | 23 | 82% |
50 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 22 | 21% |
50 | 株式会社国际电气 | 日本 | 22 | 92% |
52 | 浙江大学 | 中国浙江 | 21 | 1% |
52 | 德淮半导体有限公司 | 中国江苏 | 21 | 40% |
54 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 20 | 6% |
54 | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 | 中国上海 | 20 | 53% |
54 | 高通股份有限公司 | 美国 | 20 | 2% |
54 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 20 | 5% |
54 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 20 | 7% |
54 | 信越半导体株式会社 | 日本 | 20 | 74% |
60 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 19 | 16% |
60 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 19 | 1% |
60 | 索尼公司 | 日本 | 19 | 2% |
63 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 18 | 6% |
63 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 中国浙江 | 18 | 95% |
63 | 南亚科技股份有限公司 | 中国台湾 | 18 | 46% |
66 | 广东工业大学 | 中国广东 | 17 | 2% |
66 | 细美事有限公司 | 韩国 | 17 | 59% |
66 | 日产化学工业株式会社 | 日本 | 17 | 18% |
69 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 16 | 3% |
69 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 中国福建 | 16 | 67% |
69 | 华南理工大学 | 中国广东 | 16 | 1% |
69 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 美国 | 16 | 10% |
69 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 | 中国浙江 | 16 | 64% |
69 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集 | 中国北京 | 16 | 52% |
69 | 昆山国显光电有限公司 | 中国江苏 | 16 | 6% |
76 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 中国湖南 | 15 | 13% |
76 | 胜高股份有限公司 | 日本 | 15 | 63% |
76 | 古河电气工业株式会社 | 日本 | 15 | 18% |
79 | 东和株式会社 | 日本 | 14 | 61% |
79 | 长鑫存储技术有限公司 | 中国安徽 | 14 | 58% |
79 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 中国河北 | 14 | 30% |
79 | 通富微电子股份有限公司 | 中国江苏 | 14 | 78% |
83 | 夏普株式会社 | 日本 | 13 | 3% |
83 | 成都海威华芯科技有限公司 | 中国四川 | 13 | 81% |
83 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 中国江苏 | 13 | 11% |
83 | 富士胶片株式会社 | 日本 | 13 | 3% |
83 | 株式会社爱发科 | 日本 | 13 | 30% |
83 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 | 13 | 12% |
83 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 中国北京 | 13 | 11% |
83 | 住友电气工业株式会社 | 日本 | 13 | 9% |
91 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 12 | 0% |
91 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 12 | 14% |
91 | 深圳市晶相技术有限公司 | 中国广东 | 12 | 100% |
91 | 中国科学院半导体研究所 | 中国北京 | 12 | 6% |
91 | 北京中电科电子装备有限公司 | 中国北京 | 12 | 100% |
91 | 迪睿合株式会社 | 日本 | 12 | 18% |
97 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 11 | 0% |
97 | 上海和辉光电有限公司 | 中国上海 | 11 | 10% |
97 | 东芝存储器株式会社 | 日本 | 11 | 16% |
97 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 奥地利 | 11 | 27% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
2020年，在半导体制造领域上获得中国局专利授权最多的机构是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，其次是台湾积体电路制造股份有限公司和京东方科技集团股份有限公司。
图8.38-4 2020年半导体制造领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看，晶相、中电科、国际电气、长电、中芯国际、盛美、格罗方德等机构的比重较高，均超过70%，这些机构一多半的专利属于该领域，半导体制造技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。
图8.38-5 2020年30家机构的半导体制造技术构成比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.38-1 2020年半导体制造领域的中国局主要机构的专利
专利号 | 专利名称 | 权利人 | 发明人 |
201610409464.7 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王军 |
201610130096.2 | 一种反应腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 蒋 |
201710457272.8 | 成膜方法和TFT的制造方法 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤吉宏 |
201711262383.X | 基板处理腔室和半导体处理系统 | 应用材料公司 | 梁奇伟 |
201711417582.3 | 气体供给装置及其制造方法以及等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 佐佐木芳彦 |
201510670150.8 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张冬梅 |
201580003949.X | 含有重原子的化合物的等离子体减量 | 应用材料公司 | 迈克尔 · S · 考克斯 |
201580054412.6 | 蚀刻方法 | 东京毅力科创株式会社 | 竹谷考司 |
201510564304.5 | 一种基片的刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张 |
201580029541.X | 包含光纤加热的基板温度控制装置、基板温度控制系统、电子器件处理系统及方法 | 应用材料公司 | 马修 · 巴斯彻 |
201410654365.6 | 一种降低源极和漏极电阻的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201610824040.7 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家铭 |
201611135570.7 | 使用热与机械强化层的装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201610407471.3 | 半导体结构及形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周 |
201510669901.4 | 一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周 |
201510611653.8 | 反应腔室以及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 余志 |
201610069114.0 | 基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 张健 |
201610396883.1 | 一种承载装置及预清洗腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张 |
201710327078.8 | 用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 侯珏 |
201610398774.3 | 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王辛 |
201410648459.2 | 基片固定方法及装置、半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 管长 |
201510896190.4 | 托盘组件 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张宝辉 |
201510622384.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王 |
201510975478.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘焕 |
201510623142.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘继 |
201610021334.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 胡敏达 |
201510755854.5 | 晶圆级封装件的切割 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑佳申 |
201511024383.7 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周 |
201610527879.4 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周 |
201710482330.2 | 伪金属帽和再分布线的路由设计 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201611040773.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 许谢慧娜 |
201611246169.0 | 半导体器件、MIM电容器及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 周仲彦 |
201410088289.7 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王孝远 |
201610742346.8 | 半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李佳叡 |
201510519084.4 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋松 |
201510975530.2 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李凤莲 |
201610863516.8 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赖政杰 |
201680029154.0 | 赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层 | 应用材料公司 | P·K·库尔施拉希萨 |
