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2020年半导体制造领域的中国局专利的发展竞争态势——上海、北京、台湾领先，中芯国际、台积电、京东方较强
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告1522.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
第一部分 2020年中国国家发明专利统计分析报告
8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势
8.38 半导体制造领域中国局专利的发展竞争态势
第38个技术领域是半导体制造，包括半导体及其部件的制造方法和设备。
图8.38-1 半导体制造领域的中国局专利增长情况
2020年，中国局在半导体制造领域上的专利授权增长2%，达到7257项，占总授权量的1%，该领域是专利数量第42多的技术领域。近年来，半导体制造领域的专利增长缓慢，并且波动较大。
表8.38-1 2020年各国半导体制造领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 4441 | 71% | 1% |
2 | 日本 | 976 | 13% | 3% |
3 | 美国 | 553 | 8% | 3% |
4 | 德国 | 106 | 1% | 1% |
5 | 韩国 | 241 | 3% | 3% |
6 | 法国 | 26 | 0% | 1% |
7 | 瑞士 | 6 | 0% | 0% |
8 | 荷兰 | 16 | 0% | 1% |
9 | 瑞典 | 2 | 0% | 0% |
10 | 英国 | 8 | 0% | 1% |
11 | 意大利 | 9 | 0% | 1% |
12 | 新加坡 | 14 | 0% | 1% |
13 | 丹麦 | 1 | 0% | 0% |
14 | 奥地利 | 26 | 0% | 4% |
15 | 其他 | 91 | 1% | 1% |
小计 | 7257 | 100% | 1% |
注：本表按照第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。
我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的71%，份额相对偏低10个百分点。国内专利中有1%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于美国、日本、韩国等国家，这说明我国在半导体制造领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。
表8.38-2 2020年国内各省市区半导体制造领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 上海 | 1191 | 23% | 5% |
2 | 北京 | 790 | 15% | 1% |
3 | 台湾 | 735 | 14% | 12% |
4 | 江苏 | 538 | 10% | 1% |
5 | 广东 | 465 | 9% | 1% |
6 | 湖北 | 367 | 7% | 2% |
7 | 浙江 | 231 | 4% | 0% |
8 | 陕西 | 143 | 3% | 1% |
9 | 安徽 | 130 | 3% | 1% |
10 | 四川 | 128 | 2% | 1% |
11 | 湖南 | 68 | 1% | 1% |
12 | 山东 | 65 | 1% | 0% |
13 | 福建 | 63 | 1% | 1% |
14 | 辽宁 | 47 | 1% | 1% |
15 | 重庆 | 47 | 1% | 1% |
16 | 河北 | 47 | 1% | 1% |
17 | 天津 | 25 | 0% | 0% |
18 | 吉林 | 23 | 0% | 1% |
19 | 河南 | 18 | 0% | 0% |
20 | 黑龙江 | 13 | 0% | 0% |
21 | 江西 | 13 | 0% | 0% |
22 | 山西 | 8 | 0% | 0% |
23 | 贵州 | 8 | 0% | 0% |
24 | 云南 | 7 | 0% | 0% |
25 | 香港 | 6 | 0% | 1% |
26 | 内蒙古 | 3 | 0% | 0% |
27 | 宁夏 | 2 | 0% | 0% |
28 | 甘肃 | 1 | 0% | 0% |
29 | 广西 | 0 | 0% | 0% |
30 | 新疆 | 0 | 0% | 0% |
31 | 海南 | 0 | 0% | 0% |
32 | 青海 | 0 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 0 | 0% | 0% |
34 | 澳门 | 0 | 0% | 0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
2020年，上海获得该领域国家专利1191项，占该领域的份额为23%，占本地区专利的5%；其次是北京，达到790项，占该领域的份额为15%，占本地区专利的1%。上海和北京在半导体制造领域上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的半导体制造技术研发力量，是研发能力最强的地区。
图8.38-2 2020年国内各省市区半导体制造领域专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在上海、北京、台湾、江苏、广东、湖北、浙江，这7个省区在2020年获得的专利数量共占国内的83%，是我国半导体制造技术专利研发的重要地区。
图8.38-3 2020年国内各省市区半导体制造领域专利的技术构成比重
另外，台湾、上海、湖北、北京、陕西、江苏、香港、四川在该领域上的技术构成比重较高，超过或达到1%，表明这些地区比较侧重半导体制造技术的研发。
表8.38-3 2020年半导体制造领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 中国上海 | 598 | 67% |
2 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 366 | 69% |
3 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 288 | 11% |
4 | 应用材料公司 | 美国 | 140 | 56% |
5 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 126 | 35% |
6 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 123 | 53% |
7 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 中国北京 | 102 | 58% |
8 | 东京毅力科创株式会社 | 日本 | 101 | 66% |
9 | 西安电子科技大学 | 中国陕西 | 95 | 7% |
9 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 95 | 43% |
11 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 86 | 74% |
12 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 83 | 36% |
13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国湖北 | 80 | 12% |
14 | 电子科技大学 | 中国四川 | 69 | 3% |
15 | 英特尔公司 | 美国 | 66 | 11% |
16 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 62 | 4% |
17 | 科磊股份有限公司 | 美国 | 60 | 53% |
18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 59 | 14% |
19 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 57 | 67% |
20 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 中国北京 | 56 | 82% |
21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 55 | 9% |
22 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 54 | 23% |
22 | 格罗方德半导体公司 | 开曼群岛 | 54 | 75% |
24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 53 | 12% |
25 | 朗姆研究公司 | 美国 | 52 | 63% |
26 | 株式会社迪思科 | 日本 | 47 | 54% |
27 | 三菱电机株式会社 | 日本 | 43 | 4% |
28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 中国上海 | 42 | 66% |
29 | 清华大学 | 中国北京 | 40 | 1% |
30 | 富士电机株式会社 | 日本 | 39 | 25% |
31 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 中国上海 | 38 | 22% |
32 | 矽品精密工业股份有限公司 | 中国台湾 | 37 | 70% |
32 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 中国上海 | 37 | 58% |
34 | 北大方正集团有限公司 | 中国北京 | 34 | 22% |
35 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 中国上海 | 32 | 26% |
35 | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 | 中国江苏 | 32 | 8% |
37 | 江苏长电科技股份有限公司 | 中国江苏 | 30 | 91% |
38 | 株式会社斯库林集团 | 日本 | 29 | 57% |
38 | 无锡华润上华科技有限公司 | 中国江苏 | 29 | 58% |
40 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 中国台湾 | 28 | 64% |
40 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 28 | 26% |
42 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 中国江苏 | 26 | 72% |
42 | 北京大学 | 中国北京 | 26 | 4% |
42 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 26 | 5% |
45 | 琳得科株式会社 | 日本 | 24 | 30% |
45 | 株式会社荏原制作所 | 日本 | 24 | 47% |
47 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 23 | 21% |
47 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 中国江苏 | 23 | 47% |
47 | 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 | 中国上海 | 23 | 82% |
50 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 22 | 21% |
50 | 株式会社国际电气 | 日本 | 22 | 92% |
52 | 浙江大学 | 中国浙江 | 21 | 1% |
52 | 德淮半导体有限公司 | 中国江苏 | 21 | 40% |
54 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 20 | 6% |
54 | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 | 中国上海 | 20 | 53% |
54 | 高通股份有限公司 | 美国 | 20 | 2% |
54 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 20 | 5% |
54 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 20 | 7% |
54 | 信越半导体株式会社 | 日本 | 20 | 74% |
60 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 19 | 16% |
60 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 19 | 1% |
60 | 索尼公司 | 日本 | 19 | 2% |
63 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 18 | 6% |
63 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 中国浙江 | 18 | 95% |
63 | 南亚科技股份有限公司 | 中国台湾 | 18 | 46% |
66 | 广东工业大学 | 中国广东 | 17 | 2% |
66 | 细美事有限公司 | 韩国 | 17 | 59% |
66 | 日产化学工业株式会社 | 日本 | 17 | 18% |
69 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 16 | 3% |
69 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 中国福建 | 16 | 67% |
69 | 华南理工大学 | 中国广东 | 16 | 1% |
69 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 美国 | 16 | 10% |
69 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 | 中国浙江 | 16 | 64% |
69 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集 | 中国北京 | 16 | 52% |
69 | 昆山国显光电有限公司 | 中国江苏 | 16 | 6% |
76 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 中国湖南 | 15 | 13% |
76 | 胜高股份有限公司 | 日本 | 15 | 63% |
76 | 古河电气工业株式会社 | 日本 | 15 | 18% |
79 | 东和株式会社 | 日本 | 14 | 61% |
79 | 长鑫存储技术有限公司 | 中国安徽 | 14 | 58% |
79 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 中国河北 | 14 | 30% |
79 | 通富微电子股份有限公司 | 中国江苏 | 14 | 78% |
83 | 夏普株式会社 | 日本 | 13 | 3% |
83 | 成都海威华芯科技有限公司 | 中国四川 | 13 | 81% |
83 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 中国江苏 | 13 | 11% |
83 | 富士胶片株式会社 | 日本 | 13 | 3% |
83 | 株式会社爱发科 | 日本 | 13 | 30% |
83 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 | 13 | 12% |
83 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 中国北京 | 13 | 11% |
83 | 住友电气工业株式会社 | 日本 | 13 | 9% |
91 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 12 | 0% |
91 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 12 | 14% |
91 | 深圳市晶相技术有限公司 | 中国广东 | 12 | 100% |
91 | 中国科学院半导体研究所 | 中国北京 | 12 | 6% |
91 | 北京中电科电子装备有限公司 | 中国北京 | 12 | 100% |
91 | 迪睿合株式会社 | 日本 | 12 | 18% |
97 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 11 | 0% |
97 | 上海和辉光电有限公司 | 中国上海 | 11 | 10% |
97 | 东芝存储器株式会社 | 日本 | 11 | 16% |
97 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 奥地利 | 11 | 27% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
2020年，在半导体制造领域上获得中国局专利授权最多的机构是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，其次是台湾积体电路制造股份有限公司和京东方科技集团股份有限公司。
图8.38-4 2020年半导体制造领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看，晶相、中电科、国际电气、长电、中芯国际、盛美、格罗方德等机构的比重较高，均超过70%，这些机构一多半的专利属于该领域，半导体制造技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。
图8.38-5 2020年30家机构的半导体制造技术构成比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.38-1 2020年半导体制造领域的中国局主要机构的专利
专利号 | 专利名称 | 权利人 | 发明人 |
201610409464.7 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王军 |
201610130096.2 | 一种反应腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 蒋 |
201710457272.8 | 成膜方法和TFT的制造方法 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤吉宏 |
201711262383.X | 基板处理腔室和半导体处理系统 | 应用材料公司 | 梁奇伟 |
201711417582.3 | 气体供给装置及其制造方法以及等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 佐佐木芳彦 |
201510670150.8 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张冬梅 |
201580003949.X | 含有重原子的化合物的等离子体减量 | 应用材料公司 | 迈克尔 · S · 考克斯 |
201580054412.6 | 蚀刻方法 | 东京毅力科创株式会社 | 竹谷考司 |
201510564304.5 | 一种基片的刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张 |
201580029541.X | 包含光纤加热的基板温度控制装置、基板温度控制系统、电子器件处理系统及方法 | 应用材料公司 | 马修 · 巴斯彻 |
201410654365.6 | 一种降低源极和漏极电阻的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201610824040.7 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家铭 |
201611135570.7 | 使用热与机械强化层的装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201610407471.3 | 半导体结构及形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周 |
201510669901.4 | 一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周 |
201510611653.8 | 反应腔室以及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 余志 |
201610069114.0 | 基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 张健 |
201610396883.1 | 一种承载装置及预清洗腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张 |
201710327078.8 | 用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 侯珏 |
201610398774.3 | 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王辛 |
201410648459.2 | 基片固定方法及装置、半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 管长 |
201510896190.4 | 托盘组件 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张宝辉 |
201510622384.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王 |
201510975478.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘焕 |
201510623142.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘继 |
201610021334.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 胡敏达 |
201510755854.5 | 晶圆级封装件的切割 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑佳申 |
201511024383.7 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周 |
201610527879.4 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周 |
201710482330.2 | 伪金属帽和再分布线的路由设计 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201611040773.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 许谢慧娜 |
201611246169.0 | 半导体器件、MIM电容器及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 周仲彦 |
201410088289.7 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王孝远 |
201610742346.8 | 半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李佳叡 |
201510519084.4 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋松 |
201510975530.2 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李凤莲 |
201610863516.8 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赖政杰 |
201680029154.0 | 赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层 | 应用材料公司 | P·K·库尔施拉希萨 |
201410086407.0 | 一种光掩模制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 巫轶骏 |
201510851598.X | 在氧化物衬底上的FinFET沟道和相关方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201710749283.3 | 基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201710024600.5 | 显示基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张俊 |
201610815080.5 | 作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕寰 |
201710251930.8 | 薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郑在纹 |
201580036643.4 | 极紫外线覆盖层及其的制造与光刻方法 | 应用材料公司 | 卡拉·比斯利 |
201480050843.0 | 用于物理气相沉积腔室的双极准直器 | 应用材料公司 | 李靖珠 |
201580010005.5 | 用于修改基板表面的掠射角等离子体处理 | 应用材料公司 | L·戈黛 |
201580026139.6 | 灯的固持及绝缘特征结构 | 应用材料公司 | 姚东明 |
201580035113.8 | 扫描脉冲退火装置及方法 | 应用材料公司 | 阿伦·缪尔·亨特 |
201710313396.9 | 高功率PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201710364157.6 | InAs/AlSb HEMT及MOS-HEMT器件的制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201610073187.7 | 具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧婉匀 |
201610090342.6 | 掩埋沟道半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈家忠 |
201611001301.1 | 导电外部连接器结构、半导体器件及形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 施孟甫 |
201710141952.9 | 一种设置开闭侦测装置的处理槽 | 上海华力微电子有限公司 | 吴智翔 |
201810001968.4 | 一种胶带贴附设备和胶带的贴覆方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蔡光源 |
201480065526.6 | 用于较小晶片及晶片片段的晶片载具 | 应用材料公司 | 迈克尔·S·考克斯 |
201510807835.2 | 用于形成半导体器件结构的互连结构的通孔轮廓的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧伟印 |
201610677823.7 | 互连结构和其制造方法及半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林瑀宏 |
201610912647.0 | 具有PMOS存取晶体管的RRAM单元及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 石昇弘 |
201610621501.0 | 应变纳米线CMOS器件和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201410733604.7 | 叠层封装件结构中的翘曲控制 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈威宇 |
201710086972.0 | 一种阵列基板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 肖志莲 |
201610916350.1 | 带有固相扩散的集成电路结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201610916999.3 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄正仪 |
201610770652.2 | 集成电路及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宜静 |
201710281639.5 | 一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何晓龙 |
201610816073.7 | 显示基板及制作方法和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周桢力 |
201710736837.6 | 背板及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201410800225.5 | 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张简旭珂 |
201610915693.6 | FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710609969.2 | 一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 田志 |
201510776938.7 | 用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴健立 |
201780019678.6 | 选择性SiARC去除 | 东京毅力科创株式会社 | 希亚姆·斯里达尔 |
201510826986.2 | 用于清洁等离子体处理室和衬底的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 洪士平 |
201610090996.9 | 填充凹部的方法以及处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 千叶洋一郞 |
201610531827.4 | 形成多孔低-k结构的系统和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林伯俊 |
201610907217.X | 化学汽相沉积装置和利用该装置制造半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郭人华 |
201610550338.3 | 半导体部件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 巫柏奇 |
201610719403.0 | 用于FINFET的栅极替代工艺 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江宏礼 |
201610729819.0 | 用于FINFET的源极和漏极工艺 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201611180076.2 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
201710012907.3 | 两步伪栅极形成 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201710286253.3 | FinFET结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林志翰 |
201610677405.8 | 封装结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201610784041.3 | 集成多输出封装件及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201711050369.3 | 封装结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 施应庆 |
201611073787.X | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘国俨 |
201810186672.4 | 晶圆级异质集成高频系统及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201710534227.8 | 半导体封装件中的再分布层及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 谢正贤 |
201510133500.7 | 半导体器件及其布局和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 谢东衡 |
201610680892.3 | 鳍式场效应晶体管结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201810611465.9 | 显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 梁志伟 |
201510641283.2 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 魏嘉余 |
201510812685.4 | FinFET结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭成毅 |
201510790762.0 | 半导体器件结构的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201510262860.7 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 温宗尧 |
201510298932.3 | 包括FinFET的半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄俊程 |
201610688858.0 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610784021.6 | 半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 叶启瑞 |
201611221320.5 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冯家馨 |
201380036866.1 | 气体混合设备 | 应用材料公司 | 卡尔蒂克·萨哈 |
201480073643.7 | 具有受控孔隙率的打印化学机械抛光垫 | 应用材料公司 | 拉克斯曼·穆鲁盖什 |
201610993734.3 | 半导体元件的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 潘婉君 |
201710541709.6 | 柔性显示面板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高涛 |
201510777502.X | 垂直式半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林义雄 |
201480073933.1 | 用于控制等离子体密度的系统和方法 | 东京毅力科创株式会社 | 陈立 |
201711160388.1 | 一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置 | 上海华力微电子有限公司 | 张卫涛 |
201610091405.X | 填充凹部的方法以及处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 千叶洋一郞 |
201711219182.1 | 一种形成不同深度接触孔的刻蚀方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩朋刚 |
201711160733.1 | 一种建立全局调节模型进行优化快速热退火的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 刘林炎 |
201410273894.1 | 一种单晶圆承载腔室结构 | 上海华力微电子有限公司 | 张啸 |
201580025299.9 | 用于搬运供处理的基板的静电载体 | 应用材料公司 | A·桑达拉江 |
201710030672.0 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李延钊 |
201710470926.0 | 一种阵列基板及其维修方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王小元 |
201610985481.5 | 用于钨沉积前的接触孔表面的处理方法 | 上海华力微电子有限公司 | 肖天金 |
201710079115.8 | 一种用于减少晶圆边缘良率测试问题的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 王立斌 |
201710079394.8 | 一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201710471715.9 | 一种高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 刘鹏 |
201710401452.4 | 一种减小STI-CMP过程中碟型凹陷的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 杨钰 |
201710797272.2 | 一种针对产品量测区域缺陷监控的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许向辉 |
201710368784.7 | 一种通孔中光刻胶栓刻蚀量的自动调节方法 | 上海华力微电子有限公司 | 江旻 |
201710536546.2 | 一种芯片封装方法及芯片封装结构 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲连杰 |
201810210995.2 | 接触插塞及半导体器件的形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 徐杰 |
201711153166.7 | Ga2O3薄膜晶体管的制备方法 | 西安电子科技大学 | 张春福 |
201711184083.4 | 金属的生长工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 许爱春 |
201610446184.3 | 基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法 | 西安电子科技大学 | 戴显英 |
201610018952.5 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610663487.0 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张俊 |
201810342983.5 | 搬运装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 罗刚 |
201580038105.9 | 减少工艺腔室内基板滑动的设备及方法 | 应用材料公司 | 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏 |
201611219689.2 | 半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴於贝 |
201510702113.0 | 掩膜版版图以及形成半导体结构的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 余云初 |
201510134221.2 | 晶圆减薄方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王娉婷 |
201610475906.8 | 温度控制方法 | 东京毅力科创株式会社 | 山本能吏 |
201710249090.1 | 改善顶层金属层的黏附强度的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 程晓华 |
201610787086.6 | 三重图形化的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 沈忆华 |
201710583808.0 | SiC欧姆接触结构及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张艺蒙 |
201710772327.4 | 一种刻蚀方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 蒋阳波 |
201710358507.8 | 一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201610079532.8 | 鳍式晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610130608.5 | 鳍式晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610531756.8 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710599662.9 | 超级结的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李昊 |
201710772315.1 | 一种用于湿法刻蚀的干燥喷嘴、湿法刻蚀设备 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201810834893.8 | 晶圆键合装置、晶圆键合过程的检测方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭帅 |
201580050468.4 | 基板搬送方法和处理系统 | 东京毅力科创株式会社 | 近藤圭祐 |
201710448475.0 | 阵列基板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘清召 |
201610415987.2 | 封装方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201510560915.2 | 硅通孔的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 何作鹏 |
