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陈立新 张琳 黄颖:中美欧日韩五局专利报告1520.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
第36个技术领域是信息存储,主要包括磁存储、光盘存储、随机存储器,以及信息索引、数字存储器的读写装置。
图8.36-1 信息存储领域的中国局专利增长情况
2020年,中国局在信息存储领域上的专利授权增长13%,达到2136项,占总授权量的0%,该领域是专利数量第54多的技术领域,可见我国在信息存储技术上的研发能力还有待提高。近年来,信息存储领域的专利增长较快,但波动较大。
表8.36-1 2020年各国信息存储领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 1045 | 62% | 0% |
2 | 日本 | 218 | 10% | 1% |
3 | 美国 | 244 | 11% | 1% |
4 | 德国 | 5 | 0% | 0% |
5 | 韩国 | 314 | 15% | 3% |
6 | 法国 | 7 | 0% | 0% |
7 | 瑞士 | 0 | 0% | 0% |
8 | 荷兰 | 9 | 0% | 0% |
9 | 瑞典 | 1 | 0% | 0% |
10 | 英国 | 4 | 0% | 0% |
11 | 意大利 | 1 | 0% | 0% |
12 | 新加坡 | 2 | 0% | 0% |
13 | 丹麦 | 0 | 0% | 0% |
14 | 奥地利 | 1 | 0% | 0% |
15 | 其他 | 16 | 1% | 0% |
小计 | 2136 | 100% | 0% |
注:本表按照第一权利人进行统计(中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利)。
我国国内的专利数量较多,占该技术领域专利份额的62%,份额相对偏低-19个百分点。国内专利中有0%的专利属于该技术领域,表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看,我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于美国、日本、韩国等国家,这说明我国在信息存储领域上的专利相对偏少,专利技术的发展不平衡,结构不合理。
表8.36-2 2020年国内各省市区信息存储领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 台湾 | 266 | 20% | 4% |
2 | 北京 | 253 | 19% | 0% |
3 | 上海 | 229 | 17% | 1% |
4 | 广东 | 201 | 15% | 0% |
5 | 湖北 | 59 | 4% | 0% |
6 | 浙江 | 58 | 4% | 0% |
7 | 江苏 | 58 | 4% | 0% |
8 | 安徽 | 35 | 3% | 0% |
9 | 陕西 | 33 | 3% | 0% |
10 | 四川 | 30 | 2% | 0% |
11 | 山东 | 22 | 2% | 0% |
12 | 福建 | 13 | 1% | 0% |
13 | 湖南 | 12 | 1% | 0% |
14 | 河南 | 10 | 1% | 0% |
15 | 天津 | 9 | 1% | 0% |
16 | 辽宁 | 7 | 1% | 0% |
17 | 重庆 | 7 | 1% | 0% |
18 | 黑龙江 | 3 | 0% | 0% |
19 | 山西 | 3 | 0% | 0% |
20 | 香港 | 3 | 0% | 0% |
21 | 江西 | 2 | 0% | 0% |
22 | 吉林 | 1 | 0% | 0% |
23 | 河北 | 0 | 0% | 0% |
24 | 广西 | 0 | 0% | 0% |
25 | 云南 | 0 | 0% | 0% |
26 | 贵州 | 0 | 0% | 0% |
27 | 甘肃 | 0 | 0% | 0% |
28 | 内蒙古 | 0 | 0% | 0% |
29 | 新疆 | 0 | 0% | 0% |
30 | 海南 | 0 | 0% | 0% |
31 | 宁夏 | 0 | 0% | 0% |
32 | 青海 | 0 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 0 | 0% | 0% |
34 | 澳门 | 0 | 0% | 0% |
注:本表数据按照第一权利人统计。
2020年,台湾获得该领域国家专利266项,占该领域的份额为20%,占本地区专利的4%;其次是北京,达到253项,占该领域的份额为19%,占本地区专利的0%。台湾和北京在信息存储领域上的专利数量最多,表明这两地汇聚了大量的信息存储技术研发力量,是研发能力最强的地区。
图8.36-2 2020年国内各省市区信息存储领域专利的数量分布
整体来看,国内的发明专利高度集中在台湾、北京、上海、广东、湖北、浙江、江苏,这7个省区在2020年获得的专利数量共占国内的86%,是我国信息存储技术专利研发的重要地区。
图8.36-3 2020年国内各省市区信息存储领域专利的技术构成比重
另外,台湾、上海、香港、北京、湖北、广东、陕西、四川在该领域上的技术构成比重较高,表明这些地区比较侧重信息存储技术的研发。
表8.36-3 2020年信息存储领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 267 | 54% |
2 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 112 | 4% |
3 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 | 58 | 53% |
4 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 中国上海 | 47 | 5% |
5 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 45 | 20% |
6 | 株式会社东芝 | 日本 | 41 | 16% |
7 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 39 | 2% |
8 | 美光科技公司 | 美国 | 37 | 36% |
9 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 美国 | 33 | 63% |
10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 32 | 6% |
11 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 中国北京 | 30 | 79% |
11 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 30 | 34% |
13 | 索尼公司 | 日本 | 26 | 3% |
13 | 西部数据技术公司 | 美国 | 26 | 46% |
15 | 东芝存储器株式会社 | 日本 | 25 | 37% |
15 | 力旺电子股份有限公司 | 中国台湾 | 25 | 60% |
17 | 高通股份有限公司 | 美国 | 24 | 2% |
18 | 夏普株式会社 | 日本 | 22 | 5% |
19 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 21 | 6% |
20 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 20 | 1% |
