作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)

RF电路的制作主要是着眼于阻抗匹配，对其中所采用的器件的要求重要的是其高频率和低噪声性能。

（1）减小电容：

对于RF(射频)-BJT，影响其高频性能的主要因素是集电结势垒电容和衬底的寄生电容（因为在共发射极电路中，这些电容往往是跨接在输出端与输入端之间的密勒电容）。

对于RF-MOSFET，影响其高频性能的主要因素是栅极-漏极之间的寄生电容和衬底的寄生电容（这些电容也往往是密勒电容）。

现在高频、高速器件几乎都采用了外延片来制作，RF器件更是不能例外。存在的主要问题与一般高频晶体管所需要克服的困难相同，只是RF器件的要求更高，实现起来难度更大而已。

RF器件需要特别注意的问题是如何减小寄生电容，其中衬底的寄生电容往往起到很大的作用（因为这些电容常常是密勒电容）。这就与外延衬底片的掺杂浓度、厚度和质量等有密切的关系。不管是BJT、还是MOSFET，低阻的衬底都将会带来很大的寄生电容，这是在制作RF器件时必须要注意的。采用SOI衬底片，可有效地减小寄生电容，提高频率和速度；当然，这在CMOS器件中还可防止闩锁效应。

（2）降低噪声：

为了降低RF器件的噪声，需要降低器件的输入电阻，即要减小BJT的基极电阻，减小MOSFET的沟道电阻。对于BJT来说，在减小基极电阻与提高增益之间需要折中处理，同时还要兼顾高频性能。对于MOSFET而言，在减小沟道电阻的同时还需要考虑阈值电压的大小。

此外，在使用器件时，因为射频信号的波长与器件尺寸相当，所以需要从电磁波来考虑；为了避免射频信号波在器件的端头发生反射，则就需要分别在输入端和输出端进行阻抗匹配，以削弱反射波的影响。一般，采用的匹配电阻是50Ω。对于器件的输入端而言，如果器件本身的输入电阻正好是50Ω，这当然能够实现匹配，但是往往很难恰巧是如此，况且即使是等于50Ω，但这也会带来噪声；如果再外接一个电阻，那就会产生更大的噪声；所以往往采取的办法是：在发射极或者源极上外接一个电感，以使得在输入回路出现谐振、并产生出一个所需要的50Ω匹配电阻，这个电阻不是真正的电阻，它不消耗能量（是所谓纯电阻），当然也不会产生噪声。