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陈立新 张琳 黄颖:中美欧日韩五局专利报告1483.docx █武汉大学科教管理与评价研究中心
2020年,中国局在半导体器件(H01L)小类上共授权专利17219项,比上一年增长8%,其占总授权量的3%,是专利数量第4多的小类。近年来,半导体技术专利的增长速度相对较低。
图7.3-1 半导体器件H01L类的中国局专利增长情况
我国国内的专利数量较多,占该小类专利份额的64%,比其他小类的份额相对偏低20个百分点,表明我国半导体技术实力不强。国内专利中仅有3%的专利属于该小类,表明我国在该技术上的构成比重较低。总体来看,我国国内专利在半导体器件技术上的构成低于韩国、日本和美国,韩国是我国的4倍,这说明我国的半导体技术构成偏低,技术结构发展不合理,不平衡。
表7.3-1 2020年各国半导体器件H01L类的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 11057 | 64% | 3% |
2 | 日本 | 2117 | 12% | 7% |
3 | 美国 | 933 | 5% | 4% |
4 | 德国 | 293 | 2% | 3% |
5 | 韩国 | 1007 | 6% | 11% |
6 | 法国 | 61 | 0% | 2% |
7 | 瑞士 | 24 | 0% | 1% |
8 | 荷兰 | 72 | 0% | 4% |
9 | 瑞典 | 6 | 0% | 0% |
10 | 英国 | 31 | 0% | 2% |
11 | 意大利 | 14 | 0% | 1% |
12 | 新加坡 | 29 | 0% | 3% |
13 | 丹麦 | 2 | 0% | 0% |
14 | 奥地利 | 44 | 0% | 7% |
15 | 其他 | 1529 | 9% | 11% |
小计 | 17219 | 100% | 3% |
注:本表按照第一权利人进行统计(中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利)。
2020年,上海获得半导体器件H01L类国家专利2000项,占该小类的份额为18%,占上海市专利的8%;其次是北京,达到1000多项,占该小类的份额为16%,占本市专利的3%。台湾和上海在半导体器件技术上的构成比重最高,表明这两地集中了大量的半导体技术研发力量,是专业化程度较高的地区。
7.3-2 2020年国内各省市区半导体器件H01L类专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 上海 | 2000 | 18% | 8% |
2 | 北京 | 1788 | 16% | 3% |
3 | 广东 | 1423 | 13% | 2% |
4 | 江苏 | 1418 | 13% | 3% |
5 | 台湾 | 1349 | 12% | 22% |
6 | 湖北 | 1225 | 11% | 7% |
7 | 浙江 | 698 | 6% | 1% |
8 | 陕西 | 357 | 3% | 3% |
9 | 四川 | 349 | 3% | 2% |
10 | 安徽 | 296 | 3% | 1% |
11 | 福建 | 248 | 2% | 2% |
12 | 山东 | 213 | 2% | 1% |
13 | 河北 | 204 | 2% | 3% |
14 | 湖南 | 177 | 2% | 2% |
15 | 吉林 | 126 | 1% | 3% |
16 | 辽宁 | 94 | 1% | 1% |
17 | 重庆 | 83 | 1% | 1% |
18 | 河南 | 72 | 1% | 1% |
19 | 天津 | 69 | 1% | 1% |
20 | 江西 | 67 | 1% | 2% |
21 | 黑龙江 | 39 | 0% | 1% |
22 | 山西 | 34 | 0% | 1% |
23 | 云南 | 28 | 0% | 1% |
24 | 香港 | 18 | 0% | 3% |
25 | 贵州 | 14 | 0% | 1% |
26 | 广西 | 12 | 0% | 0% |
27 | 甘肃 | 8 | 0% | 1% |
28 | 内蒙古 | 8 | 0% | 1% |
29 | 宁夏 | 4 | 0% | 1% |
30 | 海南 | 2 | 0% | 0% |
31 | 青海 | 1 | 0% | 0% |
32 | 新疆 | 0 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 0 | 0% | 0% |
34 | 澳门 | 0 | 0% | 0% |
注:本表数据按照第一权利人统计。
图7.3-2 2020年国内各省市区半导体器件H01L类专利的数量分布
图7.3-3 2020年国内各省市区半导体器件H01L类专利的技术构成比重
整体来看,国内的发明专利高度集中在上海、北京、广东、江苏、台湾、湖北、浙江,这7个省市在2020年获得的专利数量共占国内的90%,是我国半导体技术专利研发的重要地区。
2020年,在半导体器件(H01L)小类上获得中国局专利授权最多的机构是京东方,其次是中芯国际和台积电。从技术构成上看,中芯国际、台积电、长江存储等公司的比重较高,均超过70%,这些公司一多半的专利属于半导体器件(H01L)类,半导体技术是其研发重点,表明半导体技术研发的专业化程度较高。
表7.3-3 2020年半导体器件H01L类中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 823 | 31% |
2 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 中国上海 | 701 | 79% |
3 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 451 | 85% |
4 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国湖北 | 388 | 60% |
5 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 312 | 88% |
6 | 电子科技大学 | 中国四川 | 210 | 10% |
7 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 182 | 35% |
8 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 167 | 10% |
9 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 156 | 68% |
10 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 150 | 40% |
11 | 应用材料公司 | 美国 | 145 | 58% |
12 | 西安电子科技大学 | 中国陕西 | 144 | 11% |
13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 142 | 65% |
14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 135 | 31% |
15 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 中国浙江 | 130 | 96% |
16 | 上海天马微电子有限公司 | 中国上海 | 125 | 45% |
17 | 清华大学 | 中国北京 | 116 | 4% |
17 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 116 | 50% |
17 | 昆山国显光电有限公司 | 中国江苏 | 116 | 44% |
20 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 中国上海 | 112 | 58% |
21 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 110 | 94% |
22 | 索尼公司 | 日本 | 109 | 14% |
23 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 107 | 21% |
24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 中国广东 | 106 | 18% |
25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 中国北京 | 105 | 60% |
25 | 云谷(固安)科技有限公司 | 中国河北 | 105 | 64% |