201610407346.2 | 半导体结构及形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510005139.X | CMOS晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘佳磊 |
201510438155.8 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510904215.0 | 晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 禹国宾 |
201610531721.4 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610620200.6 | 像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈宇鹏 |
201810756638.6 | 温度循环测试时阻止产生裂纹的器件和工艺方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 蔡莹 |
201610806487.1 | 互连线结构与其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴中文 |
201610263659.5 | 离子注入异常的检测结构及其制备方法，以及检测方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 史江北 |
201610666917.4 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201810069889.7 | 阵列基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 牟广营 |
201410648701.6 | 背照式CMOS图像传感器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 伏广才 |
201810319552.7 | 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201511025334.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610079732.3 | 环栅MOSFET及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201611122956.4 | 基于Ga2O3材料的帽层复合双栅PMOSFET及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201610407349.6 | 栅控二极管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610374736.4 | 沟槽栅功率MOSFET结构及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 柯行飞 |
201610486996.0 | SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 吴翼飞 |
201610677738.0 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李春霆 |
201710157716.6 | 一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201510633441.X | 电子设备及其制造方法和其制造装置 | 东京毅力科创株式会社 | 里吉务 |
201610753197.5 | SONOS器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 许昭昭 |
201710447343.6 | 反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李璐 |
201510158677.2 | 晶圆的表面处理方法、半导体器件及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周真 |
201511018593.5 | 一种化学机械研磨铜金属互连层后实施的清洗方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 施成 |
201610605668.8 | 一种半导体器件及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 禹国宾 |
201580030103.5 | 具有集成传感器的化学机械抛光保持环 | 应用材料公司 | 西蒙·亚沃伯格 |
201510883820.4 | 一种深硅刻蚀工艺 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 万宇 |
201410222435.0 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201610006033.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李敏 |
201510090264.5 | 对半导体对象执行操作的处理方法、系统及装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 史晓霖 |
201510960495.7 | 一种腔室纯净度的监测方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 何永根 |
201710475919.X | 显示面板及其制造方法和控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐元杰 |
201410398110.8 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201610018229.7 | 一种半导体器件以及制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 由云鹏 |
201510563367.9 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610490291.6 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610919383.1 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵海 |
201510666662.7 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201610309122.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 林静 |
201711318432.7 | 微电子衬底电处理系统 | 应用材料公司 | 罗伯特·B·穆尔 |
201810442397.8 | 可移除式隔离阀屏蔽插入组件 | 应用材料公司 | 布莱恩·威德 |
201510924155.9 | 工艺控制方法及系统、半导体设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李娟娟 |
201710131861.7 | 反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 佘清 |
201910845812.9 | 等离子体系统以及应用于等离子体系统的过滤装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陈鹏 |
201480024290.1 | 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫 | 应用材料公司 | 穆罕默德萨米尔 |
201610796315.0 | 用于多图案化应用的光调谐硬掩模 | 应用材料公司 | 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 |
201510859640.2 | 置入散色条于微影工艺的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 何育如 |
201580018220.X | 用于线路中段(MOL)应用的金属有机钨的形成方法 | 应用材料公司 | 吴立其 |
201510859529.3 | 半导体元件及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 布莱戴恩·杜瑞兹 |
201611123674.6 | 基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 元磊 |
201711132944.4 | 一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 范荣伟 |
201610545524.8 | 反应腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张伟涛 |
201610921266.9 | 具有工艺管压力控制装置的半导体热处理设备及控制方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 穆晓航 |
201710060655.1 | 基板交接位置的示教方法和基板处理系统 | 东京毅力科创株式会社 | 阪上博充 |
201710992688.X | 转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张文 |
201711073025.4 | 一种检测及校正晶圆与腔体载物台偏移的装置及方法 | 上海华力微电子有限公司 | 胡向华 |
201711092655.6 | 一种高效的缺陷抽检方法及系统 | 上海华力微电子有限公司 | 韩超 |
201610527722.1 | 机械手及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 于丰源 |
201510897240.0 | 承载装置以及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 魏晓 |
201610804584.7 | 一种静电卡盘和半导体处理装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 周娜 |
201410555654.0 | 压环机构及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 郭浩 |
201711167888.8 | 一种通过温和湿法刻蚀改善SEG生长形态的SEG制备工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201610664839.4 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 胡嘉欣 |
201710761489.8 | 3D存储器的蚀刻方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 洪培真 |
201610930229.4 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201710183218.9 | 一种固态光源的制备方法和固态光源 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710690679.5 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 崔海峰 |
201710361808.6 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧娟 |
201711177123.2 | 一种监测离子注入设备性能的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张立 |
201710235790.5 | 一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201710772290.5 | 一种氮化硅层的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张高升 |
201710583819.9 | 耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法及其结构 | 西安电子科技大学 | 张艺蒙 |
201480052565.2 | 装配有枢纽臂的化学机械抛光机 | 应用材料公司 | S·M·苏尼加 |
201711131180.7 | 一种消除湿法刻蚀金属硅化物阻挡层底切缺陷的工艺方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩朋刚 |
201710643445.5 | 对位贴合设备和对位贴合方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王伟伟 |
201710005691.8 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏磊 |
201810002569.X | 一种显示面板、电子设备及显示面板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 赵伟利 |
201810639018.4 | 三维存储器的制备方法及半导体结构的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201710149453.4 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 贵炳强 |
201710318784.6 | 半导体器件制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄秋铭 |
201710131906.0 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧 |
201710198484.9 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢鑫泓 |
201710500420.X | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朴求铉 |
201480067786.7 | 光纤阵列线路发生器 | 应用材料公司 | 道格拉斯·E·霍姆格伦 |
201610651985.3 | 半导体装置的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林毓超 |
201710758628.1 | 一种降低堆栈式CIS背照式工艺中晶圆滑片风险的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张磊 |
201610596339.1 | 自对准双重曝光显影工艺的方法以及半导体器件 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 叶滋婧 |
201710398746.6 | 高耐久性极紫外光掩模 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余家豪 |
201580029372.X | 用于实时抛光配方控制的方法及系统 | 应用材料公司 | 杰米·S·莱顿 |
201710552553.1 | 晶圆的平坦化方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 吴建荣 |
201410428687.9 | 一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 雷通 |
201510852268.2 | 包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赵元舜 |
201810029305.3 | 一种金属层剥离方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 王鹏 |
201510141237.6 | 结合晶圆实体测量与数位模拟以改善半导体元件制程方法 | 应用材料公司 | 林志诚 |
201710613874.8 | 一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 成智 |
201710985188.3 | 一种套刻精度点检方法 | 上海华力微电子有限公司 | 朱晓斌 |
201710140799.8 | 一种微环境与晶圆盒之间接口的密封装置及密封方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐冬 |
201710758627.7 | 基于计算机辅助设计的晶圆激光标识工艺实现方法及系统 | 上海华力微电子有限公司 | 孙天拓 |
201510005764.4 | 一种SOI器件及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘金华 |
201710987035.2 | 浅沟槽隔离结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 蔡毅 |
201710224259.8 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 崔承镇 |
201610084673.9 | 多阈值电压场效应晶体管及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 埃米沃克 |
201710301063.4 | 金属栅极隔离结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林志翰 |
201410427471.0 | SONOS闪存器件及其编译方法 | 上海华力微电子有限公司 | 顾经纶 |
201710884971.0 | 一种分裂栅的栅极形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许鹏凯 |
201710301304.5 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王涛 |
201710374728.4 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李洋 |
201710534097.8 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 臧鹏程 |
201710692964.0 | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710736947.2 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王文涛 |
201710329943.2 | 发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾鹏飞 |
201810509909.8 | OL ED显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张浩 |
201611210305.0 | 一种纵向沟道的SiC结型栅双极型晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 宋庆文 |
201610298895.0 | T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管 | 西安电子科技大学 | 张金风 |
201580009168.1 | 光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了其的图案形成方法、以及半导体器件、光刻用掩模和纳米压印用模板的制造方法 | 东京毅力科创株式会社 | 永原诚司 |
201580034916.1 | 用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置 | 应用材料公司 | 周建华 |
201710171104.2 | 氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710787331.8 | 一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201610510635.5 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 神兆旭 |
201710210793.3 | 一种COA基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 许志财 |
201710191094.9 | 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 竹永裕一 |
201611246910.3 | 形成半导体装置的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 沈育仁 |
201580017814.9 | 用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层 | 应用材料公司 | V·菲鲁兹多尔 |
201510859341.9 | 形成金属互连件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨士亿 |
201710840811.6 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄鹏 |
201710335930.6 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董水浪 |
201410554187.X | 光掩膜、半导体器件的制作方法及半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 许志颖 |
201710838643.7 | 载置台和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 佐佐木康晴 |
201510303242.2 | 液体涂敷方法和液体涂敷装置 | 东京毅力科创株式会社 | 一野克宪 |
201610034509.7 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201480060461.6 | 具有磨料在其中的打印的化学机械抛光垫 | 应用材料公司 | K·克里希南 |
201711219754.6 | 半导体装置结构的形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 施孟甫 |
201510131035.3 | 一种检测晶圆键合质量的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李兵 |
201611095507.5 | 在减压后的空间对被加工物进行处理的处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 海濑拓也 |
201710765411.3 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐德智 |
201610341110.3 | 一种半导体器件及其检测方法及电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘立 |
201710258247.7 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吕振华 |
201710349240.6 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢鑫泓 |
201510493268.8 | 晶圆刻蚀的控制方法及晶圆制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201580012315.0 | 霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统 | 应用材料公司 | 迈克尔·S·考克斯 |
201610017949.1 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 程晋广 |
201510894467.X | 提高鳍式场效应管性能的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510119859.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周洁鹏 |
201610420475.5 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610213588.8 | 刻蚀方法及半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 胡敏达 |
201510669884.4 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓武锋 |
201610536767.5 | 隔离结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510552896.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 禹国宾 |
201580006488.1 | 防止铜扩散的电介质/金属阻挡体集成 | 应用材料公司 | 任河 |
201810402853.6 | 多晶硅层及其制造方法、薄膜晶体管及阵列基板的制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧娟 |
201510540806.4 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510016512.1 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510372856.6 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510459384.8 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510654252.0 | PMOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201610011819.7 | 半导体器件以及改善半导体器件性能的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610079722.X | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201610083791.8 | 晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610083793.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610216934.8 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 纪世良 |
201610318186.4 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610410566.0 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610420451.X | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610885872.X | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710386619.4 | 垂直型薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲连杰 |
201710564648.5 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201610407448.4 | 调节光刻胶层厚度值的方法和系统 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘洋 |
201610979493.7 | 一种半导体器件的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陆水华 |
201710015091.X | 凸块封装方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 章国伟 |
201610048644.7 | 针对栅极开路电阻进行晶圆可接受度测试的样品处理方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 庞凌华 |
201610292139.7 | 测试结构及其形成方法以及测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 吴湘君 |
201610293060.6 | 半导体测试结构及其形成方法以及测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 程凌霄 |
201610403191.5 | 一种用于同时检测多个底部接触塞的工艺窗口的版图结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李莹 |
201611083632.4 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510358900.8 | 用于高温处理的耐等离子体腐蚀加热器 | 应用材料公司 | 阿卜杜·A·哈贾 |
201610134339.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘继全 |
201610240670.X | 深沟槽结构的制作方法、半导体器件及电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 蔡超 |
201610297862.4 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610667679.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 纪世良 |
201410136570.3 | 接触插塞的形成方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201410720415.6 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 何其暘 |
201510154527.4 | 用于形成互连的方法 | 应用材料公司 | 罗伊·沙维夫 |
201510215997.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201510446426.4 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201510448032.2 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201510456364.5 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张冠群 |
201510621876.2 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 袁光杰 |
201510640892.6 | 导电插塞结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王亮 |
201610006648.9 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 何其暘 |
201610664696.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201610667669.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 禹国宾 |
201610318187.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510465562.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510923234.8 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610531683.2 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610803203.3 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201410537884.4 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐建华 |
201510053282.6 | 一种半导体器件的制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王新鹏 |
201510144359.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201510341051.5 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵杰 |
201510348723.5 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201510657291.6 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵海 |
201610420453.9 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610527902.X | 多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 神兆旭 |
201510652425.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510896857.0 | 改善SRAM性能的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201611110242.1 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 宋春 |
201710187480.0 | 封装结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 殷原梓 |
201610407331.6 | 封装结构及其封装方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王冲 |
201611083625.4 | 静电放电保护结构及其形成方法和工作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610756374.5 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610217443.5 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201610006664.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 林静 |
201510377832.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610080737.8 | 存储器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杨晓蕾 |
201610231201.1 | SRAM存储器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710375613.7 | 阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710591961.8 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201610531682.8 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201810270332.X | 薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板和装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李俊杰 |
201610297863.9 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201410707066.4 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘焕新 |
201510006082.5 | P型鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610365140.8 | LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710841812.2 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周全国 |
201810048710.X | 等离子体处理系统 | 应用材料公司 | 小林悟 |
201510532696.7 | GaN薄膜的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 彭昀鹏 |
201610709471.9 | 器件表面的保护层的去除方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李广宁 |
201580039614.3 | 调节远程等离子源以获得具有可重复蚀刻与沉积率的增进性能 | 应用材料公司 | A·A·哈贾 |
201610755201.1 | 半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈卓凡 |
201711191821.8 | 沟道孔的底部刻蚀方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱喜峰 |
201580048051.4 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 平山祐介 |
201510853179.X | 元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴仲强 |
201610630458.4 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 谢欣云 |
201610643226.2 | FinFET器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄敬勇 |
201710126769.1 | 封装方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201610877477.7 | 测试方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 夏泽坤 |
201711182113.8 | 一种自定位电迁移测试结构及透射电镜样品制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 蔚倩倩 |
201711184345.7 | 硬掩膜刻蚀的底部缺陷的检验方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖为引 |
201711167872.7 | 一种磷酸清洗控制装置及方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201711140440.7 | 防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 卢勤 |
201710331274.2 | 显示基板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王玲 |
201610404786.2 | 晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈景龙 |
201610509726.7 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张小祥 |
201710845982.8 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田茂坤 |
201710329780.8 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201680008395.7 | 用于等离子体处理系统的低温夹具 | 应用材料公司 | T·Q·特兰 |
201710145552.5 | 实现无缝钴间隙填充的方法 | 应用材料公司 | 布尚·N·左普 |
201480064262.2 | 用于批处理的倾斜板及其使用方法 | 应用材料公司 | J·尤多夫斯基 |
201580032583.9 | 修改基板厚度轮廓 | 应用材料公司 | J·古鲁萨米 |
201711175239.2 | 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高涛 |
201710813421.X | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 汪建国 |
201610807369.2 | 半导体制造装置及其研磨模块 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 简宏仲 |
201510860763.8 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201710897252.2 | 显示基板及其制作方法、驱动方法、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒲巡 |
201711020536.X | 制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王景帅 |
201510321307.6 | 半导体器件结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕志 |
201610849228.7 | 三维芯片堆叠的方法和结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201711312299.4 | 预调金属导线尺寸的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄达斐 |
201510849444.7 | 钴互连件技术 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李雅玲 |
