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请教一个问题:目前最先进的工艺似乎是10纳米的,主要用在什么地方?好像华为的麒麟是用来这个技术。难道3D游戏真的是最需要高速度的?如果用在超算上能不能使超算的功能提高二到三个数量级?我对三纳米的可靠性有些顾虑。在地球表面上使用应当没有太大的问题,可是在宇宙空间或者高辐射环境下可靠性是否会出问题?这个线宽已经只有十几个硅单晶 原子间距了。当硅微电子学达到极限之后,下一步发展的技术路线是什么?砷化镓吗?似乎也没有太大的潜力啊。
博主回复(2018-7-6 22:32):我个人认为,集成电路技术可能已经接近一个瓶颈阶段。新的革命性突破出现的可能性不大。就像喷气推进技术从上个世纪六七十年代到现在的四五十年里也没有太大进展一样。
同时,我认为在先进制造领域,中国应该和美国错位竞争(在航空领域也是如此,先从通飞、支线和单通道干线飞机坐骑)。目前看来,中国实现28/35乃至14nm量级核心芯片量说困难并不大,也就是三年五载内的事,这对于普通电脑和手机已经够用淋了,况且国际主流厂商可能用不了多久就会停产28nm或更早的芯片,所以从中低端产品实现芯片自主是可能的,也是完全有必要的。但是,更先进的14nm以上、甚至7nm以上的集成电路芯片,中国差距太大,即使能做出来,在市场面前也得不偿失,而且我个人也怀疑5nm、3nm或者更高的芯片是否真的具有市场意义
博主回复(2018-7-6 22:35):我认为:大概不用等到2025年,中国IC大概就会完全掌握7nm技术,国际集成电路产业就会出现两种不同的生态进化链条,一条是最先进的7/5/3nm制程,另一条就是以中国为主的7/14/28(甚至35nm)制程。十年以后,我们可能会发现某些科技巨头垮掉是因为技术太先进,投巨资去研发5nm乃至3nm的集成电路,但生产出来了却大量积压、卖不动。
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谢谢堆楼的详细回复。所说的意见我都同意。不过我认为中国有可能在5纳米的技术上弯道超车。可以发挥中国的综合实力,研制适合于这个线宽的同步辐射光源。中国的加速器技术有相当深厚的基础,问题就在于中国的科学技术人员不打肯自己去提出这种课题需要有远见的政治家去提出任务。