201410086407.0 | 一种光掩模制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 巫轶骏 |
201510851598.X | 在氧化物衬底上的FinFET沟道和相关方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201710749283.3 | 基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201710024600.5 | 显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张俊 |
201610815080.5 | 作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕寰 |
201710251930.8 | 薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郑在纹 |
201580036643.4 | 极紫外线覆盖层及其的制造与光刻方法 | 应用材料公司 | 卡拉·比斯利 |
201480050843.0 | 用于物理气相沉积腔室的双极准直器 | 应用材料公司 | 李靖珠 |
201580010005.5 | 用于修改基板表面的掠射角等离子体处理 | 应用材料公司 | L·戈黛 |
201580026139.6 | 灯的固持及绝缘特征结构 | 应用材料公司 | 姚东明 |
201580035113.8 | 扫描脉冲退火装置及方法 | 应用材料公司 | 阿伦·缪尔·亨特 |
201710313396.9 | 高功率PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201710364157.6 | InAs/AlSb HEMT及MOS-HEMT器件的制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201610073187.7 | 具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧婉匀 |
201610090342.6 | 掩埋沟道半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈家忠 |
201611001301.1 | 导电外部连接器结构、半导体器件及形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 施孟甫 |
201710141952.9 | 一种设置开闭侦测装置的处理槽 | 上海华力微电子有限公司 | 吴智翔 |
201810001968.4 | 一种胶带贴附设备和胶带的贴覆方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蔡光源 |
201480065526.6 | 用于较小晶片及晶片片段的晶片载具 | 应用材料公司 | 迈克尔·S·考克斯 |
201510807835.2 | 用于形成半导体器件结构的互连结构的通孔轮廓的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧伟印 |
201610677823.7 | 互连结构和其制造方法及半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林瑀宏 |
201610912647.0 | 具有PMOS存取晶体管的RRAM单元及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 石昇弘 |
201610621501.0 | 应变纳米线CMOS器件和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201410733604.7 | 叠层封装件结构中的翘曲控制 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈威宇 |
201710086972.0 | 一种阵列基板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 肖志莲 |
201610916350.1 | 带有固相扩散的集成电路结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201610916999.3 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄正仪 |
201610770652.2 | 集成电路及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宜静 |
201710281639.5 | 一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何晓龙 |
201610816073.7 | 显示基板及制作方法和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周桢力 |
201710736837.6 | 背板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201410800225.5 | 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张简旭珂 |
201610915693.6 | FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710609969.2 | 一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 田志 |
201510776938.7 | 用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴健立 |
201780019678.6 | 选择性SiARC去除 | 东京毅力科创株式会社 | 希亚姆·斯里达尔 |
201510826986.2 | 用于清洁等离子体处理室和衬底的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 洪士平 |
201610090996.9 | 填充凹部的方法以及处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 千叶洋一郞 |
201610531827.4 | 形成多孔低-k结构的系统和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林伯俊 |
201610907217.X | 化学汽相沉积装置和利用该装置制造半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郭人华 |
201610550338.3 | 半导体部件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 巫柏奇 |
201610719403.0 | 用于FINFET的栅极替代工艺 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江宏礼 |
201610729819.0 | 用于FINFET的源极和漏极工艺 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201611180076.2 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
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201710401452.4 | 一种减小STI-CMP过程中碟型凹陷的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 杨钰 |
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201580038105.9 | 减少工艺腔室内基板滑动的设备及方法 | 应用材料公司 | 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏 |
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201610531721.4 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
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201480024290.1 | 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫 | 应用材料公司 | 穆罕默德萨米尔 |
201610796315.0 | 用于多图案化应用的光调谐硬掩模 | 应用材料公司 | 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 |
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201710060655.1 | 基板交接位置的示教方法和基板处理系统 | 东京毅力科创株式会社 | 阪上博充 |
201710992688.X | 转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张文 |
201711073025.4 | 一种检测及校正晶圆与腔体载物台偏移的装置及方法 | 上海华力微电子有限公司 | 胡向华 |
201711092655.6 | 一种高效的缺陷抽检方法及系统 | 上海华力微电子有限公司 | 韩超 |
201610527722.1 | 机械手及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 于丰源 |
201510897240.0 | 承载装置以及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 魏晓 |
201610804584.7 | 一种静电卡盘和半导体处理装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 周娜 |
201410555654.0 | 压环机构及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 郭浩 |
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201610664839.4 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 胡嘉欣 |
201710761489.8 | 3D存储器的蚀刻方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 洪培真 |
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201710361808.6 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧娟 |
201711177123.2 | 一种监测离子注入设备性能的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张立 |
201710235790.5 | 一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201710772290.5 | 一种氮化硅层的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张高升 |
201710583819.9 | 耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法及其结构 | 西安电子科技大学 | 张艺蒙 |
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201711131180.7 | 一种消除湿法刻蚀金属硅化物阻挡层底切缺陷的工艺方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩朋刚 |
201710643445.5 | 对位贴合设备和对位贴合方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王伟伟 |
201710005691.8 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏磊 |
201810002569.X | 一种显示面板、电子设备及显示面板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 赵伟利 |
201810639018.4 | 三维存储器的制备方法及半导体结构的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201710149453.4 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 贵炳强 |
201710318784.6 | 半导体器件制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄秋铭 |