201510122423.5 | 具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201611181493.9 | 半导体结构和半导体器件的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
201710421135.9 | 蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201611030074.5 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 苏庆忠 |
201610006700.0 | 局部互连结构的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李敏 |
201710437796.0 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201710420544.7 | 基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201611046643.5 | 反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张禄禄 |
201510919402.6 | 液体处理方法和液体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 桥本崇史 |
201880001785.0 | 3D NAND存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进 | 长江存储科技有限责任公司 | 王二伟 |
201880005485.X | 在混合键合半导体器件中形成引线的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 严孟 |
201711167910.9 | 一种SONO刻蚀工艺的检测方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 何佳 |
201710580244.5 | 互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 许静波 |
201980000367.4 | 贯穿硅触点结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈亮 |
201710308779.7 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯京 |
201710482644.2 | LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710859678.9 | 一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周成 |
201710092908.3 | 一种介质窗和等离子体处理装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张彦召 |
201911109807.8 | 用等离子体加工系统进行加工的方法及等离子体加工系统 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王建龙 |
201611153550.2 | 一种腔室和半导体设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 邓玉春 |
201710267543.3 | 低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨昕 |
201710629551.8 | 半导体管芯切割及由此形成的结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张富程 |
201510654220.0 | 制造图形化蓝宝石衬底的方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张君 |
201610407581.X | 半导体设备的成膜方法、氮化铝成膜方法以及电子装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 董博宇 |
201410428597.X | 用于镍硅合金化工艺的阻挡层的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 荆泉 |
201610073020.0 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201610073062.4 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610663504.0 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冯家馨 |
201710289431.8 | 鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710318885.3 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201710330560.7 | 金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李正亮 |
201410377374.5 | 晶圆缺陷监控方法 | 上海华力微电子有限公司 | 倪棋梁 |
201510574343.3 | 一种控压方法和装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 毕会杰 |
201510955079.8 | 一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 宗令蓓 |
201610048520.9 | 烘烤装置和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨青海 |
201610963595.X | 基板载置台和基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 佐佐木芳彦 |
201410784454.2 | 传片系统及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陈春伟 |
201610288865.1 | 传输腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 金春吉 |
201610657876.2 | 一种机械手取片方法和放片方法及装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王艳领 |
201710413268.1 | 一种承载装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 常青 |
201510551706.1 | 互连结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
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201710772332.5 | 一种双栅氧化层制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 田武 |
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201710617523.4 | 封装结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑锡圭 |
201710114441.8 | 用于标准单元的中段制程带 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 沈孟弘 |
201710821674.1 | 具有伪连接件的半导体封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈承先 |
201610510621.3 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 冯军宏 |
201710772334.4 | 一种阶梯覆盖层的平坦化方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 章诗 |
201710129014.7 | 一种显示基板、显示面板及显示基板的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王辉锋 |
201710131890.3 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张慧 |
201611216681.0 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 邓桔程 |
201610311349.6 | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 白金超 |
201611018035.3 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾可可 |
201710056294.3 | 一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201610510623.2 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201710626274.5 | 在激光退火系统中用于控制边缘轮廓的定制光瞳光阑形状 | 应用材料公司 | 道格拉斯霍姆格伦 |
201580045005.9 | 用以实现高密度高SP3含量层的高功率脉冲磁控溅镀工艺 | 应用材料公司 | M斯托威尔 |
201710221190.3 | 薄膜晶体管的制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710277714.0 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器 | 京东方科技集团股份有限公司 | 温钰 |
201610930728.3 | 半导体热处理设备工艺门状态检测装置及检测方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐冬 |
201510971231.1 | 基板液处理装置和基板液处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 上村史洋 |
201510923180.5 | 互连结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201610216906.6 | 半导体结构及其的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201710735718.9 | OL ED背板制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 舒适 |
201610646942.6 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710499346.4 | 一种阵列基板母板的制备方法、阵列基板母板和检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付方彬 |
201710265499.2 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李小龙 |
201710637585.1 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 范昊翔 |
201610406762.0 | 芯片的制备方法及刻蚀方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张士健 |
201510547991.X | 高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610903179.0 | 原子层沉积方法及其结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李欣怡 |
201510249663.1 | 用于锗基半导体结构的表面钝化 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王冠程 |
201610662883.1 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201410640548.2 | 晶体管的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 毛刚 |
201510536211.1 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 黄子伦 |
201510741813.0 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610206325.4 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王冬江 |
201610208077.7 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610210892.7 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610157102.3 | 夹持装置、基板输入输出装置以及基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 小原美鹤 |
201480025132.8 | 基板沉积系统、机械手移送设备及用于电子装置制造的方法 | 应用材料公司 | 威廉·T·韦弗 |
201410425885.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 胡平 |
201610510477.3 | 半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201610697872.7 | 内连接结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201510658333.8 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵海 |
201610666918.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201510654255.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵杰 |
201610414190.0 | CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710481933.0 | 多层膜器件及方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张耀仁 |
201610126984.7 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201510714032.2 | 快闪存储器的制作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陈亮 |
201610192683.4 | 半导体存储器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李冠华 |
201610255609.2 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 万宇 |
201710326432.5 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201610935251.8 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201610622326.7 | 半导体元件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610729667.4 | 半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 方琮闵 |
201410766590.9 | MOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王文博 |
201610237031.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610667678.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610915984.5 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201610919782.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈宗高 |
201910008686.1 | 阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 丁录科 |
201810604584.1 | 加热器悬挂支架及成膜设备 | 上海华力微电子有限公司 | 龚飞昊 |
201810268895.5 | 基板处理装置和基板处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 小川裕之 |
201810270841.2 | 晶圆键合等离子体处理装置 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭帅 |
201711208508.0 | 一种自对准四重图形技术 | 长江存储科技有限责任公司 | 毛晓明 |
201610633438.2 | 一种半导体器件及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201610790803.0 | 降低离子注入层光刻胶剥离风险的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 蒋斌杰 |
201711281769.5 | 优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许进 |
201710676355.6 | 退火设备工艺能力的监控方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李楠 |
201610670772.5 | 薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张锋 |
201710233784.6 | 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201710882857.4 | 源/漏的形成方法以及半导体器件的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄秋铭 |
201710094366.3 | 半导体装置以及制造的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201710370130.8 | 寄生RC网络的提取方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 曹云 |
201710987031.4 | 重复性缺陷的筛选方法 | 上海华力微电子有限公司 | 陈超 |
201711461652.5 | 适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许箭 |
201610938604.X | 用于量测机台的自动调校方法和系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 阮炯明 |
201711243093.0 | 一种静电吸盘装置及其温控方法 | 上海华力微电子有限公司 | 袁鹏华 |
201711124090.5 | 阴极隔离挡墙的制备方法、显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王治 |
201910113088.0 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张念华 |
201510967098.2 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张城龙 |
201511027924.1 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 何丽丽 |
201610089099.6 | 一种半导体器件的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 禹国宾 |
201610802975.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201610807671.8 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201810564832.4 | 金属连线间形成空气隙的方法和金属连线结构 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 孙玉红 |
201510656689.8 | 集成电路中的蚀刻停止层 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张简旭珂 |
201610444352.5 | 一种半导体器件及其控制方法和版图结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 甘正浩 |
201610823199.7 | 半导体器件的单元布局、单元布局库及其合成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 庄易霖 |
201611090724.5 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郭志轩 |
201710519258.6 | SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件及制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈瑜 |
201610485339.4 | 沟槽栅功率MOSFET及制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 柯行飞 |
201710629765.5 | 屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范让萱 |
201510833407.7 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡俊雄 |
201610023757.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 游承谚 |
201610683475.4 | 互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林瑀宏 |
201711075656.X | 沟槽外延的填充方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 孔蔚然 |
201710733237.4 | 三维存储器的制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 赵新梅 |
201610929499.3 | 用于检测基板上的标记的装置、设备和方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 何世峰 |
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201711182124.6 | 栅极线的对准测量方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许波 |
201711194496.0 | 一种用于叉指状栅GOI结构漏电点精确定位的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杜晓琼 |
201610925898.2 | 基板校准装置以及检测系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 岳力挽 |
201510974155.X | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王亮 |
201710964698.2 | 具有台阶型的氮化钛图形的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘善善 |
201711242898.3 | 导通孔的铜填充工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 潘杰 |
201710239608.3 | 一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘陆 |
201711139505.6 | 超高深宽比SONO刻蚀工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘隆冬 |
201510422648.2 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 肖莉红 |
201510674010.8 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201710729963.9 | 能够控制晶圆边缘形貌的三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201710977057.0 | 氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘晓伟 |
201610848552.7 | 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李全虎 |
201710068610.9 | 超结器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李昊 |
201710197668.3 | 源-漏复合场板垂直型电力电子器件 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710198826.7 | 基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710198830.3 | 基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710629424.8 | 沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 颜树范 |
201710198226.0 | 浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710198230.7 | 基于弧形源场板和弧形漏场板的垂直型功率器件及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710903865.2 | 屏蔽栅沟槽功率MOST ET器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 颜树范 |
201810327043.9 | 用于沉积腔室的基板支撑夹盘冷却 | 应用材料公司 | 布赖恩·韦斯特 |
201710771004.3 | 刻蚀方法、工艺设备、薄膜晶体管器件及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杜生平 |
201610919590.7 | 分割和接合方法及其形成的结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201480072981.9 | 通过使用远程等离子体PECVD的FCVD硬件形成的可流动碳膜 | 应用材料公司 | A·查特吉 |
201610004626.9 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈逸仁 |
201911189954.0 | 一种半导体芯片及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 黄腾 |
201711017479.X | 治具、显示面板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 包珊珊 |
201711050011.0 | 一种阵列基板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 晁晋予 |
201810343205.8 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201810962144.3 | 一种晶圆及芯片 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201911184237.9 | 一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱宏斌 |
201710103356.1 | 阵列基板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谢蒂旎 |
201610516949.6 | 鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈建颖 |
201510245445.0 | 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲豪 |
201610719830.9 | 鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710084366.5 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何晓龙 |
201910333496.7 | 芯片、目标基板、芯片转移方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈亮 |
201680028164.2 | 用于高温处理的具有金属结合背板的静电定位盘组件 | 应用材料公司 | V帕科 |
201511025062.9 | 纳米线半导体器件结构及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 戈本·多恩伯斯 |
201710281923.2 | 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王利忠 |
201510982543.2 | 探针卡和晶圆测试系统及晶圆测试方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴元春 |
201710002587.3 | 一种显示模组、绑定检测方法及绑定系统 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蔡振飞 |
201610681322.6 | 一种激光退火装置及其控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张治超 |
201710061657.2 | 半导体装置与形成半导体装置的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林志翰 |
201710168073.5 | 显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘英伟 |
201710801200.0 | 一种掩膜版、阵列基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张震 |
201810729606.7 | 光学对准标记、光学定位方法以及半导体器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 屠礼明 |
201710662048.2 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201910502096.4 | 一种半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 田武 |
201410310519.X | 一种半导体器件及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201410696596.3 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201710370472.X | 薄膜晶体管及其制造方法、显示基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 温钰 |
201610862943.4 | 基板处理方法和基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 久保明广 |
201510859346.1 | 图案化光致抗蚀剂的去除 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑雅玲 |
201710728043.5 | 一种3D NAND闪存沟道孔的平坦化工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 张坤 |
201711177120.9 | 一种晶圆的重测方法 | 上海华力微电子有限公司 | 赵朝珍 |
201610065467.3 | 基板液体处理装置和基板液体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤秀明 |
201710329424.6 | 一种金属互连结构的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201711163249.4 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张帅 |
201710040583.4 | 导电层、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710818794.6 | 薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 毛德丰 |
201610940824.6 | 托盘、反应腔室、半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 黎俊希 |
201410648558.0 | 微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 刘海鹰 |
201910421845.0 | 一种半导体器件及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王永庆 |
201410614306.6 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张帅 |
201710454661.5 | 集成电路填料及其方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 罗增锦 |
201711387149.X | 一种检测多晶硅是否出现短路的检测方法 | 上海华力微电子有限公司 | 范荣伟 |
201510597182.X | 承载装置以及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 郑友山 |
201610474215.6 | 一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李玉站 |
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201510922012.4 | 压环、预清洗腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐奎 |
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201310750385.9 | 硅通孔深孔填充工艺 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 侯珏 |
201611042625.X | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕升 |
201610117616.6 | 热增强的散热器 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林柏尧 |
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201610680208.1 | FinFET隔离结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
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201610489129.2 | 测试设备及测试方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 崔嘉 |
201610044356.4 | 半导体器件安全认证方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵连国 |
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201711100020.6 | 一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法 | 上海华力微电子有限公司 | 汪悦 |
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201810001897.8 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710071436.3 | 对金属层表面粗糙化处理的方法、薄膜晶体管及制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯京 |
201710708941.4 | 半导体封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 邵栋梁 |
201710730497.6 | 一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法 | 上海华力微电子有限公司 | 范荣伟 |
201510916892.4 | 加热处理装置和加热处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 水田诚人 |
201610903251.X | 互连结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710079389.7 | 防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 徐涛 |
201710326074.8 | 一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐文清 |
201710326119.1 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蔡振飞 |
201710158895.5 | 一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201510565628.0 | 金属栅极及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 洪奇成 |
201610903438.X | 用于高功率电迁移的通孔轨解决方案 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧锦涛 |
201610919834.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈蕙祺 |
201710157056.1 | 一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710844659.9 | 一种阶梯高K介质层元素纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710844705.5 | 一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201610255329.1 | 用于形成膜堆叠的双通道喷头 | 应用材料公司 | K·阿拉亚瓦里 |
201610803034.3 | 管芯分拣装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 杨晨 |
201610379168.7 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201610379201.6 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张城龙 |
201610423223.8 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201710898848.4 | 一种阵列基板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 伍蓉 |
201710774930.6 | 一种具有指纹识别的柔性显示面板及制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙阔 |
201710198228.X | 分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201410756796.3 | 用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 潘兴强 |
201810191299.1 | 一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 鲍里斯·克里斯塔尔 |
201510548258.X | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510366383.9 | 晶体管的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 黄瑞轩 |
201510894294.1 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201510894481.X | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610079377.X | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201610130606.6 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610213608.1 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 黄瑞轩 |
