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关注:
1) XRD的妙用:定结构、原位反应研究等
2) XRD数据准确性的评估参数 Rp、Rwp、R1、RF等
3) 晶粒度的确定方法及可靠性
4) 对分布函数
11-06 关键词
1) Bi2Te3、Sb2Te3
JPCC 2010,114,12133
2) Pair distribution function (PDF) Spring-8
真实空间的描述,可包括短程有序信息,无定型材料也可以
处理晶体的软件最近才发展
需要高角度衍射,同步辐射装置上才能做相关实验,得到PDF数据
G(r)-r
锐钛矿型纳米材料TiO2中的缺陷?
3) In-house XRD
4) 热电材料 德拜温度
JAP,107,113507 (2010)
5) 载流子浓度
PRB 84,064114 (2011)
What type of disorder would cause the small band gap
Uiso<0,表明有disorder
通过计算可侧面证实空位位置有Ni占据
6)拓扑绝缘体
E-k2 体相
E-k 表面态
直接测量表面电导率、Dirac点or Cone
7) 胶带粘法可以从cm级别单晶中不同位置取样做STM分析
STM研究缺陷
Bi2Te2Se 不同区域成分不同、缺陷不同
表面电阻率的测量结果
8) XRD原位研究
时间分辨率 1s ; 探测器;
材料尺寸可以很小,乙醇分散
重元素要考虑吸收校正
蓝宝石反应器
Spring-8 光斑尺寸 约数百微米
Filling function limits? FFLS
糜建立老师简介:
http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?cmd=search&term=Iversen%20BB%5Bau%5D&dispmax=50
Phase separation and bulk p-n transition in single crystals of Bi₂Te₂Se topological insulator.
Mi JL, Bremholm M, Bianchi M, Borup K, Johnsen S, Søndergaard M, Guan D, Hatch RC, Hofmann P, Iversen BB.
Adv Mater. 2013
In-plane magnetic anisotropy of Fe atoms on Bi2Se3(111).
Honolka J, Khajetoorians AA, Sessi V, Wehling TO, Stepanow S, Mi JL, Iversen BB, Schlenk T, Wiebe J, Brookes NB, Lichtenstein AI, Hofmann P, Kern K, Wiesendanger R.
Phys Rev Lett. 2012 Jun 22;108(25):256811. Epub 2012 Jun 22.
Robust surface doping of Bi2Se3 by rubidium intercalation.
Bianchi M, Hatch RC, Li Z, Hofmann P, Song F, Mi J, Iversen BB, El-Fattah ZM, Löptien P, Zhou L, Khajetoorians AA, Wiebe J, Wiesendanger R, Wells JW.
ACS Nano. 2012 Aug 28;6(8):7009-15. doi: 10.1021/nn3021822. Epub 2012 Aug
Jørgensen MR, Skovsen I, Clausen HF, Mi JL, Christensen M, Nishibori E, Spackman MA, Iversen BB.
Inorg Chem. 2012 Feb 6;51(3):1916-24. doi: 10.1021/ic202231k. Epub 2012 Jan 20.
Surface-dominated transport on a bulk topological insulator.
Barreto L, Kühnemund L, Edler F, Tegenkamp C, Mi J, Bremholm M, Iversen BB, Frydendahl C, Bianchi M, Hofmann P.
Nano Lett. 2014 Jul
Intra- and Interband Electron Scattering in a Hybrid Topological Insulator: Bismuth Bilayer on Bi2Se3
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GMT+8, 2024-12-29 20:20
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