201710131906.0 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧 |
201710198484.9 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢鑫泓 |
201710500420.X | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朴求铉 |
201480067786.7 | 光纤阵列线路发生器 | 应用材料公司 | 道格拉斯·E·霍姆格伦 |
201610651985.3 | 半导体装置的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林毓超 |
201710758628.1 | 一种降低堆栈式CIS背照式工艺中晶圆滑片风险的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张磊 |
201610596339.1 | 自对准双重曝光显影工艺的方法以及半导体器件 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 叶滋婧 |
201710398746.6 | 高耐久性极紫外光掩模 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余家豪 |
201580029372.X | 用于实时抛光配方控制的方法及系统 | 应用材料公司 | 杰米·S·莱顿 |
201710552553.1 | 晶圆的平坦化方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 吴建荣 |
201410428687.9 | 一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 雷通 |
201510852268.2 | 包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赵元舜 |
201810029305.3 | 一种金属层剥离方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 王鹏 |
201510141237.6 | 结合晶圆实体测量与数位模拟以改善半导体元件制程方法 | 应用材料公司 | 林志诚 |
201710613874.8 | 一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 成智 |
201710985188.3 | 一种套刻精度点检方法 | 上海华力微电子有限公司 | 朱晓斌 |
201710140799.8 | 一种微环境与晶圆盒之间接口的密封装置及密封方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐冬 |
201710758627.7 | 基于计算机辅助设计的晶圆激光标识工艺实现方法及系统 | 上海华力微电子有限公司 | 孙天拓 |
201510005764.4 | 一种SOI器件及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘金华 |
201710987035.2 | 浅沟槽隔离结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 蔡毅 |
201710224259.8 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 崔承镇 |
201610084673.9 | 多阈值电压场效应晶体管及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 埃米沃克 |
201710301063.4 | 金属栅极隔离结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林志翰 |
201410427471.0 | SONOS闪存器件及其编译方法 | 上海华力微电子有限公司 | 顾经纶 |
201710884971.0 | 一种分裂栅的栅极形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许鹏凯 |
201710301304.5 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王涛 |
201710374728.4 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李洋 |
201710534097.8 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 臧鹏程 |
201710692964.0 | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710736947.2 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王文涛 |
201710329943.2 | 发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾鹏飞 |
201810509909.8 | OL ED显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张浩 |
201611210305.0 | 一种纵向沟道的SiC结型栅双极型晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 宋庆文 |
201610298895.0 | T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管 | 西安电子科技大学 | 张金风 |
201580009168.1 | 光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了其的图案形成方法、以及半导体器件、光刻用掩模和纳米压印用模板的制造方法 | 东京毅力科创株式会社 | 永原诚司 |
201580034916.1 | 用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置 | 应用材料公司 | 周建华 |
201710171104.2 | 氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710787331.8 | 一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
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201610657876.2 | 一种机械手取片方法和放片方法及装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王艳领 |
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201710772332.5 | 一种双栅氧化层制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 田武 |
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201810174492.4 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 乔赟 |
201610065159.0 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 万幸仁 |
201711138236.1 | HEMT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201711181154.5 | 一种待切割母板、基板制备方法及基板切割精度检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谢扶政 |
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201710736777.8 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
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201980000233.2 | 集成电路封装结构及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
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201610091575.8 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
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201710174303.9 | 等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 永海幸一 |
201610404770.1 | 双极结型晶体管的制造方法及半导体芯片的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张焕云 |
201710031387.0 | 一种真空系统及控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付文悦 |
201580044951.1 | 具有介电常数设计的原位电荷捕获材料的高温静电夹盘 | 应用材料公司 | P·K·库尔施拉希萨 |
201710071162.8 | 基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 林德太郎 |
201610459954.8 | 快闪记忆体中浅沟槽的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 常荣耀 |
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201910676806.5 | 一种三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 何家兰 |
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201710348413.2 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘珠林 |
201710128759.1 | 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置、载体基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田宏伟 |
201710156182.5 | 超结器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李昊 |
201610927405.9 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 常荣耀 |
201710700995.6 | 半导体方法和器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 苏怡年 |
201410325477.7 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王新鹏 |
201610261460.9 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 任佳 |
201610820664.1 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘子正 |
201580053279.2 | 用于基座组件的弹簧负载销及使用该弹簧负载销的处理方法 | 应用材料公司 | J·约德伏斯基 |
201710519676.5 | 形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑心圃 |
201710450329.1 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄翊铭 |
201610424039.5 | 基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201611073819.6 | 接合结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201610996686.3 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 于殿圣 |
201710576065.4 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林峪群 |
201510437327.X | 具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈建颖 |
201610786074.1 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑国裕 |