201610405073.8 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610504769.6 | LDMOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201610744154.0 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510780314.2 | 半导体装置及调节方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 高耀寰 |
201611111149.2 | 半导体测试结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510703687.X | 接触孔的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刘继全 |
201610319283.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201610407462.4 | 互连结构及形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201610666919.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610738862.3 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610744286.3 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王彦 |
201610884440.7 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610964304.9 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611100045.1 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 肖芳元 |
201510894238.8 | CMOS器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610531672.4 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710243649.X | 反熔丝结构电路及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 冯军宏 |
201410734536.6 | 互连结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 黄敬勇 |
201710173582.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓国贵 |
201610006662.9 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510894291.8 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610006633.2 | 双极型晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杨晓蕾 |
201410811892.3 | 具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610079745.0 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201610107591.1 | 具有不均匀栅极结构的FinFET器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家玮 |
201610662636.1 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201710852897.4 | 薄膜晶体管及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张建业 |
201680070449.2 | 半导体装置的制造装置以及制造方法 | 东京毅力科创株式会社 | 星野智久 |
201710733217.7 | 异常探测方法以及半导体制造装置 | 东京毅力科创株式会社 | 大木达也 |
201510670146.1 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈福成 |
201710210728.0 | SiC双槽UMOSFET器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201711154880.8 | 一种抑制晶圆混合键合中铜电迁移的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 丁滔滔 |
201610260588.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李志超 |
201480042959.X | 蚀刻方法 | 东京毅力科创株式会社 | 吉田亮一 |
201580060311.X | 蚀刻方法 | 东京毅力科创株式会社 | 户村幕树 |
201611264430.X | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 樊圣亭 |
201710552611.0 | 一种凸块回流方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 蔡凤萍 |
201910606544.5 | 三维存储器晶圆键合制成中对应晶圆的匹配方法、制备方法及相关产品 | 长江存储科技有限责任公司 | 邱宇 |
201711166869.3 | 用于晶圆刻蚀的反应槽 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201610459887.X | 一种半导体器件的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201611170270.2 | 用于金属栅极的制造工艺 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201810286429.X | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曹金虎 |
201410837905.4 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 梁海慧 |
201711056838.2 | 一种阵列基板、其制作方法及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李祥远 |
201710848515.0 | 基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201510270513.9 | 半导体器件及其制备方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 施森华 |
201610403694.2 | 掩膜层结构、半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 宋长庚 |
201610919641.6 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周俊卿 |
201610490311.X | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐建华 |
201710456366.3 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李东颖 |
201610873459.1 | 对被处理体进行处理的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 木原嘉英 |
201480058904.8 | 溶胶凝胶涂布的支撑环 | 应用材料公司 | 约瑟夫拉内什 |
201810374256.7 | 一种加热组件、封装装置和封装方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 任锦宇 |
201710717449.3 | 半导体结构和相关方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡宇翔 |
201610089201.2 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐建华 |
201610907124.7 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王圣祯 |
201710561145.2 | 通过扩散掺杂和外延轮廓成型 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖志腾 |
201710073702.6 | 装置封装件以及用于形成装置封装件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄育智 |
201710153641.4 | 一种半导体器件的检测结构及其制备方法、检测方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 夏禹 |
201710686624.7 | 显示基板及其制造方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201410812448.3 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610907176.4 | 半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴政宪 |
201580049774.6 | 对多层膜进行蚀刻的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 西村荣一 |
201711316936.5 | 对被处理物进行处理的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 田原慈 |
201910639112.4 | 半导体结构的形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨尊 |
201680009447.2 | 对磁性层进行蚀刻的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 田原慈 |
201710057555.3 | 封装件及方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 朱强瑞 |
201780058728.1 | 用于处理腔室清洁终点检测的方法和设备 | 应用材料公司 | 崔永镇 |
201510896410.3 | 基板处理装置的基板载置台 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤彻治 |
201910496013.5 | 一种半导体结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨罡 |
201910322243.X | 半导体结构及半导体工艺方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 严孟 |
201710257863.0 | 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李正亮 |
201710680196.7 | 半导体元件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 游佳达 |
201910299308.3 | 一种静电放电保护结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李志国 |
201910565454.6 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201710629740.5 | 薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡合合 |
201710641781.6 | OL ED基板及制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 程鸿飞 |
201810794360.1 | 被处理体的处理装置和处理装置的检查方法 | 东京毅力科创株式会社 | 石川聪 |
201610927729.2 | 一种晶圆清洗方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 谷勋 |
201610072794.1 | 静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201580004367.3 | 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化 | 应用材料公司 | 李宁 |
201610548348.3 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冯家馨 |
201611021412.9 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林群雄 |
201980000333.5 | 用于在半导体制造中定位图案的标记 | 长江存储科技有限责任公司 | 张豆豆 |
201610802982.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓武锋 |
201710351861.8 | 半导体结构及其方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨超源 |
201980000740.6 | 具有沉积的半导体插塞的三维存储器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201880005197.4 | 三维存储装置的阵列共源极结构以及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201710420077.8 | 一种阵列基板和阵列基板的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王晶 |
201710590258.5 | 阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710331482.2 | 显示装置及显示装置中基板上阻挡层的成型方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 程磊磊 |
201710551731.9 | 一种显示装置和显示装置的制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 林俊仪 |
201510953080.7 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 梁春昇 |
201710119971.1 | 一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201710467529.8 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙雪菲 |
201810174492.4 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 乔赟 |
201610065159.0 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 万幸仁 |
201711138236.1 | HEMT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 吕红亮 |
201711181154.5 | 一种待切割母板、基板制备方法及基板切割精度检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谢扶政 |
201880002201.1 | 半导体器件翻转装置 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘孟勇 |
201710736777.8 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710765399.6 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201980000233.2 | 集成电路封装结构及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
201710132422.8 | 三维存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201710324020.8 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 占建英 |
201710333308.1 | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李云泽 |
201710966327.8 | 显示基板母板及其制作方法、显示基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王本莲 |
201580062668.1 | 成膜装置 | 东京毅力科创株式会社 | 原岛正幸 |
201710118714.6 | 金属凸块装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 薛兴涛 |
201610073065.8 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张帅 |
201610091575.8 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201710060663.6 | 基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 加藤寿 |
201610630737.0 | 图案化光阻的形成方法及其结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈林 |
201710172873.4 | 等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 永海幸一 |
201710174303.9 | 等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 永海幸一 |
201610404770.1 | 双极结型晶体管的制造方法及半导体芯片的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张焕云 |
201710031387.0 | 一种真空系统及控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付文悦 |
201580044951.1 | 具有介电常数设计的原位电荷捕获材料的高温静电夹盘 | 应用材料公司 | P·K·库尔施拉希萨 |
201710071162.8 | 基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 林德太郎 |
201610459954.8 | 快闪记忆体中浅沟槽的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 常荣耀 |
201410163124.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 何作鹏 |
201611066883.1 | 互连结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 何作鹏 |
201710547799.X | 一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201910676806.5 | 一种三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 何家兰 |
201710321917.5 | 像素结构及其制作方法、显示基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 于东慧 |
201710612242.X | 显示基板、显示装置及其显示方法、掩模板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 唐富强 |
201710309534.6 | 一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王国英 |
201710348413.2 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘珠林 |
201710128759.1 | 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置、载体基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田宏伟 |
201710156182.5 | 超结器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李昊 |
201610927405.9 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 常荣耀 |
201710700995.6 | 半导体方法和器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 苏怡年 |
201410325477.7 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王新鹏 |
201610261460.9 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 任佳 |
201610820664.1 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘子正 |
201580053279.2 | 用于基座组件的弹簧负载销及使用该弹簧负载销的处理方法 | 应用材料公司 | J·约德伏斯基 |
201710519676.5 | 形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑心圃 |
201710450329.1 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄翊铭 |
201610424039.5 | 基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201611073819.6 | 接合结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201610996686.3 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 于殿圣 |
201710576065.4 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林峪群 |
201510437327.X | 具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈建颖 |
201610786074.1 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑国裕 |
201710999043.9 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201510193452.0 | 鳍部件的结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 温宗尧 |
201410804259.1 | 半导体器件以及形成垂直结构的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭治棠 |
201510764636.8 | 具有停止层的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610807658.2 | 一种垂直FinFET器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710287331.1 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周宏儒 |
201611187742.5 | 一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201410720427.9 | 晶圆研磨方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陈彧 |
201711165278.4 | 载置台和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 高桥智之 |
201810378133.0 | 滤波器装置和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 奥西直彦 |
201610208298.4 | 一种半导体电容器及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 吴健 |
201810024856.0 | 改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 张辉 |
201710130943.X | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 郑二虎 |
201580054389.0 | 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 中森光则 |
201580068790.X | 基板液处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 小宫洋司 |
201710847318.7 | 晶圆背面减薄工艺方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 孔蔚然 |
201510354799.9 | 一种多晶硅刻蚀方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵连国 |
201611075036.1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈林 |
201710007284.0 | 基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统 | 东京毅力科创株式会社 | 羽田敬子 |
201611188525.8 | SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201611188557.8 | AlAs-Ge-AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201410216718.4 | 一种制作半导体器件的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 隋运奇 |
201510540775.2 | MOS晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201510904226.9 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201610293057.4 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610356806.3 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201610505262.2 | 一种FinFET器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201610537321.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201610666905.1 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610784554.4 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610831749.X | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611002333.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201611085957.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201710695142.8 | 改善法拉第环电阻的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 程晓华 |
201710363176.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陈福成 |
201610940330.8 | 测试结构及测试单元 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王志娟 |
201710131317.2 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611009447.0 | 用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的方法和系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 曹喜 |
201611206324.6 | 用于管控线上缺陷的方法和系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 闫卫卫 |
201710111604.7 | 一种热处理设备工艺门冷却系统及冷却方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐冬 |
201611200189.4 | 晶圆匣系统以及传送半导体晶圆的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈加源 |
201410186381.7 | 半导体装置的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈能国 |
201610457929.6 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈德艳 |
201610804720.2 | 一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄河 |
201911257760.X | 存储器及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 梅国柱 |
201610182177.7 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 韩秋华 |
201610345387.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 包小燕 |
201610664298.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201611112156.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201810120404.2 | 金属铝填孔的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 王星杰 |
201610662867.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611089134.0 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 贺鑫 |
201710185895.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201410217871.9 | 一种半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 涂火金 |
201610308959.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄河 |
201610488045.7 | 基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201610527878.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610801089.0 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 何凤英 |
201611066007.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610994448.9 | 动态随机存储器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 林曦 |
201810226859.2 | 固液一体式芯片散热器及其制造工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 李志 |
201611262695.6 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201611239029.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 林静 |
201610919830.3 | 半导体结构及其形成方法、测量电容的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510345790.1 | 半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李敏 |
201610490297.3 | 一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈德艳 |
201610958506.2 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 涂火金 |
201611239033.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 贺鑫 |
201710466243.8 | 肖特基接触注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张玉明 |
201610315907.6 | 栅控二极管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 甘正浩 |
201610788877.0 | LDMOS及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610840197.9 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 姚陆军 |
201710388208.9 | 超结器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李昊 |
201810163584.2 | LDMOS器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 房子荃 |
201611188527.7 | 异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201780007258.6 | 等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 山泽阳平 |
201810384258.4 | 等离子处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 上田雄大 |
201710661042.3 | 在半导体条中形成掺杂区 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄士文 |
201711342088.5 | 封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林俊成 |
201710685984.5 | 半导体元件的制造过程中进行自动缺陷筛选的系统 | 应用材料公司 | 林志诚 |
201810210049.8 | 保持用具以及包括该保持用具的载体组件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朱凯 |
201710835332.5 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林孟汉 |
201710402652.1 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201711338372.5 | 半导体封装件中的导电通孔及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 谢正贤 |
201710835486.4 | 集成电路和形成集成电路的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 庄惠中 |
201610907219.9 | 存储器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 藤原英弘 |
201710047075.9 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 肖志莲 |
201611257688.7 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴宏祥 |
201710385218.7 | FINFET结构及其方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冯家馨 |
201710545902.7 | 等离子体源组件 | 应用材料公司 | A·K·萨布莱曼尼 |
201810588302.3 | 晶圆上多个对准标记的集中放置和光刻位置的确定方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李伟峰 |
201810636615.1 | 检查气体供给系统的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 实吉梨沙子 |
201710370095.X | 一种在氧化硅湿法刻蚀中降低硅损伤的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 李阳柏 |
201810218102.9 | 基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201580031646.9 | 在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理 | 应用材料公司 | 类维生 |
201711392296.6 | SONOS存储器的ONO刻蚀方法 | 上海华力微电子有限公司 | 刘政红 |
201710079403.3 | 一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201810112925.3 | 触控基板的制造方法、触控基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 都智 |
201711240724.3 | 一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统 | 上海华力微电子有限公司 | 汪金凤 |
201810157691.4 | 获取晶圆晶背刮伤来源的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 王洲男 |
201810619064.8 | 检测对准偏移的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 曹子贵 |
201580060734.1 | 具有基板载体和净化腔室环境控制的基板处理系统、设备和方法 | 应用材料公司 | 迈克尔·R·赖斯 |
201810029257.8 | 静电吸附基底的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 蒙飞 |
201711127693.0 | 半导体器件及其制备方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘张李 |
201711127717.2 | 一种局部化SOI区域制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘玮荪 |
201711176781.X | 一种FDSOI器件SOI和bulk区域浅槽形貌优化方法 | 上海华力微电子有限公司 | 朱轶铮 |
201611151393.1 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201811011754.1 | 半导体器件结构及其形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201710078925.1 | 一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 徐涛 |
201711176780.5 | 一种用于尺寸缩减NORFlash单元工艺集成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 田志 |