20 | 慧荣科技股份有限公司 | 中国台湾 | 20 | 27% |
22 | 群联电子股份有限公司 | 中国台湾 | 19 | 46% |
23 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 16 | 5% |
24 | HOYA株式会社 | 日本 | 15 | 29% |
24 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 15 | 0% |
26 | 深圳市芯天下技术有限公司 | 中国广东 | 14 | 58% |
26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 14 | 12% |
28 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 中国上海 | 13 | 7% |
28 | 希捷科技有限公司 | 美国 | 13 | 72% |
28 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 13 | 6% |
28 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 中国江苏 | 13 | 2% |
32 | 英特尔公司 | 美国 | 12 | 2% |
32 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 12 | 11% |
34 | 南亚科技股份有限公司 | 中国台湾 | 11 | 28% |
34 | 电子科技大学 | 中国四川 | 11 | 1% |
36 | 力晶积成电子制造股份有限公司 | 中国台湾 | 9 | 36% |
36 | 展讯通信(上海)有限公司 | 中国上海 | 9 | 3% |
36 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 中国上海 | 9 | 26% |
36 | 硅存储技术公司 | 美国 | 9 | 50% |
36 | 昭和电工株式会社 | 日本 | 9 | 18% |
41 | 松下电器(美国)知识产权公司 | 美国 | 8 | 9% |
41 | 上海兆芯集成电路有限公司 | 中国上海 | 8 | 10% |
41 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 中国上海 | 8 | 13% |
41 | 微软技术许可有限责任公司 | 美国 | 8 | 1% |
41 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 8 | 8% |
46 | 联想(北京)有限公司 | 中国北京 | 7 | 1% |
46 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 7 | 2% |
46 | 甲骨文国际公司 | 美国 | 7 | 8% |
46 | 建兴储存科技(广州)有限公司 | 中国广东 | 7 | 70% |
46 | OPPO广东移动通信有限公司 | 中国广东 | 7 | 0% |
46 | 西安格易安创集成电路有限公司 | 中国陕西 | 7 | 100% |
52 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 中国广东 | 6 | 0% |
52 | 清华大学 | 中国北京 | 6 | 0% |
52 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 6 | 6% |
52 | 复旦大学 | 中国上海 | 6 | 2% |
52 | 西安微电子技术研究所 | 中国陕西 | 6 | 6% |
52 | 广州酷狗计算机科技有限公司 | 中国广东 | 6 | 4% |
52 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 中国陕西 | 6 | 75% |
52 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 6 | 3% |
52 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 中国广东 | 6 | 14% |
61 | 厦门天马微电子有限公司 | 中国福建 | 5 | 2% |
61 | 联发科技股份有限公司 | 中国台湾 | 5 | 4% |
61 | 广东高云半导体科技股份有限公司 | 中国广东 | 5 | 14% |
61 | 浙江大学 | 中国浙江 | 5 | 0% |
61 | 宁波大学 | 中国浙江 | 5 | 2% |
61 | 日本发条株式会社 | 日本 | 5 | 15% |
61 | 维沃移动通信有限公司 | 中国广东 | 5 | 0% |
61 | 成都海光集成电路设计有限公司 | 中国四川 | 5 | 100% |
61 | 上海和辉光电有限公司 | 中国上海 | 5 | 4% |
61 | 松下知识产权经营株式会社 | 日本 | 5 | 1% |
61 | 威盛电子股份有限公司 | 中国台湾 | 5 | 14% |
61 | 北京大学深圳研究生院 | 中国广东 | 5 | 5% |
61 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 5 | 1% |
74 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 中国安徽 | 4 | 40% |
74 | 郑州云海信息技术有限公司 | 中国河南 | 4 | 2% |
74 | 日本电产三协株式会社 | 日本 | 4 | 6% |
74 | 索尼半导体解决方案公司 | 日本 | 4 | 6% |
74 | 光宝科技股份有限公司 | 中国台湾 | 4 | 21% |
74 | 中电海康集团有限公司 | 中国浙江 | 4 | 25% |
74 | 北京小米移动软件有限公司 | 中国北京 | 4 | 0% |
74 | 苹果公司 | 美国 | 4 | 1% |
74 | 意法半导体(鲁塞)公司 | 法国 | 4 | 14% |
74 | 北京京存技术有限公司 | 中国北京 | 4 | 80% |
74 | 搜诺思公司 | 美国 | 4 | 20% |
74 | 联芸科技(杭州)有限公司 | 中国浙江 | 4 | 67% |
74 | 北京中科开迪软件有限公司 | 中国北京 | 4 | 100% |
74 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 中国广东 | 4 | 15% |
74 | 北京大学 | 中国北京 | 4 | 1% |
74 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 4 | 5% |
74 | 惠普发展公司有限责任合伙企业 | 美国 | 4 | 1% |
74 | 南京邮电大学 | 中国江苏 | 4 | 1% |
74 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 4 | 1% |
93 | 百度在线网络技术(北京)有限公司 | 中国北京 | 3 | 0% |
93 | 贝壳找房(北京)科技有限公司 | 中国北京 | 3 | 3% |
93 | 杜比实验室特许公司 | 美国 | 3 | 4% |
93 | 深圳大心电子科技有限公司 | 中国广东 | 3 | 50% |
93 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 中国广东 | 3 | 2% |
93 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 中国北京 | 3 | 4% |