201710999043.9 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201510193452.0 | 鳍部件的结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 温宗尧 |
201410804259.1 | 半导体器件以及形成垂直结构的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭治棠 |
201510764636.8 | 具有停止层的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610807658.2 | 一种垂直FinFET器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710287331.1 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周宏儒 |
201611187742.5 | 一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201410720427.9 | 晶圆研磨方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陈彧 |
201711165278.4 | 载置台和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 高桥智之 |
201810378133.0 | 滤波器装置和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 奥西直彦 |
201610208298.4 | 一种半导体电容器及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 吴健 |
201810024856.0 | 改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 张辉 |
201710130943.X | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 郑二虎 |
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201580068790.X | 基板液处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 小宫洋司 |
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201811149702.0 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾仁权 |
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201711285454.8 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 阪根亮太 |
201810539508.7 | 等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 金子健吾 |
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201711157377.8 | 半导体结构的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
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201880005423.9 | 形成三维集成布线结构的方法及其半导体结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱继锋 |
201880009111.5 | 三维存储器设备的接合开口结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201980001307.4 | 互连结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨罡 |
201610010220.1 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 亚历山大·卡尔尼茨基 |
201980000243.6 | 使用混合键合的结构和器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王涛 |
201611114845.9 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 曹佩华 |
201710695413.X | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴佳典 |
201710329127.1 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201610256886.5 | 半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 梁海慧 |
201880005231.8 | 用于测试三维存储器设备的结构和方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 金钟俊 |
201880005225.2 | 三维存储组件形成过程中阶梯的蚀刻控制方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201410682658.5 | 制造半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杜建男 |
201910080209.6 | 具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710866957.8 | 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201980000403.7 | 具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 孙超 |
201610712689.X | 存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201910421869.6 | 一种半导体器件及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王永庆 |
201711092666.4 | 一种全耗尽SOI结构的制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201711191234.9 | 一种改善锗硅源漏极形貌的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 方精训 |
201710750267.6 | 一种晶圆检测方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许向辉 |
201710771558.3 | 一种异常点抓取方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 蔚倩倩 |
201711220974.0 | 根据电路设计图形设置扫描阈值的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 陈超 |
201711178278.8 | 槽式湿法清洗机台 | 上海华力微电子有限公司 | 王春伟 |
201711106966.3 | 一种改善光刻填充材料平坦度的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 官锡俊 |
201610663488.5 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李勃学 |
201610622347.9 | 集成电路及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710897335.1 | 一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王瑞勇 |
201710003222.2 | 显示屏及其控制方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孟虎 |
201710113747.1 | 反射型阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董水浪 |
201810003159.7 | 阵列基板、制作方法、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201711305470.9 | 显示基板及其制造方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李云飞 |
201610862940.0 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 白金超 |
201710534060.5 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薛大鹏 |
201710631205.3 | OL ED显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘文渠 |
201810516269.3 | 一种显示基板及其制作方法、显示器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李铸毅 |
201680013408.X | 用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室 | 应用材料公司 | T·Q·特兰 |
201810558220.4 | 等离子体处理装置和静电吸附方法 | 东京毅力科创株式会社 | 松山昇一郎 |
201710464039.2 | 接触开口及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧寒稊 |
201611053272.3 | 形成沟槽的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710339635.8 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201710057578.4 | 线圈结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201810147001.7 | 一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张强 |
201711047931.7 | FINFET和形成FINFET的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林经祥 |
201711002040.X | 柔性面板的制备方法、柔性面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐元杰 |
201810055459.X | 显示面板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈亮 |
201711105990.5 | 封装件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201710369074.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 童思频 |
201610689119.3 | 鳍式场效晶体管结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710596457.7 | 伪鳍蚀刻以在衬底中形成凹槽 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 官琬纯 |
201710457121.2 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张斌 |
201710892083.3 | 一种显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王伟 |
201810106226.8 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙阔 |
201410808231.5 | 具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘勇村 |
201610815934.X | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家铭 |
201680035326.5 | 用于改良的气体分配的递归注入设备 | 应用材料公司 | A贝拉 |