201810045488.8 | 一种阵列基板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201710157394.5 | 一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710198229.4 | 复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201710623812.5 | 一种具有复合介质层纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710623838.X | 一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710624383.3 | 具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710624384.8 | 具有复合介质层纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710526266.3 | 薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 段献学 |
201710551520.5 | 一种磁控管、反应腔室和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王宽冒 |
201710282934.2 | 一种机械卡盘及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王涛 |
201710276882.8 | 一种连接装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张峥 |
201710120644.8 | 升降门装置和晶片传输系统 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李冬冬 |
201710373466.X | 进气装置和包括该进气装置的腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 茅兴飞 |
201710708391.6 | 反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 赵晋荣 |
201611153582.2 | 一种腔室和半导体设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张超 |
201510770505.0 | 多周期晶圆清洁方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡颖颉 |
201510870094.2 | 晶片加工方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 彭宇霖 |
201680009234.X | 氧化硅薄膜的选择性侧向生长 | 应用材料公司 | 陈一宏 |
201810224905.5 | 功率馈入机构、旋转基座装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 刘建生 |
201710942807.0 | 逻辑单元结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈芳 |
201611187763.7 | 一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201710600282.2 | 形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 徐志安 |
201610643423.4 | 接合结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李明机 |
201611119842.4 | 具有高低不平的互连件的集成扇出结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林士庭 |
201810107621.8 | 获得刻蚀深度极限值的方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 林源为 |
201610725732.6 | 开盖机构和半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李璐 |
201810516484.3 | 去气腔室以及去气方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐刚 |
201510778736.6 | 装卸手 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 郭冰亮 |
201510766094.8 | 一种微电子加工设备及方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李红 |
201710569034.6 | 高温静电卡盘 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李新颖 |
201510970425.X | 具有局部互连结构的器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 傅丰华 |
201611066772.0 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201810811406.6 | 三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 汪宗武 |
201610657160.2 | 用于FINFET器件中的栅极氧化物的均匀性的平坦STI表面 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴政达 |
201610671579.3 | FINFET器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 彭彦明 |
201611089731.3 | 用于半导体器件的结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宜静 |
201710065525.7 | 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 汪建国 |
201711022384.7 | 顶栅型薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201611187942.0 | 一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 胡辉勇 |
201710097382.8 | 基板处理方法和基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 野田康朗 |
201580027248.X | 用于改良的金属离子过滤的方法和设备 | 应用材料公司 | 唐先民 |
201711017375.9 | 多晶硅薄膜的制作方法、薄膜、晶体管、基板及激光设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田雪雁 |
201410323130.9 | 改善多孔低k薄膜的突起缺陷的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201580001478.9 | 稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积 | 应用材料公司 | J·Y·孙 |
201610122028.1 | 基板处理装置以及基板处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 三浦繁博 |
201611215254.0 | 半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴正一 |
201710717962.2 | 针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料 | 应用材料公司 | J·Y·孙 |
201610849464.9 | 载置台和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 小岩真悟 |
201710123502.7 | 一种显示基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 罗程远 |
201910387525.8 | 多孔结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨罡 |
201710061113.6 | 半导体装置及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林国楹 |
201811352700.1 | 一种显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李晓虎 |
201710525619.8 | 一种阵列基板、其制备方法及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 韦东梅 |
201811149702.0 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顾仁权 |
201580026860.5 | 用于处理管道中的气体的设备 | 应用材料公司 | 曾继兵 |
201610669564.3 | 具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈彦豪 |
201780024178.1 | 利用选定的蚀刻剂气体混合物以及调整操作变量修整无机抗蚀剂的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 文·梁 |
201711285454.8 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 阪根亮太 |
201810539508.7 | 等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 金子健吾 |
201711091798.5 | 一种制作T型栅结构的电子束光刻方法 | 西安电子科技大学 | 张鹏 |
201810058404.4 | 光刻胶去除方法 | 上海华力微电子有限公司 | 李丹 |
201510212052.X | 多阶鳍的形成方法及其结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201611047027.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕升 |
201710533705.3 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 何政昌 |
201610944773.4 | 芯片封装方法及封装结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201711157377.8 | 半导体结构的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201880005135.3 | 用于形成三维综合布线结构和其半导体结构的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱继锋 |
201880005423.9 | 形成三维集成布线结构的方法及其半导体结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱继锋 |
201880009111.5 | 三维存储器设备的接合开口结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201980001307.4 | 互连结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨罡 |
201610010220.1 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 亚历山大·卡尔尼茨基 |
201980000243.6 | 使用混合键合的结构和器件及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王涛 |
201611114845.9 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 曹佩华 |
201710695413.X | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴佳典 |
201710329127.1 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201610256886.5 | 半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 梁海慧 |
201880005231.8 | 用于测试三维存储器设备的结构和方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 金钟俊 |
201880005225.2 | 三维存储组件形成过程中阶梯的蚀刻控制方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吕震宇 |
201410682658.5 | 制造半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杜建男 |
201910080209.6 | 具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710866957.8 | 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201980000403.7 | 具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 孙超 |
201610712689.X | 存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201910421869.6 | 一种半导体器件及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王永庆 |
201711092666.4 | 一种全耗尽SOI结构的制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201711191234.9 | 一种改善锗硅源漏极形貌的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 方精训 |
201710750267.6 | 一种晶圆检测方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许向辉 |
201710771558.3 | 一种异常点抓取方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 蔚倩倩 |
201711220974.0 | 根据电路设计图形设置扫描阈值的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 陈超 |
201711178278.8 | 槽式湿法清洗机台 | 上海华力微电子有限公司 | 王春伟 |
201711106966.3 | 一种改善光刻填充材料平坦度的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 官锡俊 |
201610663488.5 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李勃学 |
201610622347.9 | 集成电路及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710897335.1 | 一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王瑞勇 |
201710003222.2 | 显示屏及其控制方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孟虎 |
201710113747.1 | 反射型阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董水浪 |
201810003159.7 | 阵列基板、制作方法、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201711305470.9 | 显示基板及其制造方法、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李云飞 |
201610862940.0 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 白金超 |
201710534060.5 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薛大鹏 |
201710631205.3 | OL ED显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘文渠 |
201810516269.3 | 一种显示基板及其制作方法、显示器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李铸毅 |
201680013408.X | 用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室 | 应用材料公司 | T·Q·特兰 |
201810558220.4 | 等离子体处理装置和静电吸附方法 | 东京毅力科创株式会社 | 松山昇一郎 |
201710464039.2 | 接触开口及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 萧寒稊 |
201611053272.3 | 形成沟槽的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710339635.8 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201710057578.4 | 线圈结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201810147001.7 | 一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张强 |
201711047931.7 | FINFET和形成FINFET的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林经祥 |
201711002040.X | 柔性面板的制备方法、柔性面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐元杰 |
201810055459.X | 显示面板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈亮 |
201711105990.5 | 封装件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201710369074.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 童思频 |
201610689119.3 | 鳍式场效晶体管结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710596457.7 | 伪鳍蚀刻以在衬底中形成凹槽 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 官琬纯 |
201710457121.2 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张斌 |
201710892083.3 | 一种显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王伟 |
201810106226.8 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙阔 |
201410808231.5 | 具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘勇村 |
201610815934.X | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家铭 |
201680035326.5 | 用于改良的气体分配的递归注入设备 | 应用材料公司 | A贝拉 |
201810295950.X | 低温多晶硅薄膜及其制作方法、薄膜晶体管、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田雪雁 |
201610919656.2 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201511026881.5 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王冬江 |
201510379150.2 | 蚀刻方法和蚀刻装置 | 东京毅力科创株式会社 | 户田聪 |
201710567272.3 | 一种晶圆级封装结构及其封装方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 付俊 |
201610499994.5 | 热处理装置和温度控制方法 | 东京毅力科创株式会社 | 小原一辉 |
201780074433.3 | 用于半导体基板处理系统的原位粒子检测系统 | 应用材料公司 | L·张 |
201810719307.5 | 激光密封装置及半导体器件的封装方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘祺 |
201610239211.X | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐长春 |
201610937675.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 神兆旭 |
201710706873.8 | 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡春静 |
201410369929.1 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 方磊 |
201710236997.4 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘建宏 |
201711022421.4 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘政 |
201710828652.8 | 基于智能剥离技术制备异质(Ga1-xAlx)2O3的方法 | 西安电子科技大学 | 韩根全 |
201611018521.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杨志勇 |
201610006560.7 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610006646.X | 鳍式晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610006666.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610083755.1 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201610646944.5 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610646956.8 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610738883.5 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201610991129.2 | 鳍式场效应管的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 易旭东 |
201711165464.8 | 用于晶圆检测的机械手臂 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201610130572.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201610596983.9 | 用于互连的结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吕志伟 |
201610997270.3 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周俊卿 |
201611091047.9 | 用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈濬凯 |
201610962602.4 | 多阈值电压晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710611384.4 | 鳍式晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 贺鑫 |
201710711275.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610664338.6 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201611110258.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵简 |
201611242214.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710169212.6 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710812750.2 | 一种鳍式场效应半导体的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710131234.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710219639.2 | 集成的扇出型封装件以及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201611140528.4 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201711272840.3 | 用于鳍式场效应晶体管的互连结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201610885892.7 | 鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610877723.9 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611092388.8 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李陈毅 |
201611187265.2 | 半导体器件中的局部互连件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赖瑞尧 |
201610756336.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610531664.X | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610278663.9 | 交错型隧穿场效应晶体管 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 庄绍勋 |
201610424408.0 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 韩秋华 |
201610788845.0 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510463686.2 | 基板清洗方法 | 东京毅力科创株式会社 | 相原明德 |
201580032653.0 | 辊对辊式晶片背面颗粒及污染移除 | 应用材料公司 | C·S·恩盖 |
201510672501.9 | 基板液处理装置和基板液处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 中森光则 |
201710984474.8 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及指纹识别器件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 邸云萍 |
201710243190.3 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 何晓龙 |
201710217466.0 | 一种调节装置和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李冰 |
201711127709.8 | 一种改善金属电容TDDB性能的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 梁肖 |
201711223402.8 | 一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张继宏 |
201510563998.0 | 一种基片的刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 周娜 |
201711054927.3 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吕伟元 |
201510610940.7 | 一种刻蚀工艺 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 谢秋实 |
201510792034.3 | 衬底刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 朱印伍 |
201710731200.8 | 一种鳍式场效应晶体管栅极结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201710906158.9 | 制造半导体器件的方法和半导体器件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李东颖 |
201611187333.5 | 一种键合对准精度的检测方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 程晋广 |
201711393038.X | 一种电子束扫描程式参数自调整方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄莉晶 |
201810482595.7 | 检测对准偏移的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 曹子贵 |
201610712413.1 | 加热腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 邱国庆 |
201610500235.6 | 设置静电卡盘电压的方法、装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 梁小祎 |
201610013082.2 | 斜孔刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 于丰源 |
201611191301.2 | 互连结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴俊毅 |
201611257134.7 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710702565.8 | 一种通孔的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 贺可强 |
201611058662.X | 用于制造静态随机存取存储器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201810461232.5 | 散热器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林宗澍 |
201510801891.5 | 芯片的阻挡层及其制备方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 荣延栋 |
201810419537.X | 半导体器件的对准方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 颜柏寒 |
201810811137.3 | 一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201711290793.5 | 半导体封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201810003073.4 | 阵列基板的制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201710945403.7 | 一种制造具有多层沟道结构的半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑兆钦 |
201710882787.2 | 一种锗硅源漏极及其制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄秋铭 |
201710466252.7 | 注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 汤晓燕 |
201610719401.1 | 在半导体器件中制造自对准接触件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李振铭 |
201610784601.5 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710479451.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201780028365.7 | 具有余度控制及ETHERCAT接口的电镀电源 | 应用材料公司 | 查尔斯·A·卡明斯 |
201710632725.6 | 导线的制造方法和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 丁贤林 |
201711325587.3 | 对位方法和装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 谷春生 |
201710145183.X | 封装体及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 邱铭彦 |
201910002439.0 | 微流控基板及其制备方法、微流控面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201710074260.7 | InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 蒋道福 |
201610864030.6 | 用于制造半导体器件的方法和系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余俊益 |
201510208656.7 | 用于热映射和热工艺控制的方法和装置 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡俊雄 |
201580041606.2 | 多基板热管理设备 | 应用材料公司 | K·贝拉 |
201610556719.2 | 用于制造半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 埃米沃克 |
201710288728.2 | FINFET及形成FINFET的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201611001163.7 | 电迁移签核方法和系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 盂曾贤 |
201710061545.7 | 一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘玄 |
201811055533.4 | 封装体检测方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 林万建 |
201710482296.9 | 气体处理装置、气体处理方法和存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 山下润 |
201910568036.2 | 半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许文山 |
201811342989.9 | 封装体结构及半导体器件的封装方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
201710392393.9 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201710657760.3 | 一种柔性触控母板及制备方法、柔性触控基板、触控面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曾亭 |
201610240837.2 | 防止自掺杂效应的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李震远 |
201810003151.0 | 一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 路兆里 |
201510852155.2 | 用于鳍场效晶体管元件的方法和结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201610933382.2 | 测试机台 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王侃晟 |
201710156098.3 | 在光刻中产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 游秋山 |
201810708214.2 | 承载机台及其控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王世龙 |
201811095422.6 | 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨涛 |
201610642822.9 | 半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李广宁 |
201980000179.1 | 具有贯穿阶梯触点的三维存储设备及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 魏勤香 |
201610915730.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201711205655.2 | 显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王珍 |
201711265592.X | 阵列基板、其制作方法和包括阵列基板的显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘利宾 |
202010330332.1 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李盼 |
201810419445.1 | 一种显示面板、显示装置及其封装检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 卢梦梦 |
201980000407.5 | 具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 孙超 |
201610379438.4 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201610206441.6 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王美丽 |
201810862119.8 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201711132890.1 | 探针卡电路及其测试方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 任栋梁 |
201810311966.5 | 半导体器件加工方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201810672956.4 | 检测晶圆工作台平坦度的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 刘小虎 |
201811458489.1 | 晶圆缺陷扫描方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩俊伟 |
201680005492.0 | 用于间隙检测的智能止动器和控制机制 | 应用材料公司 | S·坎德沃尔 |
201910024325.6 | 低温多晶硅的激光退火装置和退火方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 龙春平 |
201510859230.8 | 用于互连的结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄建桦 |
201910322160.0 | 半导体结构及半导体工艺方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 严孟 |
201810040432.3 | 薄膜晶体管和阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王珂 |
201811275693.X | 一种阵列基板的制备方法及阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 屈财玉 |
201810590030.0 | 闪存侧墙的形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈宏 |
201710884119.3 | 金属栅极的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201910283403.4 | 一种集成电路保护结构及其制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖金华 |
201710959894.0 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林俊成 |
201810882447.4 | 金属连线之间形成真空气隙的方法和金属连线结构 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘玮荪 |