25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 105 | 25% |
25 | 东京毅力科创株式会社 | 日本 | 105 | 69% |
29 | TCL科技集团股份有限公司 | 中国广东 | 99 | 42% |
30 | 华南理工大学 | 中国广东 | 97 | 6% |
30 | 英特尔公司 | 美国 | 97 | 16% |
32 | 三菱电机株式会社 | 日本 | 96 | 9% |
33 | 武汉天马微电子有限公司 | 中国湖北 | 93 | 47% |
34 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 88 | 28% |
35 | 株式会社LG化学 | 韩国 | 85 | 12% |
36 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 84 | 4% |
37 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 80 | 34% |
38 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本 | 77 | 73% |
39 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 75 | 3% |
40 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 中国上海 | 73 | 60% |
41 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 71 | 84% |
42 | 浙江大学 | 中国浙江 | 65 | 2% |
43 | 格罗方德半导体公司 | 开曼群岛 | 64 | 89% |
44 | 北京大学 | 中国北京 | 63 | 9% |
44 | 富士电机株式会社 | 日本 | 63 | 40% |
46 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 中国北京 | 62 | 91% |
46 | 科磊股份有限公司 | 美国 | 62 | 55% |
48 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 58 | 54% |
49 | 高通股份有限公司 | 美国 | 53 | 5% |
50 | 朗姆研究公司 | 美国 | 52 | 63% |
51 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 中国江苏 | 50 | 98% |
52 | 上海和辉光电有限公司 | 中国上海 | 49 | 60% |
52 | 矽品精密工业股份有限公司 | 中国台湾 | 49 | 92% |
54 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 中国安徽 | 48 | 43% |
55 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 47 | 53% |
55 | 株式会社迪思科 | 日本 | 47 | 54% |
57 | 群创光电股份有限公司 | 中国台湾 | 46 | 40% |
57 | 夏普株式会社 | 日本 | 46 | 11% |
59 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 中国上海 | 45 | 70% |
59 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 中国上海 | 45 | 70% |
59 | 晶元光电股份有限公司 | 中国台湾 | 45 | 94% |
59 | LG伊诺特有限公司 | 韩国 | 45 | 22% |
59 | 美光科技公司 | 美国 | 45 | 44% |
64 | 厦门天马微电子有限公司 | 中国福建 | 44 | 15% |
65 | 无锡华润上华科技有限公司 | 中国江苏 | 43 | 86% |
65 | 中节能万润股份有限公司 | 中国山东 | 43 | 84% |
65 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 中国上海 | 43 | 25% |
68 | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 | 中国江苏 | 42 | 11% |
69 | 中国科学院半导体研究所 | 中国北京 | 41 | 19% |
69 | 南京邮电大学 | 中国江苏 | 41 | 7% |
71 | 东南大学 | 中国江苏 | 39 | 2% |
71 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 39 | 33% |
71 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 中国台湾 | 39 | 89% |
71 | 株式会社村田制作所 | 日本 | 39 | 9% |
75 | 德淮半导体有限公司 | 中国江苏 | 38 | 73% |
76 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 中国江苏 | 37 | 84% |
76 | 富士胶片株式会社 | 日本 | 37 | 9% |
76 | 住友化学株式会社 | 日本 | 37 | 18% |
79 | 北大方正集团有限公司 | 中国北京 | 36 | 23% |
79 | 株式会社电装 | 日本 | 36 | 8% |
79 | 株式会社日本显示器 | 日本 | 36 | 30% |
82 | 精工爱普生株式会社 | 日本 | 35 | 5% |
82 | 琳得科株式会社 | 日本 | 35 | 44% |
84 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 33 | 1% |
85 | TCL集团股份有限公司 | 中国广东 | 32 | 28% |
85 | 广东工业大学 | 中国广东 | 32 | 4% |
85 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 32 | 10% |
85 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 中国江苏 | 32 | 65% |
89 | 华南师范大学 | 中国广东 | 31 | 12% |
89 | 河南大学 | 中国河南 | 31 | 16% |
89 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 中国吉林 | 31 | 6% |
89 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 中国江苏 | 31 | 86% |
89 | 江苏长电科技股份有限公司 | 中国江苏 | 31 | 94% |
89 | 三星SDI株式会社 | 韩国 | 31 | 16% |
89 | 亮锐控股有限公司 | 荷兰 | 31 | 55% |
96 | 湖北大学 | 中国湖北 | 30 | 16% |
96 | 南京大学 | 中国江苏 | 30 | 6% |
96 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 中国江苏 | 30 | 25% |
96 | 复旦大学 | 中国上海 | 30 | 8% |
100 | 中山大学 | 中国广东 | 29 | 5% |
100 | 中南大学 | 中国湖南 | 29 | 2% |
100 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 中国湖南 | 29 | 25% |
100 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 美国 | 29 | 18% |
100 | 索尼半导体解决方案公司 | 日本 | 29 | 42% |
100 | 株式会社斯库林集团 | 日本 | 29 | 57% |
注:本表数据按照第一权利人进行统计。
图7.3-4 2020年半导体器件H01L类中国局专利授权前30家机构
图7.3-5 2020年30家机构的半导体器件技术比重
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时,向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
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