201810295950.X | 低温多晶硅薄膜及其制作方法、薄膜晶体管、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田雪雁 |
201610919656.2 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
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201510379150.2 | 蚀刻方法和蚀刻装置 | 东京毅力科创株式会社 | 户田聪 |
201710567272.3 | 一种晶圆级封装结构及其封装方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 付俊 |
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201780074433.3 | 用于半导体基板处理系统的原位粒子检测系统 | 应用材料公司 | L·张 |
201810719307.5 | 激光密封装置及半导体器件的封装方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘祺 |
201610239211.X | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐长春 |
201610937675.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 神兆旭 |
201710706873.8 | 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡春静 |
201410369929.1 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 方磊 |
201710236997.4 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘建宏 |
201711022421.4 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘政 |
201710828652.8 | 基于智能剥离技术制备异质(Ga1-xAlx)2O3的方法 | 西安电子科技大学 | 韩根全 |
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201610006646.X | 鳍式晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610006666.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610083755.1 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201610646944.5 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610646956.8 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610738883.5 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
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201711165464.8 | 用于晶圆检测的机械手臂 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201610130572.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
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201610997270.3 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周俊卿 |
201611091047.9 | 用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈濬凯 |
201610962602.4 | 多阈值电压晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710611384.4 | 鳍式晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 贺鑫 |
201710711275.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610664338.6 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201611110258.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵简 |
201611242214.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710169212.6 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710812750.2 | 一种鳍式场效应半导体的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710131234.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710219639.2 | 集成的扇出型封装件以及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201611140528.4 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201711272840.3 | 用于鳍式场效应晶体管的互连结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201610885892.7 | 鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610877723.9 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611092388.8 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李陈毅 |
201611187265.2 | 半导体器件中的局部互连件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赖瑞尧 |
201610756336.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610531664.X | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610278663.9 | 交错型隧穿场效应晶体管 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 庄绍勋 |
201610424408.0 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 韩秋华 |
201610788845.0 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510463686.2 | 基板清洗方法 | 东京毅力科创株式会社 | 相原明德 |
201580032653.0 | 辊对辊式晶片背面颗粒及污染移除 | 应用材料公司 | C·S·恩盖 |
201510672501.9 | 基板液处理装置和基板液处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 中森光则 |
201710984474.8 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及指纹识别器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 邸云萍 |
201710243190.3 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何晓龙 |
201710217466.0 | 一种调节装置和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李冰 |
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201711223402.8 | 一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张继宏 |
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201711054927.3 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吕伟元 |
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201710731200.8 | 一种鳍式场效应晶体管栅极结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201710906158.9 | 制造半导体器件的方法和半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李东颖 |
201611187333.5 | 一种键合对准精度的检测方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 程晋广 |
201711393038.X | 一种电子束扫描程式参数自调整方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄莉晶 |
201810482595.7 | 检测对准偏移的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 曹子贵 |
201610712413.1 | 加热腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 邱国庆 |
201610500235.6 | 设置静电卡盘电压的方法、装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 梁小祎 |
201610013082.2 | 斜孔刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 于丰源 |
201611191301.2 | 互连结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴俊毅 |
201611257134.7 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
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201810461232.5 | 散热器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林宗澍 |
201510801891.5 | 芯片的阻挡层及其制备方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 荣延栋 |
201810419537.X | 半导体器件的对准方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 颜柏寒 |
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201711290793.5 | 半导体封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201810003073.4 | 阵列基板的制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710945403.7 | 一种制造具有多层沟道结构的半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑兆钦 |
201710882787.2 | 一种锗硅源漏极及其制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄秋铭 |
201710466252.7 | 注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201610719401.1 | 在半导体器件中制造自对准接触件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李振铭 |
201610784601.5 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710479451.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201780028365.7 | 具有余度控制及ETHERCAT接口的电镀电源 | 应用材料公司 | 查尔斯·A·卡明斯 |