201711112559.3 | 应变GeSn NMOS器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张洁 |
201610676946.9 | 半导体器件及其静态随机存取存储器单元和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宜静 |
201811105708.8 | 一种母板及其检测方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 赵永强 |
201810927256.5 | 底发射型OL ED阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201710379063.6 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710475469.4 | 晶体管及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201711017958.1 | 基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 | 张金风 |
201711159860.X | 一种基于缺陷贡献度的缺陷检测机台自动派工系统和方法 | 上海华力微电子有限公司 | 陈旭 |
201711091683.6 | 一种根据射频时数改善一体化刻蚀工艺面内均匀性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 周磊 |
201710058816.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201710067775.4 | 一种激光退火方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈耀庭 |
201510837506.2 | 化学机械抛光后清洁及设备 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄富明 |
201611186841.1 | 一种沟槽型IGBT及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 袁雷兵 |
201710395647.2 | 一种提高重布线层表面均匀性的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 蔡凤萍 |
201711091677.0 | 一种检测静电吸盘表面颗粒污染物的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 聂钰节 |
201510718230.6 | 基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 南田纯也 |
201710337989.9 | 基板处理系统和基板搬送方法 | 东京毅力科创株式会社 | 中原田雅弘 |
201710718884.8 | 激光退火设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王景帅 |
201810092190.2 | 一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法 | 上海华力微电子有限公司 | 袁鹏华 |
201810267221.3 | 一种基板及其对位方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杜小波 |
201710725276.X | 吸附装置及吸附方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朱海彬 |
201610757064.5 | 重布线路结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宗徽 |
201710640506.2 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201810228593.5 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 许正印 |
201610263564.3 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡永智 |
201811565026.5 | 基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 韩根全 |
201711187853.0 | 基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201580075674.0 | 在衬底上形成钴互连 | 应用材料公司 | 罗伊·沙维夫 |
201580036354.4 | 具有多层堆叠的极紫外反射元件及其制造方法 | 应用材料公司 | 拉尔夫·霍夫曼 |
201710706018.7 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201610664716.0 | 双重图形化的方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201611185755.9 | 半导体结构以及半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 任佳 |
201610970621.1 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201610006680.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 高长城 |
201710039936.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510706331.1 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 余云初 |
201610082771.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610362447.2 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 洪中山 |
201610404105.2 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610744164.4 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201610914857.3 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 韩秋华 |
201610970759.1 | 用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610972378.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 贺鑫 |
201810004572.5 | 一种基板存储装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薛静 |
201680006249.0 | 具有卡盘组件维护模块的晶片处理系统 | 应用材料公司 | 杰森·赖伊 |
201710858437.2 | 背膜结构及其制备方法、柔性显示屏 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李建伟 |
201610933690.5 | 半导体结构和其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡敏瑛 |
201610365196.3 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610527753.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611198710.5 | 封装结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金立中 |
201711234826.4 | 沟槽型超级结及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 孔蔚然 |
201711034035.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201611198711.X | 电容及其形成方法、图像传感器电路及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 梁昕 |
201611177978.0 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201510654312.9 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄河 |
201610315837.4 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金兰 |
201610664178.5 | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201611178075.4 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邱慈云 |
201810833741.6 | NLDMOS器件及工艺方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘冬华 |
201910487615.4 | 基于P-GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件 | 西安电子科技大学 | 王冲 |
201910648316.4 | 发光二极管、显示基板、转移装置及其方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李蒙 |
201710851518.X | 铝线干法刻蚀后湿法清洗方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 林楠 |
201710943322.3 | 薄膜电路及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 林亚丽 |
201711075651.7 | 沟槽外延的填充方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 伍洲 |
201810024815.1 | 改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 张辉 |
201510860640.4 | 半导体装置的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘朕与 |
201580007946.3 | 用于稳定化高温沉积的气冷式基板支撑件 | 应用材料公司 | 布赖恩·韦斯特 |
201811053724.7 | ONO膜层的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 张娟 |
201711138083.0 | 三维存储器字线电阻的测量方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 卢勤 |
201710619566.6 | 具有封装的光阻隔件的支撑环 | 应用材料公司 | 约瑟夫拉内什 |
201810364765.1 | 晶圆背面异物的检测系统及其检测方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 曾志敏 |
201610516625.2 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张城龙 |
201810106275.1 | 自对准接触孔的形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 郭振强 |
201811181611.5 | 一种光电热电复合自驱动的光电探测器及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 常晶晶 |
201810247221.7 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 于亚楠 |
201810569901.0 | 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郭远征 |
201711075631.X | 高压隔离环及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 房子荃 |
201611114382.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 郑凯予 |
201910429877.5 | 垂直型的高压MOSFET器件及制作方法 | 西安电子科技大学 | 冯倩 |
201510613414.6 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄勇潮 |
201910661924.9 | 发光二极管、显示基板和转移方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张粲 |
201610663305.X | 用于集成电路图案化的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨宗潾 |
201580051716.7 | 容器收纳装置 | 东京毅力科创株式会社 | 园田主税 |
201780001311.1 | 处理基板的方法及用于保持基板的基板载体 | 应用材料公司 | 马蒂亚斯·赫曼尼斯 |
201910807815.3 | 半导体器件的制造方法和形成CMOS器件的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 王二伟 |
201611051123.3 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201910623636.4 | 三维存储器及其制备方法、电子设备 | 长江存储科技有限责任公司 | 戴健 |
201710378410.3 | 柔性显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 牛亚男 |
201710119801.3 | 半导体装置及形成半导体装置的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张简旭珂 |
201610966683.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710711927.X | 制造具有改进的漏极中的金属落置的ESDFINFET的系统和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宗吉 |
201810384157.7 | 形成钨膜的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 前川浩治 |
201480057976.0 | 使用远程等离子体CVD技术的低温氮化硅膜 | 应用材料公司 | A·查特吉 |
201710931404.6 | 半导体封装模具、半导体器件及半导体器件的封装方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201610881295.7 | 一种硅通孔测试结构及其测试方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 甘正浩 |
201910113763.X | 一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 董水浪 |
201810474863.0 | 一种显示器、显示器的制作方法和显示处理方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王建强 |
201610999302.3 | 有机电致发光器件基板、显示装置及制造方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张微 |
201610914575.3 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈芳 |
201711187865.3 | GaN/AlGaN横向超级结二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201780004093.7 | 等离子电极以及等离子处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 森嶋雅人 |
201910294788.4 | 一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 宋海洋 |
201710303984.4 | 承载装置、反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王桐 |
201711236067.5 | 一种冷泵再生控制方法、装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张鹤南 |
201811524833.2 | 一种晶圆键合方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭帅 |
201811331736.1 | 半导体器件的形成方法及半导体器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 王剑屏 |
201610576377.0 | 基片刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张海苗 |
201611046850.0 | 一种蓝宝石衬底的刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 匡锡文 |
201811018286.0 | 一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201811018296.4 | 一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201810153103.X | 一种检测晶圆上介质层孔道连通性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 郑辉 |
201510736705.4 | 包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统 | 应用材料公司 | K·杰纳基拉曼 |
201710061111.7 | 半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 洪世玮 |
201810809116.8 | 一种升针方法及应用其的顶针升降装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 刘建 |
201610039843.1 | 批量加热和冷却腔室或负载锁定装置 | 应用材料公司 | J·M·舒浩勒 |
201610246739.X | 晶片支撑组件、反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李冬冬 |
201610544541.X | 机械手及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 侯宁 |
201610711982.4 | 水平调节装置、压环组件及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 柳朋亮 |
201810843852.5 | 一种半导体器件的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201711122782.6 | 一种金属栅极制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201511026807.3 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李敏 |
201811352970.2 | 三维存储器及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘峻 |
201710362644.9 | 一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒋会刚 |
201810690101.4 | 一种显示基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田宏伟 |
201810004943.X | 显示面板的制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张玉军 |
201711437748.8 | 高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201910079714.9 | 具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201711436192.0 | 高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201711436198.8 | 高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201910754054.X | 具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201611085965.0 | 一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张逸中 |
201611072290.6 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 程晋广 |
201880002772.5 | 键合存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨盛玮 |
201710146467.0 | 一种监控Ge离子注入质量的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 王梦慧 |
201810604582.2 | 一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 钱洋洋 |
201711329238.9 | 快速热退火方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范世炜 |
201610402943.6 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 吴健 |
201610512145.9 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201610925896.3 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201610263531.9 | 封装件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 殷原梓 |
201811217612.0 | 一种SOI工艺中MOS电容测试结构及其实现方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范象泉 |
201811458460.3 | 一种晶圆缺陷扫描方法 | 上海华力微电子有限公司 | 王洲男 |
201880002396.X | 时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨盛玮 |
201580041355.8 | 用于高温处理的静电夹盘组件 | 应用材料公司 | V帕科 |
201610157780.X | 基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 金子裕史 |
201980001344.5 | 在形成三维存储器器件的阶梯结构中的标记图案 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈琳 |
201711183482.9 | 浅沟槽隔离结构的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨鹏 |
201710801062.6 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
201880005188.5 | 形成三维集成布线结构的方法及其半导体结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱继锋 |
201710772525.0 | 一种低温多晶硅T FT阵列基板制备方法及阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 班圣光 |
201811037336.X | 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 贺芳 |
201711051864.6 | 半导体器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈文进 |
201710934832.4 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 柴娜 |
201611119419.4 | 半导体器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201980001410.9 | 三维存储器件的互连结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 朱宏斌 |
201910001907.2 | 存储器及其形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李冰寒 |
201880000844.2 | 用于修复衬底晶格以及选择性外延处理的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 汪小军 |
201711328903.2 | 具有指纹识别功能的显示面板、开孔方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张浩 |
201710592753.X | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201610916200.0 | 半导体器件以及形成场效应晶体管的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨育佳 |
201510540494.7 | 用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理 | 应用材料公司 | 叶雁 |
201610094474.6 | 半导体器件安全认证方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 呼翔 |
201380055524.4 | 具有可定制的流动注入的外延腔室 | 应用材料公司 | 刘树坤 |
201480030094.5 | 抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层 | 应用材料公司 | J·Y·孙 |
201580047628.X | 用于三维NAND硬膜应用的纳米结晶金刚石碳膜 | 应用材料公司 | 陈咏梅 |
201610369921.4 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 金兰 |
201610937953.X | 半导体结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710583020.X | 芯片封装方法及芯片封装结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201710128366.0 | 用于检测氮浓度的结构及方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘媛娜 |
201610465321.8 | 基板输送方法和基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 新藤健弘 |
201711220855.5 | FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 袁晓龙 |
201711241074.4 | 浅沟槽隔离的制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 宋箭叶 |
201610947975.4 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201710335177.0 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李宗亮 |
201510086556.1 | 一种SRAM及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张弓 |
201710173055.6 | 混合接合半导体晶片的3DIC结构与方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈如曦 |
201710385153.6 | 半导体存储器件及其制造方法和掩膜版 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈卓凡 |
201780012379.X | 用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(T FT)沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备 | 应用材料公司 | 马库斯·哈尼卡 |
201811634603.1 | 一种三维存储器的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 胡斌 |
201480079468.2 | 沉积层的方法、制造晶体管的方法、用于电子器件的层堆叠以及电子器件 | 应用材料公司 | 达拉姆·戈塞恩 |
201410768915.7 | 用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201711215205.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡嘉庆 |
201710681961.7 | 封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄立贤 |
201680003959.8 | 用于低压环境的灯驱动器 | 应用材料公司 | 欧勒格·V·塞雷布里安诺夫 |
201711102829.2 | 接触孔的金属连接结构及其制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 韩朋刚 |
201710647541.7 | FINFET及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201710985652.9 | 半导体器件以及半导体器件制造的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李宗吉 |
201810689887.8 | 半导体器件及其形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 孔蔚然 |
201710631058.X | 封装结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201510844455.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 周群渊 |
201610726754.4 | 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄敬勇 |
201710217965.X | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201611188578.X | 基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 王斌 |
201610179467.6 | 用于外延生长装置的腔室部件 | 应用材料公司 | 大木慎一 |
201510974152.6 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201610915624.5 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈满华 |
201610140142.7 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201710729426.4 | 半导体器件和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 卢柏全 |
201580023377.1 | 热处理基座 | 应用材料公司 | 安哈图·恩戈 |
201710794034.6 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江国诚 |
201610903298.6 | 栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡俊雄 |
201810398738.6 | 优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201810398867.5 | 具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201811564501.7 | 一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 杨林安 |
201680033546.4 | 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置 | 东京毅力科创株式会社 | 森拓也 |
201710811999.1 | 具有可拆卸式气体分配板的喷淋头 | 应用材料公司 | D·卢博米尔斯基 |
201610919492.3 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201811088560.1 | 一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法 | 西安电子科技大学 | 吕玲 |
201610900900.0 | 半导体器件制造的方法和处理系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡承晏 |
201610980028.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201710131028.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 韩秋华 |
201710364138.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201711217256.8 | 半导体器件及制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡仲轩 |
201410166905.6 | 一种制作半导体器件的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄瑞轩 |
201510176680.7 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201610755894.4 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611085942.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201710421218.8 | Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201810691508.9 | 半导体封装件中的金属化图案及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 游济阳 |
201610293388.8 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李海艇 |
201710156402.4 | 晶圆键合方法以及晶圆键合结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 程晋广 |
201410301166.7 | 介质层的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201710734652.1 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 袁可方 |
201610884463.8 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610885805.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610903470.8 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201611082490.X | 多阈值电压晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杨佳琦 |
201710198632.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201711119152.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杨列勇 |
201710952725.4 | 封装及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201710011951.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201910518172.0 | 基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 | 刘红侠 |
201710031102.3 | 具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 叶凌彦 |
201710852545.9 | 高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 贾仁需 |
201910016393.8 | 基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201910430611.2 | 应变型氧化镓MOSFET器件结构及制备方法 | 西安电子科技大学 | 冯倩 |
201711187876.1 | GaN基JBS与超级结混合结构二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201611163577.X | 使用光学投影的基板调整系统和方法 | 东京毅力科创株式会社 | 安东德维利耶 |
201611215835.4 | 两个晶体管的带隙基准电路、集成电路及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林雅芬 |
201580044224.5 | 用于EPI腔室的注射插件 | 应用材料公司 | 刘树坤 |
201810882364.5 | 浮栅的制作方法和分裂栅闪存 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 黄冲 |
201610946323.9 | 用于处理基板的方法和设备 | 应用材料公司 | 马修·罗杰斯 |
201510616190.4 | 制造具有凹槽的半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 方立言 |
201510789106.9 | 用于形成半导体器件结构的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈威廷 |
201810128085.X | 用于形成应力降低装置的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吕盈缔 |
201610392013.7 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张翼英 |
201710789333.0 | 用于鳍式场效应晶体管的源极和漏极形成技术 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 邱耀德 |
201710773131.7 | 一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201610559626.5 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201680026816.9 | 基板的检查方法、基板处理系统和计算机存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 森拓也 |
201610195709.0 | 处理液供给方法和处理液供给装置 | 东京毅力科创株式会社 | 志手英男 |
201811458583.7 | 半导体结构的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 董雅娟 |
201580040272.7 | 用于3D图案成形的数字灰色调光刻 | 应用材料公司 | 克里斯多弗本彻 |
201910054769.4 | 基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 张雅超 |
201580065413.0 | 用于高温RF应用的静电吸盘 | 应用材料公司 | 瑞安·汉森 |
201610512129.X | 互连结构及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周鸣 |
201811011675.0 | 一种CMOS图像传感器的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 王剑 |
201710885058.2 | 超低寄生电容二极管的制备工艺 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 黎坡 |
201710950405.5 | 半导体结构和形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 江宏礼 |