93 | 爱德斯托科技有限公司 | 美国 | 3 | 100% |
93 | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 | 爱尔兰 | 3 | 50% |
注:本表数据按照第一权利人进行统计。
2020年,在信息存储领域上获得中国局专利授权最多的机构是爱思开海力士有限公司,其次是京东方科技集团股份有限公司和华邦电子股份有限公司。
图8.36-4 2020年信息存储领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看,西安格易安创、成都海光、北京中科开迪、北京京存、北京兆易、西安紫光国芯、希捷等机构的比重较高,均超过70%,这些机构一多半的专利属于该领域,信息存储技术是其研发重点,其专业化研发程度较高。
图8.36-5 2020年30家机构的信息存储技术构成比重
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时,向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.36-1 2020年信息存储领域的中国局主要机构的专利
专利号 | 专利名称 | 权利人 | 发明人 |
201810602702.5 | 移位寄存器单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李全虎 |
201611038431.2 | 移位寄存单元、移位寄存器和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄飞 |
201710608301.6 | 移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏国火 |
201710597800.X | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郑灿 |
201710194628.3 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李蒙 |
201710390668.5 | 移位寄存器、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 古宏刚 |
201710096807.3 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈鹏 |
201710008480.X | 一种移位寄存器、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王洪军 |
201710962615.6 | 栅极驱动电路、移位寄存器及其驱动控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 米磊 |
201810345260.0 | 一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈鹏 |
201710123700.3 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张锴 |
201710969941.X | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陶健 |
201710289777.8 | 一种移位寄存单元、移位寄存电路、驱动方法及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王珍 |
201710552183.1 | 栅极驱动单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王光兴 |
201810350299.1 | 移位寄存器单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张洁 |
201710087283.1 | 移位寄存器、栅线驱动方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 米磊 |
201710867231.6 | 一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张杨 |
201710890439.X | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动装置和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 赵剑 |
201710890781.X | 一种复位电路、移位寄存器及其驱动方法、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张斗庆 |
201710537800.0 | 移位寄存单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙静 |
201810419917.3 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘金良 |
201611073026.4 | 移位寄存器、栅极驱动电路、显示面板和驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吴博 |
201710897511.1 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 古宏刚 |
201810290682.2 | 移位寄存器单元及驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王志冲 |
201710002347.3 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薛伟 |
201711056832.5 | 移位寄存单元、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付弋珊 |
201810514974.X | 显示装置、栅极驱动电路、移位寄存器及其控制方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡祖权 |
201711204895.0 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 山岳 |
201911256425.8 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李新国 |
201710059304.9 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郝学光 |
201710623527.3 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯雪欢 |
201810330563.5 | 一种移位寄存器、触控电极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄飞 |
201810136139.7 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郑灿 |
201710854372.4 | 复位控制模块、其驱动方法及移位寄存器单元、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 程雪连 |
201810792882.8 | 一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯雪欢 |