201710632725.6 | 导线的制造方法和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 丁贤林 |
201711325587.3 | 对位方法和装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谷春生 |
201710145183.X | 封装体及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 邱铭彦 |
201910002439.0 | 微流控基板及其制备方法、微流控面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710074260.7 | InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201610864030.6 | 用于制造半导体器件的方法和系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余俊益 |
201510208656.7 | 用于热映射和热工艺控制的方法和装置 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡俊雄 |
201580041606.2 | 多基板热管理设备 | 应用材料公司 | K·贝拉 |
201610556719.2 | 用于制造半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 埃米沃克 |
201710288728.2 | FINFET及形成FINFET的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201611001163.7 | 电迁移签核方法和系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 盂曾贤 |
201710061545.7 | 一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘玄 |
201811055533.4 | 封装体检测方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 林万建 |
201710482296.9 | 气体处理装置、气体处理方法和存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 山下润 |
201910568036.2 | 半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许文山 |
201811342989.9 | 封装体结构及半导体器件的封装方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
201710392393.9 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201710657760.3 | 一种柔性触控母板及制备方法、柔性触控基板、触控面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曾亭 |
201610240837.2 | 防止自掺杂效应的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李震远 |
201810003151.0 | 一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 路兆里 |
201510852155.2 | 用于鳍场效晶体管元件的方法和结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201610933382.2 | 测试机台 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王侃晟 |
201710156098.3 | 在光刻中产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 游秋山 |
201810708214.2 | 承载机台及其控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王世龙 |
201811095422.6 | 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨涛 |
201610642822.9 | 半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李广宁 |
201980000179.1 | 具有贯穿阶梯触点的三维存储设备及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 魏勤香 |
201610915730.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201711205655.2 | 显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王珍 |
201711265592.X | 阵列基板、其制作方法和包括阵列基板的显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘利宾 |
202010330332.1 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李盼 |
201810419445.1 | 一种显示面板、显示装置及其封装检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢梦梦 |
201980000407.5 | 具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 孙超 |
201610379438.4 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201610206441.6 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王美丽 |
201810862119.8 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201711132890.1 | 探针卡电路及其测试方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 任栋梁 |
201810311966.5 | 半导体器件加工方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201810672956.4 | 检测晶圆工作台平坦度的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 刘小虎 |
201811458489.1 | 晶圆缺陷扫描方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩俊伟 |
201680005492.0 | 用于间隙检测的智能止动器和控制机制 | 应用材料公司 | S·坎德沃尔 |
201910024325.6 | 低温多晶硅的激光退火装置和退火方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 龙春平 |
201510859230.8 | 用于互连的结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄建桦 |
201910322160.0 | 半导体结构及半导体工艺方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 严孟 |
201810040432.3 | 薄膜晶体管和阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王珂 |
201811275693.X | 一种阵列基板的制备方法及阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 屈财玉 |
201810590030.0 | 闪存侧墙的形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201710884119.3 | 金属栅极的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201910283403.4 | 一种集成电路保护结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖金华 |
201710959894.0 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林俊成 |
201810882447.4 | 金属连线之间形成真空气隙的方法和金属连线结构 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘玮荪 |
201711112559.3 | 应变GeSn NMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张洁 |
201610676946.9 | 半导体器件及其静态随机存取存储器单元和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宜静 |
201811105708.8 | 一种母板及其检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 赵永强 |
201810927256.5 | 底发射型OL ED阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201710379063.6 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710475469.4 | 晶体管及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201711017958.1 | 基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 | 张金风 |
201711159860.X | 一种基于缺陷贡献度的缺陷检测机台自动派工系统和方法 | 上海华力微电子有限公司 | 陈旭 |
201711091683.6 | 一种根据射频时数改善一体化刻蚀工艺面内均匀性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 周磊 |
201710058816.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201710067775.4 | 一种激光退火方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈耀庭 |
201510837506.2 | 化学机械抛光后清洁及设备 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄富明 |
201611186841.1 | 一种沟槽型IGBT及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 袁雷兵 |
201710395647.2 | 一种提高重布线层表面均匀性的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 蔡凤萍 |
201711091677.0 | 一种检测静电吸盘表面颗粒污染物的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 聂钰节 |
201510718230.6 | 基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 南田纯也 |
201710337989.9 | 基板处理系统和基板搬送方法 | 东京毅力科创株式会社 | 中原田雅弘 |
201710718884.8 | 激光退火设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王景帅 |
201810092190.2 | 一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法 | 上海华力微电子有限公司 | 袁鹏华 |
201810267221.3 | 一种基板及其对位方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杜小波 |
201710725276.X | 吸附装置及吸附方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朱海彬 |
201610757064.5 | 重布线路结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宗徽 |
201710640506.2 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201810228593.5 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 许正印 |
