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2019年中美欧日韩五局发明专利统计报告博客版1061.docx
2019年中国、美国、欧洲、日本、韩国五局发明专利统计分析报告
中美欧日韩五局专利数据统计分析小组
2019年,欧洲专利局在半导体器件(H01L)小类上共授权专利3630项,占总授权量的3%,是专利数量第6多的小类。
2019年,美国在半导体器件(H01L)小类上获得了752项专利,占该小类专利总量的21%。中国在该小类做出专利发明146项,获得专利权151项。日本和韩国的专利权数量远多于我国。
表28.3-1 2019年各国半导体器件(H01L)类的欧洲专利发明和专利权数量
国家 | 发明 数量 | 专利权数量 | 净流失数量 | 专利流失率 | 发明份额 | 专利权份额 | |
1 | 美国 | 777 | 752 | 25 | 3% | 21% | 21% |
2 | 日本 | 911 | 912 | -1 | 0% | 25% | 25% |
3 | 韩国 | 518 | 521 | -3 | -1% | 14% | 14% |
4 | 中国 | 146 | 151 | -5 | -3% | 4% | 4% |
5 | 德国 | 445 | 453 | -8 | -2% | 12% | 12% |
6 | 法国 | 224 | 235 | -11 | -5% | 6% | 6% |
7 | 加拿大 | 13 | 10 | 3 | 23% | 0% | 0% |
8 | 英国 | 106 | 69 | 37 | 35% | 3% | 2% |
9 | 瑞士 | 59 | 55 | 4 | 7% | 2% | 2% |
10 | 荷兰 | 128 | 170 | -42 | -33% | 4% | 5% |
11 | 瑞典 | 16 | 14 | 2 | 13% | 0% | 0% |
12 | 以色列 | 9 | 7 | 2 | 22% | 0% | 0% |
13 | 意大利 | 27 | 22 | 5 | 19% | 1% | 1% |
14 | 印度 | 0 | 0 | 0 | -- | 0% | 0% |
15 | 其他 | 251 | 259 | -8 | -3% | 7% | 7% |
小计 | 3630 | 3630 | 0 | 0% | 100% | 100% |
注:本表分别按照专利第一发明人和第一权利人进行统计(中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利)。
图28.3-1 2019年各国半导体器件(H01L)类的专利发明和专利权数量对比
2019年,在半导体器件(H01L)小类上获得专授权最多的公司是LG伊诺特,其次是欧司朗、LG电子公司。
表28.3-2 2019年半导体器件(H01L)类专利授权前10机构
机构名称 | 国家 | 机构英文名称 | 专利 | |
1 | LG伊诺特公司 | 韩国 | LG Innotek Co Ltd | 172 |
2 | 欧司朗光电半导体有限责任公司 | 德国 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 79 |
3 | LG电子公司 | 韩国 | LG Electronics Inc | 72 |
4 | LG显示公司 | 韩国 | Lg Display Co Ltd | 70 |
5 | 法国原子能委员会 | 法国 | Commissariat Energie Atomique | 67 |
6 | 科锐公司 | 美国 | Cree Inc | 54 |
7 | 日亚化学工业株式会社 | 日本 | Nichia Corp | 52 |
8 | 三星显示公司 | 韩国 | Samsung Display Co Ltd | 47 |
8 | 京东方科技集团公司 | 中国 | BOE Technology Group Co Ltd | 47 |
10 | 皇家飞利浦公司 | 荷兰 | Koninkl Philips NV | 42 |
注:本表数据按照第一权利人进行统计。
图28.3-2 2019年半导体器件(H01L)类专利授权前10机构
感谢大连理工大学刘则渊教授、河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员对本报告的支持、帮助、建议和意见。同时也感谢对本报告做出贡献的一些审阅者和讨论者,包括武汉大学张琳教授、武汉大学黄颖副教授等学者。
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