201710653195.3 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄飞 |
201710831967.8 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 宋洋 |
201810002722.9 | 移位寄存器单元、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡琪 |
201810054070.3 | 移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 付弋珊 |
201710873646.4 | 移位寄存器单元、移位寄存器电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吕磊 |
201911256402.7 | 栅极驱动单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李新国 |
201811231653.5 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李云泽 |
201810898493.3 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置及驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯雪欢 |
201710883188.2 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 梁雪波 |
201810846883.6 | 栅极驱动电路及其制作方法、驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 朱健超 |
201710237053.9 | 移位寄存器单元、栅线驱动电路及其驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 赵剑 |
201811056464.9 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 翁祖伟 |
201810083879.9 | 栅极驱动单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示模组 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王张萌 |
201810003043.3 | 移位寄存器单元、移位寄存器电路及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐飞 |
201810828750.6 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯雪欢 |
201710918198.5 | 移位寄存器单元及驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 袁志东 |
201810101964.3 | 移位寄存器、栅极集成驱动电路、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 杜瑞芳 |
201810212929.9 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 廖力勍 |
201811353389.2 | 移位寄存器电路及其控制方法、级联电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王志良 |
201810326790.0 | 一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 袁粲 |
201810012061.8 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 徐飞 |
201710643411.6 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郭旺 |
201810778019.7 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 青海刚 |
201710310290.3 | 移位寄存器单元及其控制方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李蒙 |
201810757914.0 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 苏秋杰 |
201710718885.2 | 一种移位寄存器、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 黄飞 |
201710858352.4 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置以及驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 韩明夫 |
201810291812.4 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示面板及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陶健 |
201710073503.5 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王志良 |
201810003605.4 | 一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 古宏刚 |
201810185522.1 | 一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 栗峰 |
201810570026.8 | 移位寄存器电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘冬妮 |
201810003016.6 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王迎 |
201710086627.7 | 移位寄存器、栅线驱动方法、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 米磊 |
201810078763.6 | 栅极驱动单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 栗峰 |
201810863579.2 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冯雪欢 |
201710433808.2 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 青海刚 |
201810105816.9 | 一种逻辑电路、移位寄存器、驱动电路及显示面板 | 京东方科技集团股份有限公司 | 胡琪 |
201710594509.7 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路 | 京东方科技集团股份有限公司 | 李蒙 |
201810835445.X | 移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置以及驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 孙世成 |