201610263564.3 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡永智 |
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201710619566.6 | 具有封装的光阻隔件的支撑环 | 应用材料公司 | 约瑟夫拉内什 |
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201480057976.0 | 使用远程等离子体CVD技术的低温氮化硅膜 | 应用材料公司 | A·查特吉 |
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201910113763.X | 一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董水浪 |
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201710303984.4 | 承载装置、反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王桐 |
201711236067.5 | 一种冷泵再生控制方法、装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张鹤南 |
201811524833.2 | 一种晶圆键合方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭帅 |
201811331736.1 | 半导体器件的形成方法及半导体器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 王剑屏 |
201610576377.0 | 基片刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张海苗 |
201611046850.0 | 一种蓝宝石衬底的刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 匡锡文 |
201811018286.0 | 一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201811018296.4 | 一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201810153103.X | 一种检测晶圆上介质层孔道连通性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 郑辉 |
201510736705.4 | 包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统 | 应用材料公司 | K·杰纳基拉曼 |
201710061111.7 | 半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 洪世玮 |
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201610039843.1 | 批量加热和冷却腔室或负载锁定装置 | 应用材料公司 | J·M·舒浩勒 |
201610246739.X | 晶片支撑组件、反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李冬冬 |
201610544541.X | 机械手及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 侯宁 |
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201711122782.6 | 一种金属栅极制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
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201811352970.2 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201710362644.9 | 一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒋会刚 |
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201810004943.X | 显示面板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张玉军 |
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201711436192.0 | 高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201711436198.8 | 高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201910754054.X | 具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201611085965.0 | 一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张逸中 |
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201610925896.3 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201610263531.9 | 封装件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 殷原梓 |
201811217612.0 | 一种SOI工艺中MOS电容测试结构及其实现方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范象泉 |
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201880002396.X | 时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨盛玮 |
201580041355.8 | 用于高温处理的静电夹盘组件 | 应用材料公司 | V帕科 |
201610157780.X | 基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 金子裕史 |
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201811037336.X | 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 贺芳 |
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201611119419.4 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201980001410.9 | 三维存储器件的互连结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱宏斌 |
201910001907.2 | 存储器及其形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李冰寒 |
201880000844.2 | 用于修复衬底晶格以及选择性外延处理的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 汪小军 |
201711328903.2 | 具有指纹识别功能的显示面板、开孔方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张浩 |
201710592753.X | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201610916200.0 | 半导体器件以及形成场效应晶体管的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨育佳 |
201510540494.7 | 用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理 | 应用材料公司 | 叶雁 |
201610094474.6 | 半导体器件安全认证方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 呼翔 |
201380055524.4 | 具有可定制的流动注入的外延腔室 | 应用材料公司 | 刘树坤 |
201480030094.5 | 抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层 | 应用材料公司 | J·Y·孙 |
201580047628.X | 用于三维NAND硬膜应用的纳米结晶金刚石碳膜 | 应用材料公司 | 陈咏梅 |
201610369921.4 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 金兰 |
201610937953.X | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710583020.X | 芯片封装方法及芯片封装结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201710128366.0 | 用于检测氮浓度的结构及方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘媛娜 |
201610465321.8 | 基板输送方法和基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 新藤健弘 |
201711220855.5 | FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 袁晓龙 |
201711241074.4 | 浅沟槽隔离的制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 宋箭叶 |
201610947975.4 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201710335177.0 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李宗亮 |
201510086556.1 | 一种SRAM及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张弓 |
201710173055.6 | 混合接合半导体晶片的3DIC结构与方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈如曦 |
201710385153.6 | 半导体存储器件及其制造方法和掩膜版 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈卓凡 |
201780012379.X | 用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(T FT)沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备 | 应用材料公司 | 马库斯·哈尼卡 |
201811634603.1 | 一种三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
201480079468.2 | 沉积层的方法、制造晶体管的方法、用于电子器件的层堆叠以及电子器件 | 应用材料公司 | 达拉姆·戈塞恩 |
201410768915.7 | 用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201711215205.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡嘉庆 |
201710681961.7 | 封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄立贤 |
201680003959.8 | 用于低压环境的灯驱动器 | 应用材料公司 | 欧勒格·V·塞雷布里安诺夫 |
201711102829.2 | 接触孔的金属连接结构及其制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩朋刚 |
201710647541.7 | FINFET及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710985652.9 | 半导体器件以及半导体器件制造的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宗吉 |