201611019343.8 | 制造指纹扫描器的方法以及半导体装置 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄育智 |
201510849542.0 | 用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴朝栋 |
201580074176.4 | 基板冲洗系统及方法 | 应用材料公司 | J·S·弗兰克尔 |
201810029244.0 | 对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 蒙飞 |
201710464190.6 | 集成电路器件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖志腾 |
201611235620.9 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张育维 |
201611074770.6 | 半导体器件结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 何冠霖 |
201810623048.6 | PECVD微晶硅锗(SIGE) | 应用材料公司 | 池孝仁 |
201580025453.2 | 底座基于流体的热控制 | 应用材料公司 | E·S·白 |
201580036364.8 | 用于校准基座的设备及方法 | 应用材料公司 | 埃德里克·唐 |
201580036453.2 | 用于选择性沉积的方法与设备 | 应用材料公司 | E·Y·叶 |
201580073204.0 | 用于基板背侧变色控制的支撑组件 | 应用材料公司 | 大木慎一 |
201680014297.4 | 集电环、支承机构以及等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 松本和也 |
201711230686.3 | 集成电路和用于制造集成电路的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张耀文 |
201611178021.8 | 用于HDP-CVD的具有挡板和喷嘴的冷却气体进料块 | 应用材料公司 | 戈文达·瑞泽 |
201610584840.6 | FinFET半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201711234704.5 | 屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范让萱 |
201711165507.2 | 用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 方斌 |
201711242896.4 | 物理气相沉积机台对孔或沟槽的填充能力的检测方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 潘杰 |
201810695808.4 | 超结器件的终端结构的耐压验证方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 赵龙杰 |
201710444291.7 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201810717245.4 | 具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林俊成 |
201611219635.6 | 半导体结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈志华 |
201611263870.3 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张家源 |
201711166878.2 | 控制3D NAND闪存结构中沟道关键尺寸的方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 何佳 |
201980000183.8 | 三维存储器件的源极接触结构及该存储器件的制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘毅华 |
201711075696.4 | LDMOS及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 胡君 |
201910809633.X | 用于可替换的灯的适配器 | 应用材料公司 | 约瑟夫·M·拉内什 |
201811053721.3 | 金属薄膜的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘善善 |
201580036859.0 | 具有薄吸收剂的极紫外掩模底板生产系统及其制造系统 | 应用材料公司 | 维纳亚克·维什瓦纳特·哈桑 |
201710379725.X | 晶体管及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201810696546.3 | 栅氧化层的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 施洋 |
201410487213.1 | 化学机械抛光方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 朱宏亮 |
201610882481.2 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 神兆旭 |
201710986872.3 | 芯片封装方法及芯片封装结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201711167683.X | 一种精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许进 |
201611012176.4 | 用于静电卡盘表面的垫设计 | 应用材料公司 | 戈文达·瑞泽 |
201610331037.1 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王明军 |
201710386699.3 | 电容结构的制作方法以及电容结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 韦亚婷 |
201811195965.5 | 沟槽填充结构及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖亮 |
201910034194.X | 金属保险丝顶部的钝化层窗口的形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 王乐平 |
201710063591.0 | 芯片拾取方法以及封装工艺 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陆建刚 |
201710131842.4 | 一种半导体器件及其制备方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201710386700.2 | 测试结构及凹槽刻蚀检测方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 宋春 |
201710322575.9 | 半导体测试结构及晶体管漏电的测试方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 殷原梓 |
201710768118.2 | 扩散层编码掩模型只读存储器及制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 周平生 |
201710388218.2 | 沟槽栅超结器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范让萱 |
201710775897.9 | 一种预制背面薄膜的应力控制方法及结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 姚兰 |
201780071268.6 | 用于自对准多重图案化技术的间隙壁形成 | 东京毅力科创株式会社 | 埃里克·柳 |
201910533619.1 | 一种半导体器件的刻蚀方法以及三维存储器 | 长江存储科技有限责任公司 | 许波 |
201580049952.5 | 具有独立隔离的加热器区域的晶片载体 | 应用材料公司 | D·卢博米尔斯基 |
201580042920.2 | 使用比例式热流体输送系统的基板载具 | 应用材料公司 | P·克里米诺儿 |
201610214934.4 | 基板处理系统 | 东京毅力科创株式会社 | 天野嘉文 |
201711339828.X | 金属栅极结构、半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄铭淇 |
201810252921.5 | 三维存储器制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭玉芳 |
201811279694.1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 甘程 |
201810461440.5 | HEMT器件及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201710853045.7 | 用于制造多栅极晶体管的工艺和产生的结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘书豪 |
201711020362.7 | 多栅极半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 魏焕昇 |
201780043744.3 | 用于真空密封的锁定阀、真空腔室以及真空处理系统 | 应用材料公司 | 托拜厄斯·林-达·夏 |
201711102811.2 | 光刻套刻精度量测准确性的评估方法 | 上海华力微电子有限公司 | 许箭 |
201611237765.2 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201410265014.6 | 刻蚀方法和互连结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周鸣 |
201710457539.3 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王士京 |
201410522615.0 | 高能离子注入方法及半导体结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陈勇 |
201710290190.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201680021741.5 | 清洁方法和等离子体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 久保卓也 |
201611078504.0 | 等离子体蚀刻方法 | 东京毅力科创株式会社 | 高山航 |
201811557616.3 | 一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 聂钰节 |
201510631671.2 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610662471.8 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710363969.9 | 半导体结构的形成方法、半导体芯片、封装方法及结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陆丽辉 |
201510718351.0 | 基板液处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 南田纯也 |
201610809549.4 | 基板处理装置和基板处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 加藤寿 |
201510907954.5 | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 禹国宾 |
201810768408.1 | 钨填充凹槽结构中形成不含氟钨金属层的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201610805013.5 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201610981568.5 | 互连结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201710131007.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710776697.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710727100.8 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201610711318.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201710230474.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710282749.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 包小燕 |
201710957393.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611248888.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710063634.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 贺鑫 |
201710131086.5 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王彦 |
201710197968.1 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 谢欣云 |
201710882503.X | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710030460.2 | 静电放电保护结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陶佳佳 |
201610527859.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610961821.0 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201811632627.3 | NOR FLASH器件结构及其制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 谈嘉慧 |
201610911374.8 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201910224881.8 | 无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 | 李聪 |
201710160650.6 | 下电极装置及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 成晓阳 |
201610539981.6 | 一种深硅刻蚀工艺 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 胡竞之 |
201510564602.4 | 暖机方法及基片的刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张君 |
201610580358.5 | 晶片偏移检测方法及装置、半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 宋俊超 |
201711335237.5 | 用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林孟汉 |
201710330647.4 | 一种吸片装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 冯祥雷 |
201710444111.5 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201910754063.9 | 具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201611127831.0 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘柏均 |
201910754051.6 | 具有部分碳化硅/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710073489.9 | 半导体制造装置、系统及方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈志宏 |
201610249863.1 | 一种反应腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 刘凯 |
201810503740.5 | 一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 谢素兰 |
201711394241.9 | 一种对插塞缺陷进行检测的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 范荣伟 |
201610861929.2 | 一种生产线设备的调度方法和装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 张善贵 |
201710380285.X | 一种工艺腔室及半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 李萌 |
201810824452.X | 基片处理装置和基片处理装置的运用方法 | 东京毅力科创株式会社 | 户部康弘 |
201710249044.1 | 流体通断机构及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 黎俊希 |
201811460106.4 | 源漏极离子注入方法及注入系统 | 上海华力微电子有限公司 | 李勇 |
201580030724.3 | 用于化学机械研磨的方法、系统与研磨垫 | 应用材料公司 | H·C·陈 |
201510614153.X | 一种膜层的刻蚀方法和GaN基L ED的制作方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 刘海鹰 |
201710146151.1 | 硅深孔刻蚀方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 胡竞之 |
201710058601.1 | 一种半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201611124067.1 | 一种光阻剂喷涂量的监测方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 袁立春 |
201710884250.X | 晶圆的测试方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 任栋梁 |
201810029259.7 | 控制栅极线剥落缺陷的检测方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 曹子贵 |
201811458598.3 | 一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 宋箭叶 |
201510300669.7 | 腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 史鑫 |
201610258582.2 | 半导体集成加工设备和半导体加工方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 方浩 |
201611076086.1 | 去气腔室和半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 郑金果 |
201710796722.6 | 一种离子注入机钨金属污染的监控方法 | 上海华力微电子有限公司 | 张立 |
201811197905.7 | 晶圆工艺条件的控制系统及控制方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 林敏伟 |
201811216553.5 | 检测硅片位置异常的清洗设备及其清洗方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 吴建荣 |
201910305543.7 | 反应气体供应系统及其控制方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王春 |
201611220409.X | 一种手动输送硅片机构 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 桂晓波 |
201580025402.X | 具有凸起的顶板及冷却通道的静电夹盘 | 应用材料公司 | 切斯安·曼加洛 |
201710515760.X | 半导体结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 许宗翰 |
201610331274.8 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 包小燕 |
201610919767.3 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201711271177.5 | 基于纳米线的集成电路器件的间隔件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李东颖 |
201710597758.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张天豪 |
201610505261.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周飞 |
201710615546.1 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201910231939.1 | 一种集成电路样品及其制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 方斌 |
201711009577.9 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 殷原梓 |
201810419528.0 | 用于焊盘开口和沟槽的钝化结构 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张铭宏 |
201611152920.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘剑 |
201710929682.8 | CMOS图像传感器及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 林杰 |
201611085085.3 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈卓凡 |
201710061464.7 | 半导体装置与其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 许家铭 |
201610651669.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201680077022.5 | 用于在真空沉积工艺中保持基板的设备、用于在基板上进行层沉积的系统和用于保持基板的方法 | 应用材料公司 | 沃尔夫冈·布什贝克 |
201710328816.0 | 半导体器件及光刻胶图案的清洗方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201711037113.9 | 制造半导体元件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈维邦 |
201480052653.2 | L ED阵列的线性高装填密度 | 应用材料公司 | 约瑟夫·R·约翰逊 |
201580061349.9 | 用以减少边缘热峰的基座设计 | 应用材料公司 | 舒伯特·S·楚 |
201710122138.2 | 传输系统与方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王仁地 |
201611071014.8 | 栅极结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 谢博文 |
201780011626.4 | 载体、真空系统和操作真空系统的方法 | 应用材料公司 | 塞巴斯蒂安·巩特尔·臧 |
201810650410.9 | 漏电测试方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 费腾 |
201710557289.0 | 用于改良的浸透性能的具有涂层的基板支撑边缘环 | 应用材料公司 | 约瑟夫·M·拉内什 |
201710310947.6 | 半导体装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
201810321820.9 | 渐变组分漂移层垂直型功率二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 毛维 |
201711466172.8 | 闪存阵列的制作方法及闪存阵列 | 上海华力微电子有限公司 | 秦佑华 |
201510256037.5 | 纳米线的形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄玉莲 |
201580035584.9 | 具有可拆卸高电阻率气体分配板的喷淋头 | 应用材料公司 | J·德拉罗萨 |
201810632297.1 | 一种分裂栅结构下的侧墙栅极隔离刻蚀膜层工艺 | 上海华力微电子有限公司 | 许鹏凯 |
201810632298.6 | 一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻蚀工艺 | 上海华力微电子有限公司 | 许鹏凯 |
201580071771.2 | 用于漂洗与干燥基板的系统和方法 | 应用材料公司 | E·米克海利琴科 |
201610317275.7 | 基板液处理装置以及基板液处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤秀明 |
201711243083.7 | 金属互连结构及其制作方法 | 上海华力微电子有限公司 | 王贺莹 |
201811458561.0 | 一种双大马士革结构的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 贺可强 |
201710191262.4 | 叠层封装结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201811013527.2 | 一种嵌入式闪存结构的形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李冰寒 |
201811217621.X | 一种改善SONOS存储器之多晶硅薄膜沉积特性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 刘政红 |
201710173281.4 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵猛 |
201510295764.2 | 多晶片转盘ALD中的集成两轴升降旋转电动机的中央基座 | 应用材料公司 | J·约德伏斯基 |
201710299097.4 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑大燮 |
201710557656.7 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘剑 |
201610642282.4 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 杨佳琦 |
201610177762.8 | 基板液体处理装置和基板液体处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 佐藤秀明 |
201610625703.2 | 用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模 | 应用材料公司 | J·M·霍尔登 |
201880012052.7 | 三维存储器结构及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 霍宗亮 |
201610003549.5 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张海洋 |
201710896967.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 付俊 |
201810263929.1 | 半导体器件和制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄冠育 |
201610826737.8 | 用于检测基板表面缺陷的装置、系统和方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 沈满华 |
201610090232.X | 基板处理装置和基板处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 山﨑英亮 |
201610878856.8 | 用于芯片制造的方法和系统 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘孜谦 |
201980000449.9 | 用于在晶圆表面贴黏胶膜的方法和装置 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈鹏 |
201580069444.3 | 用于基板处理腔室的边缘环 | 应用材料公司 | 戈文达·瑞泽 |
201610531703.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610899633.X | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵海 |
201611112145.6 | 鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 禹国宾 |
201711257771.9 | 减少半导体制造中接触件深度变化的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李筠 |
201710064337.2 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201710448950.4 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201810765974.7 | 形成半导体结构的方法及封装件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王博汉 |
201611066804.7 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201880005170.5 | 三维存储器器件的沟槽结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201710425545.0 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王喻生 |
201611158235.9 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201610133540.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610723852.2 | 具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林智伟 |
201610908670.2 | 具有放大的栅电极结构的半导体结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 谢博文 |
201711215095.9 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈奕升 |
201810447691.8 | 成膜方法和成膜装置 | 东京毅力科创株式会社 | 高藤哲也 |
201780021606.5 | 异常探测系统和控制板 | 东京毅力科创株式会社 | 广瀬胜人 |
201710861813.3 | 一种光罩的校正方法 | 上海华力微电子有限公司 | 汪悦 |
201710132222.2 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201710154812.5 | 半导体晶圆的清洗方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 水晓凤 |
201710161581.0 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘佳 |
201710379186.X | 掺杂区及IGBT器件的形成方法和结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘剑 |
201710522295.2 | 图形化的掩膜层及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 郑二虎 |
201710100565.0 | 半导体结构的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李文剑 |
201810941652.3 | 一种形成具有高深宽比图形的结构的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 冯奇艳 |
201610518854.8 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710218432.3 | 缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 姚笛 |
201711160370.1 | 一种对芯片表面进行分区域对比扫描的检测方法及设备 | 上海华力微电子有限公司 | 袁增艺 |
201610688948.X | 用于制造半导体的机构、系统及方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林育民 |
201710160231.2 | 晶圆识别码的监测方法以及监测结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 毕强 |
201710357807.4 | 排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 刘冠亨 |
201810759253.5 | 一种晶圆制程工艺参数的反馈方法 | 上海华力微电子有限公司 | 阙兵 |
201310743202.0 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 黄河 |
201711220067.6 | 半导体装置结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡宗翰 |
201611081250.8 | 晶圆键合方法及晶圆键合结构 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 陈福成 |
201710072369.7 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201710322574.4 | 金属层结构及其制作方法、半导体结构及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李广宁 |
201710424142.4 | 半导体存储器件的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张永兴 |
201711208496.1 | 对沟槽和孔进行铜填充工艺的指导研究方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李远 |
201710213163.1 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 梁金娥 |
201611187661.5 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 江涛 |
201710372717.2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 胡建强 |
201711035255.1 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610991455.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710073605.7 | 半导体结构及其形成方法、工作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王锴 |
201710233370.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 魏琰 |
201710333254.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 杜丽娟 |
201711105051.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710457810.3 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 神兆旭 |
201710073781.0 | 静态存储器结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王楠 |
201610392012.2 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张翼英 |
201610399414.5 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张翼英 |
201910538368.6 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张国栋 |
201811109480.X | 三维存储器的制作方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201810954488.X | 显示背板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏同上 |
201910430622.0 | 高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 冯倩 |
201611100752.0 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 伏广才 |
201710308737.3 | 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 操彬彬 |
201510089197.5 | 等离子体处理装置的清洁方法 | 东京毅力科创株式会社 | 宇田浩 |
201810462601.2 | 加热曝气系统、刻蚀系统及加热曝气系统的控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王智玮 |
201810231889.2 | 刻蚀方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 张彪 |
201510790930.6 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 周振成 |
201810082747.4 | 半导体封装件中的导电通孔及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄松辉 |
201811355127.X | 多芯片集成扇出封装件 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈洁 |
201680020772.9 | 用于托持、定位和移动物体的装置 | 应用材料公司 | C·克莱森 |
201510849369.4 | 形成导电特征的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄建桦 |
201611253338.3 | 封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈志华 |
201711269364.X | 半导体结构和形成集成电路结构的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖忠志 |
201710313865.7 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王利忠 |
201710375611.8 | 阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付弋珊 |
201711058192.1 | 过孔连接结构及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏磊 |
201710270429.6 | FinFET及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 程潼文 |
201710299984.1 | 具有低阈值电压的FINFET变容器及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蔡铺桓 |
201810320962.3 | 具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 段宝兴 |
201710348174.0 | 薄膜晶体管及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈传宝 |
201710760610.5 | 膜材封装冶具和OL ED的金属膜的封装方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田彪 |