201710770891.2 | 移位寄存器单元、驱动装置、显示装置以及驱动方法 | 京东方科技集团股份有限公司 | 许卓 |
201810695672.7 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刘帅南 |
201810555823.9 | 一种移位寄存器电路、阵列基板和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 陈凯 |
201910010318.0 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 姚星 |
201710932533.7 | 移位寄存单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 郑皓亮 |
201710534889.5 | 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王光兴 |
201710771346.5 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 | 京东方科技集团股份有限公司 | 廖力勍 |
201810229123.0 | 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示设备 | 京东方科技集团股份有限公司 | 王张萌 |
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201610445847.X | 刷新控制电路及包括其的存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 朱鲁根 |
201510445785.8 | 存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 金东槿 |
201610382001.6 | 电子设备 | 爱思开海力士有限公司 | 文廷桓 |
201610393397.4 | EPROM单元及其制造方法、包括其的EPROM单元阵列 | 爱思开海力士有限公司 | 崔光一 |
201510728214.5 | 存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 宋旻梧 |
201510957514.0 | 电压电平偏移器及使用其的嵌入式非易失性存储器和系统 | 爱思开海力士有限公司 | 金正勋 |
201510214051.9 | 半导体装置和驱动其的方法 | 爱思开海力士有限公司 | 宋清基 |
201610161136.X | 用于与非闪存的涡轮乘积码 | 爱思开海力士有限公司 | 纳威恩·库玛 |
201510658050.3 | 自修复器件及其方法 | 爱思开海力士有限公司 | 沈荣辅 |
201610073258.3 | 参数设置电路和使用其的半导体装置 | 爱思开海力士有限公司 | 金载镒 |
201510334494.1 | 反熔丝式单次可编程存储器单元阵列及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 宋贤旻 |
201610081974.6 | 存储控制器和具有该存储控制器的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 郑在亨 |
201610289220.X | 存储器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李熙烈 |
201610164698.X | 具有改善的编程可靠性的半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 安正烈 |
201610235876.3 | 半导体存储器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李映勋 |
201610339281.2 | 非易失性存储器装置以及包括该非易失性存储器装置的数据存储装置 | 爱思开海力士有限公司 | 严基杓 |
201610089956.2 | 非易失性存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 刘炳晟 |
201610913771.9 | 数据存储装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 林秀晋 |
201710458491.8 | 多种配置的存储器系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 迈克尔·斯科特·艾利森 |
201610902183.5 | 存储模块及其存储系统和操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 许京哲 |
201610375207.6 | 半导体器件和包括它的半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 玄相娥 |
201610459036.5 | 存储器系统和存储器系统的操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 边谕俊 |
201610217302.3 | 半导体器件、其操作方法和包括其的数据储存设备 | 爱思开海力士有限公司 | 梁赞祐 |
201510501611.9 | 半导体器件及包括半导体器件的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 辛善惠 |
201510350141.0 | 控制器、半导体存储系统、数据储存系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金宰范 |
201610928851.1 | 用于闪速存储器的增量阶跃脉冲编程的自适应方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李濬 |
201610921961.5 | 包括替换储存单元的半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 李庚玟 |
201610224128.5 | 半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 尹荣俊 |
201510387985.2 | 测试模式电路及包括该测试模式电路的半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 金辅谦 |
201510200958.X | 存储器件及包括存储器件的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 金贵东 |
201510208252.8 | 修复信息存储电路以及包括其的半导体装置 | 爱思开海力士有限公司 | 崔雄奎 |
201610833632.5 | 数据存储装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金世玹 |
201410844624.1 | 振荡器和包括该振荡器的存储器装置 | 爱思开海力士有限公司 | 李莹旭 |
201510882562.8 | 存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 朴永珍 |
201610108672.3 | 最优读取阈值估算 | 爱思开海力士有限公司 | 纳威恩·库玛 |
201610839905.7 | 折叠电路及非易失性存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 郑会三 |