201810689887.8 | 半导体器件及其形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 孔蔚然 |
201710631058.X | 封装结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201510844455.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 周群渊 |
201610726754.4 | 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄敬勇 |
201710217965.X | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201611188578.X | 基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201610179467.6 | 用于外延生长装置的腔室部件 | 应用材料公司 | 大木慎一 |
201510974152.6 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201610915624.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈满华 |
201610140142.7 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201710729426.4 | 半导体器件和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 卢柏全 |
201580023377.1 | 热处理基座 | 应用材料公司 | 安哈图·恩戈 |
201710794034.6 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201610903298.6 | 栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡俊雄 |
201810398738.6 | 优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201810398867.5 | 具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201811564501.7 | 一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 杨林安 |
201680033546.4 | 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置 | 东京毅力科创株式会社 | 森拓也 |
201710811999.1 | 具有可拆卸式气体分配板的喷淋头 | 应用材料公司 | D·卢博米尔斯基 |
201610919492.3 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201811088560.1 | 一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法 | 西安电子科技大学 | 吕玲 |
201610900900.0 | 半导体器件制造的方法和处理系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡承晏 |
201610980028.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201710131028.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 韩秋华 |
201710364138.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201711217256.8 | 半导体器件及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡仲轩 |
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201611019343.8 | 制造指纹扫描器的方法以及半导体装置 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄育智 |
201510849542.0 | 用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴朝栋 |
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201580073204.0 | 用于基板背侧变色控制的支撑组件 | 应用材料公司 | 大木慎一 |
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201710290190.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
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201510631671.2 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
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201710776697.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710727100.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201610711318.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201710230474.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
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201710597758.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张天豪 |
201610505261.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201710615546.1 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201910231939.1 | 一种集成电路样品及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 方斌 |
201711009577.9 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 殷原梓 |
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201510295764.2 | 多晶片转盘ALD中的集成两轴升降旋转电动机的中央基座 | 应用材料公司 | J·约德伏斯基 |
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201610642282.4 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 杨佳琦 |
201610177762.8 | 基板液体处理装置和基板液体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤秀明 |
201610625703.2 | 用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模 | 应用材料公司 | J·M·霍尔登 |
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201710896967.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 付俊 |
201810263929.1 | 半导体器件和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄冠育 |
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201980000449.9 | 用于在晶圆表面贴黏胶膜的方法和装置 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
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201610899633.X | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵海 |
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201711215095.9 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕升 |
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201610633451.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201610881308.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵鹏 |
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201710355747.2 | 功函数调节层的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
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201710508887.9 | 鳍结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
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201810706079.8 | 一种工艺控制方法 | 上海华力微电子有限公司 | 吴晓彤 |
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201811014892.5 | 晶圆缺陷检测系统及检测方法和计算机存储介质 | 上海华力微电子有限公司 | 胡向华 |
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201811415010.6 | 3D NAND存储器件中导电插塞的形成方法及3D NAND存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
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201880005524.6 | 字线结构与三维存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201810805652.0 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王品凡 |
201811003853.5 | 一种HEMT开关器件 | 西安电子科技大学 | 郑雪峰 |
201480078013.9 | 用于真空处理系统的负载锁定腔室和真空处理系统 | 应用材料公司 | F·皮耶拉利西 |
201510735448.2 | 用于在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的方法和系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 田家穎 |
201711127692.6 | 一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 徐杰 |
201811458523.5 | 一种自对准双层图形的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 夏爱华 |
201811632609.5 | 晶圆直接键合方法 | 上海华力微电子有限公司 | 吴佳宏 |
201580066460.7 | 用于物理气相沉积的电介质沉积的设备 | 应用材料公司 | 基思·A·米勒 |
201610339081.7 | 于阻障表面上的钴沉积 | 应用材料公司 | J.陆 |
201580057701.1 | 使用定向成在喷洒主体下方且向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法 | 应用材料公司 | P·D·巴特菲尔德 |
201811124465.2 | 一种刻蚀方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨永刚 |
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