201710162117.3 | 压力测定装置、排气系统以及基板处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 菊池达 |
201710687887.X | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张迪 |
201811056275.1 | 界面缺陷的表征方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨盛玮 |
201580029271.2 | 具有旋转微波等离子体源的工件处理腔室 | 应用材料公司 | M·W·斯托威尔 |
201610142784.0 | 冷却腔室及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王桐 |
201610635952.X | 等离子体源的冷却机构及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 孙宝林 |
201910331735.5 | Micro L ED巨量转移方法及其封装结构、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王登峰 |
201810392513.X | 静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 师帅涛 |
201810895712.2 | 晶片传送装置以及半导体加工设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 袁福顺 |
201510703328.4 | 一种压环装置 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 刘娜 |
201610246302.6 | 顶针机构及预清洗腔室 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 王桐 |
201810836745.X | 阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘军 |
201810844123.1 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 周斌 |
201810945840.3 | 一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 张雅超 |
201610633451.8 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201610881308.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵鹏 |
201910976638.1 | 基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法 | 西安电子科技大学 | 张进成 |
201810689886.3 | 基于石墨烯插入层结构的GaN基L ED器件制备方法 | 西安电子科技大学 | 宁静 |
201810672949.4 | 化学机械研磨设备工艺能力的监控方法 | 上海华力微电子有限公司 | 崔冶青 |
201711365233.1 | 具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造 | 应用材料公司 | 朱鸣伟 |
201610390357.4 | 基板处理装置和基板处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 林圣人 |
201811216532.3 | 氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 徐兴国 |
201810800712.X | 一种改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法 | 上海华力微电子有限公司 | 赵健 |
201710717380.4 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 梁金娥 |
201710355747.2 | 功函数调节层的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201711183459.X | 双重图形侧墙掩膜刻蚀工艺 | 长江存储科技有限责任公司 | 邵克坚 |
201710508887.9 | 鳍结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201810580009.2 | 集成电路封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李岳川 |
201711182130.1 | 一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖为引 |
201711332288.2 | 一种薄膜缺陷之属性的确定方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 陈莉芬 |
201810706079.8 | 一种工艺控制方法 | 上海华力微电子有限公司 | 吴晓彤 |
201810800604.2 | 晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范世炜 |
201811014892.5 | 晶圆缺陷检测系统及检测方法和计算机存储介质 | 上海华力微电子有限公司 | 胡向华 |
201910001712.8 | 一种显示基板线路修补方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 包征 |
201610044160.5 | 半导体工艺设备 | 应用材料公司 | K·杰纳基拉曼 |
201810639363.8 | 扫描器、校正系统及其方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林正穆 |
201811216561.X | 一种膜质监控方法及装置 | 上海华力微电子有限公司 | 高杏 |
201710107319.8 | 配置中的除污及剥除处理腔室 | 应用材料公司 | M·J·萨里纳斯 |
201611046394.X | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201810789252.5 | 半导体封装件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 曾士豪 |
201710073636.2 | 半导体装置与其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖舜章 |
201810800762.8 | 一种控制闪存浮栅尖端的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 高学 |
201611047190.8 | 高压LDMOS晶体管及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 霍克孝 |
201710355386.1 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 赵猛 |
201810538396.3 | 载置台和等离子体处理装置 | 东京毅力科创株式会社 | 远藤宏纪 |
201580001474.0 | 用于解决具有改良的流动均匀性/气体传导性的可变的处理容积的对称腔室主体设计架构 | 应用材料公司 | A·恩古耶 |
201880005379.1 | 晶圆键合方法及其结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 郭帅 |
201880005356.0 | 用于使用自对准双图案化来切割密集线图案的方法和结构 | 长江存储科技有限责任公司 | 范鲁明 |
201810922499.X | 一种检测基板、检测装置以及检测设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡迎宾 |
201811010338.X | 检测芯片载具的设备、方法及系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 胡政纲 |
201811241857.7 | 激光设备及其工作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田雪雁 |
201811415010.6 | 3D NAND存储器件中导电插塞的形成方法及3D NAND存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 肖莉红 |
201810186665.4 | 三维异质集成系统及其制作方法 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201810019082.2 | 半导体封装测试结构及形成方法、半导体封装结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘杰 |
202010180781.2 | 贯穿硅触点结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈亮 |
201880005524.6 | 字线结构与三维存储器件 | 长江存储科技有限责任公司 | 徐强 |
201810805652.0 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王品凡 |
201811003853.5 | 一种HEMT开关器件 | 西安电子科技大学 | 郑雪峰 |
201480078013.9 | 用于真空处理系统的负载锁定腔室和真空处理系统 | 应用材料公司 | F·皮耶拉利西 |
201510735448.2 | 用于在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的方法和系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 田家穎 |
201711127692.6 | 一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 徐杰 |
201811458523.5 | 一种自对准双层图形的形成方法 | 上海华力微电子有限公司 | 夏爱华 |
201811632609.5 | 晶圆直接键合方法 | 上海华力微电子有限公司 | 吴佳宏 |
201580066460.7 | 用于物理气相沉积的电介质沉积的设备 | 应用材料公司 | 基思·A·米勒 |
201610339081.7 | 于阻障表面上的钴沉积 | 应用材料公司 | J.陆 |
201580057701.1 | 使用定向成在喷洒主体下方且向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法 | 应用材料公司 | P·D·巴特菲尔德 |
201811124465.2 | 一种刻蚀方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 杨永刚 |
201810836178.8 | LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 赖怡仁 |
201810307831.1 | 半导体制造装置和用于半导体制造的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 许泳顺 |
201810241241.3 | 用于夹紧卡匣的夹紧装置和卡匣组件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘东升 |
201810460875.8 | 掩模组件和用于制造芯片封装件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈洁 |
201810920139.6 | 半导体通孔的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘庆华 |
201711276669.3 | 周围包裹的外延结构和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 杨正宇 |
201710123871.6 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 李威养 |
201610969659.7 | 半导体结构及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈威廷 |
201811132804.1 | 局部互连结构、半导体集成电路装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈志良 |
201910528019.6 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 韩臣 |
201910014722.5 | NLDMOS器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 段文婷 |
201810024857.5 | TMBS器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 石磊 |
201810318983.1 | SONOS存储器的ONO栅极结构的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 李元元 |
201811396595.1 | 栅极结构的制造方法 | 上海华力微电子有限公司 | 齐瑞生 |
201680006816.2 | 湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 难波宏光 |
201810024860.7 | 采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 周正良 |
201611177412.8 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王智东 |
201710456653.4 | 基板处理装置、维护用器具和基板处理装置的维护方法 | 东京毅力科创株式会社 | 末木英人 |
201811125022.5 | 工件结合设备、控制结合波传播的方法以及工件结合系统 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 黄信华 |
201610158293.5 | 基板处理装置和基板处理方法 | 东京毅力科创株式会社 | 山冈辉贵 |
201811557608.9 | 一种提高刻蚀腔电流稳定性的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 聂钰节 |
201710991216.2 | 通孔的制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘善善 |
201810401297.0 | 显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 秦冬杰 |
201910211378.9 | 半导体器件的集成制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 张剑 |
201910244490.2 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 贵炳强 |
201710161607.1 | 导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 汪建国 |
201710466119.1 | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郭玉珍 |
201810336384.2 | 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201810992763.7 | 沟槽型双层栅MOSFET及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 丛茂杰 |
201810695464.7 | 超结结构及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 赵龙杰 |
201410269945.3 | JFET器件及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 宁开明 |
201810160803.1 | JFET及其制造方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 王惠惠 |
201510271913.1 | 残留物的清除方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 侯红娟 |
201710161307.3 | 介质层和后栅极工艺器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201710213704.0 | 改善晶圆边缘形貌的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 宋兴华 |
201710751502.1 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201810942756.6 | 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示屏 | 京东方科技集团股份有限公司 | 田健 |
201710508177.6 | 半导体结构的制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710073774.0 | SRAM存储器及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 冯军宏 |
201711191442.9 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710866497.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 卑多慧 |
201510437702.0 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 徐建华 |
201580034404.5 | 形成III-V族通道的方法 | 应用材料公司 | 鲍新宇 |
201610216872.0 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610744155.5 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201610885803.9 | 半导体结构的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201611033736.4 | 晶体管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 徐建华 |
201711279542.7 | 封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201510451760.9 | 非接触式射频芯片晶元测试方法及装置 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 汤天申 |
201710133989.7 | 晶边偏移检测方法及系统、机台 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 汪红英 |
201710256275.5 | 基板处理系统和基板搬送方法 | 东京毅力科创株式会社 | 中原田雅弘 |
201710567416.5 | 刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台 | 上海华力微电子有限公司 | 冯宇培 |
201710741989.5 | 基板支撑组件及导热基底 | 应用材料公司 | V·D·帕科 |
201610027061.6 | 基板尺度的掩模对准 | 应用材料公司 | A·拉维德 |
201710131300.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201710363698.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 蒋莉 |
201710630144.9 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201710924455.6 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张城龙 |
201710701136.9 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王梓 |
201710020105.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 韩秋华 |
201610907894.1 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710226882.7 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201710726817.0 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 周飞 |
201710736065.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610941517.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201711114759.2 | 半导体器件及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 冯军宏 |
201611154390.3 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 蔡建祥 |
201611011878.0 | 存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 王楠 |
201710312300.7 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王胜名 |
201710707163.7 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王念念 |
201810835903.X | 显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈亮 |
201710033040.X | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 吴健 |
201610364768.6 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201610908755.0 | 鳍式场效应管及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 李勇 |
201910272491.8 | 测试方法、筛选方法以及OL ED设计方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 尤娟娟 |
201811156775.2 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张子予 |
201710758008.8 | 一种研磨头和化学机械研磨装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 唐强 |
201711242834.3 | 避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法 | 上海华力微电子有限公司 | 徐灵芝 |
201811633132.2 | 一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备 | 长江存储科技有限责任公司 | 李涌伟 |
201580054445.0 | 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质 | 东京毅力科创株式会社 | 中森光则 |
201810271979.4 | 多重图案化方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 范振豊 |
201510658332.3 | 鳍式场效应管的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 赵海 |
201611110266.7 | 半导体器件的形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 林静 |
201811361831.6 | 一种开口倾斜度的测量方法及三维存储器的制备方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 刘公才 |
201610591115.1 | 减压干燥装置 | 东京毅力科创株式会社 | 成岛正树 |
201710144407.5 | 载台及其制备方法、加工装置及其操作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张小磊 |
201710602295.3 | 晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 夏连山 |
201610220688.3 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李海艇 |
201610986757.1 | 互连结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 邓浩 |
201710493087.4 | 低阻抗接触窗插塞的形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 许劭铭 |
201711268936.2 | 形成具有减少的腐蚀的接触插塞的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王喻生 |
201810027197.6 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 张焕云 |
201710266728.2 | 一种阵列基板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201811318407.3 | 显示基板制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 关峰 |
201610624175.9 | 半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈颉彦 |
201711292805.8 | 单片三维(3D)集成电路及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 让-皮埃尔·科林格 |
201410392220.3 | 分栅式存储器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴常明 |
201710068945.0 | 阵列基板及其制作方法以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曹可 |
201610532406.3 | 有机电致发光二极管基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄维 |
201710835326.X | 薄膜晶体管、其制造方法及电子装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王骏 |
201710867772.9 | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘晓伟 |
201810186748.3 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宁云龙 |
201910464473.X | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘清召 |
201810800783.X | 3D管道形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 黎坡 |
201680011676.8 | 氮化铝阻挡层 | 应用材料公司 | D·帕德希 |
201680029129.2 | 处理系统 | 东京毅力科创株式会社 | 谷藤保 |
201810672950.7 | 快速热退火工艺能力的监控方法 | 上海华力微电子有限公司 | 崔冶青 |
201710505666.6 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 王楠 |
201710750789.6 | 制品及用于制造腔室的腔室组件 | 应用材料公司 | J·Y·孙 |
201810504049.9 | 金属离子监控方法 | 上海华力微电子有限公司 | 曹秋凤 |
201811063793.6 | 缺陷过滤系统及过滤方法和计算机存储介质 | 上海华力微电子有限公司 | 汪金凤 |
201580072859.6 | 基板传送机构 | 应用材料公司 | 石井才人 |
201710138193.0 | 转印装置和电子器件的转印方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘冬妮 |
201711127739.9 | 快速热处理机台的调机方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 范世炜 |
201711167852.X | 用于晶圆刻蚀的化学液供应装置及化学液供应方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 吴良辉 |
201580036350.6 | 基板传送机械手终端受动器 | 应用材料公司 | 普及特·阿咖瓦 |
201580037013.9 | 利用海尔贝克阵列对掩模的磁性夹持 | 应用材料公司 | T·瓦塞斯 |
201611097035.7 | 用于热处理腔室的边缘环 | 应用材料公司 | 布莱克·凯尔梅尔 |
201810215915.2 | 阵列基板及其制备方法，以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杨维 |
201910808932.1 | 金属填充缺陷的检测结构及其方法 | 上海华力微电子有限公司 | 黄莉晶 |
201910058789.9 | 多级连半导体结构及其形成方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘张李 |
201710868902.0 | 阵列基板及其制备方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李洋 |
201711340375.2 | 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 左岳平 |
201810943179.2 | 有机发光显示基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋振 |
201810971254.6 | 显示面板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 申永奇 |
201680000611.3 | 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 敏健 |
201711276782.1 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈江博 |
201680021637.6 | 蚀刻被蚀刻层的方法 | 东京毅力科创株式会社 | 丸山幸儿 |
201711278072.2 | 形成集成电路的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 廖显煌 |
201710289222.3 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 邸云萍 |
201910538989.4 | 集成光子封装件、光子封装件及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201710328840.4 | 晶片检测系统和晶片检测方法 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 徐义 |
201710369013.X | 一种药液供给系统 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 卢继奎 |
201810453171.8 | 一种开门装置、传输腔室和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 董金卫 |
201710447702.8 | 具有多个接触插塞的装置及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 王朝勳 |
201810305925.5 | 腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 白志民 |
201810554032.4 | 连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张震 |
201811015597.1 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王国强 |
201611064785.4 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 肖芳元 |
201710279660.1 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 肖芳元 |
201810042820.5 | 形成半导体器件的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余德伟 |
201710084423.X | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201810769180.8 | 阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宫奎 |
201810835371.X | 减少存储器阵列边缘CMP凹陷效应的集成芯片及其形成方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 吴伟成 |
201810835909.7 | 显示面板及其制造方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201811034142.4 | 显示背板及其制造方法、显示面板及可穿戴设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李子华 |
201510747034.1 | 半导体器件及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 张哲诚 |
201680069177.4 | 用于保持基板的保持布置、包括保持布置的载体、采用载体的处理系统和从保持布置释放基板的方法 | 应用材料公司 | 西蒙·刘 |
201610785776.8 | 半导体装置的制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 訾安仁 |
201710315517.3 | 半导体器件制造工艺中改善临界尺寸均匀性的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 洪继正 |
201810420939.1 | 衬底掺杂结构及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 许文山 |
201811333215.X | 制造半导体结构的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 孟庆豪 |
201710963927.9 | FET和形成FET的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 林资敬 |
201811393971.1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 陈亮 |
201811458596.4 | 半导体器件的缺陷检测结构、装置及其检测方法 | 上海华力微电子有限公司 | 郑仲馗 |
201910011615.7 | 3D NAND存储器及其形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 袁野 |
201810982766.2 | 化学液槽装置 | 长江存储科技有限责任公司 | 苏界 |
201880041126.X | 在电子装置制造系统中进行间隙校准的系统和方法 | 应用材料公司 | 莫辛·瓦卡尔 |
201810482594.2 | SON器件的制备方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刘张李 |
201710884989.0 | 金属栅极的制备方法 | 上海华力微电子有限公司 | 鲍宇 |
201610919228.X | 半导体结构、半导体晶圆及形成非矩形管芯的方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201810459800.8 | 混合互连器件和方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 余振华 |
201811317524.8 | 三维存储器台阶结构的形成方法 | 长江存储科技有限责任公司 | 李飞 |
201711214162.5 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李岩锋 |
201610915568.5 | 高压MOSFET、半导体结构及其制造方法 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 陈翔裕 |
201710318516.4 | 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李海旭 |
201610643230.9 | 图案化光阻的形成方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈林 |
201710104018.X | 半导体器件的制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 郑二虎 |
201810433595.8 | GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件 | 西安电子科技大学 | 马晓华 |
201610937948.9 | 半导体结构的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张海洋 |
201710557457.6 | 一种金属电化学反应的测试结构及测试方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 张芸秋 |
201810135275.4 | 一种微芯片转印装置以及微芯片转印系统 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈小川 |
201710989683.1 | 芯片封装方法及芯片封装结构 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈彧 |
201811275768.4 | 保护膜及其制造方法、保护装置、物体保护方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 罗程远 |
201710712959.1 | 一种半导体器件及其制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈景 |
201711106055.0 | 半导体器件、制造方法和电子设备 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈福刚 |
201910231829.5 | 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲连杰 |
201610585175.2 | 半导体器件及其制备方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 周儒领 |
201711392379.5 | 晶圆侧边去光阻方法 | 上海华力微电子有限公司 | 周世均 |
201510976847.8 | 用于制造半导体器件的构图方法、半导体器件制作方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 蒋运涛 |
201711334555.X | 一种自对准曝光半导体结构的制作方法 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 叶滋婧 |
201610379189.9 | 半导体装置的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
201611066885.0 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 陈怡骏 |
201711014365.X | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 孟津 |
201610826112.1 | 基板表面缺陷检测装置、图像畸变校正方法和装置以及基板表面缺陷检测设备 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 伍强 |
201610925864.3 | 用于检测基板上的标记的装置、设备和方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 伍强 |
201610919444.4 | 一种半导体器件及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 刘继全 |
201710167448.6 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 邓浩 |
201710171545.2 | 半导体装置及其制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 禹国宾 |
201710432845.1 | 一种半导体器件的制造方法 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 李勇 |
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