201610290836.9 | 储存器件、具有储存器件的存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 洪龙焕 |
201510844813.3 | 存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 崔吉福 |
201510846867.3 | 半导体器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 许民虎 |
201610439739.1 | 存储器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金泰均 |
201610622127.6 | 存储器系统及存储器系统的操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金志烈 |
201710168954.7 | 对半导体存储器装置进行编程的方法 | 爱思开海力士有限公司 | 权殷美 |
201710484543.9 | 半导体存储器装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李熙烈 |
201510822698.X | 非易失性存储器装置和操作方法及包括其的数据存储装置 | 爱思开海力士有限公司 | 金台勋 |
201610191682.8 | 包括半导体存储器件的存储系统以及其编程方法 | 爱思开海力士有限公司 | 韩周玹 |
201510823074.X | 半导体器件和半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 林雅兰 |
201610480010.9 | 半导体器件以及包括其的半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 李贤揆 |
201510781826.0 | 可变电阻存储器件及操作其的方法 | 爱思开海力士有限公司 | 庆箕明 |
201610154520.7 | 用于快闪存储器的增量L LR产生 | 爱思开海力士有限公司 | 张帆 |
201510121525.5 | 存储器件和包括存储器件的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 梁钟烈 |
201610082463.6 | 用于半导体存储装置的控制器及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 卢永东 |
201510454857.5 | 半导体存储器件的字线驱动器电路 | 爱思开海力士有限公司 | 池性洙 |
201510823672.7 | 半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 赵真熙 |
201610851419.7 | 与工作范围相关的非易失性存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 郑会三 |
201510575246.6 | 低电压检测电路、含其的非易失性存储装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李炫哲 |
201510710743.2 | 校准设备和具有其的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 陈镇刚 |
201610857463.9 | 电压发生电路和包括其的集成电路 | 爱思开海力士有限公司 | 金京兑 |
201510647070.0 | 存储器系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金荣均 |
201510560004.X | 存储系统的操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李炯珉 |
201611138856.0 | 数据存储装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 田明云 |
201510509466.9 | 锁存电路及包括其的锁存电路阵列 | 爱思开海力士有限公司 | 金昌铉 |
201610719560.1 | 存储模块及包括其的系统 | 爱思开海力士有限公司 | 金龙珠 |
201510661445.9 | 数据传输电路 | 爱思开海力士有限公司 | 林相吾 |
201410817577.1 | 半导体存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 朴珉秀 |
201510926366.6 | 半导体存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 朱鲁根 |
201610868346.2 | 阻变存储装置和用于阻变存储装置的电压发生电路 | 爱思开海力士有限公司 | 金泰镐 |
201510219871.7 | 有源驱动器和具有该有源驱动器的半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 李炫哲 |
201510511086.9 | 半导体存储器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 林相吾 |
201610011731.5 | 半导体器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金成镐 |
201610878449.7 | 半导体存储器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 徐智贤 |
201610308513.8 | 半导体器件和半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 金哲会 |
201610218795.2 | 修复电路、使用它的半导体装置和半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 白荣铉 |
201510769984.4 | 半导体存储器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金成镐 |
201410683123.X | 半导体器件和包括所述半导体器件的半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 全炳得 |
201610437200.2 | 测试模式设置电路和包括其的半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 李相昊 |
201510169430.0 | 存储器件及包括存储器件的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 朴嘉蓝 |
201510543235.X | 修复电路及包括修复电路的半导体存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 尹泰植 |
201510673462.4 | 储存设备及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 千东烨 |
201510178014.7 | 数据储存装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 朴锺元 |
201610248696.9 | 半导体器件及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 崔俊基 |
201610815694.3 | 产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件 | 爱思开海力士有限公司 | 郑会三 |
201710500184.1 | 半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 崔谨镐 |
201610821737.9 | 具有宽的工作范围的非易失性存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 郑会三 |
201710315981.2 | 具有均匀编程特性的电可编程只读存储器件及其编程方法 | 爱思开海力士有限公司 | 宋贤旻 |
201610005222.1 | 非易失性存储单元和包括其的非易失性存储单元阵列 | 爱思开海力士有限公司 | 权永俊 |
201610109197.1 | 利用过采样读取的系统最优化方法 | 爱思开海力士有限公司 | 罗公 |
201610269575.2 | 存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 柯蒂斯·雷曼 |
201510795864.1 | 存储器件 | 爱思开海力士有限公司 | 郑喆文 |
201610349124.X | 半导体器件以及包括半导体器件的半导体系统 | 爱思开海力士有限公司 | 李椙晛 |
201610698445.0 | 存储器系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金珍雄 |
201710681467.0 | 具有读取阈值估计的存储器系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 大卫·皮尼亚泰利 |
201611198773.0 | 存储系统及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 李圣恩 |
201610232263.4 | 半导体器件 | 爱思开海力士有限公司 | 李蓥旭 |
201510164878.3 | 存储器件及包括存储器件的存储系统 | 爱思开海力士有限公司 | 玄相娥 |
201611242723.8 | 半导体存储器件及其弱单元检测方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金六姬 |
201610586796.2 | 数据存储装置及其操作方法 | 爱思开海力士有限公司 | 金到训 |
201510510698.6 | 存储装置和操作存储装置的方法 | 三星电子株式会社 | 李柱 |
201510526556.9 | 非易失性存储装置和编程验证方法 | 三星电子株式会社 | 朴一汉 |
201610590980.4 | 半导体装置、温度传感器和存储装置 | 三星电子株式会社 | 金柱成 |
201610694501.3 | 包括非易失性存储器件的存储设备及其操作方法 | 三星电子株式会社 | 吴银珠 |
201710611341.6 | 具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备 | 三星电子株式会社 | 南尚完 |
201710611578.4 | 具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备 | 三星电子株式会社 | 南尚完 |
201410669964.5 | 通过显示备份信息来管理图像文件的设备和方法 | 三星电子株式会社 | 郑珍久 |
201510263862.8 | 半导体装置以及相关的编程方法 | 三星电子株式会社 | 任峻成 |
201910348259.8 | 具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备 | 三星电子株式会社 | 南尚完 |
201310344095.4 | 非易失性存储器装置及控制挂起其命令执行的方法 | 三星电子株式会社 | 郭东勋 |
201580074063.4 | 用于编辑内容的装置和方法 | 三星电子株式会社 | 宣俊奎 |
201710499626.5 | 非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法 | 三星电子株式会社 | 韩煜基 |
201710637135.2 | 非易失性存储器件和存储系统 | 三星电子株式会社 | 郭东勋 |
201610245371.5 | 对非易失性存储器件编程的方法 | 三星电子株式会社 | 尹翔镛 |
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201710058923.6 | 非易失性存储器件的编程方法 | 三星电子株式会社 | 张俊锡 |
201710232348.7 | 非易失性存储器件 | 三星电子株式会社 | 金兑炫 |
201510388394.7 | 存储设备及其读取方法 | 三星电子株式会社 | 金润 |
201410262009.X | 包括非易失性存储器设备的存储器系统及其动态存取方法 | 三星电子株式会社 | 文相权 |
201611233177.1 | 刷新控制器以及包括刷新控制器的存储器设备 | 三星电子株式会社 | 吴钟旻 |
201710017894.9 | 执行锤刷新操作的存储器设备和包括其的存储器系统 | 三星电子株式会社 | 姜奎彰 |
201710570965.8 | 具有多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法 | 三星电子株式会社 | 吴圭焕 |
201710193397.4 | 存储系统及其操作方法 | 三星电子株式会社 | 全昺熙 |
201610561657.4 | 具有自适应页大小控制的半导体存储器件 | 三星电子株式会社 | 方钟敏 |
201510229596.7 | 存储装置、存储装置的操作方法和访问存储装置的方法 | 三星电子株式会社 | 张世正 |
201710324650.5 | 阻抗校准电路、包括其的半导体存储器设备及其操作方法 | 三星电子株式会社 | 赵硕进 |
201710023495.3 | 修正编程电压的存储器设备编程方法 | 三星电子株式会社 | 朱相炫 |
201710067659.2 | 一次可编程存储器及其数据写入方法 | 三星电子株式会社 | 金泰成 |
201610087796.8 | 存储装置、存储器系统及它们的操作方法 | 三星电子株式会社 | 郑云在 |
201610045380.X | 存储器系统及操作该存储器系统的方法 | 三星电子株式会社 | 申东旻 |
201510968903.3 | 存储设备、非易失性存储器以及操作其的方法 | 三星电子株式会社 | 李澈 |
201610341096.7 | 包括辅助位线的半导体装置 | 三星电子株式会社 | 李俊熙 |
201510824095.3 | 存储设备和存储设备的操作方法 | 三星电子株式会社 | 裴海成 |
201710991904.9 | 具有偏移消除的读出放大器和存储器装置 | 三星电子株式会社 | 金泳旭 |
201710491057.X | 存储器装置及包括其的存储器系统 | 三星电子株式会社 | 金哲范 |
201710201596.5 | 存储器控制器的操作方法 | 三星电子株式会社 | 李俊镐 |
201610381950.2 | 半导体存储器设备、存储器系统及错误校正的方法 | 三星电子株式会社 | 车相彦 |
201510919424.2 | 具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法 | 三星电子株式会社 | 李宰圭 |
201610791554.7 | 存储装置、存储系统、操作存储装置以及存储系统的方法 | 三星电子株式会社 | 朴商秀 |
201580031963.0 | 存储器单元及存储器单元阵列 | 美光科技公司 | 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米 |
201580055872.0 | 用于存储器单元应用的选择装置 | 美光科技公司 | 戴维·H·威尔士 |
201580063344.X | 磁性隧道结 | 美光科技公司 | 伟·陈 |
201580028169.0 | 将功率可用性信息提供到存储器 | 美光科技公司 | 格拉齐亚诺·米里希尼 |
201580029112.2 | 确定软数据 | 美光科技公司 | 维奥兰特·莫斯基亚诺 |
201480038462.0 | 包含阶梯结构的半导体装置 | 美光科技公司 | 阿龙·叶 |
201380062063.3 | 多数据线存储器及方法 | 美光科技公司 | 作井浩司 |
201580030036.7 | 使用感测电路进行奇偶确定的设备及方法 | 美光科技公司 | 特洛伊·A·曼宁 |
201780038714.3 | 阵列数据位反转 | 美光科技公司 | C·L·英戈尔斯 |
201810798094.X | 并行存取交叉点阵列中的存储器单元 | 美光科技公司 | 埃尔南·卡斯特罗 |
201710001454.4 | 具有多个层叠的半导体设备及方法 | 美光科技公司 | 丹沢彻 |
201810723546.8 | 用于存储器单元的自参考感测 | 美光科技公司 | R·穆泽托 |
201780026023.1 | 存储器单元板之间的电荷共享 | 美光科技公司 | 埃里克卡门 |
201780056845.4 | 存储器单元组件的阈值电压变差的补偿 | 美光科技公司 | 阿斯温·提鲁文加达姆 |
201780031681.X | 用于存储器单元的感测操作的功率降低 | 美光科技公司 | C卡瓦姆拉 |
201780052681.8 | 存储器阵列中的完全偏压感测 | 美光科技公司 | U·迪温琴佐 |
201580073144.2 | 半导体装置、磁性隧道结及其制造方法 | 美光科技公司 | 曼札拉·西迪克 |
201780035857.9 | 铁电存储器单元恢复 | 美光科技公司 | M·马里亚尼 |
201580037262.8 | 用于比较值的方法和设备 | 美光科技公司 | 凯尔·B·惠勒 |
201811495976.5 | 用于执行存储器操作的设备和操作存储器装置的方法 | 美光科技公司 | 维普·帕特尔 |
201810355350.8 | 基于错误校正而设定默认读取信号 | 美光科技公司 | 山帕斯·K·瑞特南 |
201780040056.1 | 写入到交叉点非易失性存储器 | 美光科技公司 | 王蓓 |
201780039735.7 | 铁电存储器中的多层存储 | 美光科技公司 | C卡瓦姆拉 |
201710190131.4 | 包含启用电路的装置及系统 | 美光科技公司 | 丹沢彻 |
201680012143.1 | 用于减少命令移位器的方法及设备 | 美光科技公司 | D马组德尔 |
201680008549.2 | 电子装置、存储器单元及使电流流动的方法 | 美光科技公司 | K·M·考尔道 |
201710599972.0 | 多位铁电性存储器装置及其形成方法 | 美光科技公司 | 卡迈勒·M·考尔道 |
201880060494.9 | 写突发期间的功率减小技术 | 美光科技公司 | H文卡塔 |
201680012281.X | 具有裸片以执行刷新操作的设备 | 美光科技公司 | 紫藤泰平 |
201611197820.X | 用于存储器的目标刷新的设备及方法 | 美光科技公司 | 威廉·F·琼斯 |
201680012924.0 | 通过存储器中的向量的元素进行数据移位 | 美光科技公司 | 桑贾伊·蒂瓦里 |
201610884454.9 | 用于感测电路中的骤回事件的设备、装置及方法 | 美光科技公司 | 杰里米·赫斯特 |
201880010412.X | 预写入阵列的存储器单元 | 美光科技公司 | S·J·德尔纳 |
201880054156.4 | 具有读取电平校准的存储器装置 | 美光科技公司 | G·F·贝桑佳 |
201710470081.5 | 存储器刷新方法及设备 | 美光科技公司 | 格雷格布罗杰特 |
201580059645.5 | 用于使用感测电路执行逻辑操作的设备及方法 | 美光科技公司 | 格伦胡申 |
201880027217.8 | 动态终止边缘控制 | 美光科技公司 | K·马组德尔 |
201480062687.X | 在数据存储系统中的具有模块化擦除的数据管理 | 桑迪士克科技有限责任公司 | J.M.希金斯 |
201480071969.6 | 用于在储存装置中调整跳闸点的系统和方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | K.B.德尔帕帕 |
201610348341.7 | 对编程故障自动响应的非易失性存储装置 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 阿迪蒂亚·普拉塔普·夏尔马 |
201580046777.4 | 用于刷新存储器设备中的数据的系统和方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | J.黄 |
201580040290.5 | 针对基于块的架构利用EPWR进行部分坏块检测和再使用 | 桑迪士克科技有限责任公司 | M.科查 |
201711346686.X | 用于管理在非易失性存储器系统中写入块的系统和方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | D.阿加瓦尔 |
201680047839.8 | 自适应多阶段擦除 | 桑迪士克科技有限责任公司 | N.N.杨 |
201580003538.0 | 通过对非易失性存储器的分区内的读取访问的计数来检测存储器上的读取干扰 | 桑迪士克科技有限责任公司 | D.E.图尔斯 |
201680050599.7 | 3D NAND存储器的自适应操作 | 桑迪士克科技有限责任公司 | N.N.杨 |
201610036707.7 | 用于非易失性存储器装置的操作参数的快速适应性整理 | 桑迪士克科技有限责任公司 | G.沙 |
201580003594.4 | 相对于字线补偿源极侧电阻 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 曾怀远 |
201610256755.7 | 利用两阶段编程的非易失性存储器 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 曾怀远 |
201810228597.3 | 存储器系统和用于数据存储的方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | N.C.拉维莫汉 |
201510815119.9 | 非易失性存储器电路和操作该非易失性存储器电路的方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | K.S.M.路易 |
201780005181.9 | 用于在储存体装置的编程之前进行擦除检测的系统和方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | N.N.杨 |
201580047849.7 | 用于通过有条件地修整而减小存储设备的声明容量的过程和装置 | 桑迪士克科技有限责任公司 | A.塞缪尔斯 |
201680016053.X | 数据存储设备和方法 | 桑迪士克科技有限责任公司 | N.N.杨 |
201580047787.X | 用于数据刷新的部分块擦除 | 桑迪士克科技有限责任公司 | G.梁 |
201580047799.2 | 对漏极侧字线进行编程以减少编程干扰和电荷损失 | 桑迪士克科技有限责任公司 | J.